「ソース側」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

発側のノードから着側のノードとその間の経路に設置された中継ノードからなるネツトワークにおいて、発側のノードから、経路上のリソースを確保するためのリクエストと当該リソースの確保が困難である場合を想定したアクションとを送出する。例文帳に追加

In the network composed of an out node, an in node and a relay node installed in a route between these nodes, a request for securing a resource on the route and an action estimating the case of difficult securing of the relevant resource are sent from the out node. - 特許庁

シンク側無線転送装置３０１は、シンク機器１０１から取得される物理アドレスにソース側無線転送装置毎に異なる値を付加することによって複数の物理アドレスを生成し、生成された物理アドレスそれぞれをソース側無線転送装置それぞれに無線送信する。例文帳に追加

A sink-side wireless transfer device 301 generates multiple physical addresses by adding a different value to a physical address obtained from a sink unit 101, for each source-side wireless transfer device, and the sink-side wireless transfer device wirelessly transmits the generated physical addresses to the respective source-side wireless transfer devices. - 特許庁

上記ソース／ドレイン接合領域１７,１８の厚さがチャネル領域１９よりも厚く、かつ、各ＬＤＤ領域１５aの厚さがチャネル領域１９側からソース接合領域１７側およびドレイン接合領域１８側に向かって夫々徐々に厚くなるように連続的に変化する。例文帳に追加

The source/drain junction regions 17 and 18 are thicker than that of the channel region 19, and the thicknesses of the LDD regions 15a change so as to have each gradually, continuously increase starting from the channel region 19 toward the source junction region 17 and the drain junction region 18. - 特許庁

エラーアンプＥＡの入力側に第１のソースフォロワ回路３を追加設置し、第１位相補償回路１と第２の位相補償回路２によって帰還信号に対して位相補正を施す回路位置を、第１のソースフォロワ回路３の入力側と出力側とに分離する。例文帳に追加

A first source follower circuit 3 is additionally installed on the input side of an error amplifier EA, and a first phase compensation circuit 1 and a second phase compensation circuit 2 perform phase correction at the input side and output side of the first source follower circuit 3, respectively. - 特許庁

また、これと並行して、送り側LSI10 は、デファイナ信号（外部クロックの１／ｍの周波数を有しデューティ比が１：ｍ−１の信号）を送り側システムクロックに同期させたソースクロックを生成し、ソースクロック線40を介して受け側ＬＳＩ20へ送る。例文帳に追加

In parallel to this, the LSI 10 generates a source clock by making a definer signal (a signal having 1/m frequency of an external clock and 1:m-1 duty ratio) synchronize with the system clock on the sending side and sends it to the LSI 20 through a source clock line 40. - 特許庁

シンク側無線転送装置３０１は、シンク機器１０１から取得される物理アドレスにソース側無線転送装置毎に異なる値を付加することによって複数の物理アドレスを生成し、生成された物理アドレスそれぞれをソース側無線転送装置それぞれに無線送信する。例文帳に追加

A sink-side wireless transfer apparatus 301 generates physical addresses by adding values, which are different between source-side wireless transfer apparatuses, to a physical address received from a sink device 101, and transmits the generated physical addresses to the source-side wireless transfer apparatuses, respectively. - 特許庁

延在するゲートＧの両側にドレインＤ及びソースＳが配置されたストライプ状のトランジスタセルを複数有するＭＯＳトランジスタＴｒであって、 前記トランジスタセルを複数含み、ソースＳが両端に配置されたトランジスタセルブロックＣＢを複数有し、 該トランジスタセルブロックＣＢの両端の前記ソースＳの外側に、延在するバックゲートＢＧが配置されたことを特徴とする。例文帳に追加

There is provided a MOS transistor Tr having plural stripe shaped transistor cells in which drains D and sources S are arranged at both sides of extending gates G, characterized by arranging a back gate BG which includes the plural transistor cells and has plural transistor cell blocks CB to whose both ends the sources S are arranged and extends outside the sources S at both ends of the transistor cell block CB. - 特許庁

第２の初段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５３のゲート端子を入力側伝送線路２に接続し、ドレイン端子を第２の後段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５４のゲート端子に接続し、第２の後段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５４のドレイン端子を出力側伝送線路４に接続し、ダーリントン増幅器を構成する。例文帳に追加

A Darlington amplifier is constituted by connecting a gate terminal of a second primary stage source grounding MOSFET 53 with a transmission track 2 on the input side, connecting a drain terminal with a gate terminal of a second rear stage source grounding MOSFET 54 and connecting a drain terminal of the second rear stage source grounding MOSFET 54 with a transmission track 4 on the output side. - 特許庁

第１の初段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５１のゲート端子を入力側伝送線路１に接続し、ドレイン端子を第１の後段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５２のゲート端子に接続し、第１の後段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５２のドレイン端子を出力側伝送線路３に接続し、ダーリントン増幅器を構成する。例文帳に追加

A Darlington amplifier is constituted by connecting a gate terminal of a first primary stage source grounding MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) 51 with a transmission track 1 on the input side, connecting a drain terminal with a gate terminal of a first rear stage source grounding MOSFET 52 and connecting a drain terminal of the first rear stage source grounding MOSFET 52 with a transmission track 3 on the output side. - 特許庁

これにより、セルの電流キャラクタライズ時に電源ソースからセルに流れる電流Ｉ１が、電源ソース側からだけではなく、電源側負荷容量Ｃｐからも供給される形になり、電源ソースから供給される電流Ｉ１が小さくなり、実際の電流経路により近い状況をモデル化できる。例文帳に追加

Thus, a current I1 flowing from a power source to the cell when performing current characterization of the cell is supplied not only by the power source side but also by the power source side load capacitances Cp, the current I1 to be supplied by the power source becomes small, and a situation which is closer to a real current path can be modelled. - 特許庁

ネットワークシステムにおいて、（リソースの）利用側機器が、（リソースの）保有側機器のリソースが使用中であるために、あるコンテンツの視聴や録画を行うことができなかった場合に、該当のコンテンツの視聴や録画が可能になった時点で、ユーザに報知したり、該当のコンテンツの視聴や録画を自動的に開始することができるようにする。例文帳に追加

To provide a network system in which, when it becomes possible to view or record contents when a user side apparatus (of a resource) in the network system cannot view or record the contents because the resource of a possessor side apparatus (of the resource) is in use, a user is informed of the above state or the user side apparatus automatically starts viewing or recording of the corresponding contents. - 特許庁

クライアント側のソースツリーの状態・ 設定ファイルの指定に従い、サーバによって更新情報が素早く生成されます。例文帳に追加

Updates are generated on the fly by the server, according to what you have and what you want to have.  - FreeBSD

これらの文字の 1 つを入力すると、ソースエディタが自動的に対応する閉じる側の文字を挿入します。例文帳に追加

When you type one of these characters, the Source Editor automatically inserts the closing character.  - NetBeans

大括弧、小括弧、引用符の閉じる側の文字が自動的に補完される機能がソースエディタに追加されました。例文帳に追加

TheSource Editor now automatically closes all open parentheses, brackets,and quotes.  - NetBeans

開いている任意のドキュメントのタブをソースエディタの左側または底部にドラッグ ドロップすると、複数のドキュメントを一度に表示できます。例文帳に追加

Drag and drop any open document tab to the bottom or left margin of the Source Editor to viewmultiple documents at once. - NetBeans

ソースツリー区画は左側にあり、ビジネスプロセスのデータ変数やパートナーリンクにアクセスするためのツリーコンポーネントを含みます。例文帳に追加

The source tree pane is placed on the left and contains a tree component that provides access to a business process's data variables and partner links. - NetBeans

ソースエディタの右側の余白には、上から下に向かって、ファイル全体に行われた変更の概要が表示されます。例文帳に追加

The Source Editor's right margin provides you with an overview that displays changes made to your file as a whole, from top to bottom. - NetBeans

ソース行がルーチンの一部である場合は、ルーチンの残りの行を実行して、ルーチンの呼び出し側に制御を返します。 一時停止。例文帳に追加

If the source line is part of a routine, executes the remaining lines of the routine and returns control to the caller of the routine.  - NetBeans

ソースエディタ区画間のドキュメントの移動。 ドキュメントのタブをつかんで、受け側区画のタブの並びにドラッグします。例文帳に追加

Move documents between Source Editor partitions.Grab the document tab and drag it to the row of tabs in the destination partition.  - NetBeans

関数の呼び出し側はウィジェット内で使われているリソース表現型に基づき、この領域の割り当てと解放を行わなければならない。例文帳に追加

It is the caller'sresponsibility to allocate and deallocate this storage according to the size of the resource representation type used within the widget. - XFree86

ゲート電極４の両側における半導体基板１には、ソース・ドレイン領域８が形成されている。例文帳に追加

Source/drain regions 8 are formed on both sides of the gate electrode 4 of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

半導体層の上に、ゲート電極から相互に反対側に離れて、ソース電極及びドレイン電極が形成されている。例文帳に追加

A source electrode and a drain electrode are oppositely formed on the semiconductor layer so as to be spaced apart from the gate electrode. - 特許庁

ソース電極とドレイン電極との間の、上側電子供給層の上に、ゲート電極が配置されている。例文帳に追加

Between the source electrode and the drain electrode, a gate electrode is arranged on the upper side electron supply layer. - 特許庁

半導体基板１の表面中であって、ゲート電極４の両側にソース／ドレインを形成するための不純物イオンを注入する。例文帳に追加

Impurity ions are implanted onto both sides of the electrode 4 on the surface of the substrate 1 to form a source and a drain. - 特許庁

ゲート電極の両側に、電子走行層とオーミック接続されたソース電極及びドレイン電極が配置されている。例文帳に追加

A source electrode ohmic-connected to the electron transit layer and a drain electrode are arranged on both sides of the gate electrode. - 特許庁

導電性スペーサ及びダミースペーサの外側のシリコン基板内にはソース及びドレイン領域が形成されている。例文帳に追加

In addition, source and drain regions are formed in the silicon substrate on the outside of the conductive spacer and dummy spacer. - 特許庁

フェンス値が等しい場合（および特定の値よりも大きい場合）は、制御側リソースは他のメタデータに基づいて決定される。例文帳に追加

When the fence value is equal to and larger than a specific value, the control-side resource is determined based on other metadata. - 特許庁

ドレイン／ソース領域とゲート電極の上面および露出した側壁部を覆うように金属膜を堆積させる。例文帳に追加

A metal film is deposited to cover the tops of the drain/source regions and the gate electrode and the exposed sidewalls. - 特許庁

浮遊ゲートＦＧの両側に対応する半導体基板１１内にソース又はドレイン領域としての拡散層Ｓ／Ｄが形成されている。例文帳に追加

A diffusion layer S/D for use as a source or drain region is formed in the semiconductor substrate 11 corresponding to both sides of the floating gate FG. - 特許庁

半導体層４のチャネル領域の両側にソース電極５及びドレイン電極６が配置され、ＴＦＴが形成されている。例文帳に追加

On both sides of the channel area of the semiconductor layer 4, a source electrode 5 and a drain electrode 6 are arranged to form a TFT. - 特許庁

半導体層１１ｂの両側には、ｎ＋Ｓｉ層１１ｃを介してソース電極１１ｄとドレイン電極１１ｅとが形成される。例文帳に追加

A source electrode 11d and a drain electrode 11e are formed on both sides of the semiconductor layer 11b via an n+Si layer 11c. - 特許庁

次に基板８１に対して斜めにイオン注入し浅いソース−ドレイン拡散層１３１をゲート側壁１０１下に形成する。例文帳に追加

Then ions are implanted obliquely into the substrate 81, to form a shallow source/drain diffusion layer 131 under the gate sidewall 101. - 特許庁

コンタクト層５の上からメサ部の側面上に亘って、ソース電極層６およびドレイン電極層７が形成されている。例文帳に追加

A source electrode layer 6 and a drain electrode layer 7 are formed from the upper part of the contact layer 5 to the lower part of the side surface of the mesa part. - 特許庁

ソース領域１０とドレイン領域１１との間の単結晶シリコン層３の表面側はチャネル層３ａとして機能する。例文帳に追加

The surface side of the single-crystal silicon layer 3 between the source region 10 and the drain region 11 functions as a channel layer 3a. - 特許庁

浮遊ゲートＦＧの両側に位置する半導体基板１１内にソース又はドレイン領域としての拡散層が形成されている。例文帳に追加

Diffusion layers as source or drain regions are formed in the semiconductor substrates 11 positioned on both sides of the floating gate FG. - 特許庁

ゲート部とソース・ドレイン部とを有する半導体素子であって、ゲート部は、ゲート電極の側部にサイドウォールを備える。例文帳に追加

In a semiconductor element having a gate and a source/drain, the gate is provided with a side wall at the side of the gate electrode. - 特許庁

ソース／ドレイン領域が積層ゲート電極６のＹ方向両脇で且つシリコン酸化膜８の上側に形成されている。例文帳に追加

A source/drain region is formed on both sides of the Y direction of a laminated gate electrode 6 and on the upper side of the silicone oxide film 8. - 特許庁

ソース／ドレイン電極の下側のポテンシャル障壁を低くすることにより、寄生抵抗の増大を防止することを目的とする。例文帳に追加

To prevent increase in parasitic resistance by lowering potential barrier in the lower side of source/drain electrodes. - 特許庁

また、ソース電極１７は、切欠部７およびその両側の領域における画素電極２の下辺部のほぼ全域と重ね合わされている。例文帳に追加

Further, a source electrode 17 is superposed on nearly the entire area of the lower-side part of pixel electrodes 2 in the notched part 7 and areas on both its sides. - 特許庁

ゲート電極１３両側近傍の半導体領域１１にＮ型の不純物領域で構成されるソースＳ、ドレインＤ設けられている。例文帳に追加

A source S and a drain D comprising an N type impurity region are provided in the semiconductor region 11 in the vicinity of both sides of the gate electrode 13. - 特許庁

ダイオード６のカソードはＦＥＴ２のソースと接続され、そのアノードは二次電池１の負極側と接続される。例文帳に追加

The cathode of a diode 6 is connected to the source of the FET 2 and the anode is connected to the negative pole side of the secondary battery 1. - 特許庁

これによりスペーサのエッジと２つのソース・ドレイン領域１０のエッジとを幅方向両側で離す。例文帳に追加

Consequently, the edge of the spacer and the edge of the source-drain region 10 are separated on both the sides in the width direction. - 特許庁

エピタキシャル層３において、その表面３１およびコンタクトトレンチ１１の側面１２に沿うソース領域９を形成する。例文帳に追加

The epitaxial layer 3 has a source region 9 formed along its surface 31 and a side surface 12 of the contact trench 11. - 特許庁

シリコン基板１００におけるゲート電極１０３の両側にソース・ドレイン領域となる不純物拡散層１０９が形成されている。例文帳に追加

On both sides of the gate electrode 103 on the silicon substrate 100, an impurity diffusion layer 109 is formed as grown up to source and drain regions. - 特許庁

さらに、ゲート電極２２の両側部における活性領域３１にソース・ドレイン領域３０を形成する。例文帳に追加

Furthermore, a source-drain area 30 is formed in the active area 31 on both sides of the gate electrode 22. - 特許庁