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Weblio例文辞書での「tr lower」に類似した例文

tr lower

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「tr lower」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 34



例文

When the frequency (fr) of the received waves is lower, it is preferable to correct the detection delay time (tr) by increasing it more (tr'=tr+δt).例文帳に追加

受信波周波数frが低いときほど、検知遅れ時間trを増大補正するとよい(tr’=tr+δt)。 - 特許庁

This temperature TR is a lower temperature.例文帳に追加

この温度T_R は従来のローラよりもはるかに低温である。 - 特許庁

An N-channel TR source voltage control circuit (5) controls the gate voltage of a lower-stage N-channel TR source voltage bias TR (4), to be replaced by a drain voltage of the N-channel TR source voltage bias TR (4) or a power supply voltage.例文帳に追加

Nチャネルトランジスタソース電圧制御回路(5)は、下段のNチャネルトランジスタソース電圧バイアストランジスタ(4)のゲート電圧を、Nチャネルトランジスタソース電圧バイアストランジスタ(4)のドレイン電圧または電源電圧に繋ぎ換えるコントロールを行う。 - 特許庁

The collector of the PNP TR 14 is grounded but only needs to be lower than the base of the PNP TR 14.例文帳に追加

PNPトランジスタ(14)のコレクタは接地電位に接続しているが、PNPトランジスタ(14)のベースより低い電位であれば良い。 - 特許庁

The voltage of a power source Vbb is lower than the voltage of the source electrode of the second transistor Tr 2.例文帳に追加

電源Vbbの電圧は第2トランジスタTr2のソース電極の電圧より低い。 - 特許庁

An H-bridge circuit 100 is provided with NMOS transistors(TR) as both upper and lower couples of TRs.例文帳に追加

Hブリッジ回路は上側及び下側の組のトランジスタの両方にNMOSトランジスタを使用している。 - 特許庁

例文

Further, a collector current of a connection transistor TR 2 supplying the base current to the constant current transistor TR 3 is extracted from the lower point of the resistor R3 by two current mirrors.例文帳に追加

また、定電流トランジスタTr3のベース電流を供給する接続トランジスタTr2の電流を2つのカレントミラーによって、抵抗R3の下側から引く抜く。 - 特許庁

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「tr lower」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 34



例文

The H bridge circuit 100 in provided with NMOS transistors(TR) as both upper and lower TRs.例文帳に追加

本Hブリッジ回路は上側及び下側の両方の組のトランジスタに対しNMOSトランジスタを使用している。 - 特許庁

When setting the trace line TR, contraction operation of the boom is performed together with falling-down operation of the boom to lower and move the tip part of the boom along the trace line TR.例文帳に追加

そして、トレース線TRを設定しているとき、ブームの倒伏作動に併せてブームの収縮作動を行わせることにより、ブームの先端部をトレース線TRに沿って下降移動させる。 - 特許庁

Furthermore, an inside heater 11 is provided inside the fixing roll 10 to heat its surface to TR that is temperature lower than T1.例文帳に追加

また、定着ローラ10内にはその表面温度をT_1 よりも低温のT_R に加熱する内部ヒータ11が設けられている。 - 特許庁

When the voltage of the input signal Vin is lower than the clip voltage Vb, a 2nd MOS transistor(TR) M2 is turned on, a 5th MOS TR is turned off, and 1st and 6th MOS TRs M1 and T6 are still kept on.例文帳に追加

入力信号Vinの電圧がクリップ電圧Vb未満の場合、第2のMOSトランジスタM2はオンし、第5のMOSトランジスタはオフし、第1と第6のMOSトランジスタM1とM6はオンのままである。 - 特許庁

At operation, by applying a voltage of 0 V to a gate of a transistor(TR) MP0 of the switching circuit 20 and applying a bias voltage VB the same as or slightly lower than the power supply voltage Vdd to the channel region can lower the threshold voltage of the TR MP0 and increase the current drive capability thereof.例文帳に追加

動作時に、スイッチング回路20のトランジスタMP0のゲートに0Vの電圧を印加し、チャネル領域に電源電圧V_ddと同じかまたは僅かに低いバイアス電圧V_B を印加することで、トランジスタMP0のしきい値電圧を低くし、その電流駆動能力を大きくする。 - 特許庁

The gate wiring layer (electrode film) of each transistor formed in the CMOS process is doubled and, in a pixel Tr in the vicinity of a PD 219, the gate electrodes of a transfer Tr 211 and a reset Tr 214 are formed by using the lower gate electrode film and the upper gate electrode film is utilized for the light shielding film of the FD 216.例文帳に追加

CMOSプロセスで形成される各トランジスタのゲート配線層(電極膜)を2層化し、PD219の周辺の画素Trでは、転送Tr211とリセットTr214のゲート電極を下層のゲート電極膜を用いて形成し、上層のゲート電極膜をFD216の遮光膜に利用する。 - 特許庁

The initial temperature Tr is compared with a predetermined temperature in S14, and when the temperature Tr is lower, the mode is set to normal temperature mode, and the movable range of the magnification change frame is set in the normal zooming range in S15 to perform zooming/focusing operation in S16.例文帳に追加

S14で初期温度Trを所定温度と比較し、温度Trが小さい場合は温度通常モードとし、S15で変倍移動枠の可動範囲を通常のズーム域に設定し、S16でズーム/フォーカス動作を実施する。 - 特許庁

例文

Specifically the voltage detecting threshold value Vt is set to a lower value and the lock determining time Tr is set to a shorter value as the DUTY is larger.例文帳に追加

具体的には、DUTYが大きいほど、電圧検出閾値Vtは低く、ロック判定時間Trは短い時間となるよう設定される。 - 特許庁

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