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主な意味Department of Trade and Industry 通商産業省
音節DTI

DTIの
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研究社 新英和中辞典での「DTI」の意味

DTI



「DTI」を含む例文一覧

該当件数 : 31



例文

To provide a magnetic resonance imaging apparatus capable of obtaining DWI (diffusion weighted imaging) or DTI (diffusion tensor imaging) to which distortion correction is performed better.例文帳に追加

より良好に歪補正を施したDWI又はDTIを得ることが可能な磁気共鳴イメージング装置を提供することである。 - 特許庁

The DTI must resolve this issue soon.発音を聞く例文帳に追加

貿易産業省はその問題をすぐに解決しなければならない。 - Weblio英語基本例文集

A CPU watches the state of a DTI memory and investigates whether '110' is connected or not (S3) and when a DTI and the ODI are connected to '110' (YES in S3), the trunk number and route number of the DTI connected to '110' are confirmed (S4).例文帳に追加

CPUはDTIメモリーの状態をみて、110番接続を行っていたかどうかを調べ(S3)、DTIとODTとが110番接続されていたならば(S3がYES)、110番接続していたDTIのトランク番号とルート番号を確認する(S4)。 - 特許庁

The FACILITY signal is sent from the DTI to an outgoing side exchange (S6).例文帳に追加

DTIよりFACILITY信号を発側交換機へ送出する(S6)。 - 特許庁

A data processing unit 75 generates a DTI image representing anisotropy of molecular diffusion in a subject.例文帳に追加

データ処理部75は、被検体内における分子拡散の異方性を表すDTI画像を生成する。 - 特許庁

The integration item DTi is updated based on a difference of actual fuel pressure P and target fuel pressure P0.例文帳に追加

積分項DTi は、実際の燃圧Pと目標燃圧P0 との差に基づき更新される。 - 特許庁

例文

The semiconductor device is provided with a transistor region 3 subjected to element isolation by a first DTI 2 formed on a semiconductor substrate 1; and an inductor region 5 formed on a second DTI 4, a silicon oxide film 6 and a polysilicon 7 are filled in the first DTI, and the silicon oxide film 6 is filled in the second DTI.例文帳に追加

半導体基板1に形成された第1のDTI2により素子分離されたトランジスタ領域3と、第2のDTI4上に形成されたインダクタ領域5を備え、前記第1のDTI内をシリコン酸化膜6とポリシリコン7により充填し、前記第2のDTI内はシリコン酸化膜6により充填している。 - 特許庁

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Eゲイト英和辞典での「DTI」の意味

DTI

音節DTI
略語

英和生命保険用語辞典での「DTI」の意味

機械工学英和和英辞典での「DTI」の意味

DTI (Department of Trade and Industry)

日英・英日専門用語辞書での「DTI」の意味

遺伝子名称シソーラスでの「DTI」の意味

Wiktionary英語版での「DTI」の意味

「DTI」を含む例文一覧

該当件数 : 31



例文

When the own ship of the synchronization device 1 performs transmission, the synchronization device 1 acquires timing differences DTi of the past one minute from the transmission timings of the own ship (S102) and generates a histogram of the timing differences DTi (S103).例文帳に追加

同期装置1は、自船が送信を行う場合、自船送信タイミングから過去1分間のタイミング差DTiを取得して(S102)、当該タイミング差DTiのヒストグラムを作成する(S103)。 - 特許庁

But when fuel discharge amount of the high pressure fuel pump 47 becomes a value in the vicinity of the maximum value, the update of the integration item DTi is inhibited and excessively increasing side value of the integration item DTi is avoided.例文帳に追加

しかし、高圧燃料ポンプ47の燃料吐出量が最大値近傍の値となるときには、上記積分項DTi の更新が禁止されて同積分項DTi が過度に増大側の値になることは回避される。 - 特許庁

The integration item DTi is gradually updated toward a side (increase side) in which the integration item DTi increases fuel discharge amount of the high pressure fuel pump 47 under the circumstances that it takes time to raise actual fuel pressure P up to the target fuel pressure P0.例文帳に追加

例えば実際の燃圧Pが目標燃圧P0 まで上昇するのに時間がかかる状況では積分項DTi が高圧燃料ポンプ47の燃料吐出量を多くする側(増大側)に向けて徐々に更新される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a DTI structure for improved breakdown strength against substrate, the semiconductor device achieving chip shrink.例文帳に追加

対基板耐圧が向上しチップシュリンクも実現可能な、DTI構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To that end, the periphery of the semiconductor region under the bonding pad 22 is surrounded by DTI 36.例文帳に追加

そのために、ボンディング・パッド22の下方の半導体領域周囲は、DTI36により取り囲まれている。 - 特許庁

The device isolation region 13 has a DTI (Deep Trench Isolation) structure and has its bottom exposed to a backside of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

素子分離領域13は、DTI(Deep Trench Isolation) 構造であり、その底面は半導体基板1の裏面から露出している。 - 特許庁

When the clock signals CLK are 'H' and the data DTi are 'L', the NMOS 11 is turned off and the signals SB become 'H'.例文帳に追加

クロック信号CLKが“H”のときに、表示データDTiが“L”であれば、NMOS11はオフとなり出力信号SBは“H”となる。 - 特許庁

例文

The element isolation region has a DTI (Deep Trench Isolation) structure and has a bottom exposed to the backside of the semiconductor substrate 9, the inside thereof being a cavity.例文帳に追加

素子分離領域は、DTI(Deep Trench Isolation) 構造であり、その底面は半導体基板9裏面に露出し、その内部は空洞になっている。 - 特許庁

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