1016万例文収録!

「"second exposure"」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "second exposure"に関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

"second exposure"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 187



例文

The method includes the steps of: performing scanning with first and second exposures of substantially mutually different exposure times for each scan line; converting electric charges resulting from each of the first exposure into digital values; and discarding electric charges resulting from each of the second exposure.例文帳に追加

各走査線毎に、露光時間が実質的に互いに異なる第1及び第2の露光で走査するステップと、前記第1の露光のそれぞれから得られる電荷をデジタル値に変換するステップと、前記第2の露光のそれぞれから得られる電荷を廃棄するステップとを含む。 - 特許庁

Upon the second exposure, phase inversion regions (S) of the second mask is arranged to be associated with non-phase inversion region (NS) of the first mask, and non-phase inversion areas (NS) of the second mask is to correspond to with phase inversion areas (S) of the first mask.例文帳に追加

前記第2露光時、第2交番位相反転マスクの位相反転領域(S)は第1交番位相反転マスクの非位相反転領域(NS)に対応するようにし、第2交番位相反転マスクの非位相反転領域(NS)は第1交番位相反転マスクの位相反転領域(S)に対応するように構成する。 - 特許庁

Substantially simultaneously with the first photo alignment, the photo reactive polymer layer is subjected to second photo alignment by radiating second light to a second exposure area of another unit pixel area, the second light being polarized at a second inclination angle with respect to the substrate in a second direction.例文帳に追加

第1光配向させることと実質的に同時に他の単位画素領域の第2露光領域に基板と第2方向に第2傾斜角をなして偏光された第2光を照射して光反応性高分子膜を第2光配向させる。 - 特許庁

However, when a state of possible occurrence of smear is detected and an exposure control variable for carrying out the second exposure control on the basis of the program chart having already been set is calculated, the program chart for the exposure control is changed into the program chart exclusively used for the first exposure control.例文帳に追加

しかし、スミアが発生し得る状態を検出した場合であって、既に設定されたプログラム線図に基づいて第2の露出制御を行うような露出制御値が算出されている場合には、露出制御用のプログラム線図が、第1の露出制御専用のプログラム線図に変更される。 - 特許庁

例文

First image data is obtained by exposing an image pickup element 14 for a first exposure time (T1) in the state of opening an optical path opening and closing means 12 and second image data is obtained by exposing the element 14 for a second exposure time (Ta) in the state of closing the means 12.例文帳に追加

光路開閉手段を開いた状態で撮像素子を第1の露光時間(T1)露光させることにより第1の画像データを得るとともに光路開閉手段を閉じた状態で撮像素子を第2の露光時間(Ta)露光させることにより第2の画像データを得る。 - 特許庁


例文

After the surface of a substrate 1 is spin-coated with a positive photosensitive resist and a circuit pattern forming spot and a through hole forming spot are exposed on this positive photosensitive resist in a first exposure process, only a through hole 1a and neighboring thereof are exposed in a second exposure process.例文帳に追加

基板1の表面にポジ型感光レジストをスピンコートし、このポジ型感光レジストに対し第1露光工程で回路パターン形成箇所とスルーホール形成箇所とを露光した後、第2露光工程でスルーホール孔1aとその近傍のみを露光する。 - 特許庁

Related to an exposure method using mix-and-match method while a plurality of step-and-scan type exposure devices are used, a second exposure is performed scanning in the direction orthogonal to the scan direction at first exposure.例文帳に追加

複数のステップ・アンド・スキャン型の露光装置を用いて、ミックス・アンド・マッチ方式を用いて行う露光方法において、第1の露光の際のスキャン方向と直交する方向にスキャンを行いながら第2の露光を行う。 - 特許庁

Different photomasks are used in the first exposure processing and in the second exposure processing.例文帳に追加

基板の少なくとも片側の最表層にソルダーレジスト層を有する配線基板の製造方法において、該ソルダーレジスト層に開口部を形成する際に、前記開口部の同一部分に2回の露光処理を行い、第1の露光と第2の露光処理が、異なるフォトマスクを使用する配線基板の製造方法である。 - 特許庁

If an angle between a first exposure position d and a second exposure position e, which are on the photoreceptor drum, is α, the number of the teeth of the drum gear 31 corresponding to the angle α is 40, an integral multiple (four times) of the ten teeth of the motor gear 32.例文帳に追加

感光体ドラム上の2つの露光位置である第1露光位置dと第2露光位置e間の角度をαとするとき、その角度αに対応するドラムギヤ31の歯数は、モータギヤ32の歯数10の整数倍(4倍)である40とする。 - 特許庁

例文

Thereby, first side portions 91y of the device patterns 91a are formed in a linear manner along the exposure pattern in the first exposure step, and second side portions 91x of the device patterns 91a are formed in a linear manner along the exposure pattern in the second exposure step.例文帳に追加

このため、デバイスパターン91aの第1辺部91yは、第1露光工程での露光パターンに沿って直線的に形成され、デバイスパターン91aの第2辺部91xは、第2露光工程での露光パターンに沿って直線的に形成される。 - 特許庁

例文

A digital processing circuit 29 stores first exposure data EDa generated in accordance with the first image signal Ya (t) in a first register 33a and second exposure data EDb generated in accordance with the second image signal Yb (t) in a second register 33b.例文帳に追加

デジタル処理回路29は、第1の画像信号Ya(t)に応じて生成する第1の露光データEDaを第1のレジスタ33aに格納し、第2の画像信号Yb(t)に応じて生成する第2の露光データEDbを第2のレジスタ33bに格納する。 - 特許庁

In an exposure step a1, a first region 64 having a larger amount of leaked light in a photosensitive layer 53 is exposed in a first exposure step a11, and then a second region 65 having a smaller amount of the leaked light in the photosensitive layer 53 is exposed in a second exposure step a12.例文帳に追加

露光段階a1において、第1露光段階a11で、感光層53のうち漏れ光の光量が大きい第1領域64を露光し、次に第2露光段階a12で、感光層53のうち漏れ光の光量が小さい第2領域65を露光する。 - 特許庁

When an exposure control mode is set to a non-smear priority mode, first a program chart corresponding to the exposure control for selectively carrying out either of the first exposure control using the mechanical shutter and the second exposure control using the electronic shutter function is set.例文帳に追加

露出制御モードがスミア無し優先モードに設定されると、まず、メカシャッタを用いた第1の露出制御および電子シャッタ機能を用いた第2の露出制御のうち露出値EVに応じた一方の露出制御を選択的に行うような露出制御に対応するプログラム線図が設定される。 - 特許庁

The number, size and position of the scattering bars can be optimized, to achieve a desired isofocal CD and/or the desired level of sensitivity of the CD to trim exposure energy used in the second exposure step of the c:PSM process.例文帳に追加

散乱バーの数、サイズおよび位置は、c:PSMプロセスの第二露光ステップに使用するトリム露光エネルギに対するCDの所望の感度レベルおよび/または所望の同一焦点CDを実現するように最適化することができる。 - 特許庁

A cover member 3 is slidably engaged with a casing 1, and the cover member 3 can be moved among a covering position where a photographic lens 100 is covered; a first exposure position where the photographic lens 100 is exposed externally, and a tripod fitting part 4 is covered; and a second exposure position where the photographic lens 100 and the tripod fitting part 4 are exposed externally.例文帳に追加

ケーシング1にカバー部材3が摺動可能に係合しており、該カバー部材3は、撮影レンズ100を覆うこととなる被覆位置と、撮影レンズ100を外部に露出させる一方、三脚取付け部4を覆うこととなる第1露出位置と、撮影レンズ100及び三脚取付け部4を外部に露出させることとなる第2露出位置との間で移動が可能である。 - 特許庁

In the multi-exposure method for at least one substrate which is covered with a light sensitive layer, a first exposure is carried out in a first projection system (17) corresponding to an exposure parameter of a first group, and a second exposure is carried out in a second projection system (18) spatially separated from the first projection system (17) using an exposure parameter of a second group.例文帳に追加

感光層により被覆される少なくとも1個の基板の多重露光方法において、第1の露光は、第1組の露光パラメータにしたがって第1の投影系(17)において行なわれ、第2の露光は、第2組の露光パラメータを用いて、前記第1の投影系(17)から空間的に分離される第2の投影系(18)において行なわれる。 - 特許庁

In a mask used for the first exposure treatment, the whole surface of the mask for an ordinary pattern corresponding to the ordinary pattern forming area is formed of a light shielding pattern, and in a mask used for the second exposure treatment, the whole surface of the mask for a grating pattern corresponding to the grating pattern forming area is formed of the other light shielding pattern.例文帳に追加

上記第1の露光処理用のマスクにおいて、通常パターン形成領域に対応する通常パターン用マスク部は全面が遮光パターンで形成され、第2の露光処理用のマスクにおいて、グレーティングパターン形成領域に対応するグレーティングパターン用マスク部は全面が遮光パターンで形成される。 - 特許庁

In the multiple exposure method for at least one substrate covered with a photosensitive layer, first exposure is performed in a first projection system (17) according to an exposure parameter of a first group, and second exposure is performed in a second projection system (18) spatially separated from the first projection system (17).例文帳に追加

感光層により被覆される少なくとも1個の基板の多重露光方法において、第1の露光は、第1組の露光パラメータにしたがって第1の投影系(17)において行なわれ、第2の露光は、第2組の露光パラメータを用いて、前記第1の投影系(17)から空間的に分離される第2の投影系(18)において行なわれる。 - 特許庁

The mask set includes a first mask layer including a first exposure area where a first halftone pattern is formed to define a first pattern area, and a second mask layer including a second exposure area where a binary pattern and a second halftone pattern are formed to define a second pattern area.例文帳に追加

このマスクセットは、第1ハーフトーンパターンが形成されて前記第1パターン領域を画定する第1露光領域を含む第1マスクレイヤと、バイナリパターン及び第2ハーフトーンパターンが形成されて前記第2パターン領域を画定する第2露光領域を含む第2マスクレイヤを含む。 - 特許庁

In a second exposure step subsequent to first exposure and developing steps, the luminous intensity of irradiation light R2 is decreased to such a degree that, in an area of a second photoresist film 3' irradiated with the irradiation light R2, a saturation exposure region d`exposed enough to be dissolved and removed in the subsequent second developing step has a tapered trapezoid cross section as shown in the figure.例文帳に追加

第1の露光、現像工程に引き続くの第2露光工程において、照射光R2の光度を、第2フォトレジスト膜3´の照射光R2により照射されたエリアにおいて後順の第2現像工程で溶解除去され得る程度に感光した飽和感光領域d´が、図示されるような断面が台形の先窄み形状となるまで低減させる。 - 特許庁

When the first exposure time is not below the first threshold, the control circuit 18 determines to perform photography in a second mode if a second exposure time for imaging the input image of each of a plurality of sheets is below a second threshold when it is assumed that photography is performed in the second mode for forming a sheet of output image by imaging the input image of a plurality of sheets continuously.例文帳に追加

また、制御回路18は、第1の露出時間が第1の閾値以下でない場合に、複数枚の入力画像を連続撮像して1枚の出力画像を生成する第2のモードで撮影を行うと仮定した際の、複数枚のそれぞれの入力画像を撮像する第2の露出時間が、第2の閾値以下であれば、第2のモードで撮影を行うことを決定する。 - 特許庁

The image forming apparatus for forming image information and supplementary information on a photographic sensitive material having a first photosensitive layer for forming image information on the front surface and having a second photosensitive layer for forming supplementary information on the rear surface is provided with a first exposure means for forming image information and a second exposure means for forming supplementary information.例文帳に追加

表面に画像情報を形成するための第1感光層と、裏面に付帯情報を形成するための第2感光層とを有する写真感光材料に対して、画像情報及び付帯情報を形成させるための画像形成装置であって、画像情報形成用の第1露光手段と、付帯情報形成用の第2露光手段とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device has an evaluating element 5ab for inspection which is formed by double exposure by second exposure on a peripheral edge of at least one chip region 1 patterned by first exposure in a wafer-like semiconductor substrate, and electrically measures the alignment shift amount in horizontal and vertical directions in the first and second exposures.例文帳に追加

半導体装置は、ウェハ状の半導体基板における、第1の露光でパターニングされる少なくとも1つのチップ領域1の周縁部に、第2の露光によって二重露光されてなり、第1の露光及び第2の露光における縦方向又は横方向の互いの位置の合わせずれ量を電気的に測定する検査用評価素子5abを有している。 - 特許庁

The imaging apparatus capable of imaging by the long-term imaging mode comprises: noise-reduction processing means which executes noise-reduction processing after long-second exposure performed in imaging a subject by the long-term imaging mode; and voice reproduction means which reproduces a voice file according to the exposure time of the exposure.例文帳に追加

長時間撮影モードでの撮像が可能な撮像装置であって、長時間撮影モードにて被写体を撮影するときに行う長秒時の露光処理の後にノイズ低減処理を実行するノイズ低減処理手段と、露光処理の露光時間に応じた音声ファイルを再生する音声再生手段と、を有してなる撮像装置による。 - 特許庁

Thereby, in the stage when the second developing step is finished, a second exposure area not covered with the second photoresist film 3' is formed, as shown in (c), within the first exposure area that is not covered with the first photoresist film 3 but exposed in the stage when the first developing step is finished, because the saturation sensitization region d' is formed in a tapered figure.例文帳に追加

その結果、第2現像工程を終えた段階においては、(c)に示すように、第2フォトレジスト膜3´で被われていない第2露出エリアは、飽和感光領域d´が先窄み形状に形成されていた為、第1現像工程を終えた段階において第1フォトレジスト膜3で被われずに露出していた第1の露出エリア内に形成されている。 - 特許庁

This imaging apparatus for EUV light or X-rays includes an imaging section for forming an image by imaging using EUV light or X-rays, and an acquiring section for acquiring the differential image between the first image formed by carrying out imaging with a first exposure time by the imaging section and the second image formed by carrying out imaging with a second exposure time by the imaging section.例文帳に追加

EUV光またはX線用撮像装置は、EUV光またはX線を撮像して画像を生成する撮像部と、撮像部により第1の露光時間で撮像を行って生成した第1の画像と、撮像部により第1の露光時間と異なる第2の露光時間で撮像を行って生成した第2の画像との差分画像を取得する取得部とを備える。 - 特許庁

To provide a photograph carrying device making the whole device small when a first exposure part and a second exposure part are arranged in the midway of a carrying route of photographic paper, preventing generation of excess carrying force between a pair of carrying rollers when a set of synchronously driven carrying rollers is set in at least two portions, and capable of normally rewinding even if rewinding of long distance is conducted.例文帳に追加

第1の露光部と第2の露光部を印画紙の搬送路途中に配設するように構成するときに、装置全体を小型化することができ、かつ同期駆動される搬送ローラ組を少なくとも2箇所設けるときに、搬送ローラ組との間で余分な搬送力が生じることなく、たとえ長い距離の巻き戻しを行なっても正常に巻き戻すことのできる写真搬送装置の提供。 - 特許庁

When display devices and the semiconductor devices having fine elements are manufactured on the same substrate, a resist is exposed by using a first exposure means for exposing the patterns of the display devices and a second exposure means for exposing the patterns of the semiconductor devices to a workpiece which requires micro-fabrication, by which the semiconductor devices varying in line width rules may be manufactured with the good productivity.例文帳に追加

同一基板上に表示装置と、微細素子を有する半導体装置とを作製する際に、微細加工が必要な被加工物に対して、表示装置のパターンを露光する第1の露光手段と、半導体装置のパターンを露光する第2の露光手段とを用いてレジストを露光することにより、線幅ルールの異なる半導体装置を生産性良く作製することができる。 - 特許庁

A first exposure to shot areas including at least one die area on a wafer W is performed using an illuminative light that is allowed to pass through the reticle R, and a second exposure process to the die area adjacent to an edge region of the wafer W is performed by the illustrative light that has passed through a light transmitting member 102 disposed adjacent to the reticle.例文帳に追加

ウエハーW上の少なくとも一つのダイ領域を含む複数のショット領域に対する第1露光工程はレチクルRを通した照明光を用いて遂行され、ウエハーWのエッジ部位と隣接するダイ領域に対する2次露光工程はレチクルに隣接して配置される光透過部材102を通過した照明光によって遂行される。 - 特許庁

The method for exposure includes a process of first exposure by using a chromium mask 1 having a shading region 11 as a two-dimensional random pattern and a process of second exposure by using a chromium-free phase shift mask 2 having a part 15 of the phase shifter edge 16 of the phase shifter 20 in the position corresponding to the shading region 11.例文帳に追加

二次元ランダムパターン形状である遮光領域11を有するクロムマスク1を用いて第1の露光を行う工程と、遮光領域11に対応する位置に位相シフタ20の位相シフタエッジ16の一部15を有するクロムレス位相シフトマスク2を用いて第2の露光を行う工程とを備えることによって上記課題を解決する。 - 特許庁

Exposure to a resist film 12 is divided into first exposure (thus forming an exposure section 6) using a first photomask having a first transmitter, and second exposure (thus forming an exposure section 13) using a second photomask 5b having a region where a second light transmitter 4b having a larger area than that of the first transmitter is not overlapped to the first transmitter.例文帳に追加

レジスト膜12への露光を、第1透過部を有する第1フォトマスクを用いた第1露光(これにより露光部6を形成)と、第1透過部に比して大面積の第2透過部4bを第1透過部に重複しない領域において有する第2フォトマスク5bを用いた第2露光(これにより露光部13を形成)とに分割する。 - 特許庁

The pattern forming method includes a first pattern 10a having a first minimum size D_min1, and a second pattern 10b having a second minimum size D_min2; and a first exposure stage of performing exposure using a Levenson type mask, and a second exposure stage of performing exposure using a halftone type mask.例文帳に追加

パターン形成方法は、第1最小寸法D_min1を有する第1パターン部10aと、第2最小寸法D_min2を有する第2パターン部10bとを含むパターン形成方法であって、レベンソン型マスクを用いて露光を行なう第1露光工程と、ハーフトーン型マスクを用いて露光を行なう第2露光工程とを含む。 - 特許庁

An imaging device for reading out a signal of a pixel by dividing into two steps of a reset noise signal and an optical signal has a first exposure controlling means for using the mechanical shutter at least either at beginning or ending of exposure, and a second exposure controlling means for performing beginning and ending of storage into pixel photo-diodes by electrical means.例文帳に追加

画素の信号をリセットノイズ信号と光信号との2回に分けて読み出す撮像装置において、露光開始又は終了の少なくとも一方にメカニカルシャッターを用いる第1の露光制御手段と、画素フォトダイオードへの蓄積開始と終了を電気的手段で行う第2の露光制御手段と、を有する。 - 特許庁

In a second exposure step following a first exposure and development step, the luminous intensity of irradiation light R2 is decreased to such a degree that a region d' with saturation exposure in the area irradiated with the irradiation light R2 in a second photoresist film 3' to be dissolved and removed in the succeeding second development step has a trapezoidal converged profile in the cross section as shown in the figure.例文帳に追加

第1の露光、現像工程に引き続くの第2露光工程において、照射光R2の光度を、第2フォトレジスト膜3´の照射光R2により照射されたエリアにおいて後順の第2現像工程で溶解除去され得る程度に感光した飽和感光領域d´が、図示されるような断面が台形の先窄み形状となるまで低減させる。 - 特許庁

Besides, a second exposure condition calculating operation sets a relevant exposure condition by correcting at least the ISO sensitivity value in the exposure condition set by the first exposure condition calculating operation on the basis of a level of a photoelectric transduction output from the imaging device resulting from performing exposure in the imaging device with the effective exposure time and the ISO sensitivity value of the first exposure condition with the subordinate light emission from the stroboscope part.例文帳に追加

また、第2の露光条件算出動作により、ストロボ部による予備的発光を伴なって第1の露光条件による実効的な露光時間及びISO感度値を以って撮像素子における露光を行なって得た該撮像素子の光電変換出力のレベルに基づいて第1の露光条件算出動作によって設定された露光条件のうち少なくともISO感度値を補正して当該露光条件を設定する。 - 特許庁

The imaging device switches and executes, according to a state of the optical unit, first exposure control for exposing the imaging element, thereafter performing scanning for starting charge accumulation, and making the mechanical shutter move to shield the imaging element, and second exposure control for making the mechanical shutter move to expose the imaging element, and thereafter making the mechanical shutter move to shield the imaging element without performing scanning for starting charge accumulation.例文帳に追加

撮像装置は、撮像素子を露光させてから電荷蓄積を開始する走査を行い前記メカニカルシャッターを走行させて前記撮像素子を遮光する第1の露光制御と、前記メカニカルシャッターを走行させて前記撮像素子を露光させてから前記電荷蓄積を開始する走査を行わずに前記メカニカルシャッターを走行させて前記撮像素子を遮光する第2の露光制御とを、光学ユニットの状態に応じて、切り替えて実行する。 - 特許庁

例文

When device patterns 91a such as pixel electrodes of a liquid crystal device are to be patterned, a first exposure step of selectively exposing a region overlapping a first boundary region 99b extending in a first direction Y between the device patterns 91a, and a second exposure step of selectively exposing a region overlapping a second boundary region 99h extending in a second direction X between the device patterns 91a are carried out.例文帳に追加

液晶装置の画素電極等のデバイスパターン91aをパターニング形成する際、デバイスパターン91aの間で第1方向Yに延在する第1境界領域99gと重なる領域を選択的に露光する第1露光工程と、デバイスパターン91aの間で第2方向Xに延在する第2境界領域99hと重なる領域を選択的に露光する第2露光工程とを行う。 - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS