「たきしり」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

異なる試料を異なる混合比で混ぜ合わせる場合に、異なる試料の安定した均一な混合を可能にする化学分析装置を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical analysis apparatus capable of stably and uniformly mixing different samples, when the different samples are mixed together at a different mixing ratio. - 特許庁

シリンダ内に取り込まれる空気の質量の設定点と、シリンダ内に取り込まれる燃焼した気体の質量の設定点とが決定される。例文帳に追加

A set point for a trapped air mass in a cylinder and a set point for trapped burnt gas mass in the cylinder are determined. - 特許庁

通水時の騒音が少ないシリンダ弁およびシリンダ弁を備えた給水装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a cylinder valve reduced in the generation of noises when feeding water, and to provide a water supply device provided with the same. - 特許庁

金属シリサイドの形成中にシリサイド化されなかった金属の残留物を除去する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of removing any metal residue that has not been silicided during formation of a metal silicide. - 特許庁

印刷用のシリンダの内面に取り付けられる非接触式データキャリアの通信距離を拡大可能なシリンダ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a cylinder apparatus capable of extending the communication distance of the non-contact type data carrier attached to the inner surface of a printing cylinder. - 特許庁

シリコンウェーハ５１の表面に酸化シリコン薄層５３の形成された基板に、窪み５２が形成されている。例文帳に追加

A pit 52 is formed in a substrate comprising a silicon wafer 51 on a surface of which a silicon oxide thin layer 53 is formed. - 特許庁

試料保持用の膜により覆われた基板の開口部を、光学顕微鏡により効率良く探し出すことのできる試料保持体を提供する。例文帳に追加

To provide a sample holder for effectively finding an opening of a substrate covered with a film for holding a sample by an optical microscope. - 特許庁

他拠点から送信された資料画像を自拠点において記憶する場合に、一つ前に記憶された資料画像との類似度を判断する（Ｓ１６）。例文帳に追加

When storing at a base a material image transmitted from another base, similarity to a material image stored previously is determined (S16). - 特許庁

シリンダブロックとシリンダヘッドとの間をより適切にシールすることのできる多気筒内燃機関のシール構造を提供する。例文帳に追加

To provide a sealing structure of a multi-cylinder internal combustion engine, more suitably sealing between a cylinder block and a cylinder head. - 特許庁

こうして夜となり、エウリュピュロスは暗闇の中では防壁を陥とすことはできぬと知り、兵を退き、大きな焚火を焚いて平原に野営した。例文帳に追加

Now night fell, and Eurypylus knew that he could not win the wall in the dark, so he withdrew his men, and they built great fires, and camped upon the plain.  - Andrew Lang『トロイア物語：都市の略奪者ユリシーズ』

その地下の聖域の上には、軍人や役人のため最近急造したらしいがっしりとした木の小屋しかない。例文帳に追加

Nothing could be seen above ground of the sunken sanctuary except a strong wooden hut, of the sort recently run up for many military and official purposes,  - G.K. Chesterton『少年の心』

画像-4：『大山石尊良辧瀧之図』　大山石尊（石尊大権現、現・大山阿夫利神社）の滝に参拝する人々。例文帳に追加

Picture-4 "Oyama Sekison Ryoben no Taki": people paying a visit to the fall of Oyama Sekison (Sekison daigongen [Great Avatar]. Current Oyama Afuri-jinja Shrine).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

京都市内の私立大学間で単位互換制度を広く実施するため発足した「京都・大学センター」が母体となった。例文帳に追加

The 'University Center Kyoto' was established in Kyoto City to realize a credit transfer system among private universities and was the parent organization.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この後、トレンチ３内を含み、シリコン基板１の上にエピタキシャル膜を成長させ、さらにエピタキシャル膜の表面を平坦化する。例文帳に追加

The epitaxial film is grown on the silicon substrate 1 including the inside of the trench 3, and the surface of the epitaxial film is flattened. - 特許庁

そして、エピタキシャル成長を行い、多孔質シリコン層３の表面にエピタキシャル膜４を形成する。例文帳に追加

An epitaxial film 4 is formed on the surface of porous silicon layer 3 through the epitaxial growth. - 特許庁

結晶成長導入欠陥を実質的に有さないエピタキシャル層を有するウエハを有するエピタキシャルシリコンウエハのセットを提供する。例文帳に追加

To provide a set of epitaxial silicon wafers which has wafers having epitaxial layers not substantially having grown-in defects of crystal. - 特許庁

ｐ型シリコン基板１上に、高濃度ｎ型エピタキシャル層２および低濃度ｎ型エピタキシャル層３をこの順に形成した。例文帳に追加

A heavily doped n type epitaxial layer 2 and a lightly doped n type epitaxial layer 3 are formed sequentially on a p type silicon substrate 1. - 特許庁

選択エピタキシャル成長により、ベースエピタキシャル層１７と多結晶シリコン膜１８を形成する。例文帳に追加

A base epitaxial layer 17 and a polycrystalline silicon film 18 are made by selective epitaxial growth. - 特許庁

炭素がドープされたＣＺシリコンウエーハに１０００℃未満の温度でエピタキシャル成長を行うエピタキシャルウエーハの製造方法。例文帳に追加

The epitaxial wafer manufacturing method comprises epitaxially growing a carbon-doped CZ silicon wafer at low temperatures lower than 1000°C A. - 特許庁

これにより、ｎ^+型基板１に高温処理を行うことなく、ｎ^+型基板１にドレイン電極１１にシリサイド層１１１を生成できる。例文帳に追加

Consequently, the drain electrode 11 and the silicide layer 111 can be formed on the n^+-type substrate 1 without requiring high temperature treatment of the n^+-type substrate 1. - 特許庁

減算ユニットＳｕｂ１は、量子化パラメータＱＰと量子化パラメータＱＰ２の差を計算し、量子化パラメータ差分ＤｅｌｔａＱＰ１とする。例文帳に追加

A subtraction unit Sub1 calculates a difference between quantization parameters QP and QP2 and defines the result as a quantization parameter difference DeltaQP1. - 特許庁

エピタキシャル層を形成する以前のエピタキシャル成長用シリコンウェーハの表面を鏡面研磨することが好ましい。例文帳に追加

Preferably, the surface of the silicon wafer for epitaxial growth before forming an epitaxial layer is polished like a mirror. - 特許庁

エピタキシャル層の積層欠陥の数を十分に減少させることができるエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing epitaxial silicon wafers whereby the number of stacking faults of an epitaxial layer can sufficiently be decreased. - 特許庁

シリコンのエピタキシャル成長後のフォトリソグラフィ工程でのパターン合わせが可能となる、エピタキシャル成長方法を得る。例文帳に追加

To provide an epitaxial growing method, with which pattern matching is enabled in a photolithography process after the epitaxial growth of silicon. - 特許庁

ヒ素をドープしたシリコン単結晶ウェーハにおいて、エピタキシャル層のピット欠陥を低減したエピタキシャルウェーハの提供。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer in which pit defect in an epitaxial layer is reduced in a silicon single crystal wafer in which arsenic is doped. - 特許庁

エピタキシャル層の周辺部まで研磨されたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer with its epitaxial layer polished to the periphery. - 特許庁

ここで振動板１０を設けた基板１と電極１５を設けた基板２がいずれもシリコン基板からなり、両者を直接接合する。例文帳に追加

Both of the substrate 1 where the diaphragm 1 is set and the substrate 2 where the electrodes 15 are set are formed of silicon substrates and directly joined to each other. - 特許庁

コリメータ鏡Ｍ２はトロイダル鏡で構成し、テレメータ鏡Ｍ３はシリンドリカル鏡または球面鏡で構成する。例文帳に追加

The collimator mirror M2 is composed from a toroidal mirror and the telemeter mirror M3 is composed from cylindrical mirrors or spherical mirrors. - 特許庁

少なくとも１つのノードを有するデータ記憶システム用ノード・コントローラがデータ記憶ファシリティにアクセスを行う。例文帳に追加

To enable a node controller for a data storage system having at least one node for accessing a data storage facility. - 特許庁

スイッチングトランジスタＱ１は、ドライビングトランジスタＱ２に比べてキャリア移動度の低いシリコンチャンネルを有する。例文帳に追加

Silicon channels in the switching transistor Q1 have lower carrier mobility than silicon channels in the driving transistor Q2. - 特許庁

これにより、ｎ^+型基板１に高温処理を行うことなく、ｎ^+型基板１にドレイン電極１１にシリサイド層１１１を生成できる。例文帳に追加

Consequently, the silicide layer 111 is formed on the drain electrode 11 in the reverse side of the n^+-type substrate 1 without subjecting the n^+-type substrate 1 to high-temperature processing. - 特許庁

生産性に優れ、エピタキシャル欠陥を低減できるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon epitaxial wafer presenting high productivity and reducing an epitaxial defect. - 特許庁

シリアル型記録装置は、キャリッジ３と、センターカバー５と、排紙スペース１５と、を備えた記録装置本体１を有する。例文帳に追加

The serial type recorder has a recorder body 1 including a carriage 3, a center cover 5, and a paper ejection space 15. - 特許庁

新たな熱処理プロセスの追加を行うことなく、エピタキシャル欠陥の発生が少ないエピタキシャルシリコンウェーハを製造できる。例文帳に追加

To provide a method of producing an epitaxial silicon wafer, by which the epitaxial silicon wafer almost free from occurrence of epitaxial defects can be produced without adding a new heat treatment process. - 特許庁

病気等で寝たきりの人が、介護人の手助けを必要とせず、一人で容易に排便が可能となるバキウム式お尻洗浄便器の提供。例文帳に追加

To provide a vacuum type buttock washing toilet dispensing with any help of a carer and allowing a bedridden person due to a disease to evacuate the bowels alone. - 特許庁

さらに、吸入チャンバ７に前面側に向けて突形状をなすプレフィルタ９、例えば、側面視略Ｖ字状のプレフィルタ９を設ける。例文帳に追加

A pre-filter 9 protruding toward the front of the conditioner, e.g. a pre-filter 9 having a nearly V-shaped side profile, is arranged in the suction chamber 7. - 特許庁

ＳＦ発生を低減したエピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon wafer for epitaxially growing, with which the formation of SF is suppressed, an epitaxial wafer and a method of producing the same. - 特許庁

エピタキシャル層を成長する表面にボイド欠陥が露出しないエピタキシャル成長用シリコンウエーハ。例文帳に追加

The silicon wafer for epitaxially growing has a surface for growing an epitaxial layer, which surface is free from exposed void defects. - 特許庁

シリコンエピタキシャル層の支えの喪失を防止した、局所ＳＯＩ構造の形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of forming a local SOI structure which can prevent loss of a support of a silicon epitaxial layer. - 特許庁

ただし、理論的加入期間が当該定められた期間を超える場合には、理論的加入期間は、当該定められた期間と同一の期間とする。例文帳に追加

However, when the theoretical period of coverage exceeds that specified period, the theoretical period of coverage shall be regarded as equal to that specified period. - 厚生労働省

ただし、理論的加入期間が当該定められた期間を超える場合には、理論的加入期間は、当該定められた期間と同一の期間とする　。例文帳に追加

However, when the theoretical period ofcoverage exceeds that specified period, the theoreticalperiod of coverage shall be regarded as equal to thatspecified period . - 厚生労働省

半導体構造物は、シリコン、ポリシリコン、二酸化シリコンおよびシリコンゲルマニウムからなる群の基板から選択された基板と、その基板の上に配置された電極とを含む。例文帳に追加

The semiconductor structure includes a substrate selected among substrates of a group of silicon, polysilicon, silicon dioxide, and silicon germanium, and an electrode located on the substrate. - 特許庁

シリコンとゲルマニウムの比率が略均一に制御された単結晶のシリコン・ゲルマニウム混晶より成るシリコン・ゲルマニウム(ＳｉＧｅ)基板１上に、シリコン層(歪Ｓｉ層５)をエピタキシャル成長して構成する。例文帳に追加

A silicon layer (a strain Si layer 5)is epitaxially grown on the silicon-germanium (SiGe) substrate 1, comprising a single crystal silicon-germanium mixed crystal with the ratio of silicon to germanium being controlled approximately uniformly. - 特許庁

この水素標準試料は、シリコン基板１上に重水素を含有した極薄シリコン絶縁膜５を形成し、次いで極薄シリコン絶縁膜５中の重水素濃度を定量することにより作製する。例文帳に追加

The hydrogen standard sample forms the extremely thin silicon insulation film 5 containing deuterium on a silicon substrate 1 and is manufactured by determining the concentration of deuterium in the extremely thin silicon insulation film 5. - 特許庁

血漿試料、全血試料、血清試料、または血小板試料中のセロトニン濃度を測定することにより、冠動脈攣縮型狭心症を識別する。例文帳に追加

The coronary artery spasm type angina pectoris is identified by measuring serotonin concentration in a plasma sample, a whole blood sample, a serum sample, or a platelet sample. - 特許庁