METHOD FOR POWER GATING OF COLUMN READOUT AMPLIFIER AND POWER-GATED COLUMN READOUT AMPLIFIER例文帳に追加

列読出し増幅器をパワーゲーティングするための方法およびパワーゲーティングされた列読出し増幅器 - 特許庁

To remove vertical streak noise surely regardless of variation in linearity of a column amplifier even in a column amplifier system C-MOS image sensor.例文帳に追加

カラムアンプ方式のＣ−ＭＯＳイメージセンサにおいて、カラムアンプのリニアリティのばらつきがあっても、確実に縦筋ノイズを除去する。 - 特許庁

To remove vertical streak noise surely regardless of variation in characteristics of a column amplifier even in a column amplifier system C-MOS image sensor.例文帳に追加

カラムアンプ方式のＣ−ＭＯＳイメージセンサにおいて、カラムアンプの特性に温度ばらつきがあっても、確実に縦筋ノイズを除去する。 - 特許庁

A column amplifier circuit 3 amplifies a signal read out from a picture element PC on the basis of a differential operation between a first amplifier transistor provided in the picture element PC, and a second amplifier transistor provided in the column amplifier circuit 3.例文帳に追加

カラム増幅回路３は、画素ＰＣに設けられた第１の増幅トランジスタとカラム増幅回路３に設けられた第２の増幅トランジスタとの差動動作に基づいて、画素ＰＣから読み出された信号を増幅する。 - 特許庁

The output of each imaging pixel is coupled through a respective imaging column amplifier to a column multiplexer, thereby constituting an imaging pixel signal.例文帳に追加

各撮像画素の出力は、撮像列増幅器を介して列増幅器に連結され、撮像画素信号を構成する。 - 特許庁

The sub amplifier 462 can be controlled by a signal being transferred in a column direction, thus reducing the effect of skew with a column selection signal.例文帳に追加

列方向に伝達される信号によりサブアンプ４６２が制御されるので、列選択信号とのスキューの影響を低減できる。 - 特許庁

Then, the column amplifier reset transistor 217 and the clamping transistor 218 are turned off, and a unit column circuit 105 is maintained in a clamped state.例文帳に追加

次に、列アンプリセットトランジスタ２１７とクランプトランジスタ２１８をオフして、単位列回路１０５をクランプ状態に保持する。 - 特許庁

To narrow the area of a sub amplifier circuit of a semiconductor storage device when providing a startup signal for the sub amplifier from a column decoder side.例文帳に追加

サブアンプ起動信号を列デコーダ側から供給する際に半導体記憶装置におけるサブアンプ回路の面積を狭くする。 - 特許庁

The area of a sense amplifier band may be small when it is compared with that in the conventional case in which all signal lines for selecting column are provided in a sense amplifier band.例文帳に追加

列選択用のすべての信号線をセンスアンプ帯に設けていた従来に比べ、センスアンプ帯の面積が小さくて済む。 - 特許庁

A column decoder 6 outputs an activating signal for activating the sense amplifier circuit 4.例文帳に追加

カラムデコーダ６は、センスアンプ回路４を活性化する活性化信号を出力する。 - 特許庁

The gain which is as large as possible is set in the range that an output of the column amplifier 12 is not saturated.例文帳に追加

その設定は、コラムアンプ１２の出力が飽和しない範囲で出来る限り大きなゲインとする。 - 特許庁

A sense amplifier column 50 comprising a plurality of sense amplifiers shares a reference potential generating circuit 60.例文帳に追加

複数のセンスアンプを含むセンスアンプ列５０が参照電位発生回路６０を共有する。 - 特許庁

An output of this source follower is used as a signal to be further amplified by a column amplifier 23.例文帳に追加

このソースフォロア出力が信号として使用され、さらに列アンプ２３によって増幅される。 - 特許庁

Relating to this device, a reinforced sense amplifier is provided to the last column of a storage device array.例文帳に追加

本発明によれば、強化センス増幅器が、記憶装置アレーの最後の列に提供される。 - 特許庁

The sensing margin variable circuit is provided with a dummy column part, a control part, a sensing amplifier part, and a sensing margin control part.例文帳に追加

ダミーカラム部、制御部、感知増幅部及びセンシングマージン制御部を備える。 - 特許庁

To provide a column amplifier part with various kinds of voltage gains while restraining increase of a circuit area.例文帳に追加

回路面積の増大を抑えつつカラムアンプ部に多種類の電圧利得をもたせる。 - 特許庁

In this image reader, the CMOS sensor is provided with column amplifiers for individual elements and an amplifier for the final stage.例文帳に追加

ＣＭＯＳセンサは、個々の素子に対して列アンプと最終段にアンプが設けられている。 - 特許庁

The first column select input-output block is arranged in a first row of the sensing amplifier array, and the second column select input/output block is disposed in a second row of the sensing amplifier array.例文帳に追加

第１列選択入出力ブロックは感知増幅器アレイの第１行に配置され、第２列選択入出力ブロックは感知増幅器アレイの第２行に配置される。 - 特許庁

Selection of a write column is performed in the non- activation state of the sense amplifier 3, write data are written in the pair of bit lines BLt/BLc belonging to a selected column when the sense amplifier 3 is in a non-activation state.例文帳に追加

そして、書き込みカラムの選択をセンスアンプ３が非活性状態のときに行い、書き込みデータを選択されたカラムに属するビット線対BLt/BLcに、センスアンプ３が非活性状態のときに書き込む。 - 特許庁

Because the sense amplifier (SA) is selectable by the column selection line (YS0) and two sense amplifier selection lines (ZEB, ZEB), it is possible to reduce the number of column selection lines (YS0) and sufficiently secure the power wiring layout area, while maintaining high-speed column selection with a small circuit scale.例文帳に追加

カラム選択線（ＹＳ０）と２本のセンスアンプ選択線（ＺＥＢ、ＺＥＢ）とによりセンスアンプ（ＳＡ）を選択可能であるため、小さい回路規模で高速なカラム選択を保ちつつ、カラム選択線（ＹＳ０）の本数を削減することができ、電源配線を配置する領域を十分に確保することができる。 - 特許庁

An infrared sensor of the present invention clamps a gate voltage of an amplifying transistor 75 in a column amplifier 7 while a non-sensitive pixel row is selected, supplies self heating information obtained from an optical non-sensitive pixel column provided to each row to a column buffer 9, and provides the self heating information to a source voltage of the column amplifier 7 from the column buffer 9.例文帳に追加

本発明の赤外線センサは、無感度画素行を選択しながらカラムアンプ７における増幅トランジスタ７５のゲート電圧をクランプし、かつ各行に設けられた光学的無感度画素列から得られる自己加熱情報を、カラムバッファ９に供給し、カラムバッファ９からカラムアンプ７のソース電圧に自己過熱情報を与える構造を有する。 - 特許庁

A positive drive line SAPm of a sense amplifier column SAm (m: integer of 0-16) is connected to a sense amplifier drive voltage VINTA only for the prescribed period from the start of sense by the sense amplifier column SAm, and after that, it is separated from the sense amplifier drive voltage VINTA and connected to sense amplifier drive voltage VINT.例文帳に追加

センスアンプ列ＳＡｍ（ｍは０〜１６の整数）の正駆動線ＳＡＰｍを、該センスアンプ列ＳＡｍによるセンス開始から所定期間だけセンスアンプ駆動電圧ＶＩＮＴＡに接続し、その後は、センスアンプ駆動電圧ＶＩＮＴＡから切り離してセンスアンプ駆動電圧ＶＩＮＴに接続する。 - 特許庁

A column amplifier 5 includes a MOS transistor T1 being a current source and a first amplifier part A_1 and a second amplifier part A_2 connected in parallel to a drain of the MOS transistor T1.例文帳に追加

コラムアンプ５は、電流源となるＭＯＳトランジスタＴ１と、ＭＯＳトランジスタＴ１のドレインに並列に接続される第１の増幅部Ａ＿１及び第２の増幅部Ａ＿２とを備える。 - 特許庁

One or both of the first amplifier part A_1 and the second amplifier A_2 are selected in accordance with control signals Vb1 and Vb2, whereby a gain of the column amplifier 5 can be switched by the smaller number of elements.例文帳に追加

制御電圧Ｖｂ１及びＶｂ２に応じて、第１の増幅部Ａ＿１及び第２の増幅部Ａ＿２の一方または両方が選択されるので、少ない素子数でコラムアンプ５のゲインを切り替えることができる。 - 特許庁

The flash memory device comprises a plurality of columns connected to a plurality of memory cells respectively, a column selecting circuit responding to a column address and selecting a part out of a plurality of columns, and a plurality of sense amplifier groups connected to a column selected by this column selecting circuit.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置は、それぞれが複数のメモリセルと連結された複数の列と、列アドレスに応答して複数の列のうち一部を選択する列選択回路と、この列選択回路により選択された列に連結された複数の感知増幅器グループとを含む。 - 特許庁

The bit line sense amplifier drive control circuit or the bit line sense amplifier drive control method supplies the operating voltage to the first and second bit line sense amplifiers, by responding to a row address selection signal and temporarily interrupts the supply of the operating voltage to the second bit line sense amplifier, by responding to a column selection signal for selecting the column address of the first column block.例文帳に追加

ビットラインセンスアンプ駆動制御回路または方法はロウアドレス選択信号に応答して、第１及び第２ビットラインセンスアンプに動作電圧を供給し、第１カラムブロックのカラムアドレスを選択するカラム選択信号に応答して第２ビットラインセンスアンプに対する動作電圧供給を一時中断する。 - 特許庁

In the column amplifier 101, an output signal of a pixel is amplified for each pixel and accumulated in the clamp capacitor 102.例文帳に追加

カラムアンプ１０１には画素毎に画素の出力信号を増幅してクランプキャパシタ１０２に蓄積する。 - 特許庁

A control circuit 12, a low column decoder 13 and a sense amplifier 15 are driven by array voltages VddT.例文帳に追加

制御回路１２、ロウカラムデコーダ１３およびセンスアンプ１５は、アレイ電圧ＶｄｄＴで駆動する。 - 特許庁

The zigzag layout order of the sensing amplifier block is alternately superposed on the zigzag layout order of the column select input/output blocks.例文帳に追加

感知増幅器ブロックのジグザグレイアウト順序は列選択入出力ブロックのジグザグレイアウト順序と交互に重ねる。 - 特許庁

An intermediate value is amplified by a column amplifier 12 by use of a pixel part 1 and A/D-converted by an A/D converter 13.例文帳に追加

画素部１を用い、その中間値をコラムアンプ１２で増幅し、Ａ／Ｄ変換器１３でＡ／Ｄ変換する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a plurality of sense arrays 1, a column decoder 2, a row decoder 3 and a double-end type sense amplifier 4.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数のセルアレイ１と、カラムデコーダ２と、ロウデコーダ３と、ダブルエンド型のセンスアンプ４とを備えている。 - 特許庁

In verify-read, detection of read-data of a selected column is performed by using the sense amplifier for normal data-read.例文帳に追加

ベリファイリードでは、選択されたカラムのリードデータの検出を、通常データリードのためのセンスアンプを用いて行う。 - 特許庁

Plural page buffers P/B are connected to a sense amplifier S/A.0 in a read-out/write-in circuit through a column gate.例文帳に追加

複数個のページバッファＰ／Ｂは、カラムゲートを経由して、読み出し／書き込み回路内のセンスアンプＳ／Ａ・０に接続される。 - 特許庁

Consequently, a current passing through the path transistor is remarkably reduced and the switching speed of the column readout amplifier does not decrease.例文帳に追加

これにより、パストランジスタを通る電流が著しく削減されるうえに、列読出し増幅器の切換速度も低下しない。 - 特許庁

A signal amplitude at next reading is forecast by a signal estimator 14 according to the A/D converted value, to set a gain of the column amplifier 12.例文帳に追加

そのＡ／Ｄ変換値により、次の読み出し時の信号振幅を信号推定器１４で予測し、コラムアンプ１２のゲインを設定する。 - 特許庁

In one embodiment, the output of each of a number of reference pixels is coupled to a respective reference column amplifier, which is coupled to a reference multiplexer.例文帳に追加

一実施形態において、各基準画素の出力は、基準列増幅器に連結され、該列増幅器は、基準マルチプレクサに連結される。 - 特許庁

Consequently, the voltage of a positive drive line of a sense amplifier column in which sense operation is already finished is never boosted to the prescribed value or more.例文帳に追加

その結果、既にセンス動作を終了したセンスアンプ列の正駆動線の電圧が所定値以上に引き上げらることはない。 - 特許庁

Obtained non-volatile data is stored in a memory cell and a sense amplifier 7 connected to a correspondent column address.例文帳に追加

得られた揮発性データをそのメモリセル内と該当する列アドレスに接続されるセンスアンプ７内に記憶させる。 - 特許庁

A control circuit 12, a row/column decoder 13 and a sense amplifier 15 are driven by an array voltage VddT.例文帳に追加

制御回路１２、ロウカラムデコーダ１３およびセンスアンプ１５は、アレイ電圧ＶｄｄＴで駆動する。 - 特許庁

The column amplifier 7 consists of amplifiers 8, each being disposed by row and is connected to a power supply voltage supply part and the grounding.例文帳に追加

カラムアンプ部７は、列ごとに配置されたアンプ８で構成されており、電源電圧供給部および接地に接続されている。 - 特許庁

To decrease column selecting lines requiring route setting for a sense amplifier and to shorten a local data line, in data bus of an integrated circuit memory device.例文帳に追加

集積回路記憶装置のデータパスにおいて、センスアンプにルート付けが必要なコラム選択線を少なくし、かつローカルデータ線を短くする。 - 特許庁

To prevent output of a column amplifier from being out of a dynamic range in any case of a rolling shutter mode and a frame shutter mode.例文帳に追加

ローリングシャッタモード、フレームシャッタモードのいずれの場合にも、カラムアンプの出力がダイナミックレンジを外れることを防止する。 - 特許庁

The bit line BL of a memory cell array 11 is selected by a column gate 12 to be connected to a sense amplifier 13.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１のビット線ＢＬはカラムゲート１２により選択されてセンスアンプ１３に接続される。 - 特許庁

To remove vertical streak noise surely regardless of variation in output characteristics of color filters even in a column amplifier system C-MOS image sensor.例文帳に追加

カラムアンプ方式のＣ−ＭＯＳイメージセンサにおいて、色フィルタ毎の出力特性のばらつきがあっても、確実に縦筋ノイズを除去する。 - 特許庁