本発明は、電源オフ時に画素に蓄積された電荷を効果的に放電することができ、画素に蓄積された電荷を効果的に放電し、画素に蓄積された電荷を効果的に放電する薄膜トランジスター基板を含む液晶表示パネル及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film transistor (TFT) substrate that can effectively discharge electric charges accumulated in a pixel when electric power is off, to provide a manufacturing method of a TFT that can effectively discharge electric charges accumulated in a pixel, and to provide a liquid crystal display panel including a TFT substrate that can effectively discharge electric charges accumulated in a pixel. - 特許庁

これにより、電荷蓄積層３に電荷を貯えその電荷による電界効果型トランジスタの閾値の変化により情報を記憶する。例文帳に追加

The memory device accumulates charge in the charge accumulation layer 3, and stores information by a change in threshold value of the field effect transistor due to the accumulated charge. - 特許庁

これにより、装置は電極／チャック本体の境界面３１４に減少した電荷蓄積効果を有する静電チャックを得る。例文帳に追加

Thus, the apparatus obtains an electrostatic chuck having decreased charge storage effect at the boundary surface 314 of the electrode/chuck body. - 特許庁

これにより、画素に蓄積した電荷が次列データ線から放出を促進されて効果的に残像を消去することができる。例文帳に追加

This accelerates emission of electric charges, accumulated in the pixels, from the adjacent data line, and effectively eliminates a residual image. - 特許庁

光受光素子の電荷蓄積効果による残像の低減が可能な撮像デバイス回路を提供すること。例文帳に追加

To provide an imaging device circuit capable of reducing a residual image by an electric charge accumulation effect of an optical light receiving element. - 特許庁

蓄積された電荷の自然放出を効果的に抑制することによって、電荷保持領域１１３３に電荷を長時間保持できるため、信頼性の高いものとなる。例文帳に追加

Since charges can be held for a long time in the charge holding region 1133 by suppressing spontaneous emission of the stored charges, reliability can be enhanced. - 特許庁

半導体層１、第１の電荷障壁層２、電荷蓄積層３、第２の電荷障壁層４、および、ゲート電極４を順次積層した電界効果トランジスタ構造とする。例文帳に追加

The memory device has a structure of a field effect transistor wherein a semiconductor layer 1, first charge barrier layer 2, charge accumulation layer 3, second charge barrier layer 4, and gate electrode 4 are stacked in this order. - 特許庁

本発明は、温度変化による焦電効果あるいは応力効果により発生する電荷の蓄積を防止する波長変換素子、及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a wavelength conversion element capable of preventing accumulation of charges caused by pyroelectric effect or stress effect due to a temperature change, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

第１のＭＯＳ電界効果トランジスタＱ__１Ｓおよび第２のＭＯＳ電界効果トランジスタＱ_２Ｓをオンすると、不揮発性メモリセルＭＣのドレイン領域に蓄積された電荷が、第１のＭＯＳ電界効果トランジスタＱ_１Ｓおよびメインビット線ＢＬＭを介して引き抜かれる。例文帳に追加

When the first MOS field effect transistors Q1S and the second MOS field effect transistors Q2S are turned on, electric charges accumulated in a drain region of a non-volatile memory cell MC are extracted through the first MOS field effect transistors Q1S and the main bit lines BLM. - 特許庁

イオン発生電極への逆極性電荷の蓄積を効果的に回避することができ、ひいては連続的かつ安定的にイオン発生を継続することが可能なイオン発生装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion generating device capable of effectively preventing accumulation of opposite polarity charge on an ion generating electrode, and continuously and stably continuing to generate ions. - 特許庁

ゲート１３、ドレイン電極１２の磁化配列が反平行であるとき、電荷島１０にはスピン蓄積効果によりスピンに依存した化学ポテンシャルシフトが生じる。例文帳に追加

A spin-dependent chemical potential shift is generated in the charge island 10 by a spin accumulation effect when the magnetization array of the gate 13 and the drain electrode 12 is autiparellel. - 特許庁

一次電子線と二次電子線とに同時にレンズの合焦条件を満足させることができ、レンズの軸合わせが容易で、空間電荷効果を最小に制限し、被検査対象の画像を蓄積するメモリ容量を小さくすること例文帳に追加

To satisfy focusing conditions for a primary electron beam and a secondary electron beam at the same time, facilitate axis-taking of lenses, minimize space charge effect, and decrease memory capacity accumulating images of objects for inspection. - 特許庁

信号線に接続された回路にシングル効果過渡（ＳＥＴ）の弱点を導くことなく、製造中に蓄積する電荷から信号線を保護するアンテナダイオード回路を提供する。例文帳に追加

To provide an antenna diode circuit for protecting a signal line from charge accumulated during wafer fabrication without leading weak points of single effect transients (SET) to a circuit connected to the signal line. - 特許庁

また、フレーム毎に各画素の電荷蓄積時間を変更することで、感度の低い画素領域が撮像面上で固定されることにより発生する撮像画像上のノイズを効果的に抑制する。例文帳に追加

Furthermore, a charge accumulation time of each pixel is changed for each frame, thereby effectively suppressing noise on a captured image caused by fixing a low-sensitivity pixel region on an imaging plane. - 特許庁

端子部１２１ａに電磁波を照射すると、光電効果によって電子が放出され、配線１２１の断線／短絡の有無によって変化する上記容量には電荷が蓄積される。例文帳に追加

When the terminal part 121a is irradiated with electromagnetic waves, electrons are discharged by photoelectric effect, and the charges are accumulated in the capacity changed depending on disconnection/short-circuit of the wiring 121. - 特許庁

検出回路は信号ラインにおける寄生容量効果を除去して、検出する際の増幅器のための電荷を急速に蓄積し、それによって検出回路の動作速度を上げる。例文帳に追加

The sensing circuit eliminates parasitic capacitance effects on the signal lines, and rapidly accumulates charges for an amplifier in sensing to thereby increase the operating speed of the sensing circuit. - 特許庁

本半導体集積回路では、非導通状態に於ける基板蓄積電荷は基板端子とソース間に構成された抵抗素子により引き抜き、基板浮遊効果の諸現象を解消する。例文帳に追加

Furthermore, the source of the second MOFFET transistor M2 is connected with the device substrate of the first MOFFET transistor M1 and, through a resistor element RS, with the source of the first MOFFET transistor M1 thus constituting a unit semiconductor device. - 特許庁

この短絡層１０によって、銀層３ａと銀層３ｂとを接続することにより、焦電効果により発生した蓄積電荷をリークさせ、それによって圧電セラミック板の分極劣化および組成変化を防止する例文帳に追加

The silver layer 3a is connected with the silver layer 3b by the short-circuit layer 10, and a storage electrode generated by a pyloelectric effect is leaked so that the deterioration of the polarization or the change of composition of a piezoelectric ceramic plate can be prevented. - 特許庁

これにより、残像効果を減らしたり無くすことができ、変換利得及び光電変換素子の電荷蓄積容量を向上させることができ、高電圧に耐えるための別途の設計が不要である。例文帳に追加

Thus, an after-image effect can be reduced or eliminated, a conversion gain and charge storage capacity of the photoelectric conversion element can be improved, and another design to withstand a high voltage is obviated. - 特許庁

カラー対応の縦型オーバーフロードレイン構造の固体撮像素子において、オーバーフロードレインによる蓄積電荷のクリア動作に悪影響を与えることなく、暗電流を効果的に低減し、白傷の発生を抑制する。例文帳に追加

To inhibit occurrence of a white scratch by reducing effectively a dark current without giving a bad influence on a performance clearing a stored charge by an overflow drain, in a solid state imaging element of a vertical overflow drain structure corresponding to colorization. - 特許庁

薄膜半導体層１２の第二面側（ゲート絶縁層非形成側）に、バイアス電圧を印加することで電荷蓄積領域を形成する構成も同様の効果を有する。例文帳に追加

The same effect is obtained in a constitution that the charge accumulation region is formed by applying a bias voltage on a second surface side (on the gate insulating layer non-forming side) of the thin film semiconductor layer 12. - 特許庁

第２電界効果トランジスタは、第２ゲート電極６４に隣接して設けられていて、順次に積層して形成された第２下部絶縁膜８２及び第２電荷蓄積膜８４を有する第２側壁部８０を備えている。例文帳に追加

The second field effect transistor includes a second side wall part 80 which is provided to adjoin a second gate electrode 64 and includes a second lower insulating film 82 and a second charge accumulation film 84 stacked sequentially. - 特許庁

第１電界効果トランジスタは、第１ゲート電極３４に隣接して設けられていて、順次に積層して形成された第１下部絶縁膜５２及び第１電荷蓄積膜５４を有する第１側壁部５０を備えている。例文帳に追加

The first field effect transistor includes a first side wall part 50 which is provided to adjoin a first gate electrode 34 and comprises a first lower insulating film 52 and a first charge accumulation film 54 stacked sequentially. - 特許庁

そして、磁気抵抗効果膜４２は、磁気抵抗効果素子４０が形成されることとなる各形成位置間を電気的に接続しているため、電子ビームの照射によって各形成位置付近に蓄積された電荷ｅを、導電部材５０を介して外部に導出させることが可能となる。例文帳に追加

Since parts whereon the magneto-resistance effect elements 40 are to be formed are electrically connected by the magneto- resistance effect film 42, electric charges accumulated around the individual formation positions by the irradiation with the electron beam can be lead to the outside through the conductive member 50. - 特許庁

飽和電子数の維持と転送効率の最適化との両立を図りながら、電荷蓄積部および電荷転送部への暗電流の侵入を効果的に抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging device capable of effectively suppressing a penetration of a dark current into a charge storage part and a charge-transfer part by satisfying both of a maintenace of the number of saturated electrons and the optimization of a transfer efficiency, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

本発明は、従来の酸化ハフニウム膜の結晶化熱処理温度よりも高温での処理を可能にして、結晶性を高めることで負の固定電荷を増大させ、固体撮像装置のフォトダイオード表面への正孔蓄積効果を高めることを可能にする。例文帳に追加

To increase negative fixed charges and to increase the hole accumulation effect to a photodiode surface of a solid-state imaging apparatus by making it possible to perform treatment at a temperature higher than the conventional crystallization heat treatment temperature of a hafnium oxide film and increasing crystallinity. - 特許庁

コモン電源配線の蓄積電荷による静電破壊から画素回路を守るために、コモン電源配線を周辺額縁領域の外周部に配置すると表示領域とコモン電源配線との間で十分な遮光効果が得られなくなる。例文帳に追加

To solve the problem that a sufficient shading effect cannot be obtained between a display area and common power source wiring when the common power source wiring is arranged in the peripheral area of the peripheral frame area to protect pixel circuits from static damage which may be caused by accumulated charges of the common power source wiring. - 特許庁

複数の溝を設けた半導体表面上に絶縁ゲート電界効果型トランジスタのソース領域、ドレイン領域、およびチャネル領域がそれぞれ位置され、該チャネル領域上に絶縁層を介して電荷蓄積領域を設けた。例文帳に追加

The source region, drain region and channel region of an insulating gate electric field effect type transistor are respectively positioned on the surface of a semiconductor provided with a plurality of grooves while an electric charge storage region is provided on the channel region through an insulating layer. - 特許庁

このメインコンデンサＣ_1 には、ＣＰＵ１からの充電開始命令を受けて電界効果トランジスタＦＥＴ_1 、ＦＥＴ_2 が動作されることにより、昇圧トランスＴ_1 及びダイオードブリッジ回路Ｄ_1 により昇圧されて全波整流された電荷が蓄積される。例文帳に追加

In the device, voltage is boosted by a boosting transformer T1 and a diode bridge circuit by operating field-effect transistors FET_1, FET_2 by receiving a charging start command from a CPU 1, and electric charges which are boosted and subjected to full-wave rectification are stored on the main capacitor C_1. - 特許庁

情報記録媒体に記録されている情報を電荷蓄積型のイメージセンサによって読み取った際に、このイメージデータの積算値に基づいてそのセンサの最適なシャッター時間を測定した後、このシャッター時間に応じて記録情報の読み取りを再開する場合に、この再開後の読み取りで得られるイメージデータのデータ量を効果的に削減できるようにする。例文帳に追加

To effectively reduce the data volume of image data obtained by reading recording information after the re-start of the reading when the reading of the recording information is re-started according to a shutter time after the optimum shutter time of a charge storage type image sensor is measured based on the integrated value of image data when the information recorded in an information recording medium is read by the image sensor. - 特許庁

電荷蓄積層及び制御ゲートを有する半導体記憶装置のバックバイアス効果による影響を低減させることにより集積度を向上させ、占有面積を増加させずに浮遊ゲートと制御ゲートとの容量の比をより一層増大させるとともに、製造プロセスに起因するセル特性のばらつきが抑制された半導体記憶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory having a charge storage layer and a control gate, and its fabricating method, in which integration is enhanced by suppressing back bias effect and the ratio of capacity between a floating gate and a control gate is increased furthermore without increasing the occupation area while suppressing variation of cell characteristics caused by the fabrication process. - 特許庁

電荷蓄積層及び制御ゲートを有する半導体記憶装置のバックバイアス効果による影響を低減させることにより集積度を向上させ、占有面積を増加させずに浮遊ゲートと制御ゲートとの容量の比をより一層増大させるとともに、製造プロセスに起因するセル特性のばらつきが抑制された半導体記憶装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device which improves an integration degree by reducing an influence of a back bias effect of the storage device having a charge storage layer and a control gate, in which a ratio of capacities of a floating gate to a control gate is further increased without increasing an occupying area and an unevenness of cell characteristics due to a manufacturing process is suppressed. - 特許庁

キャパシタの誘電体膜のリーク電流密度を大きくせずに誘電率を増加させることができ、また、蓄積電荷が減少するのを効果的に防止することができるキャパシタ並びにそのキャパシタを用いたダイナミック型半導体記憶装置などの半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a capacitor which can be increased in dielectric constant, without having to increase its dielectric film in leakage current density and effectively prevented from being reduced in storage charge, a semiconductor device, such as a dynamic semiconductor memory device equipped with the above capacitor, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

情報を読取る読取範囲を任意に変更可能な電荷蓄積型のイメージセンサによって読み取られたイメージデータの階調分布状態に基づいて当該センサの最適な露光時間を設定した後に、この露光時間に応じて読取動作を再開する場合に、この再開後の読み取りで得られるイメージデータのデータ量を効果的に削減できるようにする。例文帳に追加

To effectively reduce the data volume of image data acquired by reading after the resumption of a reading operation according to the optimal exposure time of a sensor set based on the gradation distributing condition of image data read by a charge storage type image sensor capable of arbitrarily changing a reading range for reading information. - 特許庁