「"second exposure"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The total of the first and second exposure luminous energy is controlled in such a manner that a drawn image in the resist film is formed into dimensions in a desired dimensional range in the pattern area but not formed out of the pattern area.例文帳に追加

第１及び第２露光量の合計が、パターン領域内ではレジスト膜の描画像が所望の寸法範囲の寸法で形成され、パターン領域外では描画像が形成されないようにする。 - 特許庁

Then, the first lens pattern 24 is partially or entirely exposed to light via a second photo mask 20 to conduct a second exposure process for making at least part of each portion that will become a microlens thinner.例文帳に追加

次に、第２のフォトマスク２０を介して第１のレンズパターン２４を部分的もしくは全面的に露光し、マイクロレンズとなるべき各部分について、少なくとも一部の膜厚を薄くする第２の露光処理を行う。 - 特許庁

A first resist S1, which reacts to exposure of light with a first exposure energy E1 and a second resist S2 which reacts to exposure of light with a second exposure energy E2 (E2=0.5 to 0.7E1) are applied, in this sequence on a substrate G.例文帳に追加

第１、第２の露光エネルギーＥ１、Ｅ２（Ｅ２＝０．５Ｅ１〜０．７Ｅ１）で露光反応する第１、第２のレジストＳ１、Ｓ２がこの順に塗布された基板Ｇを得ることができる。 - 特許庁

The movement start position of first exposure is varied from that of the second exposure and the irradiation of exposure light is started, after the light emitting part and the rectangular substrate start the relative movement.例文帳に追加

また、第１露光の移動開始位置と第２露光の移動光開始位置を異らせ、光出射部と角形基板が相対的に移動を開始してから露光光の照射を開始する。 - 特許庁

The remaining portions of the light are directed to the remaining image areas of the photosensitive member and forms the images in the remaining image areas when the light from the landscape exists within the second exposure range.例文帳に追加

光の残りの部分は、風景からの光が第２の露光範囲内にある場合に、感光部材の残りのイメージ領域に指向させられ、残りのイメージ領域にてイメージを形成する。 - 特許庁

The exposure of the resist by the double-beam interference method is carried out only twice and directions of interference fringes are given a 60° angle difference between the first exposure and second exposure.例文帳に追加

二光束干渉法によるレジストの露光は２回のみ行い、１回目の露光と２回目の露光で干渉縞の方向に６０゜の角度差をもたせる。 - 特許庁

At the performing of the second exposure, the region 50 is divided into fields of larger sizes which are larger than the fields divided for the first exposure, as shown in Fig. 2(B), and the exposure is performed with an exposure of 1/2D.例文帳に追加

第２回目の露光時においては、図２（Ｂ）に示すように、第１回目よりは大きめのフィールドに描画領域５０を分割し、Ｄ・１／２の露光量で露光する。 - 特許庁

To provide a switch knob mechanism and a switch mechanism wherein it can be easier to grasp a situation of target equipments which are directed to be operated by a relative position of a first exposure part and a second exposure part.例文帳に追加

第１露出部と第２露出部との相対位置により操作指示される対象機機の態様を把握し易くすることができるスイッチノブ機構及びスイッチ機構を提供する。 - 特許庁

First and second exposure position contact surfaces 14e and 14f and first and second storing position contact surfaces 14g and 14h are formed in the left and right holding parts 14b and 14c of the disk tray 14.例文帳に追加

ディスクトレイ１４の左保持部１４ｂ及び右保持部１４ｃに、第１，第２露出位置当接面１４ｅ，１４ｆ、第１，第２格納位置当接面１４ｇ，１４ｈを形成する。 - 特許庁

To disclose a method of exposing a substrate by which a second exposure process can be performed during a stage transfer time in a first exposure process, and to provide an exposure apparatus using the same.例文帳に追加

第１露光工程のステージ移送時間の間に第２露光工程を行うことができる基板の露光方法、及びこれを用いる露光装置が開示される。 - 特許庁

In a second exposure mode in which the light beam having a second light intensity stronger than the first light intensity, the control section 13 controls the operation of the shutter 4 according to the correction information.例文帳に追加

制御部１３は、第１光強度よりも強い第２光強度の照明光が使用される第２露光モードでは、前記補正情報に基づいてシャッタ４の動作を制御する。 - 特許庁

The optimal exposure value 350 is one of the first exposure set value 320 and the second exposure set value 330, having reached the optimal exposure range in the previous exposure.例文帳に追加

最適露光値３５０は、前回の露光時に最適露光範囲内に到達した第１露光設定値３２０及び第２露光設定値３３０の何れかの露光設定値である。 - 特許庁

In a second exposure step, a negative resist 32 is exposed, by using an exposure mask 29 having a diffraction grating 35, in an oblique direction with first-order diffracted light of the grating 35, and developed to form an inclined face.例文帳に追加

第２回目の露光工程においては、回折格子３５を備えた露光用マスク２９を用い、回折格子３５の１次回折光で斜め方向からネガレジスト３２に露光し、現像することによって斜面を形成する。 - 特許庁

When the disk tray 14 is slid toward the exposure position, the upper and lower restriction pieces 11a and 11b simultaneously abut on the first and second exposure position contact surfaces 14e and 14f respectively to restrict the sliding.例文帳に追加

ディスクトレイ１４は、露出位置に向けてスライドしたときに、上規制片１１ａが第１露出位置当接面１４ｅに、下規制片１１ｂが第２露出位置当接面１４ｆに同時に当接してスライドが規制される。 - 特許庁

Based on the error information between patterns, which is provided from the first and second patterns, the nonlinear errors of the first exposure device relative to that of the second exposure device are acquired (S30).例文帳に追加

上記第１パターンと上記第２パターンとから得られるパターン間の誤差情報に基づいて、第２露光装置の非線形誤差に対する第１露光装置の非線形誤差を求める（Ｓ３０）。 - 特許庁

In the case where the high resolution mode is OFF, a plurality of images are imaged by each carrying out, not less than once, imaging in the first exposure time after adjustment and imaging in the second exposure time after adjustment.例文帳に追加

高解像度モードがＯＦＦの場合、調整した第１の露光時間での撮像、調整した第２の露光時間での撮像、をそれぞれ１回以上おこなうことで複数枚の画像を撮像する。 - 特許庁

After first exposure is carried out using a first alternating phase inversion mask on a photosensitive film coated on a wafer, second exposure is carried out using a second alternating phase inversion mask.例文帳に追加

ウェーハに塗布された感光膜上に第１交番位相反転マスクを使用した第１露光を遂行した後、第２交番位相反転マスクを使用した第２露光を遂行する。 - 特許庁

Also, a delay time calculation part 112c of the system controller 112 calculates equivalent delay time from the two of the first exposure and the second exposure and stores the calculated equivalent delay time in an EEPROM.例文帳に追加

また、システムコントローラ１１２の遅延時間算出部１１２ｃは、この第１露光量および第２露光量の２つの露光量から等価遅延時間を算出し、その算出した等価遅延時間をＥＥＰＲＯＭに格納する。 - 特許庁

A multiple-exposure lithographic process in which a developed resist pattern derived from a first exposure is present within a second resist layer that is exposed in a second exposure of the multiple-exposure lithographic process.例文帳に追加

第１の露光から得られる現像レジストパターンがマルチ露光リソグラフィ工程の第２の露光で露光される第２のレジスト層内に存在するマルチ露光リソグラフィ工程。 - 特許庁

The device for laminating the firmly-laminated optical disks is provided with a first exposure means which applies ultraviolet rays to an adhesive on the surface of a joint and a second exposure means which applies the ultraviolet rays to the adhesive which sticks out to the edge part of the outer circumference.例文帳に追加

密着貼り合せ型光ディスク貼り合せ装置は、接着面の接着剤に紫外線を照射する第１の露光手段と外周端部にはみ出した接着剤に紫外線を照射する第２の露光手段を有する。 - 特許庁

After the photosensitive layer for a black matrix is developed, a photosensitive layer for color pixels is formed on the glass substrate 3 and subjected to proximity exposure to transfer the pattern of color pixels in the similar process by a second exposure section 27.例文帳に追加

ブラックマトリクス用感光層の現像後、カラーピクセル用の感光層をガラス基板３に形成し、第２露光部２７で同様にカラーピクセルのパターンをプロキシミティ露光する。 - 特許庁

To accurately expose a second pattern in alignment by compensating the error of a first exposure and the distortion of a printed board when the first exposure is a D/D system and a second exposure is a GA system.例文帳に追加

第１露光がＤ／Ｄ方式で、第２露光がＧＡ方式の場合に、第１露光の誤差とプリント基板の歪みを補償して第２パターンを精度良くアライメントにて露光させる。 - 特許庁

The first exposure time is made to be long so that the first noise amount may become smaller than a threshold value, and the second exposure time is made to be long so that the second noise amount may become smaller than the threshold value (S204).例文帳に追加

第１のノイズ量が閾値より小さくなるように第１の露光時間を長くし、第２のノイズ量が閾値より小さくなるように第２の露光時間を長くする（Ｓ２０４）。 - 特許庁

In addition, in the case of performing multiple exposures of triple exposure or more, third exposure, fourth exposure, etc., can be performed similarly on the n pieces of wafers continuously from the second exposure without developing any wafer.例文帳に追加

また、三重露光以上の多重露光を行う場合、上記第２露光に続いて、いずれのウエハも現像されることなく、ｎ枚のウエハに対して第３露光、第４露光、…を同様に行う。 - 特許庁

In the case where a high resolution mode is ON, a plurality of images are imaged by each carrying out, once within a prescribed period, imaging in the first exposure time before adjustment and imaging in the second exposure time after adjustment.例文帳に追加

高解像度モードがＯＮの場合、調整前の第１の露光時間での撮像、調整した第２の露光時間での撮像、を規定時間内でそれぞれ１回おこなうことで複数枚の画像を撮像する。 - 特許庁

An image signal obtained at an aperture row at a first exposure is transferred to an adjacent shade row, then a second exposure is conducted and a new image signal is obtained at the aperture row.例文帳に追加

１回目の露光で開口行にて得られた画像信号は、隣接する遮光行に移送され、その後、２回目の露光が行われ、開口行に新たな画像信号が得られる。 - 特許庁

A tetragonal lattice pattern 9 is formed in a photoresist by carrying out first exposure through an L/S pattern and a second exposure through an L/S pattern inclined from the above L/S pattern by 90° with an optical exposure system.例文帳に追加

光学露光装置を用いて、 Ｌ／Ｓパタ−ンにより第１の露光を行い、これと９０°傾けたＬ／Ｓパタ−ンにより第２の露光を行ってフォトレジストに正方格子パターン９を露光する。 - 特許庁

A first exposure control area controlled by an electronic shutter means, a second exposure control area controlled by a mechanical shutter device 14, and a third exposure control area where a part of the first exposure control area and a part of the second exposure control area overlap and which is controlled by selecting one of the electronic shutter means and the mechanical shutter device 14 are selectively switched by a CPU 38.例文帳に追加

ＣＰＵ３８により、電子シャッタ手段により制御される第１の露出制御領域と前記メカニカルシャッタ装置１４により制御される第２の露出制御領域と前記第１の露出制御領域の一部と前記第２の露出制御領域の一部とがオーバーラップし且つ前記電子シャッタ手段とメカニカルシャッタ装置１４のいずれか一方を選択して制御される第３の露出制御領域とを選択的に切り換える。 - 特許庁

After first exposure has been performed by using the exposure mask 1a, exposure can be completely performed since a photoresist in the contact hole is exposed twice, when second exposure is performed, by being shifted in the line direction by corresponding to a single row portion direction.例文帳に追加

この露光用マスク１ａを用いて所定位置で１回目の露光を行った後、１画素分行方向にずらして２回目の露光を行うと、コンタクトホール内のフォトレジストは２回露光されるため、完全に露光することができる。 - 特許庁

In the information processing method for editing the color processing parameter used for image data processing, a data entry section 101 receives first target data corresponding to proper exposure and image data obtained by photographing at a second exposure different from the proper exposure.例文帳に追加

画像データ処理に用いる色処理パラメータを編集する情報処理方法において、データ入力部１０１より適正露出に対応する第１ターゲットデータと、適正露出とは異なる第２の露出での撮影によって得られた画像データが入力される。 - 特許庁

During a second exposure period, the first substrate set is patterned by a second reticle to exchange the first substrate set with a second substrate set, and the second substrate set is patterned by the second reticle to exchange the second reticle with the first reticle.例文帳に追加

第２露光期間中、第２のレチクルにより第１の基板セットをパターニングし第１の基板セットを第２の基板セットと交換し、第２露光期間中、第２の基板セットを第２のレチクルによりパターニングし第２のレチクルを第１のレチクルと交換する。 - 特許庁

By an exposure control part, a first photoelectric conversion element is controlled so as to perform photoelectric conversion in a first exposure time, and also the first photoelectric conversion element is controlled so as to perform the photoelectric conversion in a second exposure time longer than the first exposure time.例文帳に追加

露光制御部によって、第１露光時間で光電変換を行うように第１光電変換素子を制御すると共に、第１露光時間より長い第２露光時間で光電変換を行うように第１光電変換素子を制御する。 - 特許庁

In order to obtain a resist pattern of a first exposure pattern in a proximity effect correction process 3, the proximity effect is corrected in respect with the first exposure pattern based on the distribution function of exposure intensity to obtain a second exposure pattern whose pattern size is further changed and to obtain exposure data.例文帳に追加

近接効果補正工程３では、該第１露光パターンのレジストパターンが得られるように、露光強度分布関数に基づき該第１露光パターンに対し近接効果補正して、パターンサイズをさらに変更した第２露光パターンを得るとともに露光量のデータを得る。 - 特許庁

Then the drive stage 34 of the exposure stage 32 shifts the chuck stage 33 stepwise in a step shift amount L to position the substrate 51 with the photosensitive material at a second exposure position, and the irradiation optical system 40 irradiates the substrate 51 with exposure light through the mask 36.例文帳に追加

次に、露光ステージ３２の駆動ステージ３４によりチャックステージ３３をステップ移動量Ｌだけステップ移動させて感光材付き基板５１を第２の露光位置に位置付けた後、感光材付き基板５１へ向けて照射光学系４０によりマスク３６を介して露光光を照射する。 - 特許庁

Also, as a forming means to form a core 111a, a clad 112a, and a damming part 141a, there are used a first exposure mask 142 and a second exposure mask 143, irradiating with light a core material 114 and a clad material 115 which are a photosetting resin.例文帳に追加

また、コア１１１ａ、クラッド１１２ａ、および堰止部１４１ａを形成するための成型手段として、第１の露光マスク１４２および第２の露光マスク１４３を用いて光硬化性樹脂であるコア材料１１４およびクラッド材料１１５に光を照射する。 - 特許庁

First image data are obtained by exposing an imaging device for a first exposure time (T1) while opening an optical path opening/closing means, and second image data are obtained by exposing the imaging device for a second exposure time (Ta) while closing the optical path opening/closing means.例文帳に追加

光路開閉手段を開いた状態で撮像素子を第１の露光時間（Ｔ１）露光させることにより第１の画像データを得るとともに光路開閉手段を閉じた状態で撮像素子を第２の露光時間（Ｔａ）露光させることにより第２の画像データを得る。 - 特許庁

In the photolithographic processing unit 1a, a resist application processing apparatus 2 and a development processing apparatus 5 are provided separately from each other, a first exposure processing apparatus 3a is arranged adjacently to a first PEB processing apparatus 4a, and a second exposure apparatus 3b is arranged adjacently to a second PEB processing apparatus 4b.例文帳に追加

フォトリソグラフィー処理部１ａでは、レジスト塗布処理装置２と現像処理装置５とが分離して配置され、第１の露光処理装置３ａと第１のＰＥＢ処理装置４ａ、第２の露光処理装置３ｂと第２のＰＥＢ処理装置４ｂは隣接配置されている。 - 特許庁

When manufacturing another item having the branch rib of the width larger than the width of the branch rib of a certain item, first exposure and the development to form the branch rib of the other item are performed via the photomask of the certain item, the second exposure is performed between the development and the post baking, and the branch rib is caused to thermally flow by the post baking.例文帳に追加

ある品目の枝リブの幅より大きな幅の枝リブを有する他品目を製造する際に、ある品目のフォトマスクを介し他品目の枝リブを形成する第１露光、現像を行い、現像とポストベークの間で第２露光を行い、ポストベークで枝リブを熱フロー。 - 特許庁

To provide a pattern forming method capable of accurately forming a microscopic pattern which is finer than the exposure limit without requiring the second exposure process, thereby simplifying the process in comparison to the conventional process and reducing the manufacturing cost of the semiconductor device, and to provide a semiconductor device manufacturing method, and a semiconductor device manufacturing apparatus.例文帳に追加

２回目の露光工程を必要とせずに、露光限界よりも細い微細なパターンを高精度で形成することができ、従来に比べて工程の簡略化と半導体装置の製造コストの低減を図ることのできるパターン形成方法、半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

A double treatment technology to manufacture a device that includes the execution of a first patterning step for forming an opening in a resist layer, then the opening is filled before a first resist layer is exfoliated and is replaced with a second resist layer used for a second exposure is disclosed.例文帳に追加

レジスト層に開口を形成する第一パターニングステップを実行することを含み、第一レジスト層が剥離され、第二露光に使用される第二レジスト層で置換される前に、開口が充填される、デバイス製造の二重処理技術が開示される。 - 特許庁

Since the second exposure apparatus is attached only in the side portion of the first exposure apparatus, but is not attached to a corner portion that may easily become thick, variations in the thickness of the exposure apparatus are suppressed, and metal frame warpage caused by variation in stress is suppressed.例文帳に追加

第２のメタライズ層が、第１のメタライズ層の辺部分のみに被着され、厚くなりやすいコーナー部分には被着されないので、メタライズ層の厚みばらつきが抑制され、応力のばらつきに起因する金属枠体の反りが抑制される。 - 特許庁

A flash memory 300 is a data readable/writable nonvolatile storage area and it stores a frame image 310 as image data read by an image sensor 70, a first exposure set value 320, a second exposure set value 330, and an optimal exposure value 350.例文帳に追加

フラッシュメモリ３００は、データの読み書きが可能な不揮発性の記憶領域であり、イメージセンサ７０に読み取られた画像データであるフレーム画像３１０、第１露光設定値３２０、第２露光設定値３３０及び最適露光値３５０を記憶する。 - 特許庁

The correction part obtains from an imaging part, which takes a first image in a first exposure period and takes a second image in a second exposure period shorter than the first exposure time, the first image and the second image and corrects displacement of the obtained first image and second image.例文帳に追加

補正部は、第１の露光時間で第１の画像を撮影するとともに、第１の露光時間よりも短い第２の露光時間で第２の画像を撮影する撮影部から、第１の画像と第２の画像とを取得するとともに、取得した第１の画像と第２の画像との位置ずれを補正する。 - 特許庁

Therefore, even when the second region 65 is exposed by the leaked light in the first exposure step a11, the second region 65 is further exposed to spot light in the second exposure step a12 to eliminate the influence of the exposure by the leaked light.例文帳に追加

したがって第１露光段階ａ１１で第２領域６５が漏れ光によって露光されても、第２露光段階ａ１２でさらに第２領域６５をスポット光によって露光することによって、漏れ光による露光の影響をなくすることができる。 - 特許庁

Second exposure wherein the area including the cord electrode pattern is made to be an unexposed portion is carried out to expose an area where a surface of the spherical base is irradiated obliquely with exposure light up to an energy amount needed for a developing step.例文帳に追加

すだれ状電極パターンを包括する領域を非露光部とする二度目の露光を行うことにより、球面基体の表面に対し露光光が斜めに照射される領域を現像工程に必要なエネルギー量まで露光することが出来る。 - 特許庁