「ふっ化珪素」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

四フッ化珪素の製造法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON TETRAFLUORIDE - 特許庁

前記フッ素を含む絶縁膜は、フッ素を含む酸化珪素膜、フッ素と窒素を含む酸化珪素膜、フッ素を含む窒化珪素膜のいずれか１つである。例文帳に追加

The insulating film containing fluorine is any one of a silicon oxide film containing fluorine, a silicon oxide film containing fluorine and nitrogen, and a silicon nitride film containing fluorine. - 特許庁

珪素とフッ化水素との反応で生成した四フッ化珪素ガス中に含有するリン、ヒ素を除去するため該四フッ化珪素ガスを珪素と接触させるに際し、３００〜８００℃の範囲で、（Ｖ／Ｑ）≧ｋの条件で珪素と該四フッ化珪素ガスを接触させる。例文帳に追加

When silicon tetrafluoride gas is brought into contact with silicon to remove phosphorus and arsenic contained in the silicon tetrafluoride produced by the reaction of hydrogen fluoride with silicon, the contact of the silicon tetrafluoride gas with silicon is performed at 300-800°C under a condition of (V/Q)≥k. - 特許庁

フッ素化珪素化合物の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SILICON FLUORIDE COMPOUND - 特許庁

高純度フッ化珪素とその製造方法例文帳に追加

HIGH PURITY SILICON FLUORIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

撥水化剤としては、フッ素化合物や珪素化合物が好ましい。例文帳に追加

A fluorine compound and a silicon compound are desirable as the water repellent treatment agent. - 特許庁

簡便かつ効率の良い、フッ素化珪素化合物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ready and efficient method for producing a fluorinated silicon compound. - 特許庁

珪素とフッ化水素をで反応させて四フッ化珪素を製造するにおいて、四フッ化珪素を固化させた容器内に１０ｋＰａ以上の圧力のヘリウムガスを満たし、続いて該容器を１ｋＰａ以下の圧力まで排気する。例文帳に追加

When silicon tetrafluoride is produced by reacting silicon with hydrogen fluoride, a container in which silicon tetrafluoride has been solidified is filled with gaseous helium under ≥10 kPa pressure and then evacuated to ≤1 kPa pressure. - 特許庁

フッ素化合物と珪素化合物を含む被処理ガスを水または水溶液で湿式処理して珪素化合物の大部分を溶解除去する。例文帳に追加

A gas to-be-treated containing fluorine compounds and silicon compounds is wet-treated with water or an aqueous solution to dissolve and remove most of the silicon compounds. - 特許庁

半導体分野等を含め非常に応用の広い炭化珪素単結晶を得ること、及び、炭化珪素単結晶に三フッ化窒素プラズマを用いて平滑にできる炭化珪素単結晶のエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide single crystal of wide applications, including semiconductor category, and to provide the etching method of the silicon carbide single crystal, capable of smoothing with nitrogen trifluoride plasma on it. - 特許庁

半導体装置において、弗素添加酸化珪素膜４Ａ上に窒素添加酸化珪素膜４Ｂが配設され、この窒素添加酸化珪素膜４Ｂ上に第２層目の金属配線６が配設されている。例文帳に追加

In the semiconductor device, a nitrogen added silicon dioxide thin film 4B is stacked on a fluorine added silicon dioxide thin film 4A, and on the top of this nitrogen added dioxide thin film 4B, the metallic wires 6 of a second layer are arranged. - 特許庁

珪素に結合した水酸基を有する珪素化合物の該水酸基を、フツ素原子で置換してフッ素化珪素化合物を高選択性かつ安全に製造する新規な方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a new method for producing a silicon fluoride compound, in which the hydroxyl group of a silicon compound containing the hydroxyl group bonded to a silicon atom is substituted with a fluorine atom, in a high selectivity and safely. - 特許庁

珪素化合物膜３または珪素膜と他の積層材料６との密着性を向上させる密着層４の形成方法であって、珪素化合物膜３または珪素膜の表面をフッ素化合物で溶解し、凹凸部分からなる密着層４を形成する。例文帳に追加

In this method for forming an adhesion layer 4 improving the adhesion between a silicon compound film 3 or a silicon film and the other laminating material 6, the surface of the silicon compound film 3 or the silicon film is dissolved with a fluorine compound to form the adhesion layer 4 composed of rugged parts. - 特許庁

フッ化エチレンなどのフッ素化合物ガスを二酸化珪素膜の被覆中に成膜室に導入する。例文帳に追加

The fluorine compound gas such as ethylene fluoride is introduced into a film deposition chamber during silicon dioxide film deposition. - 特許庁

水素ガス中にフッ化水素ガスを添加して形成したエッチングガスを珪素半導体単結晶基板１上に供給して該珪素半導体単結晶基板１上に形成されている珪素酸化膜２を除去する際に、酸化珪素から水分子を供給させ、該水分子の介在によりフッ化水素ガスによる珪素酸化膜２の除去を開始させる。例文帳に追加

When a silicon oxide film 2 formed on a silicon semiconductor single-crystalline board 1, by supplying etching gas formed by adding hydrofluoric gas in hydrogen gas, water molecule is supplied from silicon oxide and the removal of the silicon oxide film 2 is started by hydrofluoric gas through the interposing of the water molecules. - 特許庁

ガラス基板１１上に形成された珪素膜１２に水素、フッ素、塩素から選ばれた少なくとも１種類の元素をイオン化して注入することにより、珪素膜１２内の珪素の不対結合手を中和し、珪素膜１２内における準位を低下させる。例文帳に追加

At least one kind of element selected among hydrogen, fluorine, and chlorine is ionized and implanted into a silicon film 12 formed on a glass substrate 11, so that an unpaired combined hand of silicon in the silicon film 12 is neutralized to lower a level in the silicon film 12. - 特許庁

珪素化合物による触媒被毒を抑制でき、フッ素化合物の分解性能が維持できる。例文帳に追加

The method enables control of catalyst poisoning by silicon compounds and retention of the decomposition performance of the catalyst for fluorine compounds. - 特許庁

（２）前記熱処理後の酸化珪素を０．５〜１０体積％のフッ酸で洗浄する。例文帳に追加

(2) The silicon oxide heat treated in the process (1) is cleaned with 0.5-10 vol.% hydrofluoric acid. - 特許庁

このとき、珪素化合物膜または珪素膜がプラズマＣＶＤ法で形成され、フッ素化合物がフッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましい。例文帳に追加

At this time, preferably, the silicon compound film or the silicon film is deposited by a plasma CVD method, and the fluorine compound is composed of aqueous solution of hydrofluoric acid or ammonium fluoride or a mixed solution therebetween. - 特許庁

フッ化物膜が基体をフッ素化合物に対して直接接触させることによって生成しており、フッ化膜の厚さが０．０１−５．０μｍであり、基体中の珪素の量が酸化珪素に換算して０．５重量％以下である。例文帳に追加

This corrosionproof member is such one that the fluorofilm is formed by direct contact of the ceramic base with a fluorine compound, the thickness of the fluorofilm is 0.01-5.0 μm, and the silicon content of the ceramic base is ≤0.5 wt.% in terms of silicon oxide. - 特許庁

四フッ化珪素中に含まれる不純物であるリン、ヒ素を除去するために、珪素（Ｓｉ）、またはゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一つの金属と３００℃以上の温度で接触させ、さらには、四フッ化珪素中に１ｖｏｌ％以上の水素を含有させる。例文帳に追加

Phosphorus and arsenic which are impurities contained in silicon tetrafluoride are removed by bringing the silicon tetrafluoride into contact with at least one of a metal selected from silicon (Si) or germanium (Ge) at ≥300°C and further adding ≥1 vol.% water into the silicon tetrafluoride. - 特許庁

窒化珪素膜１０３をドライエッチングする窒化珪素膜１０３のドライエッチング方法であって、窒化珪素膜１０３が形成された被処理体１００に対して、少なくともフッ化水素ガス（ＨＦガス）とフッ素ガス（Ｆ_２ガス）とを含む処理ガスを用いて、プラズマを生成することなく、窒化珪素膜１０３をドライエッチングする。例文帳に追加

In the method of dry-etching the silicon nitride film 103 for dry-etching the silicon nitride film 103, the silicon nitride film 103 is dry-etched with no generation of plasma by using a process gas at least containing a hydrogen fluoride gas (HF gas) and a fluorine gas (F_2 gas) for an object to be processed 100 with the silicon nitride film 103 formed. - 特許庁

シリコン基板１上にパット酸化膜２と窒化珪素膜３を形成し、窒化珪素膜３をエッチングマスクにしたドライエッチングでトレンチ４を形成し、更に窒化珪素膜３を酸化マスクにしてシリコン基板１を熱酸化し、上記熱酸化工程において窒化珪素膜３表面に形成される改質層をフッ素含有の中性ラジカルで除去する。例文帳に追加

A pad oxidation film 2 and a nitriding silicon film 3 are formed on a silicon substrate 1, a trench 4 is formed by dry etching to make the nitriding silicon film 3 an etching mask, further the nitriding silicon film 3 is made an oxidation mask to thermally oxidize the silicon substrate 1, and a reforming layer formed on the surface of the nitriding silicon film 3 is removed by a neutral radical containing fluorine in a thermal oxidation process. - 特許庁

過飽和析出法による二酸化珪素被膜の形成に当たり、二酸化珪素被膜の成膜速度を２０〜１００ｎｍ／時とすることにより該二酸化珪素被膜中の弗素含有量を調整し、屈折率１．４３５以下の反射防止層を形成する低反射基板の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the low reflective substrate, by specifying film-forming rate of the silicon dioxide film to 20 to 100 nm/h in the process of forming a silicon dioxide film by the method of supersaturation precipitation, so as to control the fluorine content in the silicon dioxide film and to form an antireflection film having ≤1.435 of refractive index. - 特許庁

プラスチック製基板の表面にフッ化マグネシウム膜を有し、その上に、酸化珪素膜を有し、あるいはさらに、基板とフッ化マグネシウム膜との間に酸化珪素膜を有することにより、前記課題を解決する。例文帳に追加

The optical parts have a magnesium fluoride film formed on a plastic substrate and have a silicon oxide film formed thereon, or a silicon oxide film formed between the substrate and the magnesium fluoride film. - 特許庁

このとき、無機材料薄膜１が、プラズマＣＶＤ法で成膜された酸化珪素膜または珪素膜であり、化学エッチング液５が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましい。例文帳に追加

At this time, preferably, the inorganic material thin film 1 is composed of a silicon oxide film or a silicon film deposited by a plasma CVD method, and the chemical etching solution 5 is composed of an aqueous solution of hydrofluoric acid or ammonium fluoride or a mixed solution therebetween. - 特許庁

三フッ化塩素ガスを炭化珪素表面に、好ましくは、該炭化珪素表面を加熱して該表面の温度を３００〜７００℃とし且つ三フッ化塩素ガスの濃度を１〜１００体積％として、接触させる。例文帳に追加

Chlorine trifluoride gas is touched to the surface of silicon carbide preferably at a concentration of 1-100 vol% while heating the surface of silicon carbide at 300-700°C. - 特許庁

珪素化合物とフッ素化合物を含むガスをフッ素化合物分解触媒により、フッ素化合物を高い分解率で除去する。例文帳に追加

To remove fluorine compounds from a gas containing silicon compounds and fluorine compounds with a high decomposition rate by the use of a fluorine compound decomposition catalyst. - 特許庁

珪素または二酸化珪素のターゲットを反応性ガスとしての酸素および窒素とフッ素化合物ガスとを含む減圧ガス雰囲気内でスパッタリングして基板上にフッ素含有の撥水性膜を成膜する。例文帳に追加

The fluorine-containing water repellent film is deposited on a substrate by sputtering a target of silicon or silicon dioxide in a reduced pressure gaseous atmosphere containing oxygen, nitrogen and gaseous fluorine compound as reactive gases. - 特許庁

セラミック薄膜は、珪素、チタン、ジルコニウム等のフルオロ錯化合物を溶解させた水溶液中に、フッ素捕捉剤を添加することにより、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化ジルコニウムを含有する複合膜を析出したものである。例文帳に追加

The ceramic thin film is formed by adding a fluorine scavenger into an aqueous solution containing dissolved fluoro complex compounds of silicon, titanium, zirconium or the like so as to deposit a composite film containing silicon dioxide, titanium dioxide and zirconium oxide. - 特許庁

酸素が存在しない雰囲気下において少なくとも炭化珪素を含む処理対象物の表面をフッ化物プラズマにより洗浄することによって炭化珪素を純化する。例文帳に追加

Silicon carbide is refined by cleaning the surface of a processing object with fluoride plasma in an atmosphere without oxygen, the processing object containing at least silicon carbide. - 特許庁

平滑性（表面粗さ）が±１５０ｎｍ以内である炭化珪素単結晶及び当該材料を得るために、三フッ化窒素を含有するガスをプラズマ励起し炭化珪素単結晶の表面を平滑化する。例文帳に追加

In order to obtain a material with the silicon carbide single crystal of smoothness (surface roughness) that is within ±150nm, the gas containing nitrogen trifluoride is plasma-excited for smoothing the surface of the silicon carbide single crystal. - 特許庁

好ましくは、前記バリア層（２０ａ、２０ｂ）が、二酸化珪素、窒素珪素、酸化ゲルマニウム及びフッ素系ポリマーから選ばれる少なくとも１種の材料を含有する前記光書き込み型記録材料である。例文帳に追加

The optical writing type recording material preferably comprises the barrier layers (20a, 20b) containing at least a kind of material selected from silicon dioxide, silicon nitride, germanium oxide and fluorine based polymer. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板表面の加工変質部を、フッ素系ガスを除く反応性ガスを用いたエッチングによって除去する工程を有することを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the silicon carbide single crystal substrate has a process for removing zones affected by treatment on the surface of the silicon carbide single crystal substrate by etching by using reactive gas excluding fluorine base gas. - 特許庁

珪素化合物除去後の被処理ガスをフッ素化合物分解触媒に通気し、フッ素化合物を分解する。例文帳に追加

The gas after removal of silicon compounds is passed through a fluorine compound decomposition catalyst to decompose the fluorine compounds. - 特許庁

四フッ化珪素と二フッ化カルボニルを含む混合ガスをガス状態または超臨界状態において６０℃〜２５０℃で金属フッ化物と接触させることにより四フッ化珪素を除去することを特徴とする二フッ化カルボニルの精製方法。例文帳に追加

In this refining method of carbony difluoride, silicon tetrafluoride is removed by contacting a gas mixture containing the silicon tetrafluoride and the carbony difluoride with a metal fluoride in a gaseous state or a supercritical state at 60-250°C. - 特許庁

ただし、Ｖは、珪素を充填した部分の容器の容積［リットル］を、Ｑは、該四フッ化珪素ガス生成ガスの流量［Ｎリットル／分］を、ｋは、ｋ＝１８／（ｄ−２９１）＋０．０４で定義され、ｄは、温度［℃］をそれぞれ表す。例文帳に追加

Where, V represents the volume (L) of a part of a vessel where silicon is filled; Q represents the flow rate (NL/min) of the produced silicon tetrafluoride gas; (k) is defined by k=18/(d-291)+0.04 and (d) represents a temperature (°C). - 特許庁

二フッ化カルボニル中に含まれる四フッ化珪素を、クリーニングの終点の判断に影響しない程度の量まで低減する。例文帳に追加

To provide a method of reducing silicon tetrafluoride contained in carbonyl difluoride to a quantity as low as it will not affect in judging the end point of cleaning. - 特許庁

前記エッチング保護層は、ビニル系重合性組成物の硬化物、炭化珪素、炭化フッ素、又は酸化チタンで構成されていてもよい。例文帳に追加

The etching protective layer can be constituted of the cured material of a vinyl polymerizable composition, silicon carbide, fluorine carbide, or titanium oxide. - 特許庁

弗素添加酸化珪素膜の弗素と金属膜との反応により金属膜の膜剥がれを生じないようにしたものである。例文帳に追加

To prevent a metal film from peeling off due to reaction of fluorine in a fluorine-added silicon oxide film and the metal film. - 特許庁

それぞれの酸化珪素系部材の表面はフッ酸ガス１０３が吸着し、原子と原子の結合が切られ、化学的に活性になる。例文帳に追加

Hydrofluoric acid 103 is adsorbed on the surface of each silicon oxide-based member and the bond between atoms is broken, and the surface becomes chemically active. - 特許庁

一部の珪素化合物はミスト状で被処理ガスに同伴されて排出されるので、フッ素化合物分解触媒の前段で除去する。例文帳に追加

Since part of the silicon compounds are entrained with the gas in mist form and discharged, the silicon compounds are removed before treatment with a fluorine compound decomposition catalyst. - 特許庁

動的接触角低減剤は、含フッ素化合物および含珪素化合物の少なくとも一方を主成分とするものであるのが好ましい。例文帳に追加

The dynamic contact angle reducing agent is preferably at least either one of a fluorine containing compound and a silicon containing compound as the main component. - 特許庁

高収率で、高純度の三ハロゲン化一フッ化珪素を低廉なコストで得る技術を提供することである。例文帳に追加

To provide a technique for obtaining a silicon trihalogenomonofluoride of high purity in high yield with inexpensive costs. - 特許庁

窒化珪素質焼結体からなる基体１１の表面に、ＳｉＯ_2または周期律表第３ａ族元素と珪素との複合酸化物からなる中間層１２を介して、金属のフッ化物、酸化物および窒化物のうち少なくとも１種からなる耐食性表面層１３を形成してなる。例文帳に追加

On the surface of a substrate 11 composed of a silicon nitride type sinter, an anti-corrosion surface layer 13 composed of at least on of fluoride, oxide or nitride of a metal is formed via a medium layer 12 composed of SiO2 or a compound oxide of an element in No.3a group of the periodic table and silicon. - 特許庁