「"WET-CLEANING"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of the organic electroluminescent element includes a cleaning step consisting of dry cleaning and wet cleaning for cleaning an organic electroluminescent substrate on which a first electrode is deposited, wherein the wet cleaning is performed after the dry cleaning.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造において、基板上に第一電極が成膜してなる有機エレクトロルミネッセンス基板を洗浄する乾式洗浄と湿式洗浄からなる洗浄工程を具備するとともに、乾式洗浄後に湿式洗浄を行う。 - 特許庁

A chemical oxide film 100 formed on a semiconductor substrate 1 by wet cleaning, using a strong oxidizing solution to reduce the attachment of impurities to the chemical oxide film 100 between the wet cleaning process and an insulating film forming process.例文帳に追加

半導体基板上１に形成されるケミカル酸化膜１００を、強酸化性溶液を用いたウエット洗浄により形成するようにして、ウエット洗浄工程から絶縁膜形成工程間における、ケミカル酸化膜１００への不純物の付着を低減できるようにする。 - 特許庁

To obtain a wet-cleaning apparatus and wet-etching method, that can reduce fluctuation in product characteristics by making uniform the amount of etching in a wafer, when using etching liquid, such as a fluoric acid to etch a wafer an oxide film in wet cleaning treatment and the like.例文帳に追加

ウェット洗浄処理においてフッ酸等のエッチング液を用いて酸化膜等のウエハをエッチングする際にウエハ内でのエッチング量の均一化を図ることで、製品特性のばらつきの低減化を図ることができるウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法を得る。 - 特許庁

In this seasoning method after wet cleaning, a gas containing a fluorine-based gas is used for a treatment gas after the wet cleaning, and energy of ions reaching a treatment chamber inner wall earth part is controlled to exceed a threshold value of a sputter rate of a material used for the treatment chamber inner wall earth part.例文帳に追加

ウェットクリーニング後のシーズニング方法において、前記ウェットクリーニング後、処理ガスにフッ素系ガスを含むガスを使用し、かつ処理室内壁アース部に到達するイオンのエネルギーが処理室内壁アース部に使用した材料のスパッタ率の閾値を超えるように制御する。 - 特許庁

This color photoresist removal method includes steps for: removing the color photoresist on a substrate formed with given elements in the first plasma etching process; conducting wet cleaning after the first plasma etching process; and completely removing residual color photoresist in the second plasma etching process after the wet cleaning.例文帳に追加

本発明のカラー・フォトレジストの除去方法は所定の素子が形成された基板の上のカラー・フォトレジストを第１プラズマエシング工程でとり除く段階と；前記第１プラズマエシング工程の後、湿式クリーニングを行う段階と；及び前記湿式クリーニング後第２プラズマエシング工程で残留カラー・フォトレジストを完全にとり除く段階を含んで成り立つに技術的特徴がある。 - 特許庁

This processing method for the wet cleaning of a textile product features adding 0.05-3.0 mass % of the processing agent comprising (A) an epoxy-modified silicone and (B) an imidazoline-type cationic surfactant to an object to be processed and washed in wet cleaning or in rinsing in order to process the object.例文帳に追加

さらに、本発明のウエツトクリーニング用繊維製品の処理方法は、 Ａ：エポキシ変性シリコーン Ｂ：イミダゾリン型カチオン界面活性剤 を含有する処理剤をウエツトクリーニング洗浄時ないしは、すすぎ時に処理被洗物に対し０．０５〜３．０質量％添加し処理する事を特徴とする。 - 特許庁

To obtain a treating agent and a detergent for textile products for wet cleaning capable of maintaining the tensity of suits in commercial wet cleaning, especially washing of water treatment type washable suits, etc., with water and keeping the slipperiness of ironing, etc., without deteriorating the shape retaining properties when carrying out finishing and to provide a method for treating.例文帳に追加

商業用のウェットクリーニング特にウォータートリートメントタイプのウォッシャブルスーツ等の水洗いにおいてスーツのハリを維持しかつ、保型性を損なうことなく仕上げ時のアイロン等の滑り性を良好に保つことが可能なウェットクリーニング用繊維製品処理剤・洗浄剤、処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide batch-type wet-cleaning and wet-etching tanks, in which it is prevented that deterioration of cleaning performance and a decrease in an etching rate partially occur by adhesion of bubbles into a gap between a wafer and a wafer carrier or an uneven liquid convection only around a groove of the wafer carrier in the batch-type wet-cleaning and wet-etching of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハのバッチ式ウエット洗浄及びバッチ式ウエットエッチングにおいてウエハとウエハ用キャリアの隙間に気泡が付着したり、ウエハ用キャリアの溝部分周辺のみが液の対流が不均一になりなったりして洗浄及びエッチングレートが部分的に悪くなる事を防止するバッチ式ウエット洗浄槽及びバッチ式ウエットエッチング槽を提供する。 - 特許庁

In the substrate cleaning apparatus 1, dry physical cleaning is performed by the first cleaning mechanism 3 to the lower surface of the substrate 9 held at the substrate holding part 2, the wet cleaning is performed according to the second cleaning mechanism 4 to the upper surface, and the one main surface can clean simultaneously the main surface of both sides of the substrate which is not fit for the wet cleaning.例文帳に追加

基板洗浄装置１では、基板保持部２に保持された基板９の下面に対して第１洗浄機構３によりドライ物理洗浄が行われ、上面に対して第２洗浄機構４によりウェット洗浄が行われることにより、一方の主面がウェット洗浄に向かない基板の両側の主面を同時に洗浄することができる。 - 特許庁

To provide a processing and cleaning agent and a processing method for the wet cleaning of a textile product which can keep the slippage of an iron or the like well in finishing while retaining the stiffness of a suit without impairing form-retaining properties in wet cleaning for commercial use, especially in washing a water treatment-type washable suit or the like with water.例文帳に追加

本発明は、商業用のウェットクリーニング特にウォータートリートメントタイプのウォッシャブルスーツ等の水洗いにおいてスーツのハリを維持しかつ、保型性を損なうことなく仕上げ時のアイロン等の滑り性を良好に保つことが可能なウェットクリーニング用繊維製品処理剤・洗浄剤および処理方法を提供する。 - 特許庁

This processing agent for the wet cleaning of a textile product features comprising (A) an epoxy-modified silicone and (B) an imidazoline-type cationic surfactant.例文帳に追加

すなわち、本発明のウェットクリーニング用繊維製品処理剤は、 Ａ：エポキシ変性シリコーン Ｂ：イミダゾリン型カチオン界面活性剤 を含有することを特徴とする。 - 特許庁

This cleaning agent for the wet cleaning features containing 0.5-30 mass % of the processing agent comprising (A) an epoxy-modified silicone and (B) an imidazoline-type cationic surfactant.例文帳に追加

また、本発明のウエツトクリーニング用洗浄剤は、 Ａ：エポキシ変性シリコーン Ｂ：イミダゾリン型カチオン界面活性剤 を含む処理剤を０．５〜３０質量％含有することを特徴とする。 - 特許庁

Also, the UV cleaning equipment 12 is designed for cleaning the surface of the substrate by irradiating the surface of the substrate cleaned by the wet cleaning equipment 11 with UV rays.例文帳に追加

また、紫外線洗浄装置１２は、湿式洗浄装置１１により洗浄された基板の表面に紫外線を照射して当該基板の表面を洗浄するものである。 - 特許庁

A cleaning liquid circulation line and/or a dehumidification water circulation line are provided in a waste gas wet cleaning column and a wet oxidation apparatus is incorporated in each line to treat dioxins in the circulated cleaning liquid and/or the dehumidification water.例文帳に追加

排ガス湿式洗浄塔に洗浄液循環ラインおよび／または減湿水循環ラインを設け、この各ラインに湿式酸化装置を組み込んで、循環する洗浄液および／または減湿水液中のダイオキシン類を処理する。 - 特許庁

To provide a cleaning device that is capable of removing quantities of dry dirt and larger particles, crumbs and the like from a floor surface and also of performing wet cleaning of the surface.例文帳に追加

多量の乾燥したごみやパンくず等の大きめの粒子を床表面から取り除くことが可能であり、かつ、表面のウェット清掃が可能な清掃装置を提供する。 - 特許庁

The stopper film 61 is formed of a material which exhibits a lower etching rate of the wet cleaning process for removing the resist pattern than that of the hydrogen barrier film 65.例文帳に追加

ストッパ膜６１は、水素バリア膜６５よりも、レジストパターンを除去するウエット洗浄処理のエッチングレートが小さい材料で形成する。 - 特許庁

METHOD OF REDUCING POLYMER DEPOSITED ON ETCHED VERTICAL METAL WIRE, CORROSION OF ETCHED METAL WIRE, AND CORROSION DURING WET CLEANING OF METAL FEATURE例文帳に追加

エッチングした垂直金属線上のポリマー沈積、エッチングした金属線の腐食およびエッチングした金属フィーチャの湿式洗浄時における腐食を減少させる方法 - 特許庁

The method for cleaning a gas barrier film includes at least one dry cleaning step using UV light before a wet cleaning step of the gas barrier film.例文帳に追加

ガスバリア性フィルムのウエット洗浄工程の前に、少なくとも１回の紫外線を用いたドライ洗浄工程を有することを特徴とするガスバリア性フィルムの洗浄方法。 - 特許庁

Thereafter, a wet cleaning process using a cleaning liquid 17 that chemically dissolves the organic film 15 is applied to the silicon oxide film 14 to remove residuals of the organic film 15 remaining on the silicon oxide film 14.例文帳に追加

その後、シリコン酸化膜１４に対して、有機膜１５を化学的に溶解できる洗浄液１７を用いた湿式洗浄処理を行なうことによって、シリコン酸化膜１４上に残存する有機膜１５の残留物を除去する。 - 特許庁

The thin layer also protects the low dielectric constant film from the subsequent wet cleaning process and penetration by a precursor of a layer subsequently laminated on the low dielectric constant film 102.例文帳に追加

薄層は、また、続いての湿式洗浄プロセスと、低誘電率膜上に続いて堆積される層の前駆物質による浸透から低誘電率膜を保護する。 - 特許庁

To remove components of a solvent that is used for polymer residue removal when a wet cleaning process is included in a standard post-photoresist-etching cleaning method for porous materials used in semiconductor device manufacturing.例文帳に追加

半導体装置製造で多孔質材料のための標準的ホトレジストエッチング後のクリーニング法は、湿式クリーニングを含み、その場合、重合体残留物を除去するため溶媒を用いる。 - 特許庁

To provide a phase shift mask which prevents haze, by heat treating a patterned lightproof film (MoSiON) in order to suppress permeation of residual ions contained in a cleaning solution through the phase shift mask at wet cleaning process.例文帳に追加

パターニングされた遮光膜（ＭｏＳｉＯＮ）を熱処理することにより、湿式洗浄の際、洗浄液に含まれている残留イオンの位相シフトマスク内への浸透を抑制してヘイズを防止する位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

An odor cleaning device 2 for wet-cleaning odors generated in organic waste and the deodorization device 3 for the bio-treatment of cleaning water after cleaning the odors by the cleaning device 2 are provided.例文帳に追加

有機性廃棄物で発生する臭気を湿式洗浄する臭気洗浄装置２と、該洗浄装置２で臭気洗浄後の洗浄水をバイオ処理する脱臭処理装置３とを設ける。 - 特許庁

A photomask 11 is immersed in cooling water 14 and modified by removal using a probe of an atomic force microscope, whereby adhesion by frictional heat is prevented and it is made easy to remove chips by wet cleaning.例文帳に追加

フォトマスク１１を冷却水１４中に浸して原子間力顕微鏡の探針を用いて除去修正を行うことで、摩擦熱による付着を防ぎ、削り屑もウェット洗浄で除去しやすくするものである。 - 特許庁

In this method, after the char, tar, and gas generated by the partial burning are wet cleaned, the desalted gas is utilized for bubbling in the wet cleaning tower 2, thus increasing the removal ratio of chlorine in the product.例文帳に追加

このとき部分燃焼によって生成したチャー、タール、ガスを湿式洗浄後、脱塩したガスを湿式洗浄塔２のバブリングに利用することで前記生成物中の塩素分の除去率が高くなる。 - 特許庁

To provide a wet cleaning method solving problems of conventional cleaning method and considering various effects giving to the environment, sufficiently sustaining quality of the objects of cleaning, improving efficiency of cleaning.例文帳に追加

従来のクリーリング方法の問題点を改善し、環境に及ぼす様々な影響を考慮しつつ、クリーニング対象物の品質を充分に担保しながら、クリーニング効率を向上させる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A manufacturing process of an electronic, optical or optoelectronic device, such as a CMOS or MOSFET device, comprises at least one wet cleaning process which uses the cleaning method.例文帳に追加

上記洗浄方法を用いる少なくとも１つの湿式洗浄工程を含む、ＣＭＯＳまたはＭＯＳＦＥＴデバイスなどの電子、光学、または光電子デバイスの作製プロセス。 - 特許庁

To provide a cyclone dust collecting apparatus for a wet cleaning vacuum cleaner capable of simultaneously removing contaminants and supplying water, being downsized, and preventing sucked water from flowing back.例文帳に追加

ゴミの除去と水の補充を同時に行うことができ、小型化が図れ、吸入された水が逆流することを防止できる水掃除真空掃除機用のサイクロン集塵装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of treating the wastewater discharged at the time of wet-cleaning of petroleum-based and coal-based fossil fuel positively and efficiently without cost.例文帳に追加

石油系や石炭系等の化石燃料を湿式洗浄した時に排出される排水を、コストをかけることなく確実且つ効率的に処理する方法を提供する。 - 特許庁

To make washing process smoothly operated and to efficiently perform cleaning treatment for mask members, when cleaning the mask members by combining dry cleaning and wet cleaning.例文帳に追加

ドライ洗浄とウエット洗浄とを組み合わせてマスク部材をクリーニングする際に、その洗浄プロセスを円滑に運転させることができ、マスク部材を効率的にクリーニング処理を行えるようにする。 - 特許庁

To provide an electronic material cleaning system that shortens a time needed for peeling processing of resist of an electronic material and reliably removes resist residues in a short period of time by wet cleaning after the resist peeling.例文帳に追加

電子材料のレジストの剥離処理に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る電子材料洗浄システムを提供する。 - 特許庁

To provide a method for wet cleaning which demonstrates proficient cleaning on CoWP exposed patterned wafers while maintaining CoWP integrity.例文帳に追加

ＣｏＷＰが露出したパターン化ウェハを、ＣｏＷＰの完全性を維持したままで洗浄することのできる優れた湿式洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating film and the insulating film, wherein the insulating film at a low relative dielectric constant and excellent in resistance or the like to a process such as etching, ashing or wet cleaning can be formed.例文帳に追加

低比誘電率であり、エッチング，アッシングあるいはウエット洗浄などのプロセスに対する耐性などにも優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法および絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, preventing attack on a lower part of an SOG film induced at the time of wet cleaning owing to difference in density of the film which is made by film thickness dependency on hardening process of the SOG film.例文帳に追加

ＳＯＧ膜の硬化時に膜厚さの依存性によって発生する膜の緻密度の差によって、湿式洗浄時誘発されるＳＯＧ膜下部のアタックを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To remove a process waste produced in micromachining with an atomic force microscope or foreign matters that is moved or scraped off by an atomic force microscope, without the use of wet cleaning.例文帳に追加

原子間力顕微鏡による微細機械加工で発生した加工屑や移動により原子間力顕微鏡により移動または削り取った異物を、ウェット洗浄を用いないで除去する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for treating a substrate capable of suppressing deposition of a metal to the substrate, by eluting at an ultrapure rinsing time when the substrate exposed, for example, with a metal material is cleaned by wet cleaning.例文帳に追加

例えば金属材料が露出している基板を湿式洗浄で洗浄する際、超純水リンス時に金属が溶出して基板に付着することを抑制できるようにした基板処理方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To realize a uniform, stabilized cleaning treatment in a wet cleaning technique for a substrate using an aqueous cleaning liquid of hydrofluoric acid as an effective component by suppressing the increase of hydrogen fluoride(HF) concentration in the cleaning liquid which occurs with processing of cleaning time.例文帳に追加

有効成分としてフッ化水素酸を水に溶解した洗浄液を使用する基板の湿式洗浄技術において、洗浄時間経過に伴う上記洗浄液のＨＦ濃度上昇を抑えて洗浄処理を均一・安定化する。 - 特許庁

To provide a wet-cleaning method for a silicon-carbide sintered body which can simply clean the silicon-carbide sintered body in a short period of time by removing organic and inorganic contaminants existing on the surface and in the vicinity of the surface of the sintered body.例文帳に追加

炭化ケイ素焼結体の表面及び表面近傍に存在する有機及び無機不純物を、簡易に、且つ短時間で洗浄除去することができる炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄方法を提供する - 特許庁

Since the reactive product that sticks to the shower plate reduces, such effects are provided as the suppression of occurrence of particles, the suppression of secular change of etching performance, and an improvement in operating rate due to the elongation of a wet-cleaning cycle.例文帳に追加

シャワープレートに付着する反応生成物が減少するため、パーティクルの発生の抑制、エッチング性能の経時変化の抑制、ウエットクリーニング周期が長くなることによる稼働率が向上する等の効果がある。 - 特許庁

To uniformize and stabilize cleaning treatment and reduce the consumption of chemicals for preparing a cleaning solution in the wet cleaning of a substrate by etching using the cleaning solution in which hydrofluoric acid as an effective component is dissolved in water.例文帳に追加

有効成分としてフッ化水素酸を水に溶解した洗浄液を使用する、エッチングによる基板の湿式洗浄技術において、洗浄処理を均一・安定化とともに、洗浄液調製用薬品の消費量を低減する。 - 特許庁

The wafer after the wet cleaning process is passed to the bypass conveying mechanism 2406 and passed to the first subpassage A as shown by a movement line L12.例文帳に追加

湿式洗浄処理がなされたウェハは、バイパス搬送機構２４０６に受け渡され、動線Ｌ１２に示すように、第１のサブ通路Ａに受け渡される。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a ceramic member for a semiconductor manufacturing apparatus, in which a new cleaning method is adopted instead of the conventional wet cleaning method so that the ceramic member can be cleaned only by a dry cleaning method.例文帳に追加

半導体製造装置用のセラミックス部材の洗浄において、従来の湿式洗浄に代わるあらたな洗浄方式を採用することにより、乾式洗浄のみでの洗浄を可能にする。 - 特許庁

To provide a plasma processor for forming a carbon film wherein a deposition of an adhesive substance to an exhaust system is minimized without sacrificing a throughput, and wet cleaning is scarcely needed at a high availability factor.例文帳に追加

カーボン膜を成膜するプラズマ処理装置において、スループットを犠牲にすることなく、排気系への付着物の堆積を最小とし、ほとんどウェットクリーニングの必要のない、稼働率の高い装置を提供する。 - 特許庁

Throating channels 6c and 6d are mounted to the end of an opening of the brush cover 6, water injection nozzle pipes 7a and 7b are provided to the inside thereof, and water is injected on a tunnel upper wall surface to make wet cleaning by the rotational brush 8.例文帳に追加

ブラシカバー６の開口端部に水切りチャンネル６ｃ、６ｄを取り付け、内部には水噴射ノズル管７ａ、７ｂを設け、トンネル上壁面に水を噴射して回転ブラシ８により湿式清掃する。 - 特許庁

To provide a film treatment apparatus which can reduce the frequency of the wet cleaning work by forming a film deposition preventive film on a surface of a shower head.例文帳に追加

シャワーヘッドの表面に成膜付着防止膜を形成してウエットクリーニング作業の頻度を少なくすることができる成膜処理装置を提供する。 - 特許庁