「"on the bias"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As for the Miller element in the Miller integration circuit, a capacitor 4 having the characteristics of variable capacitance depending on the bias voltage is used.例文帳に追加

ミラー積分回路のミラー素子に、バイアス電圧によって静電容量が変化する特性を有するコンデンサ４を用いる。 - 特許庁

An end face 17 of short fiber 16 included in the compressed rubber layer 6 is exposed like a stump on the bias cut face 15.例文帳に追加

圧縮ゴム層６に含有した短繊維１６の端面１７は、バイアスカット面１５で切り株状に露出している。 - 特許庁

To improve the cleaning performance of a belt by accurately reflecting the state of the belt based on the bias of the cleaning member.例文帳に追加

ベルトの状態をクリーニング部材のバイアスに正しく反映させてベルトのクリーニング性能を向上させる。 - 特許庁

To prolong service life of a belt, and also, to control the movement of the belt in a main scanning direction by reducing loads on the bias checking guide of a belt.例文帳に追加

ベルトの寄り止めガイドに掛かる負荷を低減させることにより、ベルトの寿命を延ばし、かつベルトの主走査の動きを制御する。 - 特許庁

A line formed on the bias substrate and a conductor part provided on the projection part of the gunn diode are electrically connected by metal foil having a projection downward.例文帳に追加

バイアス基板上に形成された線路と、ガンダイオードの突起部にある導体部とを、下方に凸部を有する金属箔によって電気的に接続する。 - 特許庁

The electrode constitution utilizes electrophoresis of the inside of the toner layer due to application of an electric field based on the bias voltage, and the toner layer is substantially divided into a toner rich layer and a carrier rich layer.例文帳に追加

この電極構成は、バイアス電圧に基づく電界の印加によるトナー層内部の電気泳動を利用して、トナー層を、トナーリッチな層とキャリアリッチな層に略分離する。 - 特許庁

The boas voltage adjusting circuit 12 generates a bias voltage BIAS, having temperature dependence based on the bias voltages BIAST and BIASN, to input it to a ring oscillator 13.例文帳に追加

バイアス電圧調整回路１２は、バイアス電圧ＢＩＡＳＴ，ＢＩＡＳＮに基づいて、温度依存性を有するバイアス電圧ＢＩＡＳＳを発生させてリングオシレータ１３へ入力させる。 - 特許庁

The high-frequency module comprises a bias circuit having capacitors provided on and under an inductor; and a wiring layer having wirings and an element of a high-frequency circuit on the bias circuit.例文帳に追加

インダクタの上下にコンデンサを設けてバイアス回路を構成すると共に、このバイアス回路上に高周波回路の配線や素子を有する配線層を配設して高周波モジュールを形成する。 - 特許庁

The transistor of the CMOS inverter for supplying input signals Vin and -Vin while superposing on the bias voltages from voltage sources 31 and 32 and the transistors 17 and 18 are transistors of the same channel.例文帳に追加

電圧源３１，３２からのバイアス電圧に入力信号Ｖin，−Ｖinを重畳させて供給するＣＭＯＳインバータのトランジスタとトランジスタ１７，１８は同一チャネルのトランジスタとする。 - 特許庁

To provide a bias voltage control circuit that does not exert influence on the bias voltage of an APD even if there are variations in the ambient temperature and power supply voltage, and to provide its adjusting method.例文帳に追加

周囲温度や電源電圧の変動があってもその影響をAPD のバイアス電圧に与えないバイアス電圧制御回路およびその調整方法を提供。 - 特許庁

Since an electric field based on the bias voltage is applied with the rotation of the electrically conductive roller 2 in a radial direction along a comparatively long route, a toner solid content in the carrier liquid sufficiently adheres to the surface side of the electrically conductive roller.例文帳に追加

このキャリア液は、導電性ローラ２の回転につれて、比較的に長い移動経路に沿って、バイアス電圧に基づく電界が半径方向に印加されるので、トナー固形分は十分に導電性ローラ表面側に付着する。 - 特許庁

The first bias is applied to the developing roller 2 by the bias of the first power supply 7, whereas the second bias is applied to the magnetic roller 1 by superposing the bias of the second power supply 8 on the bias of the first power supply 7.例文帳に追加

現像ローラ２は、第１の電源７のバイアスによって第１のバイアスが印加され、磁気ローラ１は、第１の電源７のバイアスに第２の電源８のバイアスを重畳することで第２のバイアスが印加される。 - 特許庁

The control circuit 22 compares a detecting electric current value supplied from the electric current detector 21 with a threshold value to turn off the switch 20 when the detecting electric current value reaches the threshold value to cut off an impression of bias voltage on the bias electrode 2.例文帳に追加

制御回路22は、電流検出器21より供給された検出電流値としきい値とを比較し、検出電流値がしきい値に達するとスイッチ20をオフし、バイアス電極２へのバイアス電圧の印加を遮断する。 - 特許庁

On this recovering position, first the device is allowed to attract the developer on the developing sleeve to the bias roller 64 side through the electrostatic force by making the developing sleeve grounded, and applying a negative voltage (-VE) on the bias roller.例文帳に追加

この回収位置において、先ず、現像スリーブをアースすると共に、バイアスローラには負の電圧（−Ｖ_Ｅ）を印加して、現像スリーブ上の現像剤を静電気力でバイアスローラ６４側に吸着する。 - 特許庁

Accordingly, the transfer belt 17a is rotated in idle while being held in contact with the photoreceptor 10, in applying a high voltage on the bias applying roller 17d without allowing transfer paper to pass through thereon.例文帳に追加

そこでバイアス印加ローラ１７ｄに高電圧を印加しつつ転写紙を通紙せず、転写ベルト１７ａを感光体１０に接触させながらカラ回しする。 - 特許庁

A moment M acts on the connector pin 2 so as to incline its center axis C relative to the tube 1 by a resilient force F of the coil spring 3 acting on the bias position S.例文帳に追加

偏倚位置Ｓに作用するコイルばね３の弾発力Ｆによって、コネクタピン２の中心軸線Ｃをチューブ１に対して傾けるようなモーメントＭが作用する。 - 特許庁

At least a part of each on the bistable device and the bistable memory element is composed of an organic microcrystal, and an organic bistable layer is incorporated which changes the resistance depending on the bias voltage, thus assuring the characteristic control capability, low-cost fabrication and reduced variation in the characteristics.例文帳に追加

少なくとも一部が有機微結晶で構成され、バイアス電圧に応じて抵抗値が変化する有機双安定層を有することにより、特性制御が可能で、安価に作製でき、かつ特性ばらつきが少なくなる。 - 特許庁

The clothes are prepared by skillfully using a first laminated fabric composed of a fabric nipping the adhesive in the sandwich form, a second laminated fabric composed of the adhesive and a fabric and a bias tape cut from the second laminated fabric on the bias.例文帳に追加

接着剤をサンドイッチ状に挟んだ生地からなる第１の積層生地、および接着剤と生地とからなる第２の積層生地、および前記第２の積層生地からバイアス取りしたバイアステープを巧みに使用した衣料品。 - 特許庁

By setting the value of the capacitor 20 to ≥2000 pF, the amplitude of AC voltage superposed on the bias is decreased to 200 V and by setting it to 50000 pF, the amplitude of the AC voltage is decreased to nearly ignorable one.例文帳に追加

２０００ｐＦ以上にすると、バイアスに重畳されるＡＣ電圧の振幅を２００Ｖ、また５０００ｐＦにすることでほぼ無視できる振幅に減少させることができた。 - 特許庁

A flux guide layer 22 is laminated on the bias magnetic field inductive layer 21, and magnetically couple to the free layer 12, one end thereof constituting a flux probing part 221.例文帳に追加

フラックスガイド層２２はバイアス磁界誘導層２１と積層されるとともに、フリー層１２に磁気的に結合され、一端がフラックスプローブ部２２１を構成する。 - 特許庁

The target for the bias current is set so that the valve closing force of a spring at the time of valve closing is canceled substantially by the electromagnetic force in opening direction of the purge control valve based on the bias current.例文帳に追加

ここで、バイアス電流の目標値は、バイアス電流によるパージ制御弁の開弁方向の電磁力が閉弁時のばねによる閉弁力をほぼキャンセルするように設定する。 - 特許庁

Since lots of toner charged in reverse polarity being failed to be cleaned are present on the transfer belt 17a, the toner is removed in a way of inverse transfer by statically attracting the toner to the photoreceptor 10 by applying the high voltage on the bias applying roller 17d.例文帳に追加

転写ベルト１７ａのクリーニングできなかったトナーは逆帯電のトナーが多く存在しているので、バイアス印加ローラ１７ｄに高電圧を印加することで感光体１０に電気的にトナーを引き付けて逆転写する形で除去する。 - 特許庁

The BPF 27 is configured of a transconductor amplifier, in which the center frequency depends on the bias current value and also supplies a bias current set by adjusting trimming resistance or the like with high accuracy to the integration circuit 29 from a reference current circuit 33.例文帳に追加

前記ＢＰＦ２７を中心周波数がバイアス電流値に依存するトランスコンダクタンスアンプで構成し、基準電流回路３３から、トリミング抵抗の調整等によって高精度に設定されている前記バイアス電流を積分回路２９へも供給する。 - 特許庁

Also, an inductor and a capacitor configuring the bias circuit are arranged vertical to the face of the semiconductor substrate so that the inductance and the capacitor can be overlapped with each other to form the bias circuit, and the wiring layer of the high frequency circuit is formed on the bias circuit to realize miniaturization.例文帳に追加

また、バイアス回路を構成するインダクタとコンデンサとが重なるようにインダクタとコンデンサとを半導体基板の面に対して垂直方向に配設してバイアス回路を形成し、このバイアス回路上に高周波回路の配線層を形成することで小型化を図る。 - 特許庁

A starting element for a magnetic resistance effect device is provided with a TMR element 20R, a bias magnetic field inductive layer 8R formed to cover the TMR element 20R, and a front flux probing layer 10R formed on the bias magnetic field inductive layer 8R to guide the signal flux the TMR element 20R.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置用素材は、ＴＭＲ素子２０Ｒと、ＴＭＲ素子２０Ｒを覆うように形成されたバイアス磁界誘導層８Ｒと、バイアス磁界誘導層８Ｒの上に形成され、ＴＭＲ素子２０Ｒに信号磁束を導くフロントフラックスプローブ層１０Ｒとを有している。 - 特許庁

When an output is reduced to half the maximum power or so, a control circuit 113 turns off the bias of a first power amplifier 106, turns off a first switch 103 and a fourth switch 107, and turns on the bias of a second power amplifier 111.例文帳に追加

最大電力の約半分程度の低出力時、制御回路１１３は第１の電力増幅器１０６のバイアスをオフにするとともに、第１のスイッチ１０３及び第４のスイッチ１０７をオフにし、第２の電力増幅器１１１のバイアスをオンにする。 - 特許庁

A reproducing head of the thin-film magnetic head is provided with an MR element 5, a pair of bias magnetic field impressing layer 6 arranged so as to be adjacent to each side of the MR element 5, and a pair of electrode layers 7 arranged on the bias magnetic field impressing layer 6 and also overlapped with the MR element 5.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、ＭＲ素子５の各側部に隣接するように配置された一対のバイアス磁界印加層６と、バイアス磁界印加層６の上に配置されると共にＭＲ素子５にオーバーラップしている一対の電極層７とを有している。 - 特許庁

Here, the output impedance of the bias circuit (12A) is set low enough to make voltage variation caused on the bias line (13) due to switching operations of switches (112-1 to 112-n) of the driving circuits (11-1 to 11-m) converge within a writing period of display data.例文帳に追加

ここで、バイアス回路（１２Ａ）の出力インピーダンスを、駆動回路（１１−１〜１１−ｍ）におけるスイッチ（１１２−１〜１１２−ｎ）のスイッチング動作に起因してバイアス線路（１３）に生じる電圧変動が表示データの書き込み期間内に収束可能な程度に低く設定する。 - 特許庁

By setting the resistance value of a thin-film resistor to be used for a circuit simulation so that it changes depending on the bias voltage impressed at both ends of the thin film resistor, a highly accurate simulation can be performed with high accuracy by fitting into the actual device characteristics.例文帳に追加

回路シミュレーションに用いる薄膜抵抗素子の抵抗値を、薄膜抵抗素子の両端に印加するバイアス電圧に依存して変化するように設定したことにより、実デバイス特性に精度よくフィッティングして高精度にシミュレーションできる。 - 特許庁

It is hereby possible to improve coercive force and an aspect ratio of a hard bias layer 14 formed on the bias ground layer 20, and to restrain elements constituting the orientation segmentalization layer 19 from diffusing into the laminate 4.例文帳に追加

これにより、前記バイアス下地層２０上に形成されたハードバイアス層１４の保磁力及び角形比を向上させることが出来るとともに、前記配向分断層１９を構成する元素が前記積層体４の内部へ拡散するのを抑制できる。 - 特許庁

In a preferred embodiment, the tether panel 14 that is attached to the face panel of the air bag is cut in alignment with the warp and the fill of the fabric blank, while the rear tether panel 16 that is attached to the rear panel of the air bag is cut on the bias with respect to the warp and the fill of the fabric blank.例文帳に追加

好ましい態様においては、エアバッグの前面パネルに結合されるテザーパネル１４は、織物生地の縦糸および横糸に整列するように切断され、一方、エアバッグの後面パネルに結合される後面テザーパネル１６は、織物生地の縦糸および横糸に対してバイアス(斜め)で切断される。 - 特許庁

Laser diodes (LD) 11A-11D have bias current I_b applied by first current sources 14A-14D, and further modulation current I_m is generated by a modulation circuit 30 and second current sources 17A-17D and superposed on the bias current I_b via the modulation circuit 30 and couplers 15A-15D.例文帳に追加

レーザダイオード（ＬＤ）１１Ａ〜１１Ｄは、第１の電流源１４Ａ〜１４Ｄによりバイアス電流Ｉ_ｂが付与され、更に、変調回路３０と第２の電流源１７Ａ〜１７Ｄによって変調電流Ｉ_ｍが生成され、変調回路３０及び結合器１５Ａ〜１５Ｄを介してバイアス電流Ｉ_ｂに重畳される。 - 特許庁

The high-frequency module comprises: a bias circuit having a capacitor formed on a semiconductor substrate and an inductor formed on the capacitor; wirings and a wiring layer laminated on the bias circuit; a magnetic thin film made of a magnetic material provided between the bias circuit and the wiring layer so that the bias circuit is separated from the wiring layer by using the magnetic thin film.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたコンデンサと、該コンデンサ上に形成されたインダクタとを有する高周波回路のバイアス回路上に、高周波回路の配線、及び高周波回路の配線層とを積層すると共に、バイアス回路と配線層との間に磁性体材料からなる磁性体薄膜を設け、バイアス回路と配線層とを磁性体薄膜を用いて分離しする。 - 特許庁

At least one layer of conductive film is formed on an insulating surface, a resist pattern is formed thereon, and then the conductive film having the resist pattern is etched to form a metallized wiring having a tapering angle αcontrolled depending on the bias power density, ICP power density, temperature of a lower electrode, pressure, total flow rate of etching gas, and the ratio of oxygen or chlorine in the etching gas.例文帳に追加

本発明は、絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜を形成し、前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成することを特徴としている。 - 特許庁