「スパッタリング蒸着」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

赤橙色蛍光体及びその赤橙色蛍光体を用いて得られる蒸着用ペレット、スパッタリング用ターゲット、ディスプレイ、ＬＥＤチップ例文帳に追加

REDDISH ORANGE FLUORESCENT MATERIAL AND VAPOR DEPOSITION PELLET, TARGET FOR SPUTTERING, DISPLAY AND LED CHIP PRODUCED BY USING THE SAME - 特許庁

Ａｒよりさらに重い非活性ガスをＡｒと混合してボックスカソードスパッタリング(Box Cathode Sputtering)あるいは対向ターゲットスパッタリング（Facing Target Sputtering法で電極またはペッシベーション層を蒸着させた有機発光表示装置及び蒸着方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organic light emitting display and a deposition method for depositing an electrode or a passivation layer by means of a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method by mixing Ar with an inert gas heavier than Ar. - 特許庁

ダスト（パーティクル）や異常放電の発生を低減し高品質の酸化タングステン膜を安定してスパッタリング法や電子ビーム蒸着法により製膜できる酸化タングステンスパッタリングターゲット材および蒸着材ならびにその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a tungsten-oxide sputtering-target material and a vapor- deposition material with which the occurrence of dust (particle) and abnormal electric discharge can be decreased and a high-quality tungsten-carbide film can be stably deposited by a sputtering method or an electron beam evaporation method, and also to provide a manufacturing method for the vapor-deposition material. - 特許庁

前記蒸着金属膜が３真空蒸着、イオンプレーティング、ＥＢ蒸着あるいはスパッタリングで形成されていること、厚さが１０ｍμｍ以上、２００ｍμｍ以下であることが好ましい。例文帳に追加

The vapor deposition metal film 3 is formed by vacuum vapor deposition, ion plating, EB vapor deposition or sputtering and the thickness thereof is preferably 10-200 mμm. - 特許庁

前記無機酸化物層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンビーム法、または化学気相蒸着法により作製されるのが好ましい。例文帳に追加

The inorganic oxide layer is preferably manufactured by a vacuum deposition method, a spattering method, an ionization vapor deposition method, an ion beam method, or a chemical vapor phase deposition method. - 特許庁

前記成膜装置は、基板上に３００℃以下の温度で第１の金属膜をスパッタリング成膜した後に、第１の金属膜上に５００℃〜１０００℃の温度で第２の金属膜をスパッタリング成膜し、蒸着法により第２の金属膜上に第３の金属膜を成膜するものである。例文帳に追加

The film-forming apparatus is directed for forming a first metal film on the substrate by sputtering at 300°C or lower; subsequently forming a second metal film on the first metal film by sputtering at 500 to 1,000°C; and forming a third metal film on the second metal film with a vapor deposition process. - 特許庁

スパッタリング装置において、光ディスクの構成層を形成する際、スパッタリングチャンバ内に内周マスク２および外周マスク３を配し、蒸着領域を制御することにより、ＳｉＮ等の誘電体で記録膜の外周部を完全に封止する。例文帳に追加

In a sputtering device, when the composition layer of an optical disk is to be formed, inner- and outer-periphery masks 2 and 3 are arranged in a sputtering chamber, and a deposition region is controlled, thus completely sealing the outer-periphery part of a recording film by a dielectric such as SiN. - 特許庁

充填密度９０％以上の誘電体薄膜は基板温度１５０℃以上の真空蒸着またはイオンビームアシスト蒸着またはスパッタリングで成膜する。例文帳に追加

The dielectric thin film of ≥90% packing density is formed by vacuum deposition, ion beam-assisted evaporation or sputtering at ≥150°C substrate temperature. - 特許庁

透明導電膜２、酸化発色膜３、電解質膜４、還元発色膜５、透明導電膜６が、真空蒸着、イオンプレーティング、イオンアシスト蒸着、スパッタリング法等で成膜される。例文帳に追加

The transparent conductive film 2, oxidation coloring film 3, electrolytic film 4, reduction coloring film 5, and transparent conductive film 6 are formed by vacuum vapor-deposition, ion plating, ion assisted vapor-deposition, sputtering, etc. - 特許庁

すなわち触媒層を形成する際に、塗布法を用いずに、触媒材料を真空中で加熱し、蒸着する方法、また、触媒材料をスパッタリングする方法、その他、電子線ビームで加熱し、蒸着する方法を用いた。例文帳に追加

When the catalyst layer is formed, a method for heating and depositing a catalyst material in vacuum, a method for spattering the catalyst material or a method for heating or depositing it with an electron beam is used without using an application method. - 特許庁

表面にプラズマ処理をした後にスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基板に関する。例文帳に追加

In this molded substrate for a circuit, coating treatment with metal is performed by using physical vapor deposition method selected from among sputtering, vacuum vapor deposition and ion plating, after a surface has been treated by plasma. - 特許庁

このＣｒ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｂ含有量が、０．０５〜２０重量％であることが好ましい。例文帳に追加

This Cr-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and the content of B is preferably controlled to 0.05 to 20 wt.%. - 特許庁

本発明のIII−ニトリドＬＥＤおよびその製造方法は、熱蒸着、ｅビーム蒸着、イオンスパッタリングまたは電気めっきにより従来のIII−ニトリドＬＥＤに磁性金属層を形成する。例文帳に追加

By using a III-nitride light emitting diode LED and a manufacture method thereof, a magnetic metal layer in a conversion III-nitride LED is formed by a method of thermal evaporation, e-beam evaporation, ion sputtering, or electroplate. - 特許庁

前記の焼結体をターゲットとして、パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびＥＢ蒸着法から選ばれる方法により成膜する透明導電膜の製造方法。例文帳に追加

This manufacturing method of the transparent conductive film is used for forming the transparent conductive film by a method selected from a pulse laser deposition method, a spattering method, an ion plating method and an EB deposition method, by using the sintered body as a target. - 特許庁

プラズマ処理により活性化された表面に、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる樹脂成形体に関する。例文帳に追加

A surface of a resin molded item is activated by a plasma treatment and then is subjected to a metal coating treatment by means of a physical deposition method selected from a sputtering method, a vacuum deposition method and an ion plating method. - 特許庁

そして蒸着層３ｂの厚みと上記のスパッタリングにより形成したスパッタ層３ｃとの合計厚みを２５〜５０ｎｍにすると共に、蒸着層３ｂの厚みをこの合計厚みの４０〜９０％にする。例文帳に追加

Then, the total thickness of the vapor deposition layer 3b and a sputtering layer 3c formed by the sputtering is made to be 25-50 nm, and the thickness of the vapor deposition layer 3b is made to be 40-90% of the total thickness. - 特許庁

スパッタリング成膜中に異常放電（アーキング）が発生せず、良好な膜特性を付与する蒸着ターゲットを提供すること及び該蒸着ターゲットを効率的に製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a vapor depositing target free from the generation of abnormal dischrge (arcing) in the process of sputtering film formation and imparting good film characteristics and to provide a method for efficiently producing a vapor depositing target. - 特許庁

本発明は、圧電素子を内蔵し、かつ、該圧電素子を内部に気密確保する金属を蒸着あるいはスパッタリング可能な非導通材料からなる部材の表面に金属膜を蒸着またはスパッタリングにより形成し、外来ノイズのシールド効果をもたせたことを特徴とする圧電部品に関する。例文帳に追加

In the piezoelectric component, a member including a built-in piezoelectric element and securing the air tight of the piezoelectric element is formed from non-conductive material on which metal can be vapor-deposited or sputtered, and on the surface of the member, a metal film is deposited by vapor deposition or sputtering, thereby the piezoelectric component is given shield effect on external noise. - 特許庁

車両用灯具（１００）において、光源（３８）の前方に配置したインナレンズ（３２）の表面にハーフミラー（４０ａ）をスパッタリング蒸着により設けるとともに、インナレンズの前方に配置したアウタレンズ（３４）の裏面の非有効面（３６）にもハーフミラー（４０ｂ）をスパッタリング蒸着により設ける。例文帳に追加

In this vehicular lamp 100, the half mirror 40a is formed on the surface of an inner lens 32 disposed in front of a light source 38 by means of spattering deposition, and half mirrors 40b are also formed on non-effective surfaces 36 on the back face of an outer lens 34 disposed in front of the inner lens by means of spattering deposition. - 特許庁

本発明による反応性スパッタリング蒸着装置は、ターゲットと基板の間に仕切り板を設け、蒸着チャンバーを基板側の反応チャンバーとターゲット側のスパッタリングチャンバーとに区分し、仕切り板の中央部にはターゲットから分離された金属物質が基板に到達できるようにする穴を形成してなる。例文帳に追加

In the reactive sputtering deposition device, the partition plate is provided between the target and the substrate, a vapor deposition chamber is divided into a substrate-side reaction chamber and a target-side sputtering chamber and a hole enabling a metallic substance separated from the target to reach the substrate is formed at the central part of the partition plate. - 特許庁

紙や合成樹脂フィルムの両面に公知の真空蒸着、イオン蒸着、スパッタリング技術で金属又は合金若しくは導電性のある化合物の薄い被膜を設け、それをスリットし更に多数の撚りを掛け蒸着膜同士が互いに複数回接触する導電糸を得る。例文帳に追加

The electroconductive yarn in which deposited membranes are mutually contacting in a plurality of times is prepared by depositing a thinly coated membrane of a metal, alloy or electroconductive compound on both sides of paper or a synthetic resin film by well-known vacuum deposition, ionic deposition or spattering techniques, slitting the same and giving a large number of twists to the same. - 特許庁

正極活物質が、スパッタリング法、反応性蒸着法、真空蒸着法、化学蒸着法、溶射法、またはめっき法などにより、気相または液相から基板上に堆積して形成した少なくとも鉄を含む酸化物を主成分とする薄膜であることを特徴としている。例文帳に追加

The positive electrode active material is a thin membrane, formed of an oxide containing at least iron, as a main component, in vapor- or liquid-phase deposition on a substrate using a spattering, reactive deposition, vacuum deposition, chemical deposition, flame spraying or plating method. - 特許庁

該拡散バリア層はタングステン、窒化タングステン、タンタル、窒化タンタル又はモリブデンなどの耐火金属材料から選択し、スパッタリング又は蒸着によって形成する。例文帳に追加

The diffused barrier layer is formed by sputtering or vacuum deposition of any material selected from fire-resistant metal materials such as tungsten, tungsten nitride, tantalum, tantalum nitride or molybdenum. - 特許庁

真空成膜装置を用いて、スパッタリング法、真空蒸着法、またはイオンプレーティング法等により、プラスチック製基材上にアモルファス炭素を形成し、次いでクロム、またはチタンの膜を形成する。例文帳に追加

Amorphous carbon is formed on a plastic substrate 2 by sputtering, vacuum deposition or ion plating or the like, by using a vacuum film forming device and then a film of chromium or titanium is formed. - 特許庁

第１の窒化アルミニウム層は、処理チャンバ内の窒素及び不活性ガスプラズマ中で、アルミニウムターゲットを約１．５〜３ミリトールのチャンバ圧力でスパッタリングすることにより蒸着される。例文帳に追加

The first aluminum nitride layer is vapor deposited by sputtering an aluminum target at about 1.5-3 millitorr chamber pressure in a nitrogen and inert gas plasma in the treatment chamber. - 特許庁

また、少なくとも一つの金属膜は、電気めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタリング、又は積層により、前記ポリイミド膜の片側または両側に堆積され、それにより、所望のポリイミド積層板を形成する。例文帳に追加

Then, at least one metal film is subsequently deposited on one or both sides of the polyimide film by electroplating, electroless plating, evaporation, sputtering or lamination and thereby forming the desired polyimide laminated plate. - 特許庁

酸化チタン含有層５ｂは、チタン量換算で１０重量％以上の酸化チタンを含む誘電体層であり、スパッタリングやイオンプレーティング、蒸着等の被覆により形成される。例文帳に追加

The titanium oxide-containing layer 5b is a dielectric layer containing ≥10 wt.% titanium oxide expressed in terms of titanium and is formed by the film deposition using sputtering, ion plating or vapor deposition. - 特許庁

前記（ａ）層はインジウムとスズとの酸化物からなり、これらの薄膜層は真空蒸着、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の手法による。例文帳に追加

The (a) layer is made of an oxide of indium and tin, and these thin film layers are formed by a technique of vacuum deposition, ion plating, sputtering or the like. - 特許庁

金属膜を備えた薬または食品、その薬または食品の製造方法、および、その薬または食品を製造する、スパッタリング、真空蒸着、またはイオンプレーティング装置例文帳に追加

MEDICINE OR FOOD PRODUCT HAVING METAL FILM, SPUTTERING, VACUUM DEPOSITION OR ION PLATING APPARATUS FOR PRODUCING THE SAME MEDICINE OR FOOD - 特許庁

蒸着法で形成されたモリブデン酸化物を含む層２０６を、スパッタリング法により形成されるＩＴＯなどの透明電極２０７に接して下側に設ける。例文帳に追加

A layer 206 including molybdenum oxide formed by a deposition method is provided below and in contact with a transparent electrode 207 of ITO or the like formed by a sputtering method. - 特許庁

ガラス基板、プラスチックシート、プラスチックフィルム基板等の上に、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の手法で酸化亜鉛薄膜を形成させることを特徴とする抗菌性材料である。例文帳に追加

The antibacterial material is produced by forming a zinc oxide thin film on a glass substrate, a plastic sheet, a plastic film substrate, etc., by vacuum deposition, sputtering, ion plating, etc. - 特許庁

さらに、有機発光層３の上面に、陰極用物質からなる薄膜を蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰極４を作製する。例文帳に追加

Further, a thin film made from a cathode material is formed on the upper surface of the organic light emitting layer 3 by deposition or sputtering to produce a cathode 4. - 特許庁

その中、基板に対して、蒸着法やスパッタリング処理により、基板の表面に、チタンやタンタル或いはジルコニウム薄膜と保護薄膜が形成される。例文帳に追加

In the structure, the titanium, tantalum or zirconium thin film and the protective thin film are formed on the surface of the substrate by performing a vapor deposition method or sputtering treatment to the substrate. - 特許庁

ＲＦスパッタリング法又はＥＢ蒸着法により得られたランタノイド元素付活酸化イットリウム前駆体を５００〜１０００℃の温度で大気焼成して得ることができる。例文帳に追加

The lanthanoid atom-activated yttrium precursor that is prepared by the RF sputtering or EB vapor deposition is calcined in an atmosphere at 500 to 1,000°C to give the phosphor. - 特許庁

そして、図１（ｄ）に示すように、透明基板１０の表面に、蒸着法或いはスパッタリング法によって、アルミニウム等の金属製の陰極層１６を形成する。例文帳に追加

A surface of the transparent substrate 10 is formed with a negative electrode layer 16, made of a metal such as aluminum through vapor deposition or sputtering. - 特許庁

良好な特性を有するカルコゲン化合物薄膜を形成するスパッタリング蒸着装置およびそれを利用したカルコゲン化合物薄膜形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a sputtering deposition apparatus for depositing a chalcogen compound thin film having satisfactory characteristics, and to provide a method for depositing the chalcogen compound thin film employing the same. - 特許庁

Ｔｉ、Ａｌ、Ｎを同時に真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることによりＴｉＡｌＮの単層膜をガラス成形金型の表面に形成する。例文帳に追加

A single layer film composed of TiAlN is formed on the surface of a mold for forming glass by vacuum depositing, sputtering, or ion plating Ti, Al and N at the same time. - 特許庁

芳香族ポリイミドフィルムの優れた特性を保持しつつ、接着性、スパッタリング性や金属蒸着性、金属メッキ性が良好であり、かつ表面平滑性に優れたポリイミドフィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a polyimide film having excellent adhesive properties, sputtering property, metal vapor deposition property, and metal plating property, and excellent surface smoothness while maintaining the excellent properties of an aromatic polyimide film. - 特許庁

自動車部品等の製品に対する真空蒸着、スパッタリング、塗装等の手法による被覆において、作業性に優れ、かつ、安価に製造することができるマスク取付具を提供する。例文帳に追加

To provide a mask holder which is superior in workability when a product such as an automotive part is coated by a technique such as vacuum deposition, sputtering and painting, and can be inexpensively manufactured. - 特許庁

イオン照射あるいは中性原子照射等による清浄化処理を施した樹脂基板の表面に銅の下地膜を蒸着あるいはスパッタリングによって形成し、形成された銅の下地膜上に銅箔を加圧接合する。例文帳に追加

A copper foundation film is formed on the surface of the resin substrate cleaned by ion irradiation or neutral atom irradiation, etc., by vapor deposition or sputtering, and copper foil is press-bonded to the formed copper foundation film. - 特許庁

その後、後に説明するように、SiＮ薄膜２からなるメンブレンの両面に、２種類以上の金属からなる、金属薄膜６を、蒸着やスパッタリングにより成膜する。例文帳に追加

Thereafter, a metal thin film 6, consisting of two kinds or more metals, is formed on both surfaces of the membrane consisting of the SiN thin film 2 by means of vapor deposition or sputtering. - 特許庁

ＩＣカード基材の上に、ジェットプリンティング方式や、メタルマスクを用いた真空蒸着またはスパッタリングなどを代表とする、選択成膜方式を用いることにより、アンテナコイルを直接形成する。例文帳に追加

An antenna coil is directly formed on a base material of an IC card by using a selective film forming system represented by a jet printing method, vacuum deposition using a metal mask and sputtering. - 特許庁

その後、そのアルミニウム基板表面にスパッタリング法または蒸着法にて金属シード層を形成し、更に電気めっき法にて金属皮膜を形成する。例文帳に追加

Thereafter, a metal seed layer is formed on the surface of the aluminum substrate by sputtering or vacuum deposition, and then a metal film is formed by electroplating. - 特許庁

支持体上への被覆の堆積は、２つの連続した物理的蒸着工程により、より詳しくは、マグネトロン陰極スパッタリングにより、達成することができる。例文帳に追加

Deposition of the coating on a support can be achieved by two successive physical vapor deposition steps, and more particularly by magnetron cathode sputtering. - 特許庁

レンズ部１２２を有する第１誘電体１２の接合面１２１Ａに電気伝導性薄膜１６をスパッタリング法または真空蒸着法により形成する。例文帳に追加

An electric conductive thin film 16 is formed by sputtering or vacuum vapor deposition method on the joint face 121A of a first dielectric body 12 having a lens part 122. - 特許庁