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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > がい膜の意味・解説 > がい膜に関連した英語例文

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がい膜の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 49991



例文

この高抵抗導電12をケーブル9でプローバ筐体8に接地することにより、デバイス4をチャック13から取り外す際に発生する静電気は、高抵抗導電12を通して接地側に逃げる。例文帳に追加

By grounding the conductive film 12 to a prober housing 8 by a cable 9, static electricity generated when the device 4 is removed from the chuck 13 escapes to the ground side via the conductive film 12. - 特許庁

半導体基板1に活性領域を囲むトレンチ型の素子分離絶縁2を形成した後、活性領域上にゲート絶縁3及びゲート電極4を形成する。例文帳に追加

After a trench type element isolation insulating film 2 enclosing an active region is formed in a semiconductor substrate 1, a gate insulating film 3 and a gate electrode 4 are formed on the active region. - 特許庁

反射画素電極11(第3の金属)とその上層の第2の透明導電性12を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理した。例文帳に追加

A reflecting pixel electrode 11 (third metal film) and a second transparent conductive film 12 as a layer above it are patterned with the same mask pattern and subjected to a batch wet etching process using the same etchant. - 特許庁

低転位で結晶性に優れた窒化物、特にはAl含有窒化物を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板及びこれを用いた半導体積層構造を提供する。例文帳に追加

To provide a new epitaxial substrate wherein a nitride film having low dislocation density and excellent crystallinity, especially a nitride film containing Al can be formed and to provide a semiconductor laminated structure using the same. - 特許庁

例文

不活性ガスの雰囲気中において、タングステンからなる第2のターゲットを用いてスパッタリングを行なうことにより、タングステン窒化104の上に、ゲート電極の上層部となるタングステン105を堆積する。例文帳に追加

In the atmosphere an inert gas, sputtering is executed using a second target comprising tungsten to deposit it on a tungsten film 105, which is to be come the upper layer part of the gate electrode on the tungsten nitride film 104. - 特許庁


例文

比較的薄い銅めっき皮を形成した場合でも、均一かつ平滑な、良好な外観を有する銅めっき皮を析出する銅めっき液組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a copper plating solution composition that precipitates copper plated membranes that are both uniform and smooth and which has good external appearance even if the copper plated membranes that are formed are relatively thin. - 特許庁

レジストパターン11をマスクとしてCl系のガスを用いてシリコン酸窒化12をエッチングすることで順テーパー形状のシリコン酸窒化パターン16を形成する。例文帳に追加

A forward taper silicon oxynitride film 16 is formed by etching the silicon oxynitride film 12 by regarding the resist pattern 11 as a mask and using a Cl-based gas. - 特許庁

絶縁やガラス等の非晶質材料上に高品質なSi半導体やヘテロ混晶半導体等の半導体素子を形成可能な半導体薄の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor thin film which can form a high quality Si semiconductor and a semiconductor element, such as hetero-mixed crystal semiconductor on an amorphous material like insulated film and glass. - 特許庁

InGaNの成は、一つのHWE炉にInとGaを同時に収容して加熱蒸発させ、外部から窒素源としてNH_3+N_2をHWE炉上に供給する。例文帳に追加

In the formation process of an InGaN film, In and Ga are simultaneously accommodated in one HWE furnace, heated and evaporated, and NH3+N2 as nitrogen source is supplied above the HWE furnace from the outside. - 特許庁

例文

そして、これら第1、第2水素分離ユニット7a、7bの間に配置された凝縮器9により、第2の水素分離ユニット7bに流入する前記未透過ガス中の水蒸気を凝縮、低減する。例文帳に追加

Then, water vapor in the non-permeable gas flowing into the second hydrogen separating membrane unit 7b is condensed and reduced by a condenser 9 arranged between the first and the second hydrogen separating membrane units 7a, 7b. - 特許庁

例文

レジスト11に対して極紫外線12を選択的に照射してパターン露光を行なった後、レジスト11を現像液により現像してレジストパターン13を形成する。例文帳に追加

The resist film 11 is selectively irradiated with extreme UV rays 12 patternwise and then developed with a developer solution to form a resist pattern 13. - 特許庁

反射防止の形成と連続して、沸点の高いフッ素含有有機ケイ素化合物を用い真空蒸着法により撥水を形成する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming a water-repellent film by a vapor deposition method by using a fluorine-containing organic silicon compound having a high boiling point continued from the formation of an antireflection film. - 特許庁

液化天然ガス等を輸送するためのタンクにおいて、金属製のシート部材で構成された薄の、圧力に対する強度を改善して、この薄に生じうる塑性変形を回避または除去する。例文帳に追加

To increase the strength of a thin membrane formed by a metal sheet member to pressure to avoid or remove plastic deformation possibly occurring in the thin membrane in a tank for transporting liquefied natural gas or the like. - 特許庁

この−電極接合体のそれぞれのアノード極と、そのアノード極に相対するセパレータとの間において、それぞれ、−電極接合体の積層方向に弾性力を発する弾性体であるアノード側多孔体を配置する。例文帳に追加

Between each anode of the membrane-electrode assembly and a separator opposed to the anode, an anode side porous body is arranged as an elastic body exerting elastic force in a lamination direction of the membrane-electrode assembly. - 特許庁

この半導体レーザ2は、同軸開口5内に低反射多層10bを埋め込み、さらに、ドーナツ状の開口部5aの表面3側に高屈折率のTiO_25bを配置している。例文帳に追加

In the semiconductor layer 2, a low reflection multilayer film 10b is buried in a coaxial aperture 5, and a TiO2 film 5b of high refractive index is arranged on the surface 3 side of a doughnut-shaped aperture part 5a. - 特許庁

インダクタ素子を半導体チップの絶縁性樹脂の上に設けるWL−CSP型の半導体装置においてインダクタ素子の絶縁性樹脂を介した損失を低減できるようにする。例文帳に追加

To enable the reduction of a loss caused via the insulative resin film of an inductor element in a WL-CSP type semiconductor device providing the inductor element on the insulative resin film of a semiconductor chip. - 特許庁

低抵抗かつ高強度の陽イオン交換を電解質として有し、初期性能及び長期的性能の安定性に優れる固体高分子型燃料電池の提供。例文帳に追加

To provide a solid polymer fuel cell having a cation exchange membrane with low resistance and high strength as an electrolyte membrane and high stability in the initial performance and long-term performance. - 特許庁

高誘電体材料である金属酸化物を含む絶縁上に、当該絶縁の影響を受ける事無く、平坦な形状の電極を形成することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor capable of forming a flat electrode on an insulating film including metal oxide being high dielectric materials without receiving any influence from the insulating film. - 特許庁

シュラウドチューブ18の外周面18aおける遮光形成予定領域20´に遮光を形成する前に、シュラウドチューブ18にプラズマ処理を施す。例文帳に追加

Before forming the visor film in a visor film formation intended domain 20' in the perimeter surface 18a of the shroud tube 18, a plasma processing is performed to the shroud tube 18. - 特許庁

優れた皮形成性及び皮強度を有し、高感度でかつ現像性、耐刷性に優れた赤外線レーザ用感光性平版印刷版原版を提供することである。例文帳に追加

To provide a photosensitive lithographic printing plate precursor for an infrared laser having excellent film forming property and film strength, high sensitivity, excellent developability and printing durability. - 特許庁

また、カプセル構造体の前壁を、可撓性のレンズ前面16で構成する一方、カプセル構造体の後壁を、該レンズ前面16よりも大径の光学レンズ18で構成した。例文帳に追加

The front wall of the capsule structure is constituted of a flexible lens front face film 16 and the rear wall of the capsule structure is constituted of an optical lens 18 larger than the lens front face film 16 in diameter. - 特許庁

ポリフッ化ビニリデンの特性を行かしつつ、優れたプロトン伝導性およびメタノール透過阻止性能を有する電解質、及びその製造方法、並びにそれを用いた固体高分子型燃料電池を提供する。例文帳に追加

To provide an electrolyte film and its manufacturing method having excellent proton conductivity and methanol permeation inhibition performance while making full use of film characteristics of polyvinylidene fluoride, as well as a solid polymer fuel cell using the same. - 特許庁

反射型液晶装置は、第1基板(10)上にストライプ状の反射電極(11)、単層構造を有する透明絶縁(12)及び配向(15)を備える。例文帳に追加

The reflective liquid crystal device is provided with stripe-shaped reflection electrodes 11, a transparent insulating film 12 with a monolayer structure and an alignment layer 15 on a first substrate 10. - 特許庁

第1電極(下部電極)2aの外周端部を被覆して第1層間絶縁3を形成し、次に誘電体(5)及び第2金属層(6)を形成する。例文帳に追加

A first interlayer insulating film 3 is formed by coating an end of a periphery part of the first electrode (a lower electrode) 2a and then a dielectric film (5) and a second metal layer (6) are formed. - 特許庁

基板上の酸化に対してプラズマ窒化処理し,その後当該基板を処理容器51内でアニール処理して絶縁を形成する方法において,667Pa以下の低圧力の下でアニール処理を行う。例文帳に追加

A method of forming an insulation film comprises a step of subjecting an oxide film formed on a substrate to plasma nitriding treatment, and a step of subjecting the substrate to annealing treatment in a treatment container 51. - 特許庁

有機電界発光表示装置は、絶縁基板上にR、G、B画素の下部電極を形成し、絶縁基板上に形成された有機層を形成し、有機層上に上部電極を形成した構成を含む。例文帳に追加

The organic electroluminescence display device forms the lower electrode of R, G, B pixels on an insulating substrate, forms an organic film layer formed on the insulating substrate, and forms an upper electrode on the organic film layer. - 特許庁

この後、露出したライナ26を真空中でエッチング除去し、半導体基板1を露出させ、当該真空中で連続して、露出した半導体基板1上に導電を形成することでコンタクト構造を形成する。例文帳に追加

Thereafter, the semiconductor substrate 1 is exposed by removing the exposed liner film 26 by etching in a vacuum, and a conductive film is formed on the exposed semiconductor substrate 1 continuously in the vacuum, thus forming a contact structure. - 特許庁

高性能多孔性絶縁を得るために、期待される誘電率、機械強度を満たし、化学的安定性に優れる多孔質を形成できる有機酸化ケイ素微粒子等を提供する。例文帳に追加

To provide an organic silicon oxide fine particle etc. capable of forming a porous membrane satisfying an expected dielectric constant and mechanical strength to obtain a highly efficient porous insulation film and excellent in chemical stability. - 特許庁

また本発明の光学窓を製造する方法は、基板上にダイヤモンド状炭素等の薄を形成する工程と、その表面を親水性とする処理工程とからなる製造方法である。例文帳に追加

Also, this method for manufacturing the optical window is composed of a process of forming the thin film such as the diamond-like carbon film on the substrate and a treatment process of making the surface hydrophilic. - 特許庁

ダイヤモンドライクカーボン23の表面に形成されたフッ素化ダイヤモンドライクカーボン25、27、29のフッ素含有の割合は、この順で段階的に増加している。例文帳に追加

The content of fluorine in fluorinated diamond-like carbon films 25, 27 and 29 formed on a diamond-like carbon film 23 is gradually increased in this order. - 特許庁

Si基板表面に電子線照射あるいは紫外線照射をおこない、Si基板上のSiO_2 薄を除去した後、酸化物薄を形成する。例文帳に追加

The surface of Si substrate is irradiated with electron ray or ultraviolet ray so that an SiO2 thin film on the Si substrate is removed, and then an oxide thin film is formed. - 特許庁

長尺のマザーセラミックグリーンシート上に導電性ペーストおよび段差吸収用セラミックペーストをグラビア印刷機を用いて印刷する場合において、供給方向でのずれを生じさせないようにする。例文帳に追加

To prevent the occurrence of deviations in a feeding direction, when using a gravure printer to print a conductive paste film and a step absorption ceramic paste film on a long mother ceramic green sheet. - 特許庁

光学部材13は、透光性を有する基板131と、基板131に形成されたDLC132aと、DLC132aの表面に形成された金属層133とを含んでいる。例文帳に追加

The optical member 13 includes a substrate 131 having light transmissivity, a DLC film 132a formed on the substrate 131, and a metal layer 133 formed on the surface of the DLC film 132a. - 特許庁

そして、光黒レベル基準画素部23のフォトダイオード領域への光の入射を遮断する遮光25は、最上位に位置するメタル配線241a上の層間絶縁243内に埋め込まれている。例文帳に追加

A light shielding film 25 for shielding incident light to a photodiode region of the light black level reference pixel part 23 is embedded in the film 243 on the wiring 241a positioning at the top level. - 特許庁

優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電を、成方法に拘らず安定に形成し得る酸化物焼結体を提供すること例文帳に追加

To provide an oxide sintered compact capable of stably forming a zinc oxide-based transparent conductive film having both excellent conductivity and chemical durability independently of a film formation method. - 特許庁

大型のイオン交換法アルカリ金属塩水溶液電解槽の電極室内電解液の内部循環を良好にし、長期間の電解における電流効率の維持とイオン交換寿命の維持を図る例文帳に追加

To excellently circulate an electrolyte in the electrode compartment of a large-sized aqueous alkali metal salt solution electrolytic cell of the ion- exchange membrane process and to maintain the current density in long-period electrolysis and the service life of the ion-exchange membrane. - 特許庁

基板の表面に形成される金属の形態あるいは形状を適切化することにより、当該金属の剥離や欠損等の不具合を有効に回避する。例文帳に追加

To effectively avoid faults such as peeling or dropping off of a metal film formed on the surface of the substrate by optimizing the form or shape of the metal film. - 特許庁

半導体に対する形成処理において、形成されるの厚さと温度との関係を求め、圧力・ガス流量および温度などの設定値を求める。例文帳に追加

To find set values of a pressure/gas flow rate and a temperature by finding a relation between the thickness and the temperature of a film formed in film forming for a semiconductor. - 特許庁

本発明は、酸素分離を用いた固体高分子電解質型燃料電池に関するものであり、運転停止時は固体高分子電解質の劣化を防止して信頼性を高めることを図る。例文帳に追加

To improve the reliability of a solid polymer electrolyte fuel cell by preventing the deterioration of a solid polymer electrolyte membrane upon the interruption of an operation, in the solid polymer electrolyte fuel cell using an oxygen separation membrane. - 特許庁

耐候性に優れ、かつ、厚塗装した場合でも優れた外観と強度及び加工性を有する塗を形成できる粉体塗料用ポリエステル樹脂組成物、並びにこれを用いた粉体塗料を提供する。例文帳に追加

To provide polyester resin compositions for powder coating materials which excel in weatherability and can form coating films having excellent external appearance, strength and processability even when thick film coating is effected, and powder coating materials using the same. - 特許庁

均一かつ長いラテラル成長距離を有する多結晶半導体薄を効率よく製造できる多結晶半導体薄の製造方法および製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a polycrystalline semiconductor thin film and a device for manufacturing a polycrystalline semiconductor thin film that can efficiently manufacture a polycrystalline semiconductor thin film having uniform and long lateral growth distance. - 特許庁

電解質(1)の両面にカソード触媒層(3)とアノード触媒層(2)を配置し、これら両触媒層(2、3)の電解質(1)と接する面とは反対の面にガス拡散層(4、5)を配置する。例文帳に追加

A cathode catalyst layer (3) and an anode catalyst layer (2) are disposed on both surfaces of an electrolyte membrane (1), and gas diffusion layers (4, 5) are disposed on surfaces opposite to the surfaces of both catalyst layers (2, 3) contacting with the electrolyte membrane (1). - 特許庁

PVD法で成した犠牲圧電層は、MOCVD法と違って、下地との格子整合性の影響を受けず、高いC軸配向性を持つ。例文帳に追加

The film formed sacrificing piezoelectric layer formed by the PVD method is not affected by the lattice matching performance with a base film unlike the MOCVD method and has a high C axis orientation. - 特許庁

Ti、W、Ta、Ru、Ir、及びこれらの化合物または合金を成する薄形成装置内に生成した不要な堆積物を除去するためのクリーニングガス及びクリーニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning gas and a cleaning method, where unwanted deposits generated in a thin-film forming apparatus which forms a film of Ti, W, Ta, Ru, Ir or their compounds or alloys are removed. - 特許庁

次いで、全面にCVD酸化を成長させ、このCVD酸化に異方性エッチングを施すことにより、ワード線6の側方にサイドウォール8を形成する。例文帳に追加

A CVD oxide film is grown on the whole surface, and is subjected to anisotropic etching to form sidewalls 8 on sides of the word lines 6. - 特許庁

共振装置は、支持基板1の一表面側に第1の導電性薄からなる下部電極31と圧電層32と第2の導電性薄からなる上部電極33とを有する共振子3を備えている。例文帳に追加

The resonance device comprises a resonator 3, having a lower electrode 31 constituted of a first conductive thin film and a upper electrode 33 constituted of a piezoelectric film 32 and a second conductive thin film, on one surface side of a support substrate 1. - 特許庁

そして、この状態で酸系のエッチング液を用いて第2の金属4の全面およびレジストマスク3で覆われた領域以外の第1の金属2を電池反応により除去する。例文帳に追加

Then, under this condition, the whole surface of the second metal film 4 and the first metal film 2 except an area covered by the resist mask 3 are removed by using an acid system etching solution through a cell reaction. - 特許庁

クロム、マンガン、フッ素等の人体、環境に悪影響を及ぼす物質を含まず、副生成物やスラッジの発生を抑制し、耐食性、塗密着性に優れたリン酸ジルコニウム積層分子防食を提供する。例文帳に追加

To prepare a zirconium phosphate stacked molecule corrosion prevention film which does not contain substances exerting an adverse effect on the living body and environment such as chromium, manganese and fluorine, suppresses the formation of by-products and sludge, and has excellent corrosion resistance and adhesion for a coating film. - 特許庁

両端面厚は両半導体レーザダイオードの発振波長の平均値λm=(λ1+λ2)/2を用いて光学長d=(1/4+j)xλmより算出している。例文帳に追加

Film thicknesses of both end surface films are calculated from optical length d=(1/4+j)×λm by using λm=(λ1+λ2)/2 which shows a mean value of oscillating frequency of both semiconductor laser diodes. - 特許庁

例文

同一のレジスト上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、パターンの減りを抑えられる、多重露光に好適な、ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a pattern forming method using a positive resist composition suitable for multiple exposures, ensuring that in the multiple exposure process of performing exposure a plurality of times on the same resist film, the pattern is reduced in the film loss. - 特許庁

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