「"junction-type"」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetic tunnel junction type magnetic random access memory cell array that achieves both the thermal stabilization of the magnetization of a free layer and reduction in electric current required for changing the direction of magnetization, to improve operational performance.例文帳に追加

フリー層の磁化状態の熱的安定化と磁化方向を変化させるために要する電流の低電流化とを両立させることにより、動作性能を向上させることが可能な磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

To enlarge the area of pn junction interface by preventing the short circuit between an n-electrode and a p-type nitride semiconductor layer and reducing the area of occupation of the n-electrode, in a pn junction type nitride semiconductor element made on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成されたｐｎ接合型窒化物半導体素子において、ｎ電極とｐ型窒化物半導体層の短絡を防止すると共にｎ電極の占有面積を減少することにより、ｐｎ接合界面の面積を広げる。 - 特許庁

A gate insulating film is inserted between the tunnel junction layer and the word line diffusion layer adjacent thereto, and a tunnel junction type transistor is constituted by a part of the trench capacitors, the vertical tunnel junction layers and a part of the word line diffusion layers.例文帳に追加

トンネル接合層とこれに隣接するワード線拡散の間には、ゲート絶縁膜が挿入され、トレンチキャパシタの一部と、縦型トンネル接合層と、ワード線拡散層の一部とで、トンネル接合型トランジスタを構成する。 - 特許庁

Then a junction type FET is constituted by providing a source electrode/drain electrode 7 in ohmic contact with the pair of first conductivity type contact layers 6 respectively and a gate electrode 8 in ohmic contact with the second conductivity type contact layer 2.例文帳に追加

そして、一対の第一導電型コンタクト層６のそれぞれにオーミックコンタクトしてソース電極／ドレイン電極７が、また、第二導電型コンタクト層２にオーミックコンタクトしてゲート電極８がそれぞれ設けられることにより、接合型ＦＥＴが構成されている。 - 特許庁

To provide a metal coating Si substrate which prevents Au of an Au layer formed on an Si substrate from being diffused into the Si substrate even when a high-temperature heat treatment is carried out in an element manufacturing process, and to provide a junction type light-emitting element using the metal coating Si substrate and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子製造過程において高温の熱処理を施した場合であっても、Ｓｉ基板上に形成されたＡｕ層のＡｕがＳｉ基板に拡散することのない金属被膜Ｓｉ基板、ならびに、この金属被膜Si基板を用いた接合型発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a junction type beam splitter using an Ag layer, capable of preventing moisture permeation from a base material and an adhesive to an Ag film, and appearance deterioration while maintaining the characteristics of desired transmittance and reflectance under an environment of high temperature and high humidity.例文帳に追加

Ａｇ層を用いた接合タイプのビームスプリッタにおいて、基材、接着剤からのＡｇ膜への透湿を防ぎ、高温高湿環境下においても所望の透過率、反射率の特性を維持したまま、外観劣化を生じないビームスプリッタを得る。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode having an improved electrostatic withstand voltage that is a pn-junction-type compound semiconductor light-emitting diode, has improved extraction efficiency of emission to the outside, and can prevent the short-circuiting circulation of the element drive current between electrodes.例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオードにあって、、発光の外部への取り出し効率に優れ、且つ、電極間の素子駆動電流の短絡的な流通を防止できる、静電耐圧の向上した発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

A plug part 7b connectable to a coaxial connector is provided on one end of a main body part 7a in this junction-type equalizer 7, a connector part 7c connectable to a coaxial plug is provided on the other end and a printed board 30 incorporating an equalizer circuit is housed in a space part inside the main body part 7a.例文帳に追加

接栓タイプイコライザ７における本体部７ａの一端に同軸コネクタに接続可能なプラグ部７ｂを、他端に同軸プラグが接続可能なコネクタ部７ｃを設け、本体部７ａの内部の空間部にイコライザ回路が組み込まれたプリント基板３０を収納する。 - 特許庁

To make it possible to produce a junction type coated optical fiber ribbon in which two pieces of coated optical fiber ribbons surely line up on the same plane and which has high dimensional accuracy without making the thickness of the resin of a junction larger than the thickness of the coated optical fiber ribbons.例文帳に追加

接合部の樹脂の厚さがテープ状光ファイバ心線の厚さより厚くなることがなく、２本のテープ状光ファイバ心線が確実に同一平面に並ぶ、寸法精度の高い接合型テープ状光ファイバ心線を製造できるようにする。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor radiation detector that uses a barrier type, or a InSb single crystal of a p-n junction type that is reduced in leakage current, suppressed in trapping for electrons or holes, and having a large amount of charge generation even at a temperature of 10K or higher.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

In this high pressure-resistant analog switch circuit, the voltage of the gate of the high pressure-resistance junction type FET 71 is held in the same level as that of the voltage of the source regardless of whether the voltage (the voltage of a signal inputted to a node Si) of the source is positive or negative so that any negative power supply voltage (-V) is dispensed with.例文帳に追加

この高耐圧アナログスイッチ回路では、ソースの電圧（ノードＳｉに入力された信号の電圧）の正負にかかわらず高耐圧接合型ＦＥＴ７１のゲートの電圧がソースの電圧とほぼ同じレベルに保持されるため、負の電源電圧（−Ｖ）を必要としない。 - 特許庁

To provide a junction-type plate heat exchanger inhibiting the short path of the fluid in a spatial flow channel formed in a fluid flow channel between cassette plates, by heat transfer face joint parts formed on the heat transfer faces of the cassette plates as recessed grooves continuous from flat end parts, and to improve the heat transferring performance.例文帳に追加

カセットプレートの伝熱面に平端部に続いて凹溝状に形成される伝熱面接合部でカセットプレート間の流体流路に形成される空間流路での流体のショートパスを抑制し、伝熱性能を上げる接合型のプレート式熱交換器を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor radiation detector that uses a surface-barrier type or pn junction type InSb single crystal, which has small leakage current at a temperature of 10K or higher, has few electron or hole trappings, and has large amount of charge formation.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

To provide an organic thin film solar cell that is capable of forming a photoelectric conversion layer that can operate in the same manner as a bulk hetero junction type and has high performance using a high-mobility P-type organic semiconductor material with an excellent carrier transport property.例文帳に追加

キャリア輸送性に優れる高移動度なＰ型有機半導体材料を用いて、バルクヘテロジャンクション型と同様な動作が可能な光電変換層を形成することができ、高い性能を有する有機薄膜太陽電池を提供する - 特許庁

This method has advantages that extremely high optical transmittance can be accomplished in the design of a top-emitter OLED covering a large surface area, and an operation below 10V is enabled by keeping the sheet resistance of the junction type electrode located separately from the substrate very low.例文帳に追加

この方法は、大きな表面積をカバーするトップエミッタＯＬＥＤの設計において非常に高い光透過率を達成すると同時に、基板から離れて位置する接合型電極のシート抵抗を非常に低く維持することによって１０Ｖ未満での動作を可能にするという利点を有する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for driving a junction type field effect transistor (JFET) for suppressing heat generation of the JFET by temporary overcurrent and detecting the overheat state of the JFET in a simple configuration.例文帳に追加

簡単な構成によって、一時的な過電流による接合型電界効果トランジスタの発熱を抑制するとともに、接合型電界効果トランジスタの過熱状態を検知することができる接合型電界効果トランジスタの駆動装置および駆動方法を提供する。 - 特許庁

The junction-type voltage-dependent resistor has a joined structure composed of a semiconductor ceramic (ZnO semiconductor ceramic block) 1a whose main component is ZnO and a metal oxide compound (metal oxide compound block) 2a containing Sr and/or Ba and Mn and/or Co which are joined together.例文帳に追加

ＺｎＯを主成分とする半導体セラミック（ＺｎＯ半導体セラミックブロック）１ａと、Ｓｒ及びＢａのうち少なくとも一方と、Ｍｎ及びＣｏのうち少なくとも一方とを含む金属酸化化合物（金属酸化化合物ブロック）２ａとが接合された構造とする。 - 特許庁

A single-crystal silicon layer 8 and a metal silicide layer 13 layered on it are formed on a bulk silicon substrate side of a planar structure p-n junction, formed in an SOI layer which is a thermoelectric transducing part of a forward bias p-n junction type non-cooled infrared sensor.例文帳に追加

順バイアスｐｎ接合型の非冷却赤外線センサの熱電変換部となる、ＳＯＩ層に形成されたプレーナ構造ｐｎ接合のバルクシリコン基板側に単結晶シリコン層８と積層された金属シリサイド層１３が形成される。 - 特許庁

The semiconductor element 10 is formed into a Schottky type or p-n junction type or Schottky/p-n junction composite type horizontal diode structure which has a horizontal main conductive path in a conductive layer 1, and unit anodes 5u and unit cathode electrodes 2u that are adjacent to each other in horizontally integrated arrangement.例文帳に追加

半導体素子１０を、導電層１内において水平方向に主導通経路を有し、かつ、単位アノード部５ｕと単位カソード電極２ｕとを互いに隣接する形で横方向に集積化してなる、ショットキー型もしくはＰ−Ｎ接合型の、あるいはこれらが複合された横型ダイオード構造とする。 - 特許庁

The semiconductor driver circuit which is optimum for the normally-off junction type FET is proposed by the application of an accurate gate-voltage generation scheme by a Zener diode, the reduction in turn-on loss by a speed-up capacitor, the connection of a capacitor between a gate and a source, and the application of a malfunction-preventing circuit by a source-terminal optimum mounting scheme.例文帳に追加

ツェナーダイオードによる高精度なゲート電圧生成方式やスピードアップコンデンサによるターンオン損失の低減，ゲート・ソース間のコンデンサの接続やソース端子の最適実装方式による誤動作の防止回路を適用することで、ノーマリオフの接合型ＦＥＴに最良な半導体駆動回路を提案する。 - 特許庁

A hetero-junction type FET has an SiC substrate 1, a channel layer 3 formed on the substrate 1, a nitride semiconductor barrier layer 8 having a top surface 8a forming a hetero-junction with the channel layer 3, a gate electrode 5 formed on the top surface 8a, and a source electrode and a drain electrode 6 formed on the top surface 8a.例文帳に追加

ヘテロ接合型ＦＥＴは、ＳｉＣ基板１と、ＳｉＣ基板１上に形成されたチャネル層３と、頂面８ａを有し、チャネル層３との間にヘテロ接合を形成し、窒化物半導体からなるバリア層８と、頂面８ａ上に形成されたゲート電極５と、頂面８ａ上に形成されたソース電極およびドレイン電極６とを備える。 - 特許庁

The junction type field effect transistor comprises a p-type semiconductor film 2 formed on the front side of an n-type semiconductor C substrate 1, an n-type semiconductor film 3 involving a channel region 4 formed thereon, source and drain regions 5, 6 formed at both sides of the channel region on the semiconductor film 3, and a gate electrode 13 in contact with the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体Ｃ基板１の表（おもて）面に成膜されたｐ型半導体膜２と、その上に形成されたチャネル領域４を含むｎ型半導体膜３と、ｎ型半導体膜の上であって、チャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域５,６と、ｎ型半導体基板に接して設けられたゲート電極１３とを備える。 - 特許庁

A solid-state image pick up device 10 for charge accumulation is structured by arranging a pn-junction type sensor PD and pixels 11 including at least transfer transistor 13, and by floating the gate of the transfer transistor 13 under the bias condition that the gate of the transfer transistor 13 immediately before charge accumulation is cut off.例文帳に追加

ｐｎ接合型のセンサ部ＰＤと、少なくとも転送用トランジスタ１３を含む画素１１が配列されて成り、電荷蓄積の直前の転送用トランジスタ１３のゲートがカットオフされたバイアス状態で、転送用トランジスタ１３のゲートをフローティング状態にして電荷蓄積を行う固体撮像装置１０を構成する。 - 特許庁

The dissimilar material junction-type diode includes: a semiconductor substrate 1; a first conductivity type drift region 2 formed on the semiconductor substrate 1; the anode electrode 6 joined to a main surface of the drift region 2 and comprising a material of type different from that of a material of the drift region 2; and a cathode electrode 7 connected to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

異種材料接合型ダイオードは、半導体基体１と、半導体基体１の上に形成された第１導電型のドリフト領域２と、ドリフト領域２の主表面に接合された、ドリフト領域２とは異なる種類の材料からなるアノード電極６と、半導体基体１に接続されたカソード電極７とを備える。 - 特許庁

Since a voltage follower 30 having a junction type FET input is inserted, an upper cut-off frequency being set by the DC blocking capacitor 34 and the input resistance of the DC voltmeter 22 becomes a very low value, and the voltage change in a long time equal to or more than several seconds can be precisely measured in a range approximate to the full scale of the DC voltmeter 22.例文帳に追加

直流阻止用コンデンサ３４と直流電圧計２２の入力抵抗による高域遮断周波数が、接合型ＦＥＴ入力のボルテージフォロワ３０を挿入していることからきわめて低い値となり、数秒以上の長時間の電圧変化を、直流電圧計２２のフルスケールに近いレンジで精度よく測定することができる。 - 特許庁

The junction type field effect transistor formed on a semiconductor substrate 100 is constituted with inclusion of a source region 101, a drain region 102, a channel region 103 formed between the source region 101 and the drain region 102, and a gate region 107 formed under at least the channel region 103.例文帳に追加

半導体基板１００に形成された接合形電界効果トランジスタは、ソース領域１０１と、ドレイン領域１０２と、ソース領域１０１とドレイン領域１０２との間に形成されたチャネル領域１０３と、少なくともチャネル領域１０３の下に形成されたゲート領域１０７とを含で構成される。 - 特許庁