「ソース側」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ブラウザの管理コンソールで、左側フレームにある「リソース」ノードと「JMS リソース」ノードを展開します。例文帳に追加

In the Admin Console in your browser, expand the Resources node and JMS Resources node in the left frame.  - NetBeans

無線リソース割当制限システム、路側機、無線リソース割当制限方法および無線リソース割当制限プログラム例文帳に追加

WIRELESS RESOURCE ALLOCATION CONTROL SYSTEM, ROAD-SIDE UNIT, WIRELESS RESOURCE ALLOCATION CONTROL METHOD AND WIRELESS RESOURCE ALLOCATION CONTROL PROGRAM - 特許庁

左側にルートリソースの組があります。例文帳に追加

On the left-hand side is the set of root resources.  - NetBeans

半導体記憶装置及びソース側検出回路例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MEMORY AND SOURCE SIDE DETECTING CIRCUIT - 特許庁

無線リソース割当解放システムおよび路側機例文帳に追加

RADIO RESOURCE ALLOCATION RELEASE SYSTEM AND ROADSIDE EQUIPMENT - 特許庁

ソース領域の側方にスペーサーを形成する。例文帳に追加

Spacers are formed to the sides of the source regions. - 特許庁

ソース側選択トランジスタＳＳＴｒは、柱状部から上に延びるソース側柱状半導体層４７ｂ、ソース側柱状半導体層４７ｂを取り囲む第２ソース側ゲート絶縁層４６ｄ、第１ソース側ゲート絶縁層４６ｂ、及び第１ソース側ゲート絶縁層４６ｂを取り囲むソース側導電層４２ｂを備える。例文帳に追加

A source side selection transistor SSTr includes: a source side columnar semiconductor layer 47b extending upward from the columnar portions; a second source side gate insulating layer 46d and a first source side gate insulating layer 46b for surrounding the source side columnar semiconductor layer 47b; and a source side conductive layer 42b for surrounding the first source side gate insulating layer 46b. - 特許庁

ソース側選択トランジスタＳＤＴｒｍｎは、半導体基板Ｂａに対して平行に延びるソース側導電層２２と、そのソース側導電層２２を貫通するように形成されたソース側柱状半導体層２６と、ソース側導電層２２とソース側柱状半導体層２６との間に形成されたソース側ゲート絶縁層２５とを備える。例文帳に追加

The source-side selection transistor SDTmn includes a source-side conductive layer 22 extending in parallel to a semiconductor substrate Ba, a source-side columnar semiconductor layer 26 formed penetrating the source-side conductive layer 22, and a source-side gate insulating layer 25 formed between the source-side conductive layer 22 and source-side columnar semiconductor layer 26. - 特許庁

使用可能な待機リソースの合計数の変更なしに可用性の分配を再配分するため、宛先コンピュータ側の待機リソースは、ソース・コンピュータ側の対応するリソースを使用不可にすることによって使用可能とする。例文帳に追加

Standby resources at a destination computer are made available by rendering corresponding resources at a source computer unavailable so that distribution of the availability may be reapportioned while the aggregate number of available standby resources remains unchanged. - 特許庁

リソース管理プログラム２３とリソース異常制御プログラム２４とを設け、各アプリケーションからのリソース確保の要請に対してはリソース確保処理部２３ｄでリソースの確保を行い、各アプリケーションからのリソース異常に関する問い合わせに対しては、リソース異常制御部２４においてリソース状態テーブル２４ａに記憶された情報を当該アプリケーション側に提供する。例文帳に追加

A resource management program 23 and a resource abnormality control program 24 are provided, a resource securing and processing part 23d secures resources in response to a request for resource securing from each application, and a resource abnormality controlling part 24 offers information stored in a resource state table 24a to an application side for an inquiry about resource abnormality from each application. - 特許庁

電流密度の検証は、ソース側からロード側方向に配線の接続関係を調べて、ソース側に近い配線分岐点から順に行う。例文帳に追加

Current density is successively verified from the wiring branchpoint near a source side by checking the connection relationship of wiring from the source side to the direction of a load side. - 特許庁

ソース側選択トランジスタは、柱状部の上面から上方に延びるソース側柱状半導体層４４ａと、その側面を取り囲むように空隙Ａｇ２を介して形成され、ソース側選択トランジスタの制御電極として機能すソース側導電層４１ａとを備える。例文帳に追加

A source side selection transistor includes a source side post-like semiconductor layer 44a extending upward from the upper surface of the post like part, and a source side conductive layer 41a which is formed so as to enclose the side surface through an gap Ag2 and functions as a control electrode of the source side selection transistor. - 特許庁

ソース／ドレイン電極の下側のポテンシャル障壁を低くして、ソース／ドレイン電極下側の寄生抵抗を低減することを目的とする。例文帳に追加

To reduce a parasitic resistance in the lower side of source/drain electrodes by lowering potential barrier in the lower side of the source/drain electrodes. - 特許庁

ソース側ゲート絶縁層２５は、酸化アルミニウムからなる第２ソース側ゲート絶縁層２５ｂを含む。例文帳に追加

The source-side gate insulating layer 25 includes a second source-side gate insulating layer 25b made of aluminum oxide. - 特許庁

このセンサは、ソースフォロワーゲート両側の第１または第２ソース／ドレイン領域の一側に配置されたピックアップ領域を含む。例文帳に追加

This sensor includes a pickup region positioned on one of first and second source/drain regions on either side of a source follower gate. - 特許庁

また、ソースの下側のｐ型不純物濃度は、チャネル領域のソース側部分のｐ型不純物濃度よりも小さく設定されている。例文帳に追加

The P-type impurity concentration of a lower part of a source is so set as to be lower than that of a source-side part of the channel region. - 特許庁

更に、このメモリセルトランジスタ７のソース側にはソース側選択トランジスタ９が配設されている。例文帳に追加

Further, a source side selective transistor 9 is arranged on the source side of the memory cell transistor 7. - 特許庁

ニュースソース側がジャーナリストに対して行う状況説明例文帳に追加

the explanation that a news source gives to journalists, called briefing  - EDR日英対訳辞書

BPEL 要素の「パレット」は、ソースエディタの右側に表示されます。例文帳に追加

The Palette of BPEL elements opens to the right of the Source Editor.  - NetBeans

Java ソースを編集して、サーバー側の動作 (イベント処理など) を制御します。例文帳に追加

Edit the Java source to control server-side behavior, such as event handling.  - NetBeans

拡散層は、ゲートの両側に形成され、ソースおよびドレインとなる。例文帳に追加

The diffusion layer is formed on both sides of the gate, to be the source and the drain. - 特許庁

ゲート電極の両側にソース及びドレイン領域が配置されている。例文帳に追加

Source and drain areas are located on both sides of the gate electrode. - 特許庁

オーディオ装置は、ＰＣ側の操作でオーディオソースを切り換える。例文帳に追加

The audio unit changes an audio source by the PC side operation. - 特許庁

また、シリコン基板１のソース６０側だけにＰ^-層８０を形成する。例文帳に追加

A P^- layer 80 is formed only on the source 60 side of a silicon substrate 1. - 特許庁

ゲートパターンは前記ソース／ドレイン領域に隣接する側壁を有する。例文帳に追加

The gate pattern has side walls adjacent to the source/drain areas. - 特許庁

ソース線ＳＬは、半導体基板側に並列に複数本設けられる。例文帳に追加

A plurality of source lines SL are provided in parallel in a semiconductor substrate side. - 特許庁

埋め込み型ひずみソース／ドレインを有する側壁ＭＯＳＦＥＴ例文帳に追加

SIDEWALL MOSFET HAVING EMBEDDED STRAIN SOURCE/DRAIN - 特許庁

ソース／ドレイン領域の他方側は基板の平面内にある。例文帳に追加

The other side of the source/drain regions is situated on the flat surface of the substrate. - 特許庁

ソース／ドレイン領域の一方側はトレンチの底壁にある。例文帳に追加

One side of the source/drain regions is situated on the bottom wall of the trench. - 特許庁

Ｎ＋型ソース層４の両側にトレンチ３を形成する。例文帳に追加

Trenches 3 are formed on both the sides of the N+ type source layer 4. - 特許庁

ソース側カウンタは、ＦＩＦＯにおいて利用可能なスペースを追跡する。例文帳に追加

A source side counter tracks space available in the FIFO. - 特許庁

端末側で通信負荷状況を知り、通信リソースの効率を高める。例文帳に追加

To know communication loading conditions at a terminal for improving the efficiency of communication resources. - 特許庁

また、ゲート電極をソース側へ傾けるのが好ましい。例文帳に追加

It is also preferred that the gate electrode is inclined toward the source side. - 特許庁

物理リソースの割当方法、装置、データ受信方法および受信側例文帳に追加

ALLOCATING METHOD AND EQUIPMENT OF PHYSICAL RESOURCE, AND RECEIVING METHOD AND RECEIVING END - 特許庁

各ソース側低抵抗配線１６ａと、ソース駆動用ＩＣ１４とが入力端子配線１９によって接続されており、複数のソース側低抵抗配線１６ａに、駆動用電源電圧およびソース信号が供給されて、駆動用電源電圧およびソース信号が、複数の入力端子配線１９によって、各ソース側駆動用ＩＣ１４に供給される。例文帳に追加

The respective source-side low resistance wires 16a and source driving ICs 14 are connected by input terminal wires 19, and the driving source voltage and source signal are supplied to the plurality of source-side low resistance wires 16a and supplied to the respective source-side driving ICs 14 by the plurality of input terminal wires 19. - 特許庁

容器１の底部側には少なくとも複数のラザニア片５を混合したソース類２を、開口部側には底部側のソース類２と同種又は異種のソース類７を充填してあり、かつ前記両ソース類２、７の間はラザニア３で区分してなることを特徴とする。例文帳に追加

This food is characterized by packing a sauce 2 mixed at least with plural pieces of lasagne 5 on the bottom side of a case 1, and packing the same kind of sauce as the sauce 2 on the bottom side or the different one 7 therefrom on the opening side, and furthermore, dividing both the sauces 2 and 7 by a sheet of lasagne 3. - 特許庁

電力増幅装置は、接地のためのビアホールと接続する接地部と、接地部を接続するソース電極接地導体と、ソース電極接地導体に連結したソース電極と、ソース電極接地導体に接触しない内側ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、内側ソース電極と接地部とを直接接続する接地ブリッジと、を備える。例文帳に追加

The power amplification device comprises: grounding parts connected to via holes for grounding; a source electrode grounding conductor which connects grounding parts; a source electrode coupled to the source electrode grounding conductor; an inner source electrode which is not in contact with the source electrode grounding conductor; a drain electrode; a gate electrode; and a grounding bridge directly connecting the inner source electrode and the grounding parts. - 特許庁

ソースエディタの右側にあるパレット (Ctrl-Shift-8) で「HTML フォーム」を展開し、「フォーム」項目をソースエディタ内の h2 タグのあとにドラッグします。例文帳に追加

In the Palette (Ctrl-Shift-8) located to the right of the Source Editor,expand HTML Forms and drag a Form item to a point after the h2tags into the Source Editor.  - NetBeans

ソースエディタの右側の「パレット」で、「JSP」を展開し、「Bean を使用」項目をソースエディタ内の body タグのすぐ下にドラッグします。例文帳に追加

In the Palette to the right of the Source Editor, expand JSP and drag a Use Bean item to a point just below the body tag in the Source Editor. - NetBeans

ソースエディタの右側の「パレット」で、「HTML フォーム」を展開し、「フォーム」項目をソースエディタ内の h1 タグの下にドラッグします。例文帳に追加

In the Palette on the right side of the Source Editor, expand HTML Forms and drag a Form item below the h1 tags in the Source Editor. - NetBeans

ソースエディタの右側の「パレット」で、「JSP」を展開し、「Bean を使用」項目をソースエディタ内の body タグのすぐ下にドラッグします。 次の値を設定します。例文帳に追加

In the Palette on the right side of the Source Editor, expand JSP and drag a Use Bean item right below the body tag in the Source Editor.Set the following values: - NetBeans

第１ツェナーダイオードＺＤ１は、第１トランジスタＭ１のゲートとソースの間に、カソードがソース側となる向きで配置される。例文帳に追加

A first zener diode ZD1 is arranged between the gate and the source of first transistor M1 such that the cathode faces the source side. - 特許庁

チャネル４は、ソース２およびドレイン３の側面でソース２とドレイン３とを電気的に接続している。例文帳に追加

The channel 4 electrically connects the source 2 with the drain 3 through the side surface of the source 2 and drain 3. - 特許庁

ＦＥＴ２のドレインは二次電池１の正極側と接続され、そのソースはＦＥＴ４のソースと接続される。例文帳に追加

The drain of the FET 2 is connected to the positive pole side of the secondary battery 1 and the source is connected to the source of the FET 4. - 特許庁

ピザ生地ａを搬送するコンベア１の上流側に、前記ピザ生地ａの上面にソースを点在的に掛けるソース掛部２を配置する。例文帳に追加

A sauce-scattering portion 2 for scattering a sauce on the upper side of the pizza dough (a) is disposed on the upstream side of a conveyer 1 for transporting the pizza dough (a). - 特許庁