「ソース側」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

ソース側では、受信したＣＴＳｒ、TMDSクロック、及び分周比値ＮによりオーディオクロックCLK_Argを得る。例文帳に追加

At the source side, an audio clock CLK_Arg is obtained by the received CTSr, TMDS clock and frequency dividing ratio value N. - 特許庁

オフ側ＦＥＴのゲート電極は高周波信号としてＧＮＤ電位であるので、ドレイン−ソース間の高周波信号の漏れを防止できる。例文帳に追加

Since the gate electrode of the off side FET has GND potential as high frequency signal, leakage of high frequency signal is prevented between drain and source. - 特許庁

ソース／ドレイン領域のためのドープされた側壁を有するマルチ・メサ型ＦＥＴ構造およびその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a multi-mesa FET structure having a doped sidewall for a source/drain region and its forming method. - 特許庁

次に、積層電極の両側の半導体基板１中にソース領域６およびドレイン領域７を形成する。例文帳に追加

Next, in the semiconductor substrate 1 on both of the sides of the laminated electrode, a source area 6 and a drain area 7 are formed. - 特許庁

シリコン基板１００には、ゲート酸化膜１２０の両側にソース１６０とドレイン１７０が設けられている。例文帳に追加

The silicon substrate 100 is provided with a source 160 and a drain 170 in both sides of the gate oxide film 120. - 特許庁

ゲート誘電体及びゲートがシリコン本体の表面上に設けられ、ソース及びドレインがゲートの２つの側に設けられる。例文帳に追加

Gate dielectrics and gates are formed on the surfaces of the silicon bodies, and sources and drains are formed on two sides of the gates. - 特許庁

前記第二導電性のドレイン領域と前記第二導電性のソース領域とは、前記導電性基板中、前記ゲートの両側に形成される。例文帳に追加

The second conductive drain region and the second conductive source region are formed in the conductive substrate, and on both the sides of the gate. - 特許庁

本発明のシステムは、コアセル電流からコアセルデータを判定するため記憶装置において使用されるソース側検出回路を含む。例文帳に追加

This system comprises a source side detecting circuit used in a memory device for discriminating core cell data from a core cell current. - 特許庁

ソースおよびドレイン領域の陥凹部の傾斜側壁表面の上には応力誘導誘電体層が位置する。例文帳に追加

A stress-inducing dielectric layer is located over the slanted sidewall surfaces of the recesses at the source and drain regions. - 特許庁

シリコン基板１上のゲート電極５ａを両側面から挟むようにシリコン基板 1にソース・ドレイン拡散層３ａ、３ｂが形成されている。例文帳に追加

Source drain diffused layers 3a, 3b are formed so as to hold a gate electrode 5a on a silicon substrate 1. - 特許庁

その半導体層は、チャネル領域５，６と、チャネル領域５，６の外側の領域に形成されるソース／ドレイン領域３とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor layer has a channel region (5 and 6) and source/drain regions 3 formed in a region outside the channel region (5 and 6). - 特許庁

ソース側送受信機８０では、そのデータで示される角度に応じて処理パラメータを変えて音像定位処理を実行する。例文帳に追加

The source side transmitter and receiver 80 changes processing parameters corresponding to angles that are indicated by the data to execute sound image localization processing. - 特許庁

ゲート絶縁膜１２を介して、ゲート電極１４の両側に、１対のソースドレイン領域１８を配置する。例文帳に追加

A pair of source-drain region 18 is arranged on both sides of the electrode 14 via the film 12. - 特許庁

最もソース側に位置する第１フィールドプレート２２ａと高圧配線２８との間にシールド電極２９が設けられている。例文帳に追加

A shield electrode 29 is provided between the first field plate 22a positioned closest to a source side and the high-voltage wiring 28. - 特許庁

ゲート絶縁膜５２の下にゲート領域４０を形成し、その両側に第１および第２ソースドレイン領域４８，５０を形成する。例文帳に追加

A gate region 40 is formed under the gate insulation film 52, and first and second source drain regions 48, 50 are formed on both sides. - 特許庁

ゲート電極２６の両側にソース３１とドレイン３２を形成してＭＯＳトランジスタを形成する。例文帳に追加

A source 31 and a drain 32 are formed on the opposite sides of a gate electrode 26 thus fabricating an MOS transistor. - 特許庁

ボディ領域４の表層部には、トレンチ５の側方に、Ｎ型のソース領域８が形成されている。例文帳に追加

An N type source region 8 is formed on the side of the trench 5 in the top layer of the body region 4. - 特許庁

前記アクティブチャンネルパターンの両側に前記複数個のチャンネルと連結されるようにソース／ドレーン領域が形成される。例文帳に追加

Source/drain regions are formed on both sides of the active channel pattern to be connected with the channels. - 特許庁

画素マトリクスの各列を左右両側から挟むようにして、各列につき２本のソースバスラインを表示部に備える。例文帳に追加

A display unit is equipped with two source bus lines for each column of a pixel matrix, the source bus lines interposing each column in both sides. - 特許庁

ＥＥＰＲＯＭのソース／ドレイン拡散層の片側の有無によって工場出荷時の情報を保持することができる。例文帳に追加

The information on the factory shipment can be stored by the existence of the one side of the source/drain diffusion layer of EEPROM. - 特許庁

そのことで、ソース領域４の両側から自由キャリア（正孔）の注入及び引き抜きを均一な状態で行うことができる。例文帳に追加

Thus, the free carrier (hole) can be injected and drawn in a uniform state from both sides of the region 4. - 特許庁

チャンネル領域は、ソース及びドレイン間のフィンの両側壁の表面領域にそれぞれ形成される。例文帳に追加

Channel regions are respectively formed in the surface regions of the both side walls of the fin between the source and the drain. - 特許庁

この隙間１８からイオン注入をし、ソース・ドレイン・エクステンション領域１５の側面にのにみハロー領域１９を形成する。例文帳に追加

Ions are implanted from this space 18 so as to form a hole region 19 only at the flank of the source-drain-extension region 15. - 特許庁

Ｎウエル領域５表面部のチャネル領域７の両側にソース１３ｓ及びドレイン１３ｄが形成されている。例文帳に追加

A source 13a and a drain 13d are formed on both sides of the channel region 7 on the surface of the n-well region 5. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴの表面側の素子構造、ソース電極およびチャネルストッパ電極を形成し、基板１の裏面にドレイン電極をする。例文帳に追加

An element structure at the MOSFET surface side, a source electrode and a channel stopper electrode are formed and a drain electrode is provided at the rear of the substrate 1. - 特許庁

この動作方法では書き込みを、チャネルを形成することなくソース側から行うことから、最大動作電圧と消費電力が低い。例文帳に追加

The writing is performed from the source side in this operation method without forming a channel, so that the maximum operating voltage and the power consumption are lower. - 特許庁

半導体基板１の表面層のチャネル領域４の両側に、ソース２及びドレイン３が形成されている。例文帳に追加

At both sides of a channel region 4 of a surface layer of a semiconductor substrate 1, there are formed a source 2 and a drain 3. - 特許庁

スレーブ側のリソースが無用に消費されること、および、マスタからの指令に対するスレーブの応答性が悪化してしまうこと、を防止する。例文帳に追加

To prevent slave resource from being uselessly consumed, and to prevent responsiveness of a slave to a command from a master from being deteriorated. - 特許庁

ソースとドレインはそれぞれ、ゲート１７０ａに対してチャネル１１２の二側面１１２ｂに位置している。例文帳に追加

A source and a drain are respectively positioned at the two side surfaces 112b of the channel 112, with respect to the gate 170a. - 特許庁

その後、ゲート電極部８の側面上にサイドウォール１２を形成した後、ｎ型ソース・ドレイン注入層１３を形成する。例文帳に追加

Thereafter, after a sidewall 12 is formed on the side face of the gate electrode 8, an n-type source/drain injection layer 13 is formed. - 特許庁

ボディ領域１０の表層部において、トレンチ１１の側方には、Ｎ^＋型のソース領域１２が形成されている。例文帳に追加

In a surface layer portion of the body region 10, N^+-type source regions 12 are formed on the sides of the trench 11. - 特許庁

さらにソース・ドレインの高濃度拡散層としてＮ^＋型領域１７がゲート電極１５の領域を隔てて両側に設けられている。例文帳に追加

Furthermore, n^+-type areas 17 are arranged as the heavily doped layer of source/drain at the both sides with the area of a gate electrode 15 interposed. - 特許庁

ゲート電極４の側面に第１のサイドウォール７が形成された後、これらをマスクとしてソース・ドレイン領域８が形成される。例文帳に追加

After first sidewalls 7 are formed at side surfaces of the gate electrode 4, a source-drain region 8 is formed by using these first sidewalls 7 as masks. - 特許庁

トレンチ１４の側壁に接するようにベース層１３の表面に第１導電型のソース層２１が選択的に形成されている。例文帳に追加

First conductivity-type source layers 21 are selectively formed on the surface of the base layer 13 such that they are in contact with the sidewall of the trenches 14. - 特許庁

ゲート１５０ａの両側にはシリサイドよりなるソース／ドレイン１６０が位置し、溝には導電膜１５０ｂが埋め込まれている。例文帳に追加

A source/drain 160 comprising silicide is formed on both sides of the gate 150a, and a conductive film 150b is embedded in the groove. - 特許庁

ゲート電極１５のソース側の素子領域の全体には、フォトダイオードの信号蓄積領域１３が配置される。例文帳に追加

For the entire element region on the source side of the gate electrode 15 a signal storage region 13 of a photodiode is arranged. - 特許庁

さらにロジック信号１４、１５はソースドライバＩＣ１０１の短辺１０４及び表示領域側の長辺１０３に沿って形成されている。例文帳に追加

Bumps 14, 15 for logic signals are formed along short sides 104 of the source driver IC 101 and along a long side 103 nearer to a display region. - 特許庁

ネットワークを介してサーバに送信される大量の要求パケットに対し、サーバ側のリソースの枯渇を阻止する。例文帳に追加

To prevent the depletion of resources at a server side with respect to a large amount of request packets transmitted through a network to the server. - 特許庁

データ処理装置側におけるプリンタ制御ソフトウエアに必要な言語別のリソースファイルの格納容量を最小とすることである。例文帳に追加

To minimize capacity for storing language-sorted resource files necessary for printer control software built in a data processor. - 特許庁

そして、ソース領域３およびドレイン領域１により挟まれ、前記拡散領域２の表面側にチャネル領域８が形成されている。例文帳に追加

A channel region 8, which is pinched by the source region 3 and the drain region 1, is formed on the surface side of the diffusion region 2. - 特許庁

擬似ワイヤを配布する側の装置における擬似ワイヤの無駄なリソースを無くして受信処理能力をできるだけ軽減させる。例文帳に追加

To reduce reception throughput as much as possible by eliminating useless resources of a pseudo wire at a device on a pseudo wire distributing side. - 特許庁

各電極部８，１８の側方に、ｐ型ソース拡散層１０，ｐ型ドレイン拡散層１１及び中間拡散層１２を形成する。例文帳に追加

A p-type source diffusion layer 10, a p-type drain diffusion layer 11 and an intermediate layer 12 are formed sideward of each electrode part 8, 18. - 特許庁

これにより、トンネル膜７の下からトンネル膜７よりもソース層６側にかけて位置するようにドレイン層５を形成する。例文帳に追加

As a result, a drain layer 5 is formed so as to be positioned from under the tunnel film 7 region nearer to a source layer 6 side than the tunnel film 7. - 特許庁

提供側コンピュータシステムは、ステートレスプロトコルを介してリソースへのアクセス要求を受け取ることができる。例文帳に追加

A serving side computer system can receive a request for access to a source via a stateless protocol. - 特許庁

トレンチ溝２２の側面には、ｎ＋型コンタクト領域２が形成され、これはｎ＋型ソース領域１０４に繋がっている。例文帳に追加

An n+ type contact region 2 is formed on the side surface of the trench 22 which leads to the n+ type source region 104. - 特許庁