「ソース側」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

従って、ソース側のオフセット拡散層４ｓの抵抗値が大きくなって、ソース電圧ＶＳが高くなる。例文帳に追加

Therefore, the resistance value of the layer 4s becomes larger and the source voltage VS of the MOS transistor becomes higher. - 特許庁

一方、路側機１０は、無線リソースが割り当てられなかった優先順位が低い車載機の無線リソースを解放する。例文帳に追加

Moreover, the road-side unit 10 releases wireless resources of low-priority on-vehicle units to which the wireless resources are not allocated. - 特許庁

高濃度の第２ソース領域の外側にこれより深く低濃度の第１ソース領域を形成する。例文帳に追加

A first low-concentration source region is formed outside a second high-concentration source region so as to be deeper than the second high-concentration source region. - 特許庁

ガラス基板１１には、各ソース配線１４の下端側とソースドライバ１７とを接続可能な予備配線２１が形成されている。例文帳に追加

Spare wires 21 capable of connecting lower end sides of respective source wires 14 to the source driver 17 are formed on the glass substrate 11. - 特許庁

第二のソース領域１０７Ｂの第二のベース領域１０６との接合面は、第二のソース領域１０７Ｂ側に膨出している。例文帳に追加

The jointing surface of the second source region 107B to the second base region 106 expands to the side of second source region 107B. - 特許庁

一対のソースは第二導電型のウェルの両側に配置され、この一対のソースは第一導電型の深ウェルにより、互いに接続される。例文帳に追加

A pair of sources are arranged at both sides of the second conductive well while the pair of sources are connected to each other by the first conductive type deep well. - 特許庁

多大なリソースを必要とする特定機能をサーバに代行させて、リソース不足のクライアント側の機器で当該特定機能を実行させることにより、クライアント側のリソース不足の弊害を解消させること。例文帳に追加

To eliminate an undesirable resource shortage on the client side by making a server arrogate a specific function requiring a great number of resources performed to make a device on the client side with shortage of resources execute the specific function. - 特許庁

ユーザはソース側選択指示部１６において、ソースデバイスプロファイル入力部１１からのプロファイルの入力、あるいはソースデバイスカラーデータ入力部１３及びソース側測色データ入力部１４からのデバイスカラーデータと測色データの対の入力を選択する。例文帳に追加

A user selects a profile input from a source device profile input 11 or a pair of device color data and colorimetric data inputs from a source device color data input 13 and a source colorimetric data input 14 in a source selection instructor 16. - 特許庁

制御回路ＡＲ２は、消去動作時に、ソース線ＳＬの電圧をソース側選択ゲート線ＳＧＳの電圧よりも所定電位差だけ大きく保ちつつソース線ＳＬの電圧及びソース側選択ゲート線ＳＧＳを昇圧させる。例文帳に追加

The control circuit AR2 is configured to boost the voltages of the source line SL and the source side selection gate line SGS in the erase operation, while keeping the voltage of the source line SL larger than the voltage of the source side selection gate line SGS by a predetermined potential difference. - 特許庁

つまり、センスセルＳｅのＮ＋型ソース層７とセンス側ソース電極膜３１とのコンタクト面積が、メインセルＭａのＮ＋型ソース層７とメイン側ソース電極膜２１とのコンタクト面積よりも小さくなっている。例文帳に追加

More specifically, the contact area between the N+ type source layer 7 of the sense cell Se and a sense side source electrode film 31 is smaller than the contact area between the N+ type source layer 7 of the main cell Ma and a main side source electrode film 21. - 特許庁

左側フレームの「接続ファクトリ」および「接続先リソース」リンクをクリックして、リソースがサーバーに登録されているかどうかを確認し、必要に応じてリソースを変更します。例文帳に追加

Click on the Connection Factories and Destination Resources links in the left frame to check if the resources are registered with the server and if necessary modify the resources. - NetBeans

ソース側ローカルビット線がその両端で接地ノードに結合されるため、メモリセルソース抵抗を低減することができまた、メモリセルのソース抵抗のアレイ内位置依存性を低減することができる。例文帳に追加

Since the source side local bit lines are coupled to a ground node at their both ends, the memory cell source resistance is reduced and the in-array positional dependency of the source resistance of the memory cell is reduced. - 特許庁

液晶パネル１０のガラス基板１１には、上端側がソースドライバ１７に接続されたソース配線１４が多数本形成されるとともに、各ソース配線１４と直交するゲート配線１５が多数本形成されている。例文帳に追加

Many source wires 14 having upper end sides connected to a source driver 17 and many gate wires 15 orthogonal to respective source wires 14 are formed on a glass substrate 11 of a liquid crystal panel 10. - 特許庁

Ｎ^＋層１０は、素子分離領域、Ｐ^＋ソース層９、及びＰ^＋ソース層１１に取り囲まれるように素子形成領域２０の左側端部に設けられ、Ｐ^＋ソース層１１の底部にも設けられる。例文帳に追加

The N^+ layer 10 is provided at the left side end part of the element formation region 20 so as to be surrounded by the element isolation region, the P^+ source layer 9, and the P^+ source layer 11 and also provided at the bottom of the P^+ source layer 11. - 特許庁

これにより、ソース電流Ｉにより、ソース配線層８の直下領域または該ソース配線層８の両側面部のＮ型層１に発生する磁束密度Ｂを高くする。例文帳に追加

A magnetic flux density B is generated in an area directly below the source wiring layer 8 or a N type layer 1 on both side faces of the source wiring layer 8, and increased by a source current I. - 特許庁

上記第１ソース拡散領域部７1Ｓと上記第２ソース拡散領域部７２Ｓとの境界面近傍には、上記ゲート電極１４の上記第２ソース拡散領域部７２Ｓ側の端部が位置する。例文帳に追加

The end of the gate electrode 14 at the side of the second source diffusion region 72S is positioned in the vicinity of a boundary surface between the first and second source diffusion regions 71S and 72S. - 特許庁

受信側は、部分暗号化ソースデータを受信し、この部分暗号化ソースデータにおける暗号文の復号により一部分を復元し、この一部分以外の部分暗号化ソースデータとこの一部分とを連結し、ソースデータを再生する。例文帳に追加

At a reception side, the partial encrypted source data are received, and the portion is decoded by decoding the ciphertext in the partial encrypted source data, and the partial encrypted source data other than this decoded portion are connected to this decoded portion, and the source data are reproduced. - 特許庁

ドレインコンタクトＤＣのドレイン領域２ａに対する接触性を保持することができ、ソース側ではローカルソース線ＬＳＬ１がソース領域２ｂに対して接触する面積をソース領域２ｂ上のシリコン窒化膜１２の残留領域分だけ狭く構成できる。例文帳に追加

A contacting property with a drain region 2a of a drain contact DC can be held, and an area contacting with a source region 2b of a local source line LSL1 is constituted so as to be narrowed by the residual-region section of a silicon nitride film 12 on the source region 2b on the source side. - 特許庁

ＭＦＰ（リソースの借用を要求する側の電子機器）１ａは、自機のリソースを管理し、自機のジョブの実行中に自機のリソースの残量が所定量以下になった場合に、他のＭＦＰ１ｂに対してリソースの借用を要求する。例文帳に追加

An MFP (an electronic apparatus on the side requesting borrowing of resource) 1a manages resource of its own apparatus, and requests the borrow of resource from other MFP 1b when the remaining amount of the resource of its own apparatus becomes less than a predetermined amount during the execution of the job of its own apparatus. - 特許庁

ソース圧送装置２は、ソース容器５４を収容してソース容器５４の外側に液体を満たす密閉容器５３と、この密閉容器５３内の液体の圧力を制御するポンプ５１とを備え、このポンプ５１より液体から密閉容器５３に圧力を加えてソースを圧送する。例文帳に追加

An apparatus 2 for feeding sauce under pressure is equipped with a hermetically sealed container 53 for housing the sauce container 54 and filling liquid on the outside of the sauce container 54 and a pump 51 for controlling pressure of liquid in the hermetically sealed container 53 and pressure is applied from the pump 51 to the hermetically sealed container 53. - 特許庁

送信側は、ソースデータにおける固定メッセージを除くメッセージの内の少なくとも一部分のメッセージの暗号化により暗号文を生成し、この一部分以外のソースデータにこの暗号文を連結した部分暗号化ソースデータを生成し、この部分暗号化ソースデータを送信する。例文帳に追加

At a transmission side, a ciphertext is generated by encrypting at least a partial message in messages excluding a fixed message in the source data, and partial encrypted source data are generated by connecting the ciphertext to any source data other than this partial message, and the partial encrypted source data are transmitted. - 特許庁

Ｐ^＋ソース層１１は、素子分離領域とＰ^＋ソース層９の間にＰ^＋ソース層９と接するように、Ｐ^＋ソース層９の両側に設けられ、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように素子形成領域２０の中央端部に設けられる。例文帳に追加

The P^+ source layer 11 is provided on both sides of the P^+ source layer 9 so as to come into contact with the P^+ source layer 9 between the element isolation region and the P^+ source layer 9, and the end part is provided at the center end part of the element formation region 20 so as to overlap the gate insulating film. - 特許庁

リソース貸与側制御装置１は、ＷＡＮ５からリソース貸与要求を受け取ると、該要求に示された貸与対象のリソース、該リソースの利用内容、および、貸与要求元の情報を含む貸与要求通知メッセージを作成して、予め定められた複数の連絡先に送信する。例文帳に追加

When receiving a resource loan request from the WAN 5, the resource loan side controller 1 prepares a loan request notification message including the resource of the loan object indicated by the request, the utilization contents of the resource and the information of a loan request origin and transmits it to a plurality of predetermined contacts. - 特許庁

ソース文書, 作成側の文書《OLE で, 埋め込むべきオブジェクトを作成した側の文書; cf. destination document》例文帳に追加

a source document  - 研究社 英和コンピューター用語辞典

スイッチング素子３２２のドレイン側はスイッチング素子３０４のソース側に接続されている。例文帳に追加

The drain side of the switching element 322 is connected to the source side of the switching element 304. - 特許庁

そして、積層膜８のソース領域側側部には、第３の絶縁層６が形成される。例文帳に追加

A third insulating layer 6 is formed on a side portion of the source region side of the laminated layer 8. - 特許庁

通信リソース割当て部２０５は、異なるネットワークに収容された端末装置間で通信を行う場合にＤＬリソース管理部２０３及びＭＳリソース管理部２０４に管理されている２つのネットワークの通信リソース割当て状況を参照して送信側及び受信側の両方の端末装置に同一の通信リソースを割当てる。例文帳に追加

When communication is made between terminal apparatuses accommodated in the different networks, respectively, a communication resource allocating unit 205 allocates the same communication resources to both the transmitting and receiving terminal apparatuses referring to statuses of the communication resource allocations in the two networks, managed by the DL resource management unit 203 and the MS resource management unit 204, respectively. - 特許庁

通信リソース割当て部２０５は、異なるネットワークに収容された端末装置間で通信を行う場合にＤＬリソース管理部２０３及びＭＳリソース管理部２０４に管理されている２つのネットワークの通信リソース割当て状況を参照して送信側及び受信側の両方の端末装置に同一の通信リソースを割当てる。例文帳に追加

A communication resource assignment section 205 references the communication resource assignment state of the two networks managed by the DL resource management section 203 and the MS resource management section 204 to assign the same communication resource to both transmitter side and receiver side terminals when the communication between the terminals accommodated in the different networks. - 特許庁

補助巻線Ｔ１ｃと転流側スイッチ素子ＴＲ２のソース端子との接続点に挿入され、ドレイン端子が補助巻線側Ｔ１ｃの一端に接続され、ソース端子が転流側スイッチ素子ＴＲ２のソース端子側に接続された第三の補助スイッチ素子ＴＲ５を備える。例文帳に追加

The unit further includes a third auxiliary switching element TR5, which is inserted into the connection point between an auxiliary winding T1c and the source terminal of the commutation side switching element TR2, wherein a drain terminal is connected to one end of the auxiliary winding side T1c and the source terminal is connected to the source terminal side of the commutation side switching element TR2. - 特許庁

一態様に係る不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ、複数のメモリストリング、ドレイン側選択トランジスタ、ソース側選択トランジスタ、複数のワード線、複数のビット線、ソース線、ドレイン側選択ゲート線、ソース側選択ゲート線、及び制御回路を有する。例文帳に追加

A nonvolatile semiconductor memory device related to one embodiment includes: a memory cell array; a plurality of memory strings; a drain side selection transistor; a source side selection transistor; a plurality of word lines; a plurality of bit lines; a source line; a drain side selection gate line; a source side selection gate line; and a controlling circuit. - 特許庁

このとき、ソース領域（ＳＢＬ１）の少数キャリアであるホールを電荷蓄積膜１２にソース側から注入し、電荷蓄積膜１２のソース側部分１２ｓの電荷量を、電荷蓄積膜の他の部分１２ｄに対し相対的に正極性側にシフトさせる。例文帳に追加

In this process, holes which are minor carriers for the source area (SBL1) are injected into the charge storage film 12 from the source side, and the amount of the charges in the source side parts 12s of the charge storage film 12 is relatively shifted to the positive polarity side 12d for other parts of the charge storage film. - 特許庁

半導体層の側面のうち、ソース電極およびドレイン電極が延びる方向に平行な側面は、ソース電極およびドレイン電極の外側の側面に整合している。例文帳に追加

A side face parallel to a direction in which the source electrode and the drain electrode extend of the side surfaces of the semiconductor layer matches a side face on the outer side of the source electrode and the drain electrode. - 特許庁

ソース側アシストゲート線（ＡＧＳ）およびドレイン側アシストゲート線（ＡＧＤ）それぞれにおいて、ドレイン側およびソース側に電圧供給用のコンタクト（ＡＧＳ＿Ｄ，ＡＧＳ＿Ｓ，ＡＧＤ＿Ｄ，ＡＧＤ＿Ｓ）を設ける。例文帳に追加

In each of a source side assist gate line (AGS) and a drain side assist gate line (AGD), contacts for supplying voltage (AGS_D, AGS_S, AGD_D, AGD_S) are provided at the drain side and the source side. - 特許庁

さらに、ＭＯＳｇｎ３のソース側を第３の信号電圧に接続し、ＭＯＳｇｐ２のソース側をＭＯＳｂｐ３のドレイン側に接続し、ＭＯＳｇｐ２又はＭＯＳｂｎ２のドレイン側を出力節点とする。例文帳に追加

Furthermore, the source side of MOSgn3 is connected with a third signal voltage, the source side of the MOSgp2 is connected to the drain side of the MOSbp3, and the drain side of the MOSgp2 or MOSbn2 serves as the output node. - 特許庁

Ｓ−ＰＣＲＦサーバは、発呼側リソース要求を、発呼側端末が接続する第１のＰ−ＰＣＲＦサーバへ送信すると共に、着呼側リソース要求を、着呼側端末が接続する第２のＰ−ＰＣＲＦサーバへ送信する。例文帳に追加

The S-PCRF server transmits the calling-side resource request to a first P-PCRF server, to which a calling-side terminal is connected, and transmits the called-side resource request to a second P-PCRF server to which a called-side terminal is connected. - 特許庁

ソース側領域とディスティネーション側領域とが重なる部分と、ソース側領域またはディスティネーション側領域との境界を不自然でなくする。例文帳に追加

To make the border of an overlapped part of a source side area and a destination side area with the source side area or the destination side area unnatural. - 特許庁

そのためには、ソースエディタの左側の余白に表示される電球のアイコンをクリックします。例文帳に追加

You can do this by clicking on the lightbulb icon that displays in the left margin of the Source Editor - NetBeans

継承されたメソッドにはすべて、ソースエディタの左側の余白にマークが付きます。例文帳に追加

The Source Editor marks all inherited methods in the the left margin. - NetBeans

ソースエディタの左側の余白には、行ごとに発生した変更が表示されています。例文帳に追加

The Source Editor's left margin shows changes occurring on a line-by-line basis.  - NetBeans

「プロジェクトプロパティ」ダイアログの左側パネルで「ソースのコンパイル」をクリックします。例文帳に追加

Click Compiling Sources in the left panel of the Project Properties dialog box.  - NetBeans

このアプリケーションのサーバー側の処理については、LoginScreenServletExample プロジェクトのソースを参照してください。例文帳に追加

If you'd like to learn more about server side of this application look at the LoginScreenServletExample project sources. - NetBeans

必須プロジェクトの Javadoc とソースは、受け側のプロジェクトからも利用できるようになります。例文帳に追加

The required project's Javadoc and sources are also made available to the receiving project.  - NetBeans

BPEL マッパーのソースツリー区画 (左側の区画)で、「変数」の下の「inputVar」ノードを展開します。例文帳に追加

In the Source tree pane (the left pane) of the BPEL Mapper, under Variables, expand the inputVar node.  - NetBeans

「ソースパッケージフォルダ」の一覧の右側に表示される、「フォルダを追加」ボタンをクリックします。例文帳に追加

Click the Add Folder button that appears to the right of the Source Package Folders list.  - NetBeans

左側のソースツリー区画の name 要素を選択し、ハンドルを連結関数の string2 行にドラッグします。例文帳に追加

Select the name element in the Source tree pane on the left, and drag the handle to the string2 row in the Concat function.  - NetBeans