Si-Kとは 意味・読み方・使い方

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

Heat resistance of the Si susbtrate 102 in the direction of forming the gradient of the temperature distribution is larger than 20 K/W and smaller than 2,000 K/W.例文帳に追加

この温度分布の勾配が形成される方向におけるＳｉ基板１０２の熱抵抗が２０Ｋ／Ｗより大きくかつ２０００Ｋ／Ｗより小さい。 - 特許庁

The flux ingredient preferably comprises one kind of flux, or two or more kinds of mixed fluxes, selected among from a K-Al-F based flux, a Na-Al-F based flux, a K-Si-F based flux, and a Na-Si-F based flux.例文帳に追加

フラックス成分は、Ｋ−Ａｌ−Ｆ系、Ｎａ−Ａｌ−Ｆ系、Ｋ−Ｓｉ−Ｆ系、及び、Ｎａ−Ｓｉ−Ｆ系、から選択される１種のフラックス、又は２種以上の混合フラックスからなることが、望ましい。 - 特許庁

The recipient (i) uses a receiver 200 to receive the encryption information zi of information K polled from the transmitter 100, and decodes it by using its own private key si to obtain the information K.例文帳に追加

一方、受信者ｉは、受信装置２００により、送信装置１００より同報送信された暗号情報ｚ_iを受信し、自身の秘密鍵ｓ_iを用いて復号し情報Ｋを得る。 - 特許庁

A part of Fe can be replaced with the other metal component M (which is selected among Na, K, Ca, Mg, Cr, Mn, Co, Mo, V, Ti, Ni, Al and Si).例文帳に追加

Ｆｅの一部を、他の金属成分Ｍ（Ｎａ，Ｋ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＡｌおよびＳｉから選んだもの）で置き換えることも可能である。 - 特許庁

A part of the Fe may be replaced with an another metal ingredient M selected from Na, K, Ca, Mg, Cr, Mn, Co, Mo, V, Ti, Ni, Al and Si.例文帳に追加

Ｆｅの一部を他の金属成分Ｍ（Ｎａ，Ｋ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＡｌおよびＳｉから選んだもの）で置き換えることが可能である。 - 特許庁

To provide equipment and a method of depositing a thin film by chemical vapor deposition which enable obtaining a material having high permittivity (High-k) constituted of a metal oxide thin film on an Si substrate without oxidizing the interface with the Si substrate by small-sized equipment and at a low cost.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に金属酸化薄膜からなる誘電率の高い材料（High-k）をＳｉ基板との界面を酸化することなく小型で、かつ、コスト安に得ることができる化学気相成長法による薄膜堆積装置および堆積方法を提供すること。 - 特許庁

A matrix decomposition part 44 generates a basis matrix Wi including multiple bases Ci[1] to Ci[K] and a coefficient matrix Hi including multiple weight sequences Ei[1] to Ei[K], through non-negative matrix factorization of observation matrix Vi of each sound signal si (s1 and s2).例文帳に追加

行列分解部４２は、各音響信号ｓi（ｓ1，ｓ2）の観測行列Ｖiの非負行列因子分解で、複数の基底Ｃi[1]〜Ｃi[K]を含む基底行列Ｗiと複数の重み系列Ｅi[1]〜Ｅi[Ｋ]を含む係数行列Ｈiとを生成する。 - 特許庁