1016万例文収録!

「DTI」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定


セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

DTIを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 31



例文

To provide a magnetic resonance imaging apparatus capable of obtaining DWI (diffusion weighted imaging) or DTI (diffusion tensor imaging) to which distortion correction is performed better.例文帳に追加

より良好に歪補正を施したDWI又はDTIを得ることが可能な磁気共鳴イメージング装置を提供することである。 - 特許庁

The DTI must resolve this issue soon. 例文帳に追加

貿易産業省はその問題をすぐに解決しなければならない。 - Weblio英語基本例文集

A CPU watches the state of a DTI memory and investigates whether '110' is connected or not (S3) and when a DTI and the ODI are connected to '110' (YES in S3), the trunk number and route number of the DTI connected to '110' are confirmed (S4).例文帳に追加

CPUはDTIメモリーの状態をみて、110番接続を行っていたかどうかを調べ(S3)、DTIとODTとが110番接続されていたならば(S3がYES)、110番接続していたDTIのトランク番号とルート番号を確認する(S4)。 - 特許庁

The FACILITY signal is sent from the DTI to an outgoing side exchange (S6).例文帳に追加

DTIよりFACILITY信号を発側交換機へ送出する(S6)。 - 特許庁

例文

A data processing unit 75 generates a DTI image representing anisotropy of molecular diffusion in a subject.例文帳に追加

データ処理部75は、被検体内における分子拡散の異方性を表すDTI画像を生成する。 - 特許庁


例文

The integration item DTi is updated based on a difference of actual fuel pressure P and target fuel pressure P0.例文帳に追加

積分項DTi は、実際の燃圧Pと目標燃圧P0 との差に基づき更新される。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a transistor region 3 subjected to element isolation by a first DTI 2 formed on a semiconductor substrate 1; and an inductor region 5 formed on a second DTI 4, a silicon oxide film 6 and a polysilicon 7 are filled in the first DTI, and the silicon oxide film 6 is filled in the second DTI.例文帳に追加

半導体基板1に形成された第1のDTI2により素子分離されたトランジスタ領域3と、第2のDTI4上に形成されたインダクタ領域5を備え、前記第1のDTI内をシリコン酸化膜6とポリシリコン7により充填し、前記第2のDTI内はシリコン酸化膜6により充填している。 - 特許庁

When the own ship of the synchronization device 1 performs transmission, the synchronization device 1 acquires timing differences DTi of the past one minute from the transmission timings of the own ship (S102) and generates a histogram of the timing differences DTi (S103).例文帳に追加

同期装置1は、自船が送信を行う場合、自船送信タイミングから過去1分間のタイミング差DTiを取得して(S102)、当該タイミング差DTiのヒストグラムを作成する(S103)。 - 特許庁

But when fuel discharge amount of the high pressure fuel pump 47 becomes a value in the vicinity of the maximum value, the update of the integration item DTi is inhibited and excessively increasing side value of the integration item DTi is avoided.例文帳に追加

しかし、高圧燃料ポンプ47の燃料吐出量が最大値近傍の値となるときには、上記積分項DTi の更新が禁止されて同積分項DTi が過度に増大側の値になることは回避される。 - 特許庁

例文

The integration item DTi is gradually updated toward a side (increase side) in which the integration item DTi increases fuel discharge amount of the high pressure fuel pump 47 under the circumstances that it takes time to raise actual fuel pressure P up to the target fuel pressure P0.例文帳に追加

例えば実際の燃圧Pが目標燃圧P0 まで上昇するのに時間がかかる状況では積分項DTi が高圧燃料ポンプ47の燃料吐出量を多くする側(増大側)に向けて徐々に更新される。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device having a DTI structure for improved breakdown strength against substrate, the semiconductor device achieving chip shrink.例文帳に追加

対基板耐圧が向上しチップシュリンクも実現可能な、DTI構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To that end, the periphery of the semiconductor region under the bonding pad 22 is surrounded by DTI 36.例文帳に追加

そのために、ボンディング・パッド22の下方の半導体領域周囲は、DTI36により取り囲まれている。 - 特許庁

The device isolation region 13 has a DTI (Deep Trench Isolation) structure and has its bottom exposed to a backside of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

素子分離領域13は、DTI(Deep Trench Isolation) 構造であり、その底面は半導体基板1の裏面から露出している。 - 特許庁

When the clock signals CLK are 'H' and the data DTi are 'L', the NMOS 11 is turned off and the signals SB become 'H'.例文帳に追加

クロック信号CLKが“H”のときに、表示データDTiが“L”であれば、NMOS11はオフとなり出力信号SBは“H”となる。 - 特許庁

The element isolation region has a DTI (Deep Trench Isolation) structure and has a bottom exposed to the backside of the semiconductor substrate 9, the inside thereof being a cavity.例文帳に追加

素子分離領域は、DTI(Deep Trench Isolation) 構造であり、その底面は半導体基板9裏面に露出し、その内部は空洞になっている。 - 特許庁

The welding current is detected by a welding current detecting means DTi, and the voltage is detected by a welding voltage detecting means DTv.例文帳に追加

溶接電流検出手段DTi により溶接電流を検出し、溶接電圧検出手段DTv により溶接電圧を検出する。 - 特許庁

To provide an X-ray radiography detector by which DTI photographing is enabled even when no TDI clock generator is arranged at a main body.例文帳に追加

本体側にTDIクロック発生器を備えていない場合でも、TDI撮影を可能とするX線撮影用検出器を提供する。 - 特許庁

Further, the image processing unit 76 positions the DTI image generated by the data processing unit 75 and the reference image.例文帳に追加

また、画像処理部76は、データ処理部75により生成されたDTI画像と参照画像とを位置合わせする。 - 特許庁

The CPU instructs the output of a FACIL ITY signal from the DTI trunk to the original route (S5).例文帳に追加

CPUはDTIトランクから、FACILITY信号を元のルートヘ出力するように指示する(S5)。 - 特許庁

This forms a gate electrode 17 of the PMOS transistor 50 and at the same time forms the DTI layer 20 including the SiO_2 film 14 and a polysilicon film 18 in the trench.例文帳に追加

これにより、PMOSトランジスタ50のゲート電極17を形成すると同時に、トレンチ内にSiO_2膜14とポリシリコン膜18とを含むDTI層20を形成する。 - 特許庁

Fuel pressure within a delivery pipe 53 is controlled by controlling fuel discharge amount of a high pressure fuel pump 47 based on a duty ratio DT calculated from an integration item DTi.例文帳に追加

積分項DTi 等から算出されるデューティ比DTに基づき高圧燃料ポンプ47の燃料吐出量を制御することで、デリバリパイプ53内の燃料圧力(燃圧)が制御される。 - 特許庁

The synchronization device 1 selects the grade of the highest frequency from respective grades of the timing differences DTi (S104) and acquires a correction timing DT' related to the selected grade (S105).例文帳に追加

同期装置1は、タイミング差DTiの各階級から、度数の最も高い階級を選択し(S104)、選択した階級に関連づけされた補正タイミングDT’を取得する(S105)。 - 特許庁

When the signals CLK are 'H' and display data DTi are 'H', NMOS 11 and 12 of a data setting section 10i are turned on and output signals SB of the section 30i become 'L'.例文帳に追加

クロック信号CLKが“H”のときに、表示データDTiが“H”であれば、データ設定部10iのNMOS11,12がオンとなり、インバータ30iの出力信号SBは“L”となる。 - 特許庁

Then, the image processing unit 76 sets a region of interest set on the reference image as a calculation starting region on the DTI image positioned to the reference image, and generates a DTT image on the basis of the calculation start region.例文帳に追加

そして、画像処理部76は、参照画像上に設定された関心領域を参照画像に位置合わせされたDTI画像上に計算開始領域として設定し、その計算開始領域に基づいてDTT画像を生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus and a method of manufacturing the same, capable of reducing the parasitic capacitance of an element isolation region that has a deep trench isolation (DTI) shape.例文帳に追加

ディープトレンチアイソレーション(DTI)形状の素子分離領域の寄生容量を低減した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In July 2000, the DTI released a policy brief entitledExcellence and Opportunity: A Science and Innovation Policy for the 21st Century”, identifying further promotion of innovations essential in achieving a knowledge-driven economy in the United Kingdom.例文帳に追加

DTIが2000年7月に発表した「卓越性と機会:21世紀に向けた科学及びイノベーション政策」では、イギリスが知識主導型経済(knowledge driven economy)を実現するためには、一層のイノベーションの推進が不可欠であるとしている。 - 経済産業省

The method comprises an accurate calculation step of transmission time dt of signals passing through each cell of the network and an identification step of the cells having transmission time value dti calculated to be larger than a predetermined referenced value Ref.例文帳に追加

本発明に係る方法は、ネットワークの各セルを通過する信号の伝搬時間(dt)の正確な計算ステップと、所定の基準値(Ref)よりも大きく計算された伝搬時間の値(dti)を有するセルの識別ステップと、を含む。 - 特許庁

Therefore, even when the FF is added with a feed-back term (DTp+DTi) (S320), 0 is hardly set as a control duty DT, and an electromagnetic spill valve is closed almost periodically, eliminating the frequent stopping of operating noise generated when the electromagnetic spill valve closes.例文帳に追加

このためフィードバック項(DTp+DTi)との和(S320)によっても制御デューティDTに0が設定され難くなり、電磁スピル弁の閉弁動作がほぼ間違いなく定期的に生じることになり、電磁スピル弁の閉弁動作に伴う作動音が頻繁に停止することはなくなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory element, which has a shallow trench isolation (STI) region and a deep trench isolation (DTI) region, which can simplify a step of forming these trench isolation regions, and which can realize a low manufacturing cost and an excellent electrical characteristic of the STI insulating film region.例文帳に追加

浅いトレンチ分離(STI)領域及び深いトレンチ分離(DTI)領域を有し、これらのトレンチ分離領域を形成する工程を簡素化した、製造コストが安く、STI絶縁膜領域の電気的特性に優れた素子を得ることができる半導体メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device having a DTI layer 20 and a MOS transistor on a silicon substrate 1 forms a deep trench on the silicon substrate 1, forms a gate oxide film 13 of a PMOS transistor 50 by thermally oxidizing the silicon substrate 1 on which the trench is formed, and at the same time forms a SiO_2 film 14 on an inner surface of the trench.例文帳に追加

シリコン基板1にDTI層20とMOSトランジスタとを有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板1に深いトレンチを形成し、トレンチが形成されたシリコン基板1に熱酸化を施して、PMOSトランジスタ50のゲート酸化膜13を形成すると同時に、トレンチの内側面にSiO_2膜14を形成する。 - 特許庁

例文

In a data register 13, the start address of the update area of a mask instruction ROM is set through DTI, TMS, and TCK being JTAG terminals in a debug event point register 14, and address break is set in a debug control register 15, and an update program is set in a debug instruction memory 16.例文帳に追加

データレジスタ13においては、JTAG端子であるTDI、TMS、TCKを介して、デバッグイベントポイントレジスタ14にマスク命令ROMの更新エリアのスタートアドレスが設定され、デバッグコントロールレジスタ15にアドレスブレークが設定され、デバッグインストラクションメモリ16に更新プログラムが設定される。 - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright Ministry of Economy, Trade and Industry. All Rights Reserved.
  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS