「ソース側」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

凸部１３ａの側面１３ｂとソース・ドレイン領域ＢＬ１， ＢＬ２とをトンネル絶縁膜１５ａが覆う。例文帳に追加

The side surface 13b of the protruding part 13a and the source/drain regions BL1 and BL2 are covered with a tunnel insulating film 15a. - 特許庁

ソースホロワ回路１４に入力されたＣＭＯＳレベルの論理信号を負電源側へレベルシフトさせる。例文帳に追加

A logical signal of CMOS level inputted to the source follower circuit 14 is shifted in level to the negative power side. - 特許庁

クライアントとサーバ間で通信を行う際に、中継装置のリソース負荷の低減、クライアント側のデータ量課金の削減を行う。例文帳に追加

To reduce a resource load of a repeater and to reduce data quantity charging in a client side, in making communication between the client and a server. - 特許庁

Ｓｉ層１４のうちゲート電極の両側方に位置する領域にはｐ型のソース・ドレイン領域１７が設けられている。例文帳に追加

In parts of the Si layer 14 which are located on both sides of a gate electrode, p-type source and drain regions 17 are formed. - 特許庁

また、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂの拡散層の下側にＰ型基板コンタクト領域１１５ａが形成されている。例文帳に追加

A P-type substrate contact region 115a is formed under a diffusion layer of the N-type low concentration source region 105b. - 特許庁

その後、ベース領域３ａ、３ｂの凹状の側面および底面に、第１導電型のソース領域５ａ、５ｂを形成する。例文帳に追加

Thereafter, first conductivity-type source regions 5a and 5b are formed onto concave side surfaces and bottom surfaces of the base regions 3a and 3b. - 特許庁

樹脂パッケージ２０の第２の側面２４には外部ソース電極として機能する外部リード４５〜４８が配列される。例文帳に追加

Outer leads 45-48 functioning as external source electrodes are arranged on a second side face 24 of the resin package 20. - 特許庁

ＤＭＯＳトランジスタのソース層５の端部は、ゲート電極７の内側のコーナー部７Ａから後退して配置されている。例文帳に追加

An edge portion of a source layer 5 of the DMOS transistor is disposed so as to recede from an inner corner portion 7A of a gate electrode 7. - 特許庁

ソースドレイン領域１４は、サイドウォール１９の外側方に形成されたリセス部１０ａに形成されている。例文帳に追加

The source/drain region 14 is formed at a recess section 10a formed outside the sidewall 19. - 特許庁

この発明は、スイッチトキャパシタ回路４１と、これの入出力側にそれぞれ接続されるソースフォロワ回路４２、４３とからなる。例文帳に追加

The signal processing circuit includes a switched capacitor circuit 41, and source follower circuits 42, 43 connected to input and output sides of this, respectively. - 特許庁

画素電極６２の両側部の端部には、隣接するソース配線５４に重なる張出し部６２a,６２bを設けている。例文帳に追加

Overhang parts 62a and 62b lapping with adjacent source wiring 54 are provided at ends of both side parts of the pixel electrode 62. - 特許庁

凸部１３ａの側面１３ｃとソース・ドレイン領域ＢＬ１， ＢＬ２， ＢＬ３とを覆うようにトンネル絶縁膜を設ける。例文帳に追加

A tunnel insulation film is provided in a manner to cover the side surface 13c of the projected part 13a and the source-drain areas BL1, BL2 and BL3. - 特許庁

第１の内側壁面５ｓ_１に沿うゲート酸化膜６を挟んでゲート電極９に対向する領域にソース領域７が形成されている。例文帳に追加

A source region 7 is formed in a region confronting the gate electrode 9 through the intermediary of the gate oxide film formed along the first inner wall surface 5s_2. - 特許庁

ソース層５５の側からゲート電極５４の下方へ延びたＮ型のボディ層６３が形成されている。例文帳に追加

An n-type body layer 63 extended from the side of a source layer 55 to the lower portion of a gate electrode 54 is formed. - 特許庁

前記第２ボディー部３５０は、第２チャンネル領域３５０ａとその両側に位置した第２ソース／ドレーン領域３５０ｂ、３５０ｃを有する。例文帳に追加

The second body part 350 has a second channel region 350a, and second source/drain regions 350b and 350c located on both its sides. - 特許庁

ゲート引き出し領域は、ソース引き出し領域の外側に設けられ、ゲート電極とゲート配線層とが接続される。例文帳に追加

A gate extending region is provided outside the source extending region, and the gate electrode and a gate interconnect layer are connected. - 特許庁

側面にゲート絶縁膜６が設けられたゲート開口部には、第３のソース層２ｃ、チャネル部７、及びドレイン層８が積層埋設される。例文帳に追加

A third source layer 2c, a channel portion 7 and a drain layer 8 are buried while laminating in the gate opening whose side surface is coated with a gate insulating film 6. - 特許庁

基板１上層のチャネル領域１０の両側にソース領域８とドレイン領域９が形成される。例文帳に追加

A source region 8 and a drain region 9 are formed on both side of a channel region 10 of an upper layer of the substrate 1. - 特許庁

ソース・ドレイン領域１０８は側壁絶縁膜１０５とＬＯＣＯＳ酸化膜１０４との間の領域に形成されている。例文帳に追加

Source-drain regions 108 are each formed in a region located between the side wall insulating film 105 and LOCOS oxide film 104. - 特許庁

次に、相手側更新前端末が、第１のデータチャネルで用いた鍵情報を含むリソース更新応答をサーバへ送信する。例文帳に追加

Then the opposite-side before-update terminal transmits a resource update response including the key information having been used for the first data channel to the server. - 特許庁

ゲート絶縁膜６０は、その下面がソース側エクステンション領域４２およびドレイン領域５０の下面より下に位置する。例文帳に追加

The lower face of the gate insulating film 60 is positioned below lower faces of a source side extension region 42 and a drain region 50. - 特許庁

第１のゲートパッド２０は、ソース電極から外側で前記基板に配置され、第１の先端部３８に接続されている。例文帳に追加

A first gate pad 20 is arranged on the substrate outside the source electrode and is connected to the first tip 38. - 特許庁

ｎ型ＭＯＳトランジスタ７のソース電極は差動増幅器６のマイナス側の入力に接続されている。例文帳に追加

The source electrode of the n-type MOS transistor 7 is connected to the input on the negative side of the differential amplifier 6. - 特許庁

活性領域内に互いに離隔されて側方に沿って形成されたソース領域８０、埋没Ｎ＋領域５６及びドレイン領域８２を有する。例文帳に追加

The EEPROM cell has a source region 80, a buried N + region 56, and a drain region 82, mutually separately formed along the side in an active region. - 特許庁

液晶表示パネル２の奇数行の画素電極２１は、画素電極の左側に配置されたソースラインに接続される。例文帳に追加

Pixel electrodes 21 in odd-numbered rows of a liquid crystal display panel 2 are connected to source lines arranged on the left side of the pixel electrodes. - 特許庁

フェンス値が等しい場合（および特定の値よりも大きい場合）は、制御側リソースは他のメタデータに基づいて決定される。例文帳に追加

When the fence value is equal to and larger than a specific value, a control-side resource is determined based on other metadata. - 特許庁

ゲート電極３６３の両側においてフィン内にソース領域４０３及びドレイン領域４０４が形成される。例文帳に追加

A source region 403 and a drain region 404 are formed in the fin at the opposite sides of the gate electrode 363. - 特許庁

半導体基板１００におけるゲート電極１０３の両側にソース／ドレイン領域１０６が形成されている。例文帳に追加

A source/drain region 106 is formed at both sides of a gate electrode 103 on a semiconductor substrate 100. - 特許庁

第２の基板側の対向電極２７は、ＴＦＴ１００のソース電極６とオーミック接触されている。例文帳に追加

The counter electrode 27 on the second substrate side is brought into ohmic contact with a source electrode 6 in a TFT 100. - 特許庁

復号時の帯域拡張による遅延時間を削減するとともに、復号側のリソースの増加を抑制する。例文帳に追加

To reduce delay time due to band extension during a decoding process and to restrain increase in resource on the decoding side. - 特許庁

これにより、受信側において、ＩＣＡＰアプリケーションがＭＨＥＧ用の高解像度のリソースを利用可能となる。例文帳に追加

Thus, the ICAP application at the receiver side can use a high resolution resource for the MHEG. - 特許庁

無線リソース割当解放システム１の車載機２０は、自車が路車エリア内にいるか否かを示す信号を路側機１０に送信する。例文帳に追加

In-vehicle equipment 20 in a radio resource allocation release system 1 transmits a signal indicating whether the vehicle itself exists in a road-vehicle area to roadside equipment 10. - 特許庁

無線通信システムにおける物理リソースの割当方法、装置、ならびにデータ受信方法および受信側を提供する。例文帳に追加

To provide an allocating method and equipment of a physical resource of a radio communication system, and provide a receiving method and receiving end of the same system. - 特許庁

ｐ型アクティブガード領域１６の内周側は、ｎ型ソース領域１７を有し、ＦＥＴとして機能する。例文帳に追加

The inner peripheral side of the P-type active guard region 16 has an N-type source region 17 and acts as an FET. - 特許庁

電子スイッチ５は、電源の投入時などに、ソースホロワ回路２の入力側を所定時間だけ電気的に接続させる。例文帳に追加

The switch 5 electrically connects an input side of the source follower circuit 2 by a prescribed time in turning on the power. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴ３２，３３のソースが高圧側、グランドに接続され、ＭＯＳＦＥＴ３２，３３のドレインが互いに接続される。例文帳に追加

The sources of the MOSFETs 32 and 33 are connected to a high-voltage side and the ground respectively, and the drains of the MOSFETs 32 and 33 are connected to each other. - 特許庁

ドリフト領域１３の基板１５と反対側にはｐ^＋型インジェクタ領域とｎ^＋型ソース領域１４とが形成されている。例文帳に追加

A p^+-type injector region and an n^+-type source region 14 are formed at an opposite side of the substrate 15 of the drift region 13. - 特許庁

互いに接続されソース及びボディが、ドレンよりはより正の側に高い電圧にバイアスされたＮ−チャネルパワーＭＯＳＦＥＴを製造する。例文帳に追加

An N-channel power MOSFET with its source and body connected together and biased at a high positive voltage with respect to its drain is fabricated. - 特許庁

操作情報が入力されるＰＣ２００が有するコンピューターを、端末側画像生成部２３０と、ソース設定部２２２として機能させる。例文帳に追加

A PC 200 to which operation information is to be input is configured to function as a terminal side image generation unit 230 and a source setting unit 222. - 特許庁

反射電極１１の行方向端部がソース配線１２の端部よりも距離ｔだけ隣接する反射電極側に延出している。例文帳に追加

In this liquid crystal display device, the end part of the row direction of a reflection electrode 11 is more stretched out to the side of an adjacent reflection electrode 11 by a distance (t) than the end part of a source wiring 12. - 特許庁

この活性領域１の周縁部には、ソース電極１４と同電位に固定された内側リング１６が形成されている。例文帳に追加

An inner ring 16 fixed to the same potential as a source electrode 14 is formed at the peripheral edge of the active region 1. - 特許庁

さらに、シリコン基板１のソース６０側だけにポケットインプラを行って、Ｐ^−層８０を形成する。例文帳に追加

Further, pocket implantation is carried out only for the source 60 side of a silicon substrate 1 to form a p^- layer 80. - 特許庁

互いに接続されソース及びボディが、ドレンよりはより正の側に高い電圧にバイアスされたＮ−チャネルパワーＭＯＳＦＥＴを製造する。例文帳に追加

An N-channel power MOSFET is fabricated with its source and body connected together and biased at a positive voltage with respect to its drain. - 特許庁

そして、チャネル領域と高濃度ボディ領域とは、ソース領域及び第１分離領域の下側領域において接続されている。例文帳に追加

The channel region and high concentration body region are connected in a region under the source region and first separation region. - 特許庁

ゲート酸化膜１６の上部は側部より厚くし、ソース電圧印加時にも絶縁状態を維持する。例文帳に追加

The upper part of the gate oxide film 16 is made thicker than the side part thereof, and it is kept insulated when a source voltage is applied thereto. - 特許庁