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Wiktionary英語版での「Si the」の意味 |
sithe
出典:『Wiktionary』 (2026/06/08 19:17 UTC 版)
発音
- IPA: /saɪð/
語源 1
From the Anglo-Saxon siġþe meaning scythe. The spelling with
名詞
sithe (plural sithes)
動詞
sithe (third-person singular simple present sithes, present participle sithing, simple past and past participle sithed)
派生語
- sitheman
参照
- “sithe”, in Collins English Dictionary, 2011–present.
語源 2
動詞
sithe (third-person singular simple present sithes, present participle sithing, simple past and past participle sithed)
語源 3
動詞
sithe (third-person singular simple present sithes, present participle sithing, simple past and past participle sithed)
派生語
- sithingly
参照
- “sī̆then, v.”, in MED Online, Ann Arbor, Mich.: University of Michigan, 2007.
名詞
sithe
「Si the」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 7381件
Addition conditions: The mol ratio of Mg to Si in the material to be treated is adjusted to Mg/Si≤0.5, and the mole ratio of Ca to Si is adjusted to 0.5≤Ca/Si≤2.0.例文帳に追加
添加条件：前記被処理物質におけるMgとSiのモル比をMg／Si≦0.5に、かつCaとSiのモル比を0.5≦Ca／Si≦2.0に調整する。 - 特許庁
To solve the problem of occurrence of stress when an Si oxide film and Si on an Si substrate are bonded to each other, due to a difference in thermal expansion coefficient between Si and the Si oxide film.例文帳に追加
Si基板上のSi酸化膜とSiとの接合においては、SiとSi酸化膜との熱膨張係数の差による応力が発生する。 - 特許庁
(A); wherein [TS objective value] is the set value of the strength of the steel sheet with Mpa as a unit, and [Si] is the mass% of Si.例文帳に追加
(0.0012×[TS狙い値]-0.29-[Si])/1.45＜Al＜1.5-3*[Si] ・・・(Ａ) ここに、[TS狙い値]は鋼板の強度設計値で単位はMpa、[Si]はSiの質量％ - 特許庁
The SI-R selects a route between the SI-SWs and transfers an event transmitted from an entity terminal to other SI-SW.例文帳に追加
SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
The SI-R selects a path between the SI-SWs and transfers an event, transmitted from a terminal serving as an entity, to another SI-SW.例文帳に追加
SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
The SI-R selects a path between the SI-SWs and transfers an event transmitted from a terminal serving as an entity to another SI-SW.例文帳に追加
SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
The present invention uses an a-Si TFT 1 and an a-Si TFT 2 having equal photoelectric transfer characteristic.例文帳に追加
光電変換特性が等しいa-Si TFT１とa-Si TFT２を使用する。 - 特許庁
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「Si the」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 7381件
The method for manufacturing the Si-SiC material manufactured by impregnating the material with molten Si comprises manufacturing the Si-SiC material by heat treating a molding consisting of a powder mixture composed of SiC, Si and C at a temperature above the melting point of the Si to make a calcined body and impregnating the calcined body with the molten Si at a temperature above the melting point of the Si.例文帳に追加
溶融Siを含浸して製造するSi-SiC材料において、SiC、Si、Cの混合粉よりなる成形体をSiの融点以上の温度で熱処理して仮焼体を作製し、該仮焼体にSiの融点以上の温度で溶融Siを含浸させてSi-SiC材料を作製することを特徴とするSi-SiC材料の製造方法である。 - 特許庁
The Si oxide film 6/Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G and the anti-reflection film F are separated by a gap between the poly-Si transfer electrode 7 and the other poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加
ONOゲート絶縁膜G内のSi酸化膜6/Si窒化膜5及び反射防止膜Fは、ポリSi転送電極7と他のポリSi転送電極7との間のギャップ部分で切り離している。 - 特許庁
The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加
Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した２層構造になっている。 - 特許庁
An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加
ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁
The inequality (1) is denoted by 1.5 (%Mn)-2≤(%Si)≤2(%Mn).例文帳に追加
記 1.5 (％Mn）−２ ≦（％Si) ≦ ２（％Mn） ----（１） - 特許庁
The surface of iron powder is covered with an oxide film composed of Si-based oxide in which the atomic number ratio between Si and Fe satisfies the following relation: Si/Fe≥0.8.例文帳に追加
鉄粉の表面に、SiとFiの割合が原子数比でSi／Fe≧0.8を満足するSi系酸化物からなる酸化膜を被覆する。 - 特許庁
The phosphate-based zeolite catalyst meets conditions of: a particle size<1 μm; and the particle size (μm)×[Si/(Si+Al+P)]×1,000≤80, wherein [Si/(Si+Al+P)] is a molar ratio.例文帳に追加
粒径＜1μm；及び 粒径(μm)×[Si/(Si＋Al＋P)]×1000≦80；（式中、[Si/(Si＋Al＋P)]はモル比である）の条件を満たすリン酸塩系ゼオライト触媒により上記課題を解決することができる。 - 特許庁
Incident luminous energy of the a-Si TFT 1 is reduced by a filter 3 to delay the progress of light deterioration in the a-Si TFT 1.例文帳に追加
a-Si TFT１の入射光量をフィルタ３で減らし、a-Si TFT１の光劣化の進行を遅らせる。 - 特許庁
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