「はいほうまくろふぁーじ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

アモルファスカーボン層１０２を設けたグラファイト基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮ層１０３のｃ軸配向膜を成長させる。例文帳に追加

On a graphite substrate 101 provided with an amorphous carbon layer 102, a c-axis orientation film of an AIN layer 103 is grown by an MOCVD method. - 特許庁

本発明の光アッテネータは、２芯光ファイバと、ウォークオフ結晶と、レンズと、光学面の一方に全反射膜を有する可変ファラデー回転子が、光路方向に、この順に配置されて構成される。例文帳に追加

The optical attenuator comprises a two core optical fiber, a walk-off crystal, a lens and a variable Faraday rotor having a totally reflecting film on one optical face sequentially arranged in the direction of an optical path. - 特許庁

バーコート法によって繊維状粒子配向塗膜を形成するに際し、円柱状の塗工バーの円周上全体に均等に溝を設け、該溝の幅Ｗがφ≦Ｗ≦３０００×φ（φ：繊維状粒子の短軸の長さ）である塗工バーを使用することにより、規則的に配向した繊維状粒子配向塗膜が得られる。例文帳に追加

When forming the fibrous particle oriented coating film by a bar coating method, by using a coating bar for which a groove is equally provided on the entire circumference of a columnar coating bar and the width W of the groove is ϕ≤W≤3000×ϕ (ϕ: the length of the short axis of the fibrous particle), the regularly oriented fibrous particle oriented coating film is obtained. - 特許庁

加湿器１０は、筐体１１と、筐体１１の上部に配置される給水タンク１２と、給水タンク１２の下方に配置される透湿膜モジュール１３と、透湿膜モジュール１３の近傍であって、この透湿膜モジュール１３の下方に配置されるシロッコファン１４と、を備える。例文帳に追加

This humidifier 10 includes a housing 11, a water supply tank 12 disposed at a top part of the housing 11, the moisture permeable film module 13 disposed at a lower part of the water supply tank 12, and a sirocco fan 14 disposed at a lower part of the moisture permeable film module 13 which is near the moisture permeable film module 13. - 特許庁

真空成膜装置を用いて、スパッタリング法、真空蒸着法、またはイオンプレーティング法等により、プラスチック製基材上にアモルファス炭素を形成し、次いでクロム、またはチタンの膜を形成する。例文帳に追加

Amorphous carbon is formed on a plastic substrate 2 by sputtering, vacuum deposition or ion plating or the like, by using a vacuum film forming device and then a film of chromium or titanium is formed. - 特許庁

基板上にレジスト膜と帯電防止膜とを積層してなる試料において、ミキシング層の影響を排して、パターンプロファイルの劣化が無い、高精度なレジストパターンを形成する基板処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for processing a substrate for eliminating the influence of a mixing layer, having no degradation of pattern profiles, and forming high-precision resist patterns in a sample formed by laminating a resist film and an antistatic film on a substrate. - 特許庁

本発明の１つの実施形態では、それぞれ配列番号２および４に示す重鎖および軽鎖アミノ酸配列を含むモノクローナル抗体ＲＸ１と、Ｍ−ＣＳＦへの結合に関して７５％以上競合する非マウス抗体を、マクロファージ関連疾患を有する被験体に投与することを含む、マクロファージ関連疾患を治療する方法が提供される。例文帳に追加

In one embodiment, a method for treating a macrophage-associated disease comprising administering to a subject having a macrophage-associated disease a non-murine antibody that competes with monoclonal antibody RX1 for binding to M-CSF by more than 75%, wherein the monoclonal antibody RX1 comprises the heavy chain and light chain amino acid sequences set forth in SEQ ID NOs: 2 and 4, respectively, is provided. - 特許庁

斜板式圧縮機の斜板３のシュー接触面に、ポリフェニレンサルファイド樹脂１００重量部に対して、ＰＴＦＥやＥＴＦＥなどのフッ素樹脂１０〜１００重量部、芳香族ポリエステル樹脂２０〜１００重量部を配合した樹脂組成物からなる被膜を形成する。例文帳に追加

A film composed of a resin composition formed by mixing a 10 to 100 pts.wt fluororesin such as PTFE and ETFE and a 20 to 100 pts.wt aromatic polyester resin in a 100 pts.wt polyphenylene sulfide resin is formed on the shoe contact surface of the swash plate 3 of the swash plate compressor. - 特許庁

セラミックス焼結体を、β型窒化ケイ素および／またはβ型サイアロンを主体とし、α型窒化ケイ素および／またはα型サイアロンを被膜配向成分として含む基材と、物理蒸着法により、前記基材の少なくとも一部を被覆する硬質セラミックス皮膜とから形成する。例文帳に追加

The ceramic sintered compact includes a substrate having β-silicon nitride and/or β-sialon as a main component and α-silicon nitride and/or α-sialon as a coating alignment component, and a hard ceramic coating to cover at least a part of the substrate by physical vapor deposition. - 特許庁

これにより非堆積領域Ｆへのナノファイバ１０ａの付着・体積を排除して、エレクトロスピニングによる膜形成の対象面において、簡便な方法でナノファイバ１０ａの堆積の有無の切り替えを行うことができる。例文帳に追加

Thereby, the adhesion-accumulation of the nanofibers 10a on the non-target accumulation region F are excluded, and the presence or absence of the accumulation of the nanofibers 10a on the film forming target surface in electrospinning can be switched by the simple method. - 特許庁

減圧ＣＶＤ法による酸化シリコン膜１４の成膜は、８５０℃未満の反応炉（ファーネス）内で行い、コンタクト・ホール１６の底面の基板内に形成される補償領域１７の不純物活性化アニールは、１０００℃未満のＲＴＡ（ラピッド・サーマル・アニール）で行う。例文帳に追加

The formation of a silicon oxide film 14 using a reduced CVD method is conducted within a reaction furnace at a temperature lower than 850°C and the impurity activation annealing of a compensation regions 17, which are formed in a substrate under the bottom of contact holes 16, is conducted through RTA(rapid thermal annealing) at a temperature lower than 1,000°C. - 特許庁

一方の面に反射膜１１Ｃ、１２Ｃを蒸着形成し、他方の面に反射防止膜１１Ｂ、１２Ｂを蒸着形成した膜付フィルム１１と膜付基板１２とを互いに反射膜１１Ｃ、１２Ｃ側の面が向い合うように対向配置してファブリ・ペローエタロン構造を作り、さらに膜付基板１２と受光素子９との間にハイパスフィルタ１３を傾斜配置する。例文帳に追加

A Fabry-Perot etalon structure is formed by arranging a film 11 and a substrate 12, each having a reflecting film formed on one surface and a reflection-preventive film formed on the other surface, so that their reflecting surfaces face each other, and a high-pass filter 13 is arranged obliquely between the film-formed substrate 12 and a photodetecting element 9. - 特許庁

スペックを維持できる範囲で水平および垂直方向にハードマクロ内配線１０２を延長しながらサイズを可変できる構造とし、分割した各ハードマクロ１０１の間にハードマクロ上通過配線用バッファブロック１０３とハードマクロ上通過配線１０４を配置できる構造とする。例文帳に追加

Such a structure is provided that the size is changeable while extending wirings 102 in hard macros in the horizontal and vertical directions within a range within which specifications are held, and buffer blocks 103 for wirings passing on the hard macros and wirings 104 passing on the hard macros can be laid between divided hard macros 101. - 特許庁

メッシュ状に配置した中空糸膜をノズルとターゲットの間に配置して、ナノファイバーをエレクトロスピニングする、当該細胞培養足場材料の製造方法。例文帳に追加

A method for producing the scaffold material for cell culture comprises arranging the hollow fiber membranes arranged in the mesh state between a nozzle and a target and carrying out electrospinning of the nanofibers. - 特許庁

電気伝導性や光学的な性質において有意な、長軸の長さＬが０．５μｍ以上、短軸の長さφが０．３μｍ以下のロッド状粒子が配向率８０％以上で配向したロッド状粒子配向塗膜の形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of forming an oriented rod-like particle coated film, which is significant in electric conduction and optical characteristics, contains rod-like particles having a long axis length L of not less than 0.5 μm and a short axis length ϕ of not greater than 0.3 μm, and oriented by an orientation ratio of not less than 80%. - 特許庁

本発明では、レーザー蒸着成膜法により、サファイア上に２０ｎｍ以下の厚さの二酸化チタンを成膜し、この膜を熱処理することによって周期配列をもった二酸化チタンを作製する方法を解決手段とする。例文帳に追加

The method for arranging the titanium dioxide particles periodically on sapphire comprises forming a titanium dioxide film having the thickness of 20 nm or less, on sapphire by a method for forming a film through laser evaporation, and producing the titanium dioxide having a periodical arrangement through the heat treatment of the film. - 特許庁

シリコーン系マクロモノマーと、α，β—エチレン性不飽和カルボン酸と、ラジカル重合性単量体との共重合体が水性溶媒に分散されたガス配管用シール剤。例文帳に追加

This sealing agent for gas piping obtained by dispersing the copolymer of a silicon-based macromonomer, an α,β-ethylenically unsaturated carboxylic acid, and a radical-polymerizable monomer in an aqueous solvent. - 特許庁

下部電極２０２を形成するステップ、下部電極２０２の上に配置される巨大磁気抵抗（ＣＭＲ）メモリ膜２０４を形成するステップ、メモリ膜２０４の上に配置されるメモリ安定半導体バッファ層２０６（通常、金属酸化物）を形成するステップ、および半導体バッファ層２０６の上に配置される上部電極２０８を形成するステップを包含する。例文帳に追加

This method comprises a step for forming a lower electrode 202; a step for forming a colossal magnetoresistance (CMR) memory film 204 arranged on the lower electrode 202, a step for forming a memory-stable semiconductor buffer layer 206 (normally, a metal oxide) arranged on the memory film 204, and a step for forming an upper electrode 208 arranged on the semiconductor buffer layer 206. - 特許庁

アモルファスシリコン膜におけるトランジスタ形成予定領域のピッチと異なる大きなピッチでマイクロレンズアレイを構成することができ、また、マイクロレンズアレイの配列ピッチよりも小さいピッチでアモルファスシリコン膜にレーザアニールによる微小ポリシリコン膜領域を形成することができるレーザアニール方法、装置及びマイクロレンズを提供する。例文帳に追加

To provide laser annealing method, device and micro lens array, capable of configuring the micro lens array, having a large pitch different from a pitch of a planned transistor formation area on an amorphous silicon film, and capable of forming a fine polysilicon film area on the amorphous silicon film by laser annealing, with a pitch smaller than the array pitch of the micro lens array. - 特許庁

さらに、耐鳥害性防水層保護塗料の塗膜厚さは、１００〜３００μｍに形成することを特徴とし、防水層はウレタン樹脂塗膜防水であること、またはアスファルトによるアスファルト防水であること、あるいは防水シートによるシート防水であることを特徴とする、耐鳥害性防水層保護塗膜の形成方法。例文帳に追加

The method for forming the coating film involves forming the thickness of this coating to 100-300μm and is characterized by that the waterproof layer has urethane resin coating film waterproofness or asphalt waterproofness by asphalt or sheet waterproofness by waterproof sheet. - 特許庁

基板上のレジスト膜に電子線露光を行って所望のレジストパターンを得る基板処理方法において、レジスト膜の帯電の影響を排し、パターンプロファイルの劣化が無い、高精度なレジストパターンを形成する。例文帳に追加

To provide a substrate processing method in which a desired resist pattern is obtained by performing electron beam lithography on a resist film on a substrate, wherein the resist pattern of high precision is formed without deterioration of a pattern profile by eliminating an influence of electrostatic charging of the resist film. - 特許庁

レンジ周囲の一方向或は複数方向に装着の送気開口部を持った送気管、又はシロッコファン等で、「見えない」「邪魔に成らない」送気膜によって調理蒸散ミストの１００％を、レンジ排気フードに誘導して完全に室外排気をする。例文帳に追加

This exhaust gas guide device is constituted to perform complete exhaust to the outdoors by guiding 100% of cooking evaporating mist to a cooking range exhaust hood 7 by an invisible and unobstructive air supply film 6 formed from an air supply pipe 4 with an air supply opening part 3 mounted in one direction or multiple directions around the cooking range 1, or using a multiblade fan or the like. - 特許庁

鉄道車両の天井構造ＴＮ１は、枕木方向における車両中央部で横流ファン３０を支持するＣチャンネル金具４０と、このＣチャンネル金具４０に対して枕木方向両外側に配置される一対の空調ダクト５０，５０とを備える構造である。例文帳に追加

The ceiling structure TN1 for rolling stock includes a C-channel fixture 40 supporting a transverse fan 30 in the vehicle center part in the sleeper direction, and the pair of air conditioning ducts 50, 50 arranged in the C-channel fixture 40 on both outer sides in the sleeper direction. - 特許庁

下水や産業排水等の汚水を膜分離活性汚泥法を用いて処理された膜ろ過水を、逆浸透膜を用いて逆浸透膜処理を行い、得られた水を再生水として利用する再生水製造方法において、膜ろ過水中に残留する有機成分や無機成分を栄養分として増殖した微生物によって発生する逆浸透膜モジュールにおけるバイオファウリングを抑制する。例文帳に追加

To suppress bio-fouling in a reverse osmosis membrane module which is generated by microorganisms increased with organic components and inorganic components remaining in membrane filtered water as nutrients in a regenerated water manufacturing method treating which uses as the regenerated water the water obtained by treating with a reverse osmosis membrane the membrane filtered water obtained by treating dirty water such as sewage and industrial wastewater in a membrane separation and activated sludge method. - 特許庁

ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）ファインパウダーと液体潤滑剤とを含むＰＴＦＥ配合物の２種以上を、押出用金型に区分して充填し、該充填物を押出した後延伸することを含む、複数のＰＴＦＥ多孔質膜の積層体の製造方法において、該充填物をシート状に押出しても、層構造の乱れが起こりにくい製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a laminate of a plurality of polytetrafluoroethylene (PTFE) porous films, including filling with two or more of PTFE mixtures containing a PTFE fine powder and a liquid lubricant sectionalizing a die for extrusion, and extending after extruding the filler, in which a disturbance of a laminar structure hardly occurs even if a filler is pushed out in a sheet form. - 特許庁

基板上に多結晶膜を形成する方法であって、前記基板を提供する工程と、前記基板の上にアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、横方向結晶化プロセスを使用して前記アモルファスシリコン膜をアニーリングし、主に＜１００＞の結晶学的配向を有する多結晶膜を生成する工程と、前記多結晶膜を研磨してさらなるプロセスのための膜を調製する工程とを包含する、方法。例文帳に追加

A method for forming a polycrystalline film on a substrate comprises a step for providing the substrate, a step for depositing an amorphous silicon film on the substrate, a step for annealing the amorphous silicon film using a lateral direction crystallization process to create a polycrystalline film principally having a crystallographic orientation of <100>, and a step for polishing the polycrystalline film to prepare a film for further process. - 特許庁

アモルファスシリコン膜12とｐ形シリコン11とのヘテロ接合からなるダイオードのアモルファスシリコン膜12上に形成された上部電極14の薄い部分の一部に硼素膜3aが形成され、その上面を覆って、ダイオードの面積とぼぼ同じ大きさのポリエチレンシート2aが配備されている。例文帳に追加

A boron film 3a is formed in a part of a thin part of an upper electrode 14 formed on a diode amorphous silicon film 12 made of the heterojunction of an amorphous silicon film 12 and p-type silicon 11, and a polyethylene sheet 2a of the approximately same size as the area of the diode is arranged in such a way as to cover the upper surface of the boron film 3a. - 特許庁

ステロイドスルファターゼ阻害作用を示し、エストロゲン等のステロイド類が関与する疾病、例えば乳癌、子宮体癌、子宮内膜増殖症、不妊症、子宮内膜症、子宮腺筋症、自己免疫疾患、痴呆症、アルツハイマー病等の処置剤として有用な化合物を提供すること。例文帳に追加

To provide a compound exhibiting steroid sulfatase-inhibiting action and useful as a treating agent for diseases in which steroids such as estrogens participate, e.g. breast cancer, cancer of the uterine of corpus uteri, endometrial hyperplasia, sterility, endometriosis, adenomyosis of uterus, autoimmune disease, dementia and Alzheimer's disease. - 特許庁

複数のバッファリング・ステージよりなるクロック信号分配回路において、信号源側の少なくとも一部のクロック信号線には、複数の配線層の内の上層側に形成された、膜厚が厚い方の配線層を用いるので配線抵抗が抑制できる。例文帳に追加

In a clock signal distribution circuit constituted of a plurality of buffering stages, a wiring layer which is formed on an upper layer side out of a plurality of wiring layers and whose film thickness is large is used as at least a part of a clock signal line of a signal source side, so that increase of wiring resistance can be restrained. - 特許庁

単結晶基板１上に犠牲層としても機能するバッファー層２を形成する工程と、バッファー層２上に強誘電体素子６（強誘電体薄膜４）を形成する工程と、強誘電体素子６（強誘電体薄膜４）を単結晶基板１から分離する工程と、単結晶基板１から分離された強誘電体素子を任意基板上に配設する工程と、を備えた強誘電体素子の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the ferroelectric element comprises steps of forming a buffer layer 2 also serving as a sacrificial layer on a single crystal substrate 1, forming the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) on the buffer layer 2, separating the ferroelectric element 6 (ferroelectric thin film 4) from the single crystal substrate 1, and disposing the ferroelectric element 6 separated from the single crystal substrate 1 on any substrate. - 特許庁

また、ｎ−バッファ層２の上部と、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３とｐ−スペーサ層４は、レーザ光出射方向に対して垂直方向の幅がｎ−基板１よりも狭くしてｐ−ブロッキング層８、ｎ−ブロッキング層９とが配置されている。例文帳に追加

In addition, p- and n-type blocking layers 8 and 9 are arranged between the partial lower part of the buffer layer 2 and the spacer layer 5 by making the widths of the upper part of the spacer layer 2, active layer 3, and spacer layer 4 in the direction perpendicular to the emitting direction of laser light narrower than that of the substrate 1. - 特許庁

本発明によるビット率制御方法は、イントラピクチャーのみで構成された動画シーケンスを、ピクチャーグループ単位、スライス単位及びマクロブロック単位で分離してビット率制御を行い、符号化時に一定のビット量が発生するように誘導することによってバッファのオーバーフロー及びアンダーフローを防止できる。例文帳に追加

This bitrate control method executes bitrate control by separating a video sequence formed only with intra pictures, into picture group units, slice units, and macroblock units, and can prevent overflow and underflow of a buffer by guiding the bitrate control so that a predetermined amount of bits can be generated when encoding is performed. - 特許庁

ＳｉＯ_２基板上に、４０オングストローム以上、特に１４０オングストローム以上であって、４２０オングストローム未満、特に４００オングストローム以下の厚みの白金（Ｐｔ）バッファー層を介して、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕの原子比が実質上１：２：３である銅酸化物超電導体から成り、且つ基板と垂直方向にｃ軸配向した結晶性を有する酸化物超電導薄膜が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The oxide superconductive thin film composed of a copper oxide super conductor, in which the atomic ratio of Y:Ba:Cu is 1:2:3, and having crystallinity c-axis-oriented in a direction vertical to the substrate is formed through the platinum(Pt) buffer layer having ≥40 Å, particularly ≥140 Åto <420 Å, particularly ≤400 Å thickness on the SiO2 substrate. - 特許庁

優れた電気特性と耐久性を有する有機薄膜太陽電池とその製造方法として、ポリピロールの主鎖が透明導電性基板表面に面内方向に配向し、バッファー層の面内導電率が高まりキャリアの取出しに優れる、シランカップリング剤を提示。例文帳に追加

In the organic thin film solar cell having the excellent electrical characteristic and durability, and its manufacturing method, a silane coupling agent which enhances in-plane conductivity of a buffer layer for obtaining high carrier output is provided by orienting main chain of polypyrrole in in-plane direction of a surface of a transparent conductive substrate. - 特許庁

少なくとも表面がアモルファス状態である強磁性層を成膜した後、スパッタリング法を用いて、全層にわたって（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムのバリア層を成膜し、更にアニーリング処理を行う。例文帳に追加

The ferromagnetic layer of which at least the surface is in an amorphous state is formed, and then the barrier layer of a magnesium oxide having a single crystalline structure wherein (001) planes are aligned in parallel with the interface throughout layers is formed by sputtering, and furthermore annealing processing is performed. - 特許庁

配向性非晶質炭素膜は、Ｃを主成分とし、Ｎを３〜２０原子％、Ｈを０原子％を超え２０原子％以下含み、かつ、Ｃの全体量を１００原子％としたときにｓｐ^２混成軌道をもつ炭素（Ｃｓｐ^２）が７０原子％以上１００原子％未満であって、グラファイトの（００２）面が厚さ方向に沿って配向する。例文帳に追加

The amorphous carbon orientation film uses C as the main component and includes 3-20 atom% N, and >0 atom% and ≤20 atom% H and has in the range of 70 atomic percent to less than 100 atomic percent of carbon (Csp^2) having an sp^2 hybrid orbital when the total amount of carbon is 100 atomic percent, wherein the (002) plane of graphite is oriented along the thickness direction. - 特許庁

結晶ｃ軸方向の電子有効質量を（０００１）面内の電子有効質量で除した値で定義される有効質量比αが０．５以上１．５以下である炭化珪素単結晶基板上に導電性の窒化物半導体エピタキシャル薄膜を配した窒化物半導体ヘテロ構造である。例文帳に追加

In a nitride semiconductor heterostructure, a conductive nitride epitaxial thin film is provided on a silicon carbide single crystal substrate having an effective mass ratio (α) of 0.5 or more and 1.5 or less defined as a value obtained by dividing the electron effective mass in a crystal (c) axis direction with the electron effective mass in (0001) face. - 特許庁

四弗化エチレンとエチレンを混合した原料ガスを導入部６から排気量調整バルブ３、ＲＦ電極４、基板載置台７を備えた反応室１内にシャワー状に導入し、プラズマＣＶＤ法により、被処理基板８上に弗化アモルファス炭素膜を形成する。例文帳に追加

A raw material gas, made by mixing tetrafluoroethylene and ethylene, is introduced in a form of shower from an inlet part 6 into a reaction chamber 1, having a valve 3 for adjusting the quantity of exhaust gas, an RF electrode 4, and a base 7 on which a substrate is placed, to form an amorphous carbon fluoride film by a plasma CVD method. - 特許庁

銅管１の表面には、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｚｅｒ分析法のＣ−Ｋα線の波長分析において、４４Å〜４５Åの範囲にメインピークを示し、４５Å〜４６．１Åの範囲に上記メインピークよりも強度が小さいピークを示す炭素化合物よりなる皮膜が形成されている。例文帳に追加

On the surface of the copper tube 1, there is formed a film made of a carbonic compound showing a main peak in the range of 44-45 Å and showing, in the range of 45-46.1 Å, a peak having a strength smaller than that of the above main peak through the wavelength resolution of C-Kα x-rays in Electron Probe Micro Analysis. - 特許庁

排気系の集合管の下流側で触媒装置あるいはマフラーなどの上流において、通路断面積の十分大きな分岐管を配置してその末端部温度が３００℃以下になるような位置にシリコーンゴム薄膜の伸縮による容積変化を利用して圧力の脈動を平滑化できる平板状の容器を脈動圧力のバッファー装置として配置する方式を採用した。例文帳に追加

A flat plate-like container capable of smoothing the pulsation of the pressure by using the volumetric change caused by the expansion/contraction of a silicone rubber thin film is arranged at the position where the temperature of a terminating end of the branched pipe is ≤300°C as a buffer device of the pulsating pressure. - 特許庁

マウスを用いて、ツリー表示されている複数の操作画面の中から、操作が変更されるマクロスクリプトコマンドに対応する部品が配置された操作画面が選択されると、部品情報ファイルに記録されている各部品情報に基づいて、選択された操作画面に配置された部品に入力可能な操作がアイコン表示画面３２上に表示される。例文帳に追加

When the operation screen on which the components corresponding to the micro script whose operation is changed is selected from among a plurality of tree-displayed operation screens by using a mouse, an operation which can be input to the components arranged on the selected operation screen is displayed on an icon display screen 32, based on each component information recorded in the component information file. - 特許庁

圧電基板の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を配置すると共に該ＩＤＴ電極上に絶縁膜を付着し、これをパッケージに収容して構成した弾性表面波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極のパッド電極と前記パッケージの端子電極とを接続するボンディングワイヤの線形をφ３０μｍより太くして弾性表面波デバイスを構成する。例文帳に追加

The surface acoustic wave device is configured by arranging the IDT electrodes on a principal side of a piezoelectric substrate along a propagation direction of a surface acoustic wave, attaching the insulation film on the IDT electrodes, accommodating them to a package, and adopting a bonding wire whose diameter is equal to or more than ϕ 30 μm, the bonding wire connecting pad electrodes of the IDT electrodes to terminal electrodes of the package. - 特許庁

一端が開口し他端が閉じた中空部を有する円筒状炭素ターゲットが配置され、該中空部にプラズマが発生するように構成され、該ターゲットの開口部と基板との間の距離が、Ｈｖ＝１５００ｋｇｆ／ｍｍ^2以上の膜硬度を有するアモルファス炭素が形成されるように離してあるマグネトロン放電型スパッタ装置。例文帳に追加

In a magnetron discharge type sputtering apparatus, a cylindrical carbon target having a hollow portion with one end opened and the other end closed is disposed, the plasma is generated in the hollow portion, and an aperture of the target is separated from a substrate so as to deposit the amorphous carbon having the film hardness Hv≥1,500 kgf/mm2. - 特許庁

ガラス基板１、２を接合して構成され、ガラス基板１の接合面にはフォトファブリケーション技術およびウェットエッチング技術により流路溝６が形成されるとともに、ガラス基板２には液体試料導入および排出のための貫通孔９、１０が形成され、接合面にスパッタ法等により光学的に不透明なＳｉ膜３をスリットとして形成する。例文帳に追加

A measuring cell is constituted by bonding glass substrates 1, 2 and a flow channel groove 6 is formed in the bonding surface of the glass substrate 1 by photofabrication technique and wet etching technique and through- holes 9, 10 for introducing and discharging a liquid sample are formed in the glass substrate 2 and an optically opaque Si film 3 is formed in the bonding surface as a slit by a sputtering method. - 特許庁

単結晶α−Ａｌ２Ｏ３基板３上に、酸窒化アルミニウム層４を介して窒化アルミニウム結晶膜５が形成されてなる母材６上に、スパッタリング法により、１５０〜５００℃にて窒化アルミニウム１を析出させ、次いで、前記反応スパッタ温度よりも高く、かつ２５０〜８００℃にてアニールを行うことにより高配向窒化アルミニウム多結晶膜１が形成さた窒化アルミニウム複合膜１０が製造する。例文帳に追加

An aluminum nitride composite film 10 is produced by precipitating aluminum nitride 1 at 150 to 500°C by sputtering on a base material 6 comprising a single crystal α-Al_2O_3 substrate 3 and an aluminum nitride crystal film 5 formed thereon via an aluminum oxynitride layer 4, and subsequently annealing at a temperature higher than the reaction sputtering temperature and in a range from 250 to 800°C to form a highly oriented aluminum nitride polycrystalline film 1. - 特許庁