「"solid-liquid interface"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal by an LEC method, which prevents the solid-liquid interface from becoming a surface recessed toward a melt and improves the production yield of the whole area single crystal by specifying the relation between the internal circumference and the total length of each slit width of a cylindrical heater.例文帳に追加

円筒形ヒータの内周とスリット幅合計長さの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上し得るＬＥＣ法による化合物半導体単結晶成長装置を提供すること。 - 特許庁

In this lotus root-shaped porous metal manufacturing method, an advancing direction of a solid-liquid interface at solidifying as a determination factor of a growing direction of a pore is controlled to be slant, whereby the panel having the insertion hole can be manufactured only by the simple casting and the fabrication.例文帳に追加

ロータス型ポーラス金属作製方法において、気孔の成長方向の決定因子である凝固時の固液界面の進行方向を斜めに制御することにより、単純な鋳造と成形加工のみで貫通孔を有するパネルを作製することを可能とする。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal, in which the solid-liquid interface can be prevented from being concaved by accelerating the dissipation of heat transferred to the compound semiconductor single crystal from a melt of the compound semiconductor; and to provide a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal.例文帳に追加

化合物半導体融液から化合物半導体単結晶に伝達された熱の放熱を促進することにより固液界面の凹化を抑止することができる化合物半導体単結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex shape projected toward the melt side with a good reproducibility over the whole growing process in a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

This apparatus for growing the lithium tetraborate single crystal is characterized in that a cylindrical heat insulating part is arranged between the inner wall face of a furnace core tube heated by a heater and an area where a growth vessel moves and at the position of the solid-liquid interface with regard to the height direction.例文帳に追加

四ほう酸リチウム単結晶を育成させる育成装置において、高さ方向については育成時固液界面となる位置で、且つヒーターで加熱される炉心管の内壁面と育成容器が移動する領域との間に、筒形の断熱部を配置することを特徴とする育成装置。 - 特許庁

Lines of magnetic flux M generated in a coil 22 surrounding the periphery of the melting crucible 11 are directly transmitted into a region of solidified silicon 41 having low conductivity, but are deformed so as to avoid a region of fused silicon 42 having high conductivity by making the boundary of the solid-liquid interface S (lines of magnetic flux Ma portion in the figure 3).例文帳に追加

溶解ルツボ１１の周縁を取り巻くコイル２２に生じる磁束線Ｍは、導電率の低い固化シリコン４１の領域はそのまま透過するが、固液界面Ｓを境にして導電率の高い溶融シリコン４２の領域を避けるように歪む（図３中の磁束線Ｍａ部分）。 - 特許庁

The method for manufacturing the nanocarbon material composite substrate includes the steps of: supporting catalyst on the substrate; heat treating the catalyst; forming a three-dimensional structural pattern on the substrate; and growing a nanocarbon material on the surface of the substrate on which the catalyst is supported, by means of the solid-liquid interface decomposition method.例文帳に追加

本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に３次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。 - 特許庁

Furthermore, a large crystal grain can be formed by making the energy absorption distribution of the a-Si layer constant in the transmitting direction at a part where the energy beam is passed a plurality of times and making the solid-liquid interface flat along the optical path thereby realizing lateral epitaxial growth in the a-Si layer.例文帳に追加

さらに、ａ−Ｓｉ層は、そのレーザビームを複数回透過された部分で、透過方向に生じるエネルギー吸収分布を一定にして固液界面を光路に沿った平坦なものとすることにより、ａ−Ｓｉ層における横方向結晶成長を実現して大結晶粒の形成を可能とする。 - 特許庁

Static magnetic field having a prescribed intensity (desirably, ≥0.1 T) is impressed to molten metal and also, AC current having ≥1 Hz frequency is supplied so that the current component in the perpendicular direction to the static magnetic field direction exists in the range exceeding a prescribed distance (δ) from the solid-liquid interface to the solidifying direction.例文帳に追加

溶融金属に、所定の強さ（好ましくは０．１Ｔ以上）の静磁場を印加するとともに、周波数１Hz以上の交流電流を、固液界面から凝固方向へ所定の距離（δ）を超える領域にて、静磁場方向に対して垂直な方向の電流成分が存在するように通電する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, whereby a temperature gradient in the direction of crystal growth is increased to enable shaping of a solid-liquid interface into a convex form, by improving the structure of a crucible itself to eliminate need for floating a floating ring or covering with a heat-insulating particle.例文帳に追加

浮遊体リングを浮かべたり断熱性粒子で覆う必要なしに、つまりルツボそれ自体の構造を改善することにより、結晶成長方向の温度勾配を大きくして固液界面を凸化させることを可能とした化合物半導体単結晶の製造装置及び製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal, by which a high quality single crystal wherein a desired defect area is formed in the crystal growth direction can be easily manufactured with a high productivity and yield by suppressing the fluctuation of the temperature gradient in the vicinity of the solid-liquid interface to be minimum when the single crystal is grown.例文帳に追加

単結晶を育成する際に、固液界面近傍の温度勾配の変動を最小限に抑制し、結晶成長方向に所望欠陥領域が形成された高品質の単結晶を容易に、かつ高い生産性及び歩留りで製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a silicon single crystal is pulled from a silicon melt, a defect-free crystal is produced stably with good reproducibility by controlling the relation between the form of solid-liquid interface being the boundary of the silicon melt and the silicon single crystal and the temperature distribution at the side face or the single crystal being pulled to be optimum.例文帳に追加

シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるにあたって、シリコン融液とシリコン単結晶の境界である固液界面の形状と、引き上げ中の単結晶の側面における温度分布と、の関係を適切に調整することによって、無欠陥結晶を安定かつ再現性よく製造することを可能にする。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal, which can prevent polycrystallization by optimizing the shape of the solid-liquid interface of the growing crystal in the production of a large-diameter compound semiconductor single crystal of a crystal diameter φ of 200 mm or more by an LEC method (Liquid Encapsulated Czochralski method).例文帳に追加

ＬＥＣ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法）により結晶径φ２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon single crystal ingot having a desired oxygen concentration and suppressed in defects is produced by independently controlling the temperature distribution and the oxygen concentration distribution of a silicon melt by applying an unbalanced magnetic field to the silicon melt so that the magnetic field intensity of an oxygen gushing region is different from that of a solid-liquid interface region.例文帳に追加

シリコン融液に不均衡磁場(Unbalanced Magnetic)を印加することにより、酸素湧出部位と固液界面部位の磁場の強さを互いに異なるように制御し、シリコン融液の温度分布とシリコン融液の酸素濃度分布を独立的に制御することによって、希望する酸素濃度で、かつ欠陥の抑制されたれたシリコン単結晶インゴットを製造する。 - 特許庁

After the temperature gradient G in the axis direction in the vicinity of the solid-liquid interface 24 in a single crystal ingot 15 to be pulled from a melt 12 melted by a heater 18 in a chamber 11 is estimated by using a computer utilizing a comprehensive heat transfer analyzing program and a melt convection analyzing program, the pulling speed of the single crystal ingot is determined by simulation.例文帳に追加

チャンバ１１内のヒータ１８により融解された融液１２から引上げられる単結晶インゴット１５内の固液界面２４近傍の軸方向温度勾配Ｇを、総合伝熱解析プログラム及び融液対流解析プログラムを用いてコンピュータにより予測した後に、単結晶インゴットの引上げ速度をシミュレーションにより決定する。 - 特許庁

To highly reproducibly control the solid/liquid interface temperature gradient in the crystal growth direction throughout the entire growth process so as for the interface profile to be convex toward the melt side to thereby markedly improve the yields of a compound semiconductor single crystal in the growth of the compound semiconductor crystal by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での化合物半導体単結晶の成長において、固液界面の結晶成長方向の温度勾配を適正値に規定することにより、成長過程全般での固液界面形状を、再現性良く融液側に凸形状に制御し、これにより化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる。 - 特許庁

The continuous casting method of molten metal is characterized in that a temperature of molten metal 2 at a central part of a depth beneath the surface of molten metal in the continuous casting mold 1 is made higher by 5°C or more than a liquid-phase line temperature and a forced fluidity of molten metal 2 along a solid-liquid interface is provided in the continuous casting mold.例文帳に追加

溶融金属の連続鋳造方法であって、連続鋳造鋳型１内の溶融金属表面直下の厚み中央部における溶融金属２の温度を液相線温度＋５℃以上とし、連続鋳造鋳型内において固液界面に沿った溶融金属２の強制流動を起こさせることを特徴とする溶融金属の連続鋳造方法。 - 特許庁

The method for producing a semiconductor single crystal using a Czochralski (Cz) method for growing a semiconductor single crystal through a solid-liquid interface by dipping a seed into a semiconductor melt housed in a quartz crucible, and pulling the seed while rotating the quartz crucible and applying a strong horizontal magnetic field, wherein the seed is pulled while the quartz crucible is rotated with a rate of from 0.6 to 1.5 rpm.例文帳に追加

石英るつぼに収容された半導体メルト（ｍｅｌｔ）にシード（ｓｅｅｄ）を浸した後、前記石英るつぼを回転させるとともに水平強磁場を印加しながら引き上げ、固液界面を通じて半導体単結晶を成長させるチョクラルスキー（Ｃｚ）法を用いた半導体単結晶の製造方法であって、前記石英るつぼを０.６〜１.５ｒｐｍの速度で回転させながら引き上げる。 - 特許庁

A pulling-up velocity V of the crystal S and/or a temperature gradient G on the crystal S side in crystal axial direction on solid-liquid interface is changed according to the change of dopant concentration and V/G value is kept within a prescribed range.例文帳に追加

結晶の引上速度をＶ、固液界面における結晶軸方向の結晶側の温度勾配をＧとした時に、無欠陥領域を結晶の半径方向の全てにわたって形成するために、固液界面におけるＶ／Ｇ値を結晶の半径方向で所定の範囲に入れつつシリコン単結晶を育成する方法において、ドーパント濃度に依存して、引上速度Ｖ、および／または温度勾配Ｇを変更する。 - 特許庁

In an apparatus for manufacturing the compound semiconductor single crystal by the vertical Bridgman method, a heat shielding member 4 extending in the vertical direction is interposed between a crucible 2 in which the single crystal is grown and a heater 3, arranged around the crucible 2, in such a manner that the solid-liquid interface K in the crucible 2 is located above the heat shielding member 4.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いる化合物半導体単結晶の製造装置において、単結晶の育成が行われるルツボ２と、このルツボ２の周りに配置されたヒータ３との間に、垂直方向に延在する熱シールド部材４を介在させ、この熱シールド部材４の上方にルツボ２内の固液界面Ｋが位置するようにしたことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁