ケイ素・二酸化ケイ素混合スラリーを塗布又は埋没させた被処理金属材料を、不活性ガス中で所定高温度に保持することにより、焼却炉用金属の表層に、ケイ化物の拡散層又は二酸化ケイ素のコーティング層を形成させる。例文帳に追加

A silicide-diffused layer or a silicon dioxide-coated layer is formed on the surface of a metal for the incinerator by maintaining the metal material to be treated, which has a mixed slurry of silicon and silicon dioxide applied thereto or implanted therein, in an inert gas at a predetermined, elevated temperature. - 特許庁

保護レンズ２１の出射側の表面には、二酸化チタンからなる光触媒層２４ａと、該光触媒層２４ａとは異なる屈折率の二酸化ケイ素からなる異屈折率層２４ｂとを含む多層コーティング２４がなされる。例文帳に追加

A multi-layer coating 24, including a photocatalyst layer 24a comprising titanium dioxide and a distinct refractive index layer 24b comprising silicon dioxide with a refractive index different from the photocatalyst layer 24a, is provided on the surface of the protective lens 21 at the emitting side thereof. - 特許庁

ここで、紫外線反射膜は、酸化タンタル層と二酸化ケイ素層とにより形成されていることが好ましい。例文帳に追加

Here, the ultraviolet reflecting film is preferably to be formed of a tantalum oxide layer and a silicon dioxide layer. - 特許庁

熱伝導材１は、シート状のグラファイト層３の表面に、二酸化ケイ素からなる放熱層５を形成したものである。例文帳に追加

A heat conduction material 1 has a heat dissipation silica layer 5 formed on the surface of a sheet-like graphite layer 3. - 特許庁

絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。例文帳に追加

The insulator layer 2 is formed of an insulator such as silicon dioxide and arranged inside the recess 1a of the substrate 1. - 特許庁

このスペーサはエミッタまたはコレクタ領域とスペーサの残り部分との間に物理的に差し挟まれた二酸化ケイ素層を含む。例文帳に追加

The spacer includes a silicon dioxide layer physically interposed between the emitter region or the collector region and remaining portion of the spacer. - 特許庁

好ましいポリマー層はＴｅｆｌｏｎ（Ｒ）などの全フッ素化ポリマーであり、好ましい無機材料は二酸化ケイ素である。例文帳に追加

The preferred polymer layer is a perfluorinated polymer such as Teflon (R) and the preferred inorganic material is silicon dioxide. - 特許庁

本発明の一実施形態によれば、単層膜と基板との間に、二酸化ケイ素からなる膜（２）を成膜している。例文帳に追加

As an implementation of this invention, the single layer film and the substrate is interleaved with a film (2) consisting of silicon-dioxide. - 特許庁

通常、Ｓｉ基板に覆い被さる絶縁体層は、熱軟化性絶縁体（ＴＳＩ）、二酸化ケイ素、またはＳｉｘＮｙ（ｘ≦３およびｙ≦４）である。例文帳に追加

Generally, the insulator layer covering the Si substrate is a thermosoftening insulator (TSI), silicon dioxide or SixNy (wherein, x is ≤3 and y is ≤4). - 特許庁

種々の状況において低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。例文帳に追加

To provide a process of atomic layer deposition (ALD) to form a silicon dioxide thin film at low temperature under various conditions. - 特許庁

本発明は、二酸化ケイ素層と窒化ケイ素層を同時に有する電子基板から窒化ケイ素を除去する工程において、窒化ケイ素のエッチングを高選択的に行い、かつエッチング後に析出物が発生しないエッチング液を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an etchant by which etching of silicon nitride is highly selectively performed without generating deposits after etching, in a step of removing silicon nitride from an electronic substrate having both a silicon dioxide layer and a silicon nitride layer. - 特許庁

半導体をコーティングする二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素上にロジン樹脂およびワックスを含むホットメルトインクレジストを選択的に堆積させ、次いで二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素層のコーティングされていない部分を無機酸エッチング剤でエッチングして半導体を露出させ、同時にホットメルトインクレジストのアンダーカットを阻害することを含む。例文帳に追加

The method involves selectively depositing a hot melt ink resist containing rosin resins and waxes on a silicon dioxide or silicon nitride layer coating a semiconductor, followed by etching uncoated portions of the silicon dioxide or silicon nitride layer with an inorganic acid etchant to expose the semiconductor and simultaneously inhibit undercutting of the hot melt ink resist. - 特許庁

主成分が二酸化ケイ素である第１基板１１と、主成分がシリコンあるいは化合物半導体あるいは二酸化ケイ素あるいはフッ化物のいずれかである第２基板１２と、第１基板１１と第２基板１２との間に配置される接合機能中間層２８とを備えている。例文帳に追加

The device includes a first substrate 11 employing silicon dioxide as a main constituent, a second substrate 12 employing silicon, a compound semiconductor, silicon dioxide or fluoride as a main constituent, and a bonding intermediate layer 28 arranged between the first substrate 11 and the second substrate 12. - 特許庁

少なくともその表面にゲルマニウムまたはケイ素−ゲルマニウム合金を持つ基板上において、高温酸化により二酸化ケイ素層を調製する方法例文帳に追加

METHOD OF PREPARING SILICON DIOXIDE LAYER BY HIGH-TEMPERATURE OXIDATION ON SUBSTRATE HAVING GERMANIUM OR SILICON-GERMANIUM ALLOY ON AT LEAST ITS SURFACE - 特許庁

二酸化ケイ素や窒化ケイ素など非常に薄い低応力誘電体材料と半導体層とで形成された可とう性の膜で集積回路（２４、２６、２８、．．．３０）を製造する汎用手法を提供する。例文帳に追加

To provide a versatile method for manufacturing an integrated circuit by a flexible film formed by an extremely thin stress reducing dielectric material such as silicon dioxide and silicon nitride and a semiconductor layer. - 特許庁

木材表面層にガラスパウダーを定着させて無機質層を形成した後、アクリルオリゴマーを含浸硬化させ、更にその外側に二酸化チタンを塗布し、最外層に二酸化ケイ素を主成分とする無機塗料でコーティングして表層無機質化複合木材を作成する。例文帳に追加

The manufacturing method of the timber with the inorganic surface comprises the steps of fixing glass powder on the surface layer of the timber to form the inorganic layer; impregnating the layer with an acrylic oligomer and curing it; applying titanium dioxide to the outside; and further applying an inorganic coating composed mainly of titanium dioxide to the outermost layer. - 特許庁

燃焼性活性化部材１は、不織布２を構造体とし、この不織布に対してトルマリン粉末が塗りこまれるとともに、二酸化ジルコニウム粉末と二酸化ケイ素粉末とが塗りこまれ、不織布２の外側に酸化チタンを含む薄膜層３が形成されて構成されている。例文帳に追加

The combustibility activation member 1 is constituted by forming a thin film layer 3 including titanium oxide on the outside of nonwoven fabric 2, by painting tourmaline powder in this nonwoven fabric and painting zirconium dioxide powder and silicon dioxide powder inside, with the nonwoven fabric 2 as a structure. - 特許庁

グラファイト層３は、膨張黒鉛をローラでプレス圧延することによりシート状に形成され、放熱層５は、グラファイト層３の表面に酸素雰囲気中でケイ素をスパッタリングすることにより、厚さ約１００ｎｍの二酸化ケイ素の層として形成されている。例文帳に追加

The graphite layer 3 is formed like a sheet by pressing the expanding graphite with the roller, and the dissipation layer 5 is formed as a silica layer with a thickness of approximately 100 nm by sputtering the silica on the surface of the graphite layer 3 in the oxygen ambient atmosphere. - 特許庁

ファラデー回転子４は、基板１の上に二酸化ケイ素SiO_2と五酸化タンタルTa_2O_5とからなる第１の周期的誘電体多層膜３ａが形成され、その上には磁気光学薄膜７が形成され、さらにその上に五酸化タンタルTa_2O_5と二酸化ケイ素SiO_2とからなる第２の周期的誘電体多層膜３ｂとが形成されている。例文帳に追加

In the Faraday rotator 4, a first periodic dielectrics multiplayer film 3a consisting of silicon dioxide SiO_2 and tantalum pentoxide Ta_2O_5 is formed on a substrate 1, a magneto-optical thin film 7 is formed thereon and further a second periodic dielectrics multiplayer film 3b consisting of tantalum pentoxide Ta_2O_5 and silicon dioxide SiO_2 is formed thereon. - 特許庁

ケイ素又は二酸化ケイ素を含む基板と、前記基板に密着積層したシクロオレィン系ポリマーフィルムとを有する積層体の製造方法であって、シクロオレフィン系ポリマーフィルムの一方の面に、酸素ガスの存在下でプラズマ処理を施す工程Ａと、前記シクロオレフィン系ポリマーフィルムのプラズマ処理面を、接着剤を介することなく、ケイ素又は二酸化ケイ素を含む基板に圧着する工程Ｂとを含むことを特徴とする、積層体の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the laminate having the substrate containing silicon or silicon dioxide, and the cycloolefin-based polymer film laminated in close contact with the substrate, includes a process A for carrying out plasma treatment to one side of the cycloolefin-based polymer film in the presence of oxygen gas, and a process B for pressure-bonding the plasma treated surface of the cycloolefin-based polymer film to the substrate containing silicon or silicon dioxide without interposing the adhesive. - 特許庁

弗化カルシウム基板の表裏両面に酸化アルミニウム薄膜および二酸化ケイ素薄膜を多層成膜形成する光吸収の少ない酸化物多層膜光学素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide multilayer film optical element which has an oxide aluminum thin film and a silicon dioxide thin film on both the top and reverse surfaces of a calcium fluoride substrate in layers and is small in light absorption. - 特許庁

記憶ノード回路154の内部で生成された光電流に対する保護を行なうために、二酸化ケイ素の絶縁層156により分離された記憶ノード回路154上にアルミニウム相互接続層158が配置される。例文帳に追加

In order to protect against the photocurrents generated in the node circuit 154, an aluminum interconnecting layer 158 is disposed on the node circuit 154 separated by an insulating layer 156 of a silicon dioxide. - 特許庁

さらにこの塗膜上に、二酸化ケイ素の超微粒子７の表面をフッ素含有シラン化合物からなる撥水撥油層８ａで被覆した形態の固定化層８を形成して定着ローラとした。例文帳に追加

Further on this coating film, an immobilized layer 8 having a form in which a surface of a super fine particle 7 of silicon dioxide is covered with a water-repellent and oil-repellent layer 8a of a fluorine- containing silane compound, is formed to obtain the fixing roller. - 特許庁

二酸化ケイ素と五酸化タンタルより構成される交互複数層からなる多層干渉膜を外表面に備えた管球の膜除去方法であって、管球のガラスバルブ外表面に傷がつくのを防止する。例文帳に追加

To provide a film removal method for a bulb with multilayered interference film on its outer surface composed of alternating multiple layer of silicon dioxide and tantalum pentaoxide, preventing the outer surface of the glass bulb from damage. - 特許庁

不良多層干渉膜付きのガラスバルブ３を、濃度５０質量％以上の強アルカリ水溶液またはアルカリ溶融液に浸漬して、二酸化ケイ素１および五酸化タンタル２からなる多層干渉膜を除去する。例文帳に追加

The multilayered interference film composed of silicon dioxide 1 and tantalum pentaoxide is removed by soaking the glass bulb 3 with defective multilayered interference film in a strong alkaline solvent with a concentration of more than 50 mass%, or in an alkaline melt. - 特許庁

環境負荷の大きい有機溶剤を含有する接着剤や粘着剤を用いることなく、シクロオレフィン系ポリマーフィルムとケイ素又は二酸化ケイ素を含む基板とを大きな接着力で接着可能であり、もって環境に優しい積層体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an environmentally friendly laminate by bonding a cycloolefin-based polymer film and a substrate containing silicon or silicon dioxide, with high adhesive force without using an adhesive or a pressure sensitive adhesive containing an organic solvent with a large environmental load. - 特許庁

ケイ素及び／またはケイ素合金を含む活物質粒子とバインダーとを含む合剤層を導電性金属箔からなる集電体の表面上で焼結して配置した負極と、正極と、非水電解質とを備え、非水電解質に二酸化炭素を溶解させたことを特徴としている。例文帳に追加

This lithium secondary battery includes a negative electrode, provided by sintering a mixture layer including active material particles, containing silicon and/or silicon alloy and a binder on a surface of a current collector, consisting of a conductive metal foil, a positive electrode and a non-aqueous electrolyte, wherein carbon dioxide is dissolved in the non-aqueous electrolyte. - 特許庁

排水の浄化・再利用に用いる膜分離プロセスにおける二酸化ケイ素（シリカ）等のケイ素化合物が分離膜表面に付着して生成したスケ−ル層による分離膜の処理能力の回復を図り、且つ、環境に悪影響を与えることが少ない水の処理法を提供する。例文帳に追加

To provide a water treatment method which recovers the treatment capacity of a separation membrane by a scale layer produced by the adhesion of silicon compounds such as silicon dioxide (silica) to the surface of the separation membrane, in a membrane separation process for the purification and reuse of wastewater and almost does not cause environmental pollution. - 特許庁

保護層１０は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化第二鉄、酸化マグネシウム、酸化リチウム、酸化バリウム、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化コバルトおよび酸化ニッケルを含む釉薬により形成されている。例文帳に追加

The protecting layer 10 is formed of a glaze including silicone dioxide, aluminum oxide, ferric oxide, magnesium oxide, lithium oxide, barium oxide, zinc oxide, chromium oxide, cobalt oxide, and nickel oxide. - 特許庁

その皮膜層は、モリブデン３０〜８０重量％、ニッケル−クロム合金１０〜５０重量％、二酸化ケイ素を１〜７重量％添加された酸化クロム２〜３５重量％からなる。例文帳に追加

The coating layer is formed of, by weight, 30 to 80% molybdenum, 10 to 50% nickel chromium alloy and 2 to 35% chromium oxide added with 1 to 7% silicon dioxide. - 特許庁

少なくとも表面層が平均粒径が０．５μｍ以上で１．０μｍ未満である二酸化ケイ素微粒子を０．１０質量％〜０．１５質量％含有するセルローストリアセテートフィルム。例文帳に追加

This cellulose triacetate film comprises, at least in its surface layer, 0.10 mass % to 0.15 mass % of minute silicon dioxide particles having an average particle diameter of ≥0.5 μm and <1.0 μm. - 特許庁

ゾルゲルコーティングを用い、ジルコニア／二酸化ケイ素の勾配領域を作ることで単一の手順で複数の層を設けることができ、それと共に、疎水性または親水性の外表面が得られる。例文帳に追加

A sol-gel coating can be used to deposit the multi-layers in a single step by providing gradient zones of zirconia/silica while enabling a hydrophobic or a hydrophilic exterior surface to be obtained. - 特許庁

半導体集積回路装置の製造において二酸化ケイ素系材料層の被研磨面を研磨する際に研磨速度のパターン依存性が極めて小さく、高平坦化を実現することのできる研磨技術を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing technique in which, when a polishing face of a silicon dioxide based material layer is polished in manufacturing a semiconductor integrated circuit device, the pattern dependence of a polishing rate is very small, thereby realizing high planarization. - 特許庁

光源装置１のランプ部２における管球部３には反射膜１０が高屈折率膜と低屈折率膜との交互積層により形成されるが、低屈折率膜には二酸化ケイ素を用いる。例文帳に追加

A reflection film 10 is formed of the alternate deposition layer of a high refractive index film and a low refractive index film for a tubular lamp part 3 in the lamp part 2 of a light source device 1, wherein silicon dioxide is used as the low refractive index film. - 特許庁

最終的な共振器の帯域幅は、特にエーロゲルやスパッタ法及び／又はＣＶＤ堆積された二酸化ケイ素などの低密度物質が素子の音響反射鏡の最上層となっている場合には、大きくなる。例文帳に追加

The final band width of the resonator expands in the case that a low density material such as aerogel and silicon dioxide deposited by sputtering method and/or CVD method is formed on the most upper layer of the sound-reflecting mirror of the acoustic element. - 特許庁

本発明の光学素子１は、基板２に、五酸化二タンタル又は二酸化ハフニウムからなる高屈折層３と、酸化ケイ素からなる低屈折率層４と、五酸化二タンタル又は二酸化ハフニウムからなる高屈折率層５とを積層し、その上に光学特性に影響を与えない程度の厚さの防汚コート（フッ素化合物）６を積層してなる。例文帳に追加

The optical element 1 is constituted by laminating, on a substrate 2, a high refraction layer 3 formed by ditantalum pentaoxide or hafnium dioxide, a low refractive index layer 4 formed by silicon oxide, and a high refractive index layer 5 formed by ditantalum pentaoxide or halnium dioxide and by laminating a contamination-resisting coating (fluorine compound) 6 having such thickness that does not affect the optical characteristics adversely on them. - 特許庁

基板Ｓと、白金層ＰＳと、白金層ＰＳ上に形成された強誘電体層ＦＳとを有しており、基板Ｓの表面ＯＳは二酸化ケイ素を含み、基板Ｓと白金層ＰＳとの間にアモルファス酸化アルミニウムから成る中間層ＺＳが設けられる。例文帳に追加

The layer structure includes a substrate S, a platinum layer PS, and a ferroelectric layer FS formed on the platinum layer PS; a surface OS of the substrate S contains silicon dioxide; and an intermediate layer ZS, formed of amorphous aluminum oxide, is provided between the substrate S and the platinum layer PS. - 特許庁

薄膜ガラス３の少なくとも片面に、パーヒドロポリシラザンを含有する組成物から形成された保護層を有するガスバリア性部材において、該保護層が、１）二酸化ケイ素層１、及び２）１）とは組成の異なるケイ素化合物層２の少なくとも２層以上の層からなることを特徴とするガスバリア性部材。例文帳に追加

In this gas barrier member including a protective layer formed of a composition containing perhydropolysilazane on at least one side of the thin-film glass 3, the protective layer is composed of at least two or more layers, i.e. a silicon dioxide layer 1 and a silicon compound layer 2 of different composition from the former. - 特許庁

少なくともベース層Ｂを有する二軸延伸ポリエステルフィルムであって、ベース層Ｂが、０．２５重量％以上１．０重量％未満の二酸化ケイ素粒子および０．２５重量％以上１．０重量％未満の二酸化チタン粒子を含有する二軸延伸ポリエステルフィルム、及び当該二軸延伸ポリエステルフィルムの製造方法。例文帳に追加

The biaxially oriented polyester film has at least a base layer B containing 0.25 wt.% or more and less than 1.0 wt.% of SiO_2 particles and 0.25 wt% or more and less than 1.0 wt% of TiO_2 particles. - 特許庁

近赤外領域の光による光通信に用いられる光学多層膜フィルタが、高屈折率物質として五酸化ニオブ（Ｎb_2Ｏ_5）が用いられ、低屈折率物質として二酸化ケイ素（ＳiＯ_2）が用いら、高屈折率物質層と低屈折率物質層とを交互に積層して作られる。例文帳に追加

The optical multilayer film filter used in optical communications with a light in the near infrared region is manufactured by using niobium pentoxide (Nb2O5) as a high refractive index substance and silicon dioxide (SiO2) as a low refractive index substance and by alternately laminating the high refractive index substance layer and the low refractive index substance layer. - 特許庁

単層または多層二軸延伸ポリエステルフィルムであって、少なくとも１層が、メジアン粒径（ｄ_５０）が２．５〜４．５μｍの二酸化ケイ素粒子を０．２５以上１．０重量％未満含有する二軸延伸ポリエステルフィルム、及び当該二軸延伸ポリエステルフィルムの製造方法。例文帳に追加

The mono-layered or multi-layered biaxially oriented polyester film whose at least one layer contains silicon dioxide particles having a median particle diameter (d_50) of 2.5 to 4.5 μm in an amount of 0.25 to 1.0 wt.%, and the method for producing the biaxially oriented polyester film are provided. - 特許庁

上記の化学構造を有する絶縁層２１により、従来、絶縁層として二酸化ケイ素膜を用いたときに比べて、前記圧電性基板１２の材質にかかわらず、前記絶縁層２１を薄い膜厚の範囲内で、弾性表面波素子の周波数温度係数を０に効果的に近づけることが出来る。例文帳に追加

The insulating layer 21 having the above chemical structure can allow a frequency temperature coefficient of the surface acoustic wave element to approximate to zero within a range of a thin film thickness of the insulating layer 21, irrespective of the material of the piezoelectric substrate 12, compared to the conventional case that a silicon dioxide film is used as an insulating layer. - 特許庁

二酸化ケイ素を主成分として含有する保護層を種々の条件の下で容易に作製することができ、保護層と透光管との密着性が高く、水銀の消費を抑制し輝度の維持を図ることができることができる蛍光ランプを提供する。例文帳に追加

To provide a fluorescent lamp having high adhesion between a protective layer and a translucent tube, and reducing mercury consumption and maintaining brightness while the protective layer containing silicon dioxide as a principal component is easily produced under various conditions. - 特許庁

鋳鉄管、ダクタイル鋳鉄管などの金属管１であって、内面にモルタルライニング層２が形成され、そのセメントライニング層２表面に、二酸化ケイ素にチオスルファト銀錯体を担持させてなる抗菌剤を添加したシールコート剤で内面塗装３してなることを特徴とする。例文帳に追加

In a metallic pipe 1 such as a cast iron pipe and a ductile iron pipe, a mortar lining layer 2 is formed on an inner face, and an inner face coating 3 is formed on a surface of its cement lining layer 2 by using a seal coating agent to which an antibiotics composed of silicon dioxide supporting thiosulfite silver complex, is added. - 特許庁