「"solid-liquid interface"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a solid/liquid interface reaction evaluating device capable of accurately evaluating solid/liquid interface reaction.例文帳に追加

本発明は、固液界面反応の評価を精度よく行うことができる固液界面反応評価装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

METHOD OF SIMULATING FORM OF SOLID-LIQUID INTERFACE BETWEEN SINGLE CRYSTAL AND MELT例文帳に追加

単結晶及び融液の固液界面形状のシミュレーション方法 - 特許庁

The solid-liquid interface 26 becomes upward convex by the action of the heat generated from the source 43.例文帳に追加

この熱源４３からの放熱により固液界面２６が上凸状となるように構成される。 - 特許庁

A two-dimensional CCD camera 28 to photograph the fusion ring appearing near the solid-liquid interface and its mirror image on the melt surface of the auxiliary heating means is disposed outside the chamber and opposing the solid liquid interface.例文帳に追加

上記固液界面近傍に発生するフュージョンリング及び補助加熱手段の融液表面に映る鏡像を撮影する２次元ＣＣＤカメラ２８がチャンバ外に固液界面を臨むように設置される。 - 特許庁

The distribution of temperatures in the vicinity of the solid/ liquid interface 9 between a langasite melt 8 and a seed crystal 2 is measured during growing the single crystal (during descending of a crucible) by providing a five-point type thermocouple 10 in the vicinity of the solid/liquid interface 9.例文帳に追加

るつぼ３内のランガサイト融液８と種結晶２との固液界面９近傍に５点式熱電対１０を設けて、単結晶育成中（るつぼ下降中）に固液界面９近傍温度分布を測定する。 - 特許庁

To detect that a solid/liquid interface is a concave form in a crucible during growing a single crystal and to make the interface flat.例文帳に追加

単結晶育成中における、るつぼ内の固液界面が凹面型になったことを検出してこれを平坦にする。 - 特許庁

The vicinity of the solid-liquid interface of the pulled crystal is forcibly heated by the heater 9, thus the cracking of the crystal or the formation of dislocation thereof which is caused by the increase of thermal stress in the vicinity of the solid-liquid interface due to forcible cooling is prevented, so that the yield of the crystal is improved.例文帳に追加

引上げ結晶の固液界面近傍を加熱体９により強制加熱することにより、強制冷却による固液界面近傍での熱応力増大に起因する結晶の割れや有転位化を防止し、歩留りを改善する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, by which the solid-liquid interface can be controlled in such a manner that the solid-liquid interface becomes a shape perpendicular to the crystal growth axis direction or a shape protruded toward the raw material melt side during crystal growth.例文帳に追加

固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Height of the solid-liquid interface 8 on the boundary of the single crystal rod 5 in the middle of pulling up and the fused solution of raw material 3 is to be controlled.例文帳に追加

引上げ途中の単結晶棒５と原料融液３との境界に発生する固液界面８の高さを制御する。 - 特許庁

To provide a numerical analysis method in the production of silicon single crystal, wherein a calculated value of a solid-liquid interface shape between a silicon single crystal and a silicon molten salt or the temperature distribution adjacent to a solid-liquid interface conforms very well to an actual measurement value even when the drawing-up condition of the silicon single crystal is changed.例文帳に追加

シリコン単結晶の引上げ条件を変更しても、シリコン単結晶及びシリコン融液の固液界面形状やこの固液界面近傍の温度分布の計算値が実測値と極めて良く一致する、シリコン単結晶製造における数値解析方法を提供する。 - 特許庁

The natural convection S overcomes a forced convection formed near the solid-liquid interface by a relative rotation of the GaAs single crystal 3 and the crucible 7 and becomes the dominant convection in the GaAs melt 6, which enables the solid-liquid interface to be convexly curved toward the GaAs melt 6.例文帳に追加

これにより、ＧａＡｓ単結晶３とルツボ７との相対回転に起因する固液界面付近の強制対流に打ち勝って、ＧａＡｓ融液６内の対流は自然対流Ｓが支配的となり、固液界面形状をＧａＡｓ融液６側に凸面に制御可能となる。 - 特許庁

To provide an apparatus for detecting a solid-liquid interface with which the position of the solid-liquid interface in a melting crucible can accurately and easily be grasped at real time, and to provide a casting apparatus and a casting method with which a good quality ingot suitably controlled in the solidifying direction can be cast by using the above detecting apparatus.例文帳に追加

溶融ルツボ内での固液界面の位置を正確かつリアルタイムで容易に把握することができる固液界面検出装置、およびこれを用いて固化方向が適切に制御された良質なインゴットを鋳造可能な鋳造装置及び鋳造方法を提供する。 - 特許庁

To attain unidirectional crystal growth of large size grains by making the recessed surface of a solid-liquid interface into a horizontal surface within a melting furnace.例文帳に追加

溶解炉内において、固液界面が凹面状から水平面状となるようにし、一方向性の大粒径の結晶成長を可能とする、 - 特許庁

Controlling the pulling speed of the single crystal makes the heat stress at the center of the single crystal above the solid-liquid interface 33 set at not higher than 50 MPa.例文帳に追加

単結晶の引上げ速度を制御することにより、固液界面３３上であって単結晶の中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL NOBLE-METAL SUPER-THIN FILM NANO PARTICLE FORMED USING AN ADSORPTION MICELL FILM FORMED IN SOLID/LIQUID INTERFACE AS A REACTION FIELD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

固／液界面に形成された吸着ミセル膜を反応場として形成される単結晶質の貴金属超薄膜ナノ粒子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor single crystal preventing the formation of a concave solid/liquid interface and restraining the generation of a polycrystal part.例文帳に追加

固液界面が凹面状に形成されるのを防ぎ、多結晶部の発生を抑制する半導体化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible to reduce the defect by the contact of a solid-liquid interface with the basilar part of a crucible by that the radiant heat from a raw material melt is intercepted by a heat insulating material and the convex degree of a convex shape of a solid-liquid interface is balanced in the manufacturing method of a compound semiconductor single crystal by a LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液からの輻射熱を断熱材で遮断することで、固液界面の凸面形状の凸度のバランスをとり、固液界面とルツボ底部との接触による不良を低減することを可能にする。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor single crystal, which has a structure capable of efficiently cooling the upper part of a furnace and making the shape of the solid-liquid interface into a projected shape.例文帳に追加

炉体上部を効率よく冷やして固液界面形状を凸化させる構造を有する化合物半導体単結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To make it possible in the LEC (liquid seal Czochralski) method to prevent the solid/liquid interface shape from bending concavely and to prevent polycrystal formation due to the evaporation of compound semiconductor elements from the surface of a crystal surface.例文帳に追加

ＬＥＣ法において、固液界面形状の凹面化及び結晶表面から化合物半導体元素の揮発による多結晶化を防ぐようにする。 - 特許庁

The auxiliary heating means 24 to heat the solid-liquid interface and its vicinity between the seed crystal and the melt is disposed to surround with a predetermined space the periphery of the seed crystal in contact with the melt.例文帳に追加

種結晶及び融液の固液界面近傍を加熱する補助加熱手段２４が融液に接触した種結晶の周面を所定の間隔をあけて包囲する。 - 特許庁

To provide both a method for producing a semiconductor crystal by which the slip dislocation is scarcely caused and the semiconductor crystal having a convex solid-liquid interface can be grown and an apparatus for producing the semiconductor crystal.例文帳に追加

スリップ転移が発生しにくく、固液界面が凸状の半導体結晶を成長させることのできる半導体結晶の製造方法と製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high-accuracy method for calculating a wall viscosity stress, not depending on a lattice even if a solid-liquid interface is oblique to the lattice and moves.例文帳に追加

格子に対して斜行した固液界面であっても、また固液界面が移動する場合であっても、格子に依存しない、高精度な壁粘性応力の計算方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new polyalkylene glycol derivative usable as a nonionic surfactant exhibiting excellent surface activity in a liquid-liquid interface and a solid-liquid interface.例文帳に追加

液−液界面および固−液界面において優れた界面活性能を発揮する非イオン性界面活性剤として使用可能な、新規なポリアルキレングリコール誘導体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound single crystal through an LEC (liquid encapsulated Czochralski) method, whereby a solid-liquid interface can be controlled to be convexly curved toward a melt, even when growing a large-diameter single crystal.例文帳に追加

大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing apparatus for the single crystal is provided with a heater 120 for heating a solid-liquid interface that heats at least the solid-liquid interface 14 between raw material melt 11 and the single crystal 13 in a crystal growth furnace 100, a heater 130 for heating the crystal that heats the single crystal 13 after solidification and a cooling device 150 that cools the backside of the heater 130 for heating the crystal.例文帳に追加

結晶成長炉１００内に、少なくとも原料融液１１と単結晶１３の固液界面１４を加熱する固液界面加熱用ヒータ１２０と、固化後の単結晶１３を加熱する結晶加熱用ヒータ１３０と、結晶加熱用ヒータ１３０の裏側領域を冷却する冷却装置１５０とが配設されている単結晶の製造装置。 - 特許庁

The single crystal silicon having low resistivity is produced by the Czochralski process, by controlling a height of a solid liquid interface when the single crystal silicon is pulled up.例文帳に追加

チョクラルスキー法により単結晶シリコンを製造するに当たり、単結晶シリコンを引き上げ時における固液界面の高さを制御することによって、低抵抗率の単結晶シリコンを製造する。 - 特許庁

To make an even magnetic field obtainable in a silicon melt, make impurities preventable from concentrating on the central surface of the silicon melt, and to effectively control a solid-liquid interface form directly below a silicon single crystal rod.例文帳に追加

シリコン融液に均一な磁場が得られ、不純物がシリコン融液の中央表面に集中することを防止でき、かつシリコン単結晶棒直下の固液界面形状を有効に制御する。 - 特許庁

To permit uniform and higher temperature gradient of a single crystal in the crystal pulling direction in the vicinity of the solid-liquid interface by reducing the thermal stress and controlling the distribution of point defects uniformly in the single crystal rod.例文帳に追加

単結晶棒内の熱的ストレスを低減し、点欠陥濃度分布を均一に制御し、固液界面付近での引上げ方向の結晶温度勾配を径方向に均一で高くできる。 - 特許庁

Since a solid-liquid interface is formed substantially perpendicularly to the face direction of the object 150, epitaxial growth progress laterally to form a large crystal grain.例文帳に追加

このため、固液界面は、対象物１５０の面方向に対し垂直に近く形成されることになり、横方向へ結晶成長が進むようにして大結晶粒を形成させることが可能となる。 - 特許庁

These magnetic flux densities B_0, B_min and B_max are each made in a predetermined range, thereby suitably controlling the ascending flow and the temperature of the silicon melt 12 below the solid-liquid interface 15a.例文帳に追加

そして、これ等の磁束密度Ｂ_０、Ｂ_ｍｉｎ、およびＢ_ｍａｘが所定の範囲になるようにし、固液界面１５ａ下部のシリコン融液１２の適正な上昇流と温度の制御を行う。 - 特許庁

To grow a single crystal having a low dislocation density in a good yield by preventing that the solid-liquid interface becomes a shape recessed to the melt side when the single crystal is grown by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いるに当たり、固液界面の形状が融液側に凹面になってしまうのを抑制することにより、転位密度の低い単結晶を歩留まり良く育成する。 - 特許庁

When the position P of the solid-liquid interface of lithium tetraborate reaches a position corresponding to the melting point temperature of lithium borate single crystal in the vertical Bridgman furnace 11, raising of the crucible 15 is stopped and the crucible is kept at the position.例文帳に追加

四ほう酸リチウムの固液界面位置Ｐが、垂直ブリッジマン炉11内の四ほう酸リチウム単結晶の融点温度位置に達すると、るつぼ15の上昇を停止させ、その位置で保持させる。 - 特許庁

To efficiently produce a single crystal rod hardly scattering the quality in good reproducibility by monitoring temperature distribution in the vicinity of solid-liquid interface of the single crystal rod and controlling the variation in the temperature distribution.例文帳に追加

単結晶棒の固液界面近傍の温度分布を監視し、その変動を抑制することにより、品質のばらつきの少ない単結晶棒を再現性良くかつ効率良く製造する。 - 特許庁

A heat source 43 that radiates heat toward the center of the lower surface of an ingot 25 in the silicon melt 12 below the solid/liquid interface 26 between the ingot 25 pulled up from the melt 12 and the silicon melt 12 is provided.例文帳に追加

シリコン融液１２から引上げられるインゴット２５とシリコン融液１２との固液界面２６より下方のシリコン融液１２中でインゴット２５下面の中心に向って放熱する熱源４３が設けられる。 - 特許庁

To rapidly analyze and evaluate the presence of a crystal in a solid-liquid interface, a crystal structure, a crystallite dimension (crystal domain size) or a correlation length and the structure of atomic ions or molecular ions of an interfacial electric double layer.例文帳に追加

固液界面における結晶の存在有無、結晶構造、結晶子寸法（結晶ドメインサイズ）、あるいは、コリレーション長、界面電気二重層の原子イオン、あるいは、分子イオンの構造を迅速に解析・評価する。 - 特許庁

By using at least one kind of the glycol diether represented by the formula, mobility on solid/liquid interface is increased, and the internal resistance of a battery is decreased to enhance output characteristics.例文帳に追加

この一般式で表されるグリコールジエーテル類を少なくとも１種以上使用することによって固液界面のリチウムイオンの移動性が高くなり、電池の内部抵抗を低減させて出力特性を良好にできる。 - 特許庁

In the last stage of casting, reduction speed of an ingot is lowered, and a solid-liquid interface depth before start of the final coagulation step (step until uncoagulated molten silicon in a mold is coagulated just after casting finish) is shallowed.例文帳に追加

鋳造の終盤においてインゴットの引下げ速度を低下させ、最終凝固工程（鋳造終了の直後からモールド内の未凝固の溶融シリコンを凝固させるまでの工程）開始前の固液界面深さを浅くする。 - 特許庁

When a predetermined temperature difference (temperature gradient) is generated in temperatures measured at every point of the thermocouple 10, it is concluded that the solid/liquid interface has become a concave form, and at this time, a motor 13 is rotated so as to rotate the crucible 3.例文帳に追加

５点式熱電対１０の各点で測定された温度に所定の温度差（温度勾配）が生じたとき、固液界面９が凹面型になったものとし、このとき、モータ１３を回転させて、るつぼ３を回転させる。 - 特許庁

In particular, the non dislocation rate of the single crystal rod can be heightened, provided that the height of the solid-liquid interface is controlled in the range of -12.5-5% for a diameter of the cylindrical part of the single crystal rod.例文帳に追加

特に、固液界面の高さが、単結晶棒の直胴部の直径に対して−１２．５％〜５％の範囲となるように固液界面の高さを制御すると、単結晶棒の無転位化率を高くすることができる。 - 特許庁

To prevent that the solid-liquid interface becomes a recessed face to the surface of a melt and polycrystallization caused by the volatilization of As from a crystal surface when the crystal diameter is changed in a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶直径を変更した場合の、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、且つ結晶表面からのＡｓが揮発することによる多結晶化を防ぐ。 - 特許庁

In the method for producing a high quality single crystal by a Czochralski method, a lower portion of a solid-liquid interface of single crystal growth is divided into a central part and a circumferential part, and the temperature gradient of the central part and the temperature gradient of the circumferential part are separately controlled.例文帳に追加

チョクラルスキー法による高品質シリコン単結晶の製造方法において、単結晶成長の固液界面の下部を中心部と外周部に分け、前記中心部の温度勾配と外周部の温度勾配をそれぞれ個別に制御する。 - 特許庁

Further, the pulling rate of the silicon single crystal 11 is controlled, whereby the thermal stress at a central part of the silicon single crystal 11 located on the solid-liquid interface 33 between the silicon single crystal 11 and the silicon melt 15 is controlled to be ≤50 MPa.例文帳に追加

またシリコン単結晶１１の引上げ速度を制御することにより、シリコン単結晶１１とシリコン融液１５との固液界面３３上であってシリコン単結晶１１の中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 - 特許庁

The solid-liquid interface 12c between the ingot and the molten silicon liquid is controlled to become convex upward by controlling the flow rate of the blown inert gas in accordance with the change of convection 12b of the molten silicon liquid with the gas blowing means.例文帳に追加

またガス吹付け手段がシリコン融液の対流１２ｂの変化に応じて上記吹付けられる不活性ガスの流速を調整することにより、インゴットとシリコン融液との固液界面１２ｃが上凸状となるように制御される。 - 特許庁

The method for pulling up the silicon single crystal is that a solid-liquid interface 26 between the silicon melt 12 and the ingot 25 is controlled to be upward convex by convection in the silicon melt 12 which is caused by the flowing velocity of the inert gas at an inside space between the cylindrical body 48 and the ingot 25.例文帳に追加

引上げ方法は、筒体４８とインゴット２５の間の内空間における不活性ガスの流速によりシリコン融液１２に対流を起こさせてシリコン融液１２とインゴット２５との固液界面２６が上凸状になるように調整する。 - 特許庁

To drastically improve the yield of compound semiconductor single crystals by controlling the shape of a solid-liquid interface to a shape projected toward the melt side with good reproducibility in the growth initial stage from the seeding part up to a constant diameter part in the growth by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での成長において、種付け部から定径部までの成長初期段階での固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御し、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能とする。 - 特許庁