「ソース側」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

断線箇所１９が判定シート３０における基準領域３１内に位置していた場合のみ、断線が生じたソース配線１４の下端側とソース配線１４とを予備配線２１により接続する修理を行う。例文帳に追加

Only when the disconnection position 19 is within a prescribed reference area 31 of the determination sheet 30, a repair of connecting the lower end side of the disconnected source wire 14 and a source wire 14 by a spare wire 21 is performed. - 特許庁

ゲートドライブ回路５ａのＧＮＤ端子はスイッチング素子４のソース電極４ｂに接続され、同ドライブ回路５ａ側のＧＮＤ電位（基準電位）をスイッチング素子４のソース電極４ｂからとるよう構成される。例文帳に追加

A GND terminal of the gate drive circuit 5a is connected to the source electrode 4b of the switching element 4, and the GND potential (reference electric potential) of the drive circuit 5a side is applied from the source electrode 4b of the switching element 4. - 特許庁

即ち、ソース層５の表面にはシリサイド層１１を形成するが、ソース層５とゲート電極７の内側のコーナー部７Ａの間に露出したボディ層４の表面については、シリサイド層１１を形成していない。例文帳に追加

That is, although the silicide layer 11 is formed on a surface of the source layer 5, the silicide layer 11 is not formed on a surface of a body layer 4, which is exposed between the source layer 5 and the inner corner portion 7A of the gate electrode 7. - 特許庁

ソースチャンバー２４の大気側の表面には光吸収層５０が密着形成され、赤外線ランプ４４からの赤外線が光吸収層６０に吸収されてソースチャンバー２４が２００℃に加熱される。例文帳に追加

A light-absorbing layer is bonded to the surface on the atmosphere side of the source chamber 24, so that infrared rays from an infrared lamp 44 are absorbed by the light-absorbing layer and the source chamber 24 is heated to 200°C. - 特許庁

製作者側になる利用者やリソースごとに、ロジック追加／ロジック実行／データ参照／リソース利用などの許可・排他ポリシーを設定可能とする。例文帳に追加

Permission of logic addition, logic execution, data reference, resource use, etc. and exclusive policies can be set for each of users being the producer side and resource. - 特許庁

ソース２６とドレイン２８と同一の導電型で且つ低濃度である第１不純物拡散領域２０をソース２６とドレイン２８にそれぞれ隣接するようゲート下方側に設ける。例文帳に追加

Each first impurity diffusion region 20 (20A and 20B) of low concentration and of the same conductive type as a source 26 and a drain 28 is provided on the lower side of a gate so as to adjoin the source 26 and the drain 28. - 特許庁

ソース側半導体は高移動度半導体材料で作製され、ドレイン側半導体は低リーク半導体材料で作製される。例文帳に追加

The source side semiconductor is made of a high-mobility semiconductor material, and the drain side semiconductor is made of a low-leakage semiconductor material. - 特許庁

これにより、ソース領域４４側に蓄積する電荷とドレイン領域４６側に蓄積する電荷とを空間的に容易に分離することができる。例文帳に追加

Thus, charges accumulated in the source region 44 and charges accumulated in the drain region 46 are readily separated spatially. - 特許庁

次に、半導体基板の上部領域のゲート電極側壁の外側にはディープソース／ドレイン領域２３０が形成される。例文帳に追加

Then a deep source/drain region 230 is formed in the upper region of the semiconductor substrate outside the side wall of the gate electrode. - 特許庁

側壁スペーサをマスクとして使用して、ゲートの対向する両側のシリコン層に１対のソース／ドレイン領域をイオン注入する。例文帳に追加

Using the sidewall spacers as a mask, ion implantation is performed for a pair of source/drain regions on the both sides of the opposite silicon layers. - 特許庁

プローブの２つの外側の電極は電流のソースとドレインとして動作し、電位差を内側の電極間を介して測定するとよい。例文帳に追加

Two outside electrodes of the probe are operated as a source and a drain of a current, and preferably the potential difference is measured through the interval between inside electrodes. - 特許庁

受け側ＬＳＩ２ではそのソースクロックでデータをサンプリングした後、受け側ＬＳＩ２のシステムクロックに同期化させる。例文帳に追加

In the reception side LSI 2, the data are sampled by the source clock and then synchronized with the system clock of the reception side LSI 2. - 特許庁

ソース側半導体、ドレイン側半導体、およびゲートを含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を提供すること。例文帳に追加

To provide a field effect transistor (FET) including a source side semiconductor, a drain side semiconductor, and a gate. - 特許庁

システムは、ソースボリュームを有する複数の正側記憶装置と、ターゲットボリュームを有する複数の副側記憶装置を有する。例文帳に追加

The system has a plurality of original side storage device having source volume and a plurality of sub side storage devices having target volume. - 特許庁

このゲート電極２３の一側に浅いソース領域２７、他側にドレイン領域２９を形成する。例文帳に追加

A shallow source region 27 is formed at one side of the electrode 23 and drain region 29 is formed at the other. - 特許庁

ピラー層１４，１５は、ドレイン電極１１の側よりもソース電極２０の側の方が不純物濃度が大きい。例文帳に追加

The pillar layers 14 and 15 are higher in impurity concentration on the side of a source electrode 20 than the side of a drain electrode 11. - 特許庁

センスＭＯＳのミラー側トランジスタＴｒ１のドレイン電圧とソース側トランジスタＴｒ２のドレイン電圧とを等しくする。例文帳に追加

Both of the drain voltage of a mirror side transistor Tr1 of a sense MOS and the drain voltage of a source side transistor Tr2 are equalized. - 特許庁

絶縁基板２２上には、導電板２３を挟んで一方の側にソース電極２５が設置され、他方の側にドレイン電極２６が設置されている。例文帳に追加

On the insulating substrate 22, the source electrode 25 is installed on one side across the conductive plate 23 and a drain electrode 26 is installed in the other side. - 特許庁

ｐ型埋込み層２６は、ソース電極１０側からドレイン電極２側に向けて厚みが減少する厚み減少部２４を有している。例文帳に追加

The p-type buried layer 26 has a thickness reduction part 24 in which a thickness is reduced from a source electrode 10 side toward a drain electrode 2 side. - 特許庁

双方向スイッチには、２つのソース領域（13,14）側から上記端子（27,27a,27b）側への電流をそれぞれ許容する２つのダイオード（41,42,43,44）が設けられる。例文帳に追加

In a bidirectional switch, two diodes (41, 42, 43, 44), which permit current flow from two source regions (13, 14) to the terminals (27, 27a, 27b), are prepared respectively. - 特許庁

ドライバの出力は、ハイ側トランジスタのソースとロー側トランジスタのドレインとから取り出す。例文帳に追加

The output of the driver is taken out from a source of the high side transistor and a drain of the low side transistor. - 特許庁

ウェル領域１１において側壁絶縁膜１４の終端近傍から外側にＮ^+ ソース，ドレイン領域１５１が延在している。例文帳に追加

In the well region 11, an N+ source/drain region 152 is stretched outside from the vicinity of the end of the insulating film 14. - 特許庁

前記ＭＯＳトランジスタはドレイン端子が第１の電源ライン側に、ソース端子が第３の電源ライン側に接続される。例文帳に追加

The MOS transistor has a drain terminal connected to the first power line and a source terminal connected to the third power line. - 特許庁

第１および第２積層ゲート２０ａ，２０ｂの、ソース領域２側の側壁にはサイドウォールスペーサが設けられていない。例文帳に追加

On the sidewalls of the first and second laminated gates 20a, 20b which are present respectively on the side of the source region 2, sidewall spacer is not provided. - 特許庁

部分トランジスタＡ１、Ａ２の外側の領域５７Ａ、５７Ａ’を互いに結線してドレインとし、内側の領域５５Ａはソースとする。例文帳に追加

Regions 57A and 57A' outside the partial transistors A1 and A2 are connected each other to form a drain and an inside region 55A is used as a source. - 特許庁

ドレイン側選択ゲート線、及びソース側選択ゲート線には、第１電圧よりも所定の値だけ低い第３電圧を印加する。例文帳に追加

A third voltage which is a predetermined value lower than the first voltage is applied to a drain-side selection gate line and a source-side selection gate line. - 特許庁

次いで、ゲート電極を境にしてＢＰＳＧ８膜をソース拡散層４１側の部分とドレイン拡散層４２側の部分とに分離する。例文帳に追加

Then the BPSG film 8 is separated into a side of a source diffusion layer 41 and a side of a drain diffusion layer 42 with a gate electrode disposed therebetween as an interface therebetween. - 特許庁

そして、半導体層表面に段差構造が形成されないように、ソース側凹部、及びドレイン側凹部に導電薄膜が埋設されている。例文帳に追加

Then a conductive thin film is buried in the source-side recess and drain-side recess not to form a step structure on a semiconductor layer surface. - 特許庁

あるいは、単に通知を行うだけでなく、信号変換リソースの空塞状況を発信側および着信側の双方で検索する。例文帳に追加

Alternatively, not only the notification is performed but also an idle busy state of a signal conversion resource is searched by both a transmitting side and a receiving side. - 特許庁

基板のアクティブ領域にソース／ドレイン不純物領域を形成し、ワードライン４の側面に絶縁膜側壁６を形成する。例文帳に追加

A source and drain impurity region is formed in the active region on the substrate, and an insulating film side wall 6 is formed at the side of the word line 4. - 特許庁

ソース領域４又はドレイン領域５の内側（チャネル側）から下層にかけてｐ^-型拡散層６を延設する。例文帳に追加

A p^- type diffusion layer 6 is formed, so as to be extended to the lower layer from the inner side (channel side) of a source region 4 or a drain region 5. - 特許庁

各メモリセルトランジスタは、ドレイン側にオフセット構造が形成され、ソース側に非オフセット構造が形成される。例文帳に追加

For each memory cell transistor, an offset structure is made on the side of the drain, and a non-offset structure is made on the source side. - 特許庁

ゲートドライバ１２４は、走査線１２３を、ソースドライバＩＣ１３１に近い側から離れた側へと走査する。例文帳に追加

A gate driver 124 scans a scanning line 123 from a side proximate to a source driver IC 131 to a side distant therefrom. - 特許庁

制御ゲート５１２′はスペーサ形状を有し、ソース側スペーサ５２８は電荷保存領域と制御ゲート５１２′の側壁に位置する。例文帳に追加

The control gate 512' has a spacer shape, and the spacer 528 on a source side is located on the side wall of the charge save area and the control gate 512'. - 特許庁

ゲート電極のゲート長方向の一方の側にはソース領域が形成されており、他方の側にはドレイン領域が形成されている。例文帳に追加

A gate electrode is formed inside and above the trench portion with an insulating film therebetween. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴ３のドレインは、電池正極側端子１に接続され、そのソースは、デバイス側端子２に接続される。例文帳に追加

The drain of a MOSFET 3 is connected to a terminal 1 in the positive pole side of a battery and a source thereof is connected to a terminal 2 in the device side. - 特許庁

したがって、電力信号線はＩＣチップをブリッジし、ＩＣ１４の出力側（ソース信号線１８との接続側）に出力される。例文帳に追加

Accordingly, the power signal line bridges the IC chip 14 and is outputted to the output side (the connection side to a source signal line 18) of the IC 14. - 特許庁

または、ソース領域２４側とドレイン領域２５側の両方に低濃度ドーパント領域２７を形成し、ソース領域２４側の低濃度ドーパント領域２７よりも、ドレイン領域２５側の低濃度ドーパント領域の方を長くした非対称ＬＤＤ構造としてもよい。例文帳に追加

Or non-symmetrical LDD structure forming low density dopant areas 27 is also available on both the source area 24 side and drain area 25 side, so that the low density dopant area 27 of the drain area 25 side is longer than the low density dopant area 27 of the source area 24 side. - 特許庁

また、ソース領域102のゲート電極側端部およびゲート電極のソース領域102側端部の間の距離ｘ_1、ドレイン領域103のゲート電極側端部およびゲート電極のドレイン領域103側端部の間の距離ｘ_2を、いずれも１〜２０ｎｍとする。例文帳に追加

Besides, both a distance x1 between the gate electrode side terminal part of a source area 102 and the source area 102 side terminal part of a gate electrode and a distance x2 between the gate electrode side terminal part of a drain area 103 and the drain area 103 side terminal part of the gate electrode is made into 1 to 20 nm. - 特許庁

オフセット拡散層４ｄ、４ｓの濃度及び深さはソース側とドレイン側では同じであるが、そのサイズは、ソース側のオフセット拡散層４ｓではドレイン側のオフセット拡散層４ｄに比べて大きく設定される。例文帳に追加

While the concentrations and depths of the source- and drain-side offset diffusion layers 4d and 4s of a high-breakdown voltage MOS transistor are made equal to each other, the size of the source-side offset diffusion layer 4s is made larger than that of the drain-side offset diffusion layer 4d. - 特許庁

ゲート電極９は、斜め方向からの成膜に起因してソース側で膜厚が厚く、ドレイン側で膜厚が薄くなっており、膜厚の厚いソース側では白金拡散１０が深くされ、膜厚の薄いドレイン側では白金拡散１０が浅くされている。例文帳に追加

The film thickness of the gate electrode 9 is formed large on a source side and is formed thin on a drain side due to the film formation from the oblique direction, a platinum diffusion 10 is made deep in the source side of the thick film thickness and the platinum diffusion 10 is made shallow on the drain side of the thin film thickness. - 特許庁

ソース側のデバイスのデバイスプロファイルおよびデスティネーション側のデバイスのデバイスプロファイルからソース側の画像を観察する際の部分順応点およびデスティネーション側の画像を観察する際の部分順応点を算出する(S702)。例文帳に追加

In the color processing apparatus, a partial matching point in observing a source-side image and a partial matching point in observing a destination-side image from a device profile of a source-side device and a device profile of a destination-side device are calculated (S702). - 特許庁

ビット線側選択トランジスタの２本の選択ゲート線ＳＧＤ１、ＳＧＤ２、ソース線側選択トランジスタの２本の選択ゲート線ＳＧＳ１、ＳＧＳ２は、それぞれビット線６４本おきに短絡され、ビット線側選択ゲート線ＳＧＤ、ソース線側選択ゲート線ＳＧＳとなっている。例文帳に追加

Two selection gate lines SGD1, SGD2 of bit line side selection transistors, and two selection gate lines SGS1, SGS2 of source line side selection transistors are separately short-circuited every 64 lines of the bit lines to form bit line side selection gate lines SGD and source line side selection gate lines SGS. - 特許庁

受信端子側に接続される受信端子側トランジスタ５０ａのソースコンタクト１７２およびドレインコンタクト１８２間の距離Ｌｒは、送信端子側に接続される送信端子側トランジスタ５０ｃのソースコンタクト１７２およびドレインコンタクト１８２間の距離Ｌｔよりも長い。例文帳に追加

A distance Lr between the source contact 172 and the drain contact 182 of a reception terminal side transistor 50a connected on a reception terminal side is larger than a distance Lt between the source contact 172 and the drain contact 182 of a transmission terminal side transistor 50c connected on a transmission terminal side. - 特許庁

チャネル層２８に生成された２ＤＥＧ３６がソース側（ソース電極３３側）ではチャネル層２８の中心に、且つ、ドレイン側（ドレイン電極３４側）ではチャネル層２８の中心から下にずれて位置するＨＥＭＴを含んでいる。例文帳に追加

A HEMT is provided in which a 2 DEG 36 formed in a channel layer 28 is positioned at the center of the channel layer 28 on the source side (source electrode 33) and is positioned lower than the center of the channel layer 28 on the side of the drain (drain electrode 34). - 特許庁