「"w. l."」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Moreover, it is desirable that the values (W/L) of the TFT 1, TFT 6 be larger than those of the TFT 4, TFT 5.例文帳に追加

ＴＦＴ１、６の値（Ｗ／Ｌ）は、ＴＦＴ４、５よりも大きくすることが望ましい。 - 特許庁

Returns a 3-column calendar for an entire year as a multi-line string.Optional parameters w, l, and c are for date column width, lines per week, and number of spaces between month columns,respectively.例文帳に追加

3列からなる一年間のカレンダーを複数行の文字列で返します。 任意の引数w,l, 及びcはそれぞれ、日付列の表示幅、各週の行数及び月と月の間のスペースの数を変更するためのものです。 - Python

Here, the ratio W_L/W_R of the mass W_L of the lutein ester to the mass W_R of the lactoferrin is preferably 0.0012 to 12.例文帳に追加

ここで、ルテインエステルの質量Ｗ_Lとラクトフェリンの質量Ｗ_Rとの比Ｗ_L／Ｗ_Rが０．００１２以上１２以下であることが好ましい。 - 特許庁

The (W/L) sizes of a plurality of P-chMOS transistors constituting the comparator are appropriately decided so that an offset voltage can be intentionally generated in the detected voltage of the comparator.例文帳に追加

コンパレータを構成する複数のP-chMOSトランジスタの(W/L)サイズを適当に与えることによりコンパレータの検出電圧に意図的にオフセット電圧を発生させる。 - 特許庁

Further, the sum (W_L+W_R) of the mass W_L of the lutein ester and the mass W_R of the lactoferrin is preferably 0.1 to 50 mass% based on the entire antioxidizing composition.例文帳に追加

また、ルテインエステルの質量Ｗ_Lとラクトフェリンの質量Ｗ_Rとの総和（Ｗ_L＋Ｗ_R）が抗酸化組成物全体の０．１質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。 - 特許庁

At this time, optimum precharge voltage can be outputted by making W/L of a transistor in the pixel and W/L of a transistor for supplying current from the circuit for supplying voltage and current approximately equivalent to each other.例文帳に追加

このとき、画素のトランジスタのＷ／Ｌと、電圧電流供給回路から電流を供給するトランジスタのＷ／Ｌをおおむね等しくすることにより、最適なプリチャージ電圧を出力することができる。 - 特許庁

Properly providing a (W/L) size to a plurality of N-ch MOS transistors (TRs) being components of the comparator allows the comparator to intentionally produce an offset voltage in its detected voltage.例文帳に追加

コンパレータを構成する複数のN-chMOSトランジスタの(W/L)サイズを適当に与えることによりコンパレータの検出電圧に意図的にオフセット電圧を発生させる。 - 特許庁

It is preferable that the sum (W_L+W_P) of the lutein ester mass W_L and the black rice extract mass W_P is 0.1 to 50 mass % based on the total amount of the anti-oxidizing composition.例文帳に追加

また、ルテインエステルの質量Ｗ_Lと黒米エキスの質量Ｗ_Pとの総和（Ｗ_L＋Ｗ_P）が抗酸化組成物全体の０．１質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。 - 特許庁

The second transistor is formed such that the ratio W/L of the gate width W to the channel length L is larger than the ratio W/L of the first transistor.例文帳に追加

第２トランジスタは、ゲート幅Ｗおよびチャネル長Ｌの比Ｗ／Ｌが第１トランジスタの比Ｗ／Ｌより大きくなるように形成されている。 - 特許庁

Also, the switching elements 323, 324 are all composed of PMOS's of the same W/L size, wherein the W/L size is a size of 1/N of the switching element 322.例文帳に追加

また、スイッチング素子３２３，３２４は全てＷ／Ｌサイズが等しいＰＭＯＳで構成されていて、そのＷ／Ｌサイズはスイッチング素子３２２の１／Ｎのサイズである。 - 特許庁

At this time, optimum pre-charge voltage can be output by making W/L of the transistor in the pixel and W/L of the transistor for supplying a current from the voltage/current supply circuit approximately equivalent to each other.例文帳に追加

このとき、画素のトランジスタのＷ／Ｌと、電圧電流供給回路から電流を供給するトランジスタのＷ／Ｌをおおむね等しくすることにより、最適なプリチャージ電圧を出力することができる。 - 特許庁

A weight controller 29 corrects a soft determination value w_l, m, n so that a degree of contribution to decoding is declined by multiplying the soft determination value w_l, m, n by a weighting coefficient γc if the interference evaluating value Cc[l] is larger an interference determination value thc.例文帳に追加

そして、重み制御部２９は、干渉評価値Ｃｃ[ｌ]が干渉判定値ｔｈｃ以上であれば、軟判定値ｗ_l,m,n に重み係数γｃを乗じることで、復号への寄与度が低下するように軟判定値ｗ_l,m,n を補正する。 - 特許庁

A joining device comprises: an upper chuck 230 attracting and holding an upper wafer W_U on its lower surface; and a lower chuck 231 which is provided below the upper chuck 230 and places a lower wafer W_L on its upper surface to attract and hold the lower wafer W_L.例文帳に追加

接合装置は、下面に上ウェハＷ_Ｕを吸着保持する上部チャック２３０と、上部チャック２３０の下方に設けられ、上面に下ウェハＷ_Ｌを載置して吸着保持する下部チャック２３１と、を有している。 - 特許庁

The processing region T2 includes: a lower chuck 100 for placing the lower wafer W_L on an upper surface for holding; an upper chuck 101 for holding the upper wafer W_U on a lower surface; and a pressing member 120 for allowing one edge of the lower wafer W_L to abut on one edge of the upper wafer W_U for pressing when the wafers W_U, W_L are joined.例文帳に追加

処理領域Ｔ２には、上面に下ウェハＷ_Ｌを載置して保持する下部チャック１００と、下面に上ウェハＷ_Ｕを保持する上部チャック１０１と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの接合時に下ウェハＷ_Ｌの一端部と上ウェハＷ_Ｕの一端部とを当接させて押圧する押動部材１２０とが設けられている。 - 特許庁

The ratio W/L of width W of the oil hole to length L of the oil hole is set within the range of 40 to 60%.例文帳に追加

油穴の幅Ｗは、油穴の長さＬに対して、その比率Ｗ／Ｌが、40〜60％の範囲内に設定される。 - 特許庁

By this means, switching is performed by a switching transistor 1 or 2 that has an optimum W/L for a fluctuating load.例文帳に追加

これにより変動する負荷に対して、最適なＷ／Ｌを有するスイッチングトランジスタ１、２によりスイッチングすることができる。 - 特許庁

A pulse width W_L is made long when the measured temperature is relatively low, and a pulse width W_H is made short when the measured temperature is high.例文帳に追加

測定温度が比較的に低いときにはパルス幅Ｗ_L を長くし、測定温度が高いときにはパルス幅Ｗ_H を短くする。 - 特許庁

A multi-load sensor 12, for example, detects vertical loads W_L and W_R acting on right and left wheels and lateral forces F_L and F_R.例文帳に追加

例えばマルチ荷重センサ１２により、左右輪に作用する垂直荷重Ｗ_L及びＷ_R、並びに横力Ｆ_L及びＦ_Rを検出する。 - 特許庁

On an outer peripheral part of the lower chuck 231, a stopper member 262 for the wafers W_U and W_L and a piled wafer W_T is provided.例文帳に追加

下部チャック２３１の外周部には、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌ、重合ウェハＷ_Ｔに対するストッパ部材２６２が設けられている。 - 特許庁

The second circuit is arranged on a second side of the corresponding gate line, and has a second transistor with a second W/L ratio.例文帳に追加

第２回路は、対応するゲートラインの第２の側に配置されており、第２Ｗ／Ｌ比を有する第２トランジスタを有する。 - 特許庁

Then, three preset variables W, L and T are mutually compared, with respect to the steel material, to evaluate the delay destruction-resistance characteristics of the steel material.例文帳に追加

そして、予め設定された３つの変数Ｗ，Ｌ，Ｔを鋼材同士で比較して、耐遅れ破壊特性が評価される。 - 特許庁

A cover member 23 is put on the surfaces of the stages 21, 22, and the workpiece W_L is placed thereon.例文帳に追加

これらステージ２１，２２の表面上にカバー部材２３を被せ、その上に被処理物ＷＬを配置する。 - 特許庁

The image combining unit 50 generates an output result image 350 by combining the images W_L' and T_S.例文帳に追加

画像合成部５０は、画像Ｗ_Ｌ’及びＴ_Ｓを合成することで出力結果画像３５０を生成する。 - 特許庁

When the electrode interval is set to an L and the electrode size in the direction intersecting orthogonally with the electric field is set to W, a W/L>2 is set.例文帳に追加

電極間隔をＬ、電界と直交する方向の電極寸法をＷとすると、Ｗ／Ｌ＞２に設定されている。 - 特許庁

It is also desirable that the value (W/L) of the TFT 6 be equal to or larger than the two thirds of that of the TFT 1.例文帳に追加

ＴＦＴ６の値（Ｗ／Ｌ）は、ＴＦＴ１の３分の２と同等かそれより大きくすることが望ましい。 - 特許庁

The output transistor W/L value switching circuit executes a switching operation depending on an output load current.例文帳に追加

また、前記出力トランジスタのＷ／Ｌ値を切り換える回路が、出力負荷電流に応じて切り換え動作を行うことを特徴としている。 - 特許庁

Thereby a ratio (W/L) of the effective channel width W and an effective channel length L is made small, and further the area of the element is reduced (miniaturized).例文帳に追加

これにより、実効チャネル幅Ｗと実効チャネル長さＬとの比（Ｗ／Ｌ）を小さくし、かつ素子面積を小さく（小型化）することができる。 - 特許庁

In processing a large workpiece W_L, an additional stage 22 is added to the side of a main stage 21.例文帳に追加

大きい被処理物Ｗ_Ｌを処理する際は、主ステージ２１の側部に継ぎ足しステージ２２を継ぎ足す。 - 特許庁

The length of an address period TA_H is shorter only by ΔT (=(W_L-W_H)×n (n is the number of rows)) as compared with an address period TA_L for a low temperature.例文帳に追加

アドレス期間ＴＡ_Hの長さは、温度が低いときのアドレス期間ＴＡ_Lと比べてΔＴ〔＝（Ｗ_L−Ｗ_H）×ｎ（ｎは行数）〕だけ短い。 - 特許庁

The conveyance region T1 includes: a wafer conveying body 82 for conveying wafers W_U, W_L, and a superposed wafer W_T; a position adjustment mechanism 90 for adjusting the orientation of a horizontal direction of the wafers W_U, W_L; and an inverting mechanism 130 for inverting the front and rear of the upper wafer W_U.例文帳に追加

搬送領域Ｔ１には、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌ、重合ウェハＷ_Ｔを搬送するウェハ搬送体８２と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの水平方向の向きを調節する位置調節機構９０と、上ウェハＷ_Ｕの表裏面を反転させる反転機構１３０とが設けられている。 - 特許庁

A joint system has a cleaning device for cleaning the surfaces of wafers W_U, W_L, a temporary joint device 31 for temporarily joining the cleaned wafers W_U, W_L, and an actual joint device 31 for actually joining superimposed wafers W_T which are temporarily joined in the temporary joint device.例文帳に追加

接合システムは、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの表面を洗浄する洗浄装置と、洗浄装置で洗浄されたウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌ同士を仮接合する仮接合装置３１と、仮接合装置３１で仮接合された重合ウェハＷ_Ｔを本接合する本接合装置とを有している。 - 特許庁

In the liquid crystal display device (a display device) 100, a value of the size ratio (W/L) which is calculated by dividing channel width W of the transistor Tr7 by a channel width L is 15% or more, and 30% or less than that of the size ratio (W/L) which is calculated by dividing the channel width W of the transistor Tr1 by the channel width L.例文帳に追加

この発明の液晶表示装置（表示装置）１００では、トランジスタＴｒ７のチャネル幅Ｗをチャネル幅Ｌで除したサイズ比（Ｗ／Ｌ）の大きさは、トランジスタＴｒ１のチャネル幅Ｗをチャネル幅Ｌで除したサイズ比（Ｗ／Ｌ）の大きさの１５％以上３０％以下の大きさである。 - 特許庁

The organic electroluminescence device has a configuration for making the ratio (W/L) of the width and length of a drive thin-film transistor (TD) greater by the source/drain electrodes of the driving thin-film transistor which are included in each sub-pixel and are composed in a form of combteeth comprising a number of vertical projections.例文帳に追加

本発明はこのために上部発光式有機電界発光素子の各サブピクセルに具備された駆動薄膜トランジスターのソース/ドレイン電極が多数の垂直突機を具備した櫛の歯形態で構成されて、お互いにフィンガー形態でかみ合って形成されることで、駆動薄膜トランジスター(TD)の幅と長さの割合(W/L)を大きくする有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

A voltage regulator including at least an error amplifier and an output transistor has a circuit for switching an output transistor W/L value.例文帳に追加

少なくともエラーアンプと出力トランジスタとを含むボルテージ・レギュレータにおいて、出力トランジスタのＷ/Ｌ値を切り換える回路を持つ。 - 特許庁

The two radiation elements are shorter than 1/4 of a wavelength determined by the minimum frequency of a transmission band, thus reducing an occupation area of an antenna as compared with a W×L size determined by an effective wavelength λ_g.例文帳に追加

２つの放射素子は伝送帯域の最低周波数で決まる波長の４分の１よりも短い長さからなり、実効波長λ_gで定まるＷ×Ｌのサイズよりもアンテナ占有面積を削減できる。 - 特許庁

The small block group G_B includes at least one width direction main groove 4 which has a groove length L_4 longer than a width W_L of the block row L, and linearly extends in the actual tread width direction.例文帳に追加

小ブロック群Ｇ_Ｂには、該ブロック列Ｌの幅Ｗ_Ｌより長い溝長さＬ_４を有し、実質トレッド幅方向に直線状に延びる少なくとも１本の幅方向主溝４が配設されている。 - 特許庁

Namely, data whose width where the distortion occurs is M is mapped to the length of M+W-L by using a texture mapping algorithm when the width of a distortion area where the back cover is positioned is M.例文帳に追加

すなわち、背表紙の位置する歪み領域の幅がＭだとすれば、テクスチャマッピングアルゴリズムを用いて、歪みが生じた幅がＭのデータをＭ＋Ｗ−Ｌの長さにマッピングする。 - 特許庁

When the measured temperature of the panel surface is lower than a previously set threshold, the pulse width W_L is made long, and when the measured temperature of the panel surface is high, the pulse width W_H is shortened.例文帳に追加

パネル表面測定温度が予め設定された閾値より低いときには、パルス幅Ｗ_Lを長くし、パネル表面測定温度が高いときには、パルス幅Ｗ_Hを短くする。 - 特許庁

The noise filter 1 satisfies the condition W>L, where L is the length of the laminate in the laminating direction, and W is the width perpendicular to the laminating direction.例文帳に追加

積層体の積み重ね方向の寸法を長さ寸法Ｌとし、該積み重ね方向に対して垂直な方向の寸法を幅寸法Ｗとしたとき、ノイズフィルタ１はＷ＞Ｌの条件を満足している。 - 特許庁

Ratios (W/L) between channel widths and channel lengths of the TFTs 1 to 6 are set, so that the TFTs can operate normally, even under high temperatures.例文帳に追加

ＴＦＴ１〜６のチャネル幅とチャネル長の比（Ｗ／Ｌ）を各ＴＦＴ１〜６のトランジスタ特性に応じて高温下で正常に動作できるよう設定する。 - 特許庁

At setting the width of the member 4 to W1, the width of the short edge direction of the piezoelectric element to be W and the length of a long edge direction to be L, they are expressed in the relation 0.22 W≤W1<0.5 W, L≤2.3 W.例文帳に追加

そして導電性接着部材４の幅をＷ１、圧電振動素子の短辺方向の幅をＷ、長辺方向の長さをＬとした時、０．２２Ｗ≦Ｗ１＜０．５Ｗ、Ｌ≦２．３Ｗの関係で表される圧電デバイスである。 - 特許庁

In the case of estimating how the color of the image is perceived under the observing environment, environmental parameters X_wY_wZ_w, L_A, c, N_c, and F and background luminance Y_b in each environment are substituted into a conversion profile.例文帳に追加

観察環境下においてどのように知覚されるかを推定するにあたっては各環境における環境パラメータＸ_wＹ_wＺ_w，Ｌ_A，ｃ，Ｎ_c，Ｆと背景輝度Ｙ_bを変換プロファイルに代入する。 - 特許庁

Therefore, the W/L ratio of transistors composing a DRN drive buffer 140 is made suitable and a control resistor 146 or a current source is inserted between the DRN drive buffer 140 and GND to make an operation current for driving suitable.例文帳に追加

このため、ＤＲＮ駆動バッファ１４０を構成するトランジスタのＷ／Ｌ比の適正化を図る、また制御抵抗１４６や電流源をＧＮＤとの間に挿入して、駆動時の動作電流の適正化を図る。 - 特許庁

Blank materials are press-molded in a transfer press, and a resultant product is cut at a cutting line c perpendicular to a transport direction a to produce molded products W_R, W_L.例文帳に追加

トランスファプレスで、ブランク材をプレス成形し、かつ搬送方向ａと直角な切断線ｃで切断して、成形品Ｗ_Ｒ、Ｗ_Ｌを製造する。 - 特許庁

A joining device includes: an upper chuck 230 for sucking and holding an upper wafer W_U on a lower surface; and a lower chuck 231 provided below the upper chuck 230, for mounting, sucking and holding a lower wafer W_L on an upper surface.例文帳に追加

接合装置は、下面に上ウェハＷ_Ｕを吸着保持する上部チャック２３０と、上部チャック２３０の下方に設けられ、上面に下ウェハＷ_Ｌを載置して吸着保持する下部チャック２３１と、を有している。 - 特許庁