「はんどうたいレーザー」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

最初、半導体膜５は非晶質半導体膜で形成され、レーザーアニールにより結晶化させる。例文帳に追加

The semiconductor film 5 is formed of amorphous semiconductor material first and is then turned into crystalline by laser annealing. - 特許庁

半導体ウェハ並びに半導体ウェハの位置決め方法及びレーザートリミング方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR WAFER, ITS POSITIONING METHOD AND LASER TRIMMING METHOD - 特許庁

レーザーマーク付き半導体ウェーハの製造方法、及びその半導体ウェーハ例文帳に追加

SEMICONDUCTOR WAFER WITH LASER MARK AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法、並びにレーザー処理装置例文帳に追加

MANUFACTURING METHODS FOR SEMICONDUCTOR SHEET AND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LASER PROCESSING EQUIPMENT - 特許庁

レーザー光を半導体膜に照射する半導体膜の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor film, in which a semiconductor film is irradiated with a laser beam. - 特許庁

半導体レーザー１０から出射されるレーザー光をマーキング対象物５０に照射してマーキングを行う一方、半導体レーザー１０から逆方向に出射されるレーザー光を受光素子１２で受光してレーザー光の出力強度が一定となるようにＡＰＣ制御を行う。例文帳に追加

This output control method consists in subjecting a marking object 50 to marking by irradiating this object with a laser beam emitted from a semiconductor laser 10 and, on the other hand, executing the APC in such a manner that the output intensity of the laser beam is made constant by receiving the laser beam emitted in a reverse direction from the semiconductor laser 10 by a photodetector 12. - 特許庁

半導体リングレーザーを有する半導体装置において、周回状に形成されたりリッジ型の光導波路を有する半導体リングレーザーと表面に電極を備える基体とが、該半導体リングレーザーの凹部においてバンプ接続されていることを特徴とする半導体装置。例文帳に追加

In the semiconductor device having a semiconductor ring laser, the semiconductor ring laser having a ridge type optical waveguide formed circumferentially is connected through bumps, in the recess of the semiconductor ring laser, with a substrate having electrodes on the surface. - 特許庁

半導体レーザー４をレーザーホルダー５に保持してハウジング１に組み込むと共に、ハウジング１にレーザードライバー６が設置される放熱板８を取り付け、前記レーザーホルダー５と前記放熱板８との間に熱伝達部材１６を介在させ、前記放熱板８に前記半導体レーザー４を熱接合させている。例文帳に追加

The semiconductor laser 4 is retained in a laser holder 5 and incorporated in a housing 1, a radiation plate 8, on which the laser driver 6 is installed, is attached to the housing 1, a heat conduction member 16 is interposed between the laser holder 5 and the radiation plate 8, and the semiconductor laser 4 is welded to the radiation plate 8. - 特許庁

活性層で発振される光を共振させてレーザー光を放出する半導体レーザーであって、レーザー光の共振経路上に置かれる電気光学物質層を備えるモード変動部１５０を備え、電気光学物質層に電圧が印加されるにつれてレーザー光の共振モードが変動されることを特徴とするスペックル低減レーザー。例文帳に追加

A semiconductor laser for emitting a laser beam by resonating the beam excited in an active layer, comprises a mode change part 150 containing an electro-optical material layer disposed on a resonating path of the laser beam, and the resonating mode of the laser beam is changed as a voltage applied to the electro-optical material layer is increased. - 特許庁

２つの端面が互いに平行でないレーザー媒質を用いた固体レーザー発振器及び固体レーザーアンプと、発振器から出射したレーザー光を反射して後段のアンプに順次入射させるミラーとを略同一平面内に配置した固体レーザーシステムにおいて、システムの組立て時やメンテナンス時のミラーの傾きの調整作業を容易に行えるようにするとともに、ミラーの支持機構の構造を簡単にする。例文帳に追加

To make it possible to easily perform the adjusting work of the tilt of mirrors and to simplify the structure of the support mechanical of the mirrors in a solid-state laser system of a structure that a solid-state laser oscillator, solid-state laser amplifiers and the mirrors are arranged within the same plane. - 特許庁

半導体レーザーの共振器ミラーの一方をウェッジ型の狭帯域反射ミラーとする。例文帳に追加

This wavelength-stabilized semiconductor laser is a wavelength-stabilized laser which uses a wedge type filter to stabilize the wavelength of the semiconductor laser. - 特許庁

複数のレーザーバーの長さが異なっても一つの固定用治具で各レーザーバーを保持して、損傷、変形が起こることなく一度に多数のレーザーバーの蒸着が行えながら、レーザーバーの長手方向端部まで確実に反射膜が形成できる半導体レーザーバーの固定用治具を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser bar fixing tool capable of reliably depositing a reflective film to an end part in the longitudinal direction of a laser bar while performing vapor deposition of a large number of laser bars at the same time without any damage or deformation by holding each laser bar by one fixing tool even when the lengths of a plurality of laser bars are different from each other. - 特許庁

本発明の固体レーザー増幅器では、高出力半導体レーザーで励起することにより高繰り返しで高エネルギーのレーザー光1を増幅できること、及び高耐力位相共役鏡でレーザー光の波面補正することにより、集光性能の良い高いビーム品質のレーザー光を高エネルギーで増幅できる。例文帳に追加

The solid laser amplifier can amplify laser beams 1 of a high repetition and high energy by exciting with a high output semiconductor laser, and can correct the wave face of the laser beams by a high proof stress phase conjugate mirror, whereby the laser beams having a good condensing performance and a high beam quality can be amplified with high energy. - 特許庁

１１は半導体リングレーザー１０を駆動する電源、１２は半導体リングレーザー１０の端子間電圧を測定する装置、１５は半導体リングレーザー１０の端子間電圧の変動から磁界の強度を検出する装置である。例文帳に追加

The field detector comprises a power source 11 for driving a semiconductor ring laser 10, an instrument 12 for measuring the terminal voltage of the laser 10 and a unit 15 for detecting the intensity of a magnetic field from the variation of the terminal voltage of the laser 10. - 特許庁

本発明の半導体レーザー装置は、半導体レーザーと、半導体レーザーからの出射光を入射する外部共振器と、外部共振器を出射光の光軸と直交する方向に移動させる移動手段と、外部共振器からの出射光を入射するモード変換器と、を有している。例文帳に追加

The semiconductor laser device has: a semiconductor laser; an external resonator for receiving emitted light from the semiconductor laser; a moving means for moving the external resonator to a direction perpendicular to an optical axis of the emitted light; and a mode converter for receiving emitted light from the external resonator. - 特許庁

半導体レーザーを起動してから直ちに安定した光出力が得られるようにする。例文帳に追加

To enable a semiconductor laser to output an optical output stably just after the semiconductor laser is actuated. - 特許庁

半導体レーザー１が熱伝導部４、５を介してヒートシンク６上に支持されている。例文帳に追加

The semiconductor laser 1 is supported on the heat sink 6 via the heat conduction parts 4 and 5. - 特許庁

外部キャビティ半導体レーザーに安定した単一モード動作を獲得する。例文帳に追加

To acquire a stable single mode operation in an external cavity semiconductor laser. - 特許庁

高調波重畳法によるレーザーダイオード駆動用に好適な半導体装置を形成する。例文帳に追加

To form a semiconductor device which is proper for laser diode driving by a harmonic superposition method. - 特許庁

半導体レーザー駆動装置およびそれを備えた光走査装置ならびに画像形成装置例文帳に追加

SEMICONDUCTOR LASER DRIVING DEVICE AND LIGHT SCANNING DEVICE WITH THE SAME, AND IMAGE FORMING APPARATUS - 特許庁

モード同期集積型半導体レーザーを用いた光信号再生インバータ例文帳に追加

OPTICAL SIGNAL REPRODUCING INVERTER USING MODE SYNCHRONIZED INTEGRATED TYPE SEMICONDUCTOR LASER - 特許庁

単一ラテラルモードを維持しながら、高パワーで動作する半導体レーザーを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser which operates with high power while a single lateral mode is maintained. - 特許庁

半導体レーザーの光出力値をオープン制御で変化する場合、半導体レーザーに電流に対する光出力のリニアリティが無くても、精度の高いオープン制御が可能となるような光出力の設定ができる半導体レーザー駆動を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser driving device that sets a light output for open control with accuracy, even if a semiconductor laser have no linearity in light output for a current when changing the value of light output of the semiconductor laser by open control. - 特許庁

このとき、後に行うレーザートリミングにて、レーザー光が照射される予定のＣｒＳｉ膜３の端部におけるテーパー長が、絶縁膜や半導体基板に亀裂が入るレーザーエネルギー値よりも低いレーザーエネルギー値にてレーザートリミングを行うことができる長さとなるようにパターニングする。例文帳に追加

The film is patterned in such a way that taper length at an end of the CrSi film 3 with which a laser beam is to be irradiated becomes length in which laser trimming is realized with the laser energy value lower than that by which the insulating film and the semiconductor substrate are cracked in later laser trimming. - 特許庁

半導体物質層の積層方向にレーザー光を出射する表面光レーザー部と、表面光レーザー部から出射される光を透過させる物質より形成されたマイクロレンズと、表面光レーザー部とマイクロレンズとの間に位置し、マイクロレンズと表面光レーザー部との間隔を可変させる可変部とを含む。例文帳に追加

The surface light laser comprises a surface light laser section for emitting laser light in the laying direction of semiconductor substance layers, a microlens formed of a substance transmitting light emitted from the surface light laser section, and a part interposed between the surface light laser section and the microlens and varying the interval between them. - 特許庁

なお、半導体膜を結晶化するレーザー処理装置は、連続発振型のレーザー装置から発振されたレーザーのビーム形状は、シリンドリカルレンズによって、楕円形に成形され、前記シリンドリカルレンズは、回転できる構成であり、前記レーザー光は、ガルバノミラーにより前記基板上を走査され、前記レーザー光は、ｆ−θレンズにより前記基板上で焦点を結ぶことを特徴とする。例文帳に追加

Also, for a laser processor which crystallizes the semiconductor film, a beam shape of a laser oscillated from the continuous oscillation type laser is formed into an elliptic shape by a cylindrical lens, the cylindrical lens is rotatable, the laser beam is scanned on the substrate by a galvano-mirror, and the laser beam is focused on the substrate by an f-θ lens. - 特許庁

光記録媒体に対して記録及び再生可能なビームを光路に沿って放射する半導体レーザー１，２を備えた光ピックアップ装置において、前記半導体レーザー１，２は記録用の高出力２と、再生用の低出力１の２種の半導体レーザー１，２を備えている。例文帳に追加

In the optical pickup device having semiconductor lasers 1, 2 that emit recordable and reproducible light beam to an optical recording medium, two kinds of the semiconductor lasers 1, 2 of high output 2 for recording and low output 1 for reproduction are included. - 特許庁

第１の半導体チップ１３から射出されたレーザー光は、面１７で反射される。例文帳に追加

Laser rays emitted from a first semiconductor chip 13 are reflected from a plane 17. - 特許庁

第一半導体レーザー発光手段１及び第二半導体レーザー発光手段２が組み込まれた半導体レーザー発光ユニットと受光手段とを含む光学ユニットは、縦２００ｍｍ，横１４０ｍｍ，高さ８５ｍｍの直方体内に収納可能な形状である。例文帳に追加

An optical unit including a semiconductor laser beam emitting unit assembled in with the first semiconductor laser beam emitting means 1 and the second semiconductor laser beam emitting means 2, and the photoreception means, is formed into a shape stored in a rectangular parallelepiped having 200mm of longitudinal length, 140mm of lateral length and 85mm of height. - 特許庁

小型で、冷却能力があり、耐久性に富む半導体レーザーモジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a compact semiconductor laser module having cooling capability and excellent durability. - 特許庁

さらに、保護膜１０７の上から半導体膜１０６に対してレーザー光を照射する。例文帳に追加

Furthermore, laser beams are radiated to the semiconductor film 106 from above the protection film 107. - 特許庁

光ヘッドは、半導体レーザー、光回折素子、対物レンズ、光検出素子などを備える。例文帳に追加

The optical head is equipped with a semiconductor laser, optical diffraction elements, an objective lens, a photodetecting element, etc. - 特許庁

そして、該絶縁膜上に形成された半導体膜に対し連続発振のレーザー光を照射する。例文帳に追加

A semiconductor film formed on an insulation film is irradiated with a continuously oscillated laser beam. - 特許庁

戻り光によるトラッキングノイズを抑制できる半導体レーザー素子、及びこの半導体レーザー素子を生産歩留りを低下させることなく容易に製造できる製造方法、及びこの半導体レーザー素子を用いた光ピックアップ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element which can suppress tracking noises due to returning light, a manufacturing method which can easily manufacture the semiconductor laser element without reducing producing yield, and an optical pickup device which uses the semiconductor laser element. - 特許庁

半導体レーザー素子１と、この半導体レーザー素子１をジャンクションダウン構造で固定したサブマウント２と、このサブマウント２を固定した放熱ブロック３とを備えてなる半導体レーザー装置において、ＡｌＮ等の絶縁性セラミックから放熱ブロック３を形成する。例文帳に追加

The semiconductor laser comprises a semiconductor laser element 1, a submount 2 securing the semiconductor laser element 1 by a junction down structure, and a heat dissipation block 3 securing the submount 2 wherein the heat dissipation block 3 is formed of insulating ceramic such as AlN. - 特許庁

半導体レーザー素子を放熱ブロックに固定してなる半導体レーザー装置において、半導体レーザー素子位置合わせのためのアライメントマークを放熱ブロックに高精度に形成可能とし、また放熱ブロックのコストも低く抑える。例文帳に追加

To obtain a semiconductor laser comprising a semiconductor laser element secured to a heat dissipation block in which an alignment mark for aligning the semiconductor laser element can be formed in the heat dissipation block with high precision and the cost of the heat dissipation block can be reduced. - 特許庁

加工ガス１０の流路に発半導体レーザー１および光学系５を配置し、半導体レーザー１および周辺光学系５の防湿、防塵効果を持たせると共に、半導体レーザー１および周辺光学系５を空冷する構造とする。例文帳に追加

A semiconductor laser 1 and an optical system 5 are disposed in a flow passage of process gas 10 to realize the moisture-proof and dust-proof effects of the semiconductor laser 1 and the peripheral optical system 5, and the semiconductor 1 and the peripheral optical system 5 are air-cooled. - 特許庁

半導体レーザー１と、この半導体レーザー１のレーザー光の出力端面２に形成された保護反射防止膜１１と、この保護反射防止膜１１上に重ねて形成された少なくとも２層からなる反射防止用の交互多層膜１２とを具備した。例文帳に追加

The semiconductor laser apparatus is provided with: a semiconductor laser 1; a protective reflection-preventing film 11 formed to a laser beam output end face 2 of the semiconductor laser 1; and an alternate multilayer film 12 for a reflection preventing purpose formed overlappingly on the protective reflection-preventing film 11 and comprising at least two layers. - 特許庁

本発明の半導体リングレーザー装置は、一つの基盤上で構成するリング共振器の光路内に、両端面に反射防止膜を施した半導体レーザー素子を配置すると共に、半導体レーザー素子の駆動電源を備えるようにし、該駆動電源によって直接レーザー発振させる構成を採用した。例文帳に追加

With respect to the semiconductor ring laser apparatus, a semiconductor laser element having antireflection films applied to both its end surfaces is disposed in the optical path of a ring resonator constituted on a single substrate, and there is adopted the constitution wherein the driving power supply of the semiconductor laser element is so provided as to oscillate the laser element directly by the driving power supply. - 特許庁

半導体レーザー１のレーザー出力を制御する制御信号を基準電圧に比べて高い電圧と低い電圧に分けて制御回路４からレーザー駆動回路３に伝送し、分けられた各制御信号にそれぞれ対応させて前記基準電圧に対して高い電圧と低い電圧の各駆動信号とした後、各駆動信号を加算して半導体レーザー１の駆動信号を供給する。例文帳に追加

The control signal for controlling laser output of a semiconductor laser 1 is transmitted to a laser driving circuit 3 from a control circuit 4 by being divided to a higher and lower voltages as compared with a reference voltage, and after making respective driving signals of the higher voltage and lower voltage correspond to each divided control signal, respective driving signals are added and the driving signal for the semiconductor laser is supplied. - 特許庁

（一）　単一横モード半導体レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの例文帳に追加

1. Single transverse mode semiconductor laser oscillators which fall under any of the following  - 日本法令外国語訳データベースシステム

（二）　多重横モード半導体レーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの例文帳に追加

2. Multiple transverse mode semiconductor laser oscillators which fall under any of the following  - 日本法令外国語訳データベースシステム

（四）　半導体レーザーアレースタックであって、（三）に該当するアレーを含むもの例文帳に追加

4. Semiconductor laser array stacks which include the arrays falling under 3. above  - 日本法令外国語訳データベースシステム

封止材用液状エポキシ樹脂組成物、半導体装置及びレーザーマーキング方法例文帳に追加

LIQUID EPOXY RESIN COMPOSITION FOR SEALING MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE AND LASER MARKING PROCESS - 特許庁

半導体レーザーの制御は、ＥＤＦの入力側の信号のみに基づいて行われる。例文帳に追加

The semiconductor laser is controlled based on only the signal at the input side of the EDF. - 特許庁