「ソース側」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

コンタクト部７５ｃを形成しているソース電極７５の上側の膜面は平坦面を有し、その平坦面上で、ソース電極７５とアノード電極７８がコンタクト部７８ｃとして接続されている。例文帳に追加

A film face on the upper side of the source electrode 75 forming the contact portion 75c has a flat face, and the source electrode 75 and the anode electrode 78 are connected as the contact portion 78c on the flat face. - 特許庁

ＣＮＴＦＥＴの両極性の性質を克服するために、ソース／ドレイン・ゲート１２５が、ソース／ドレイン電極１０５と反対の側のＣＮＴ１１０の下に導入される。例文帳に追加

In order to overcome the ambipolar properties of a CNTFET, source/drain gates 125 are introduced below a CNT 110 opposite source/drain electrodes 105. - 特許庁

配向層形成装置１０は、イオンビーム２８を生成するイオンソース１２と、基板２４とイオンソース１２との間に設けられる１つまたは複数のマスク２０と、を含み、マスク２０は基板側に反射面３４を有する。例文帳に追加

The apparatus 10 for forming an alignment layer has an ion source 12 generating an ion beam 28 and one or more masks 20 disposed between a substrate 24 and the ion source 12, wherein the mask 20 has a reflective surface 34 in the substrate side. - 特許庁

側壁膜を形成したゲート電極に対し自己整合的に第１導電型不純物をイオン注入し、第１のソース・ドレイン領域より深い深さを有する第２のソース・ドレイン領域（２１ｐ、２１ｎ）を形成する。例文帳に追加

Second source-drain regions (21p, 21n) deeper than the first source-drain regions are formed, by implanting ions of the first conductivity impurity, in a self-aligned manner to the gate electrode with the sidewall film formed therein. - 特許庁

トランスコンダクタンス増幅器１３は、ソースフォロワ回路１２の出力電圧を出力電流に変換し、この出力電流をソースファロア回路１２の入力側に帰還する。例文帳に追加

The transconductance amplifier 13 converts the output voltage of the source follower circuit 12 to an output current and feeds this output current back to the input side of the source follower circuit 12. - 特許庁

かさ上げ層７をソース信号配線２とアレイ基板１との間に形成することによって、ソース信号配線２の側面の逆テーパ状の窪みを原因とした、保護膜３のステップカバレッジの悪化を抑制する。例文帳に追加

By forming the banked layer 7 between the source signal line 2 and the array substrate 1, the deterioration of step coverage of a protective film 3 caused by a reverse-tapered hollow on a side surface of the source signal line 2 is suppressed. - 特許庁

ソース・ドレイン１０が形成される薄膜Ｓｉ層５を、ゲート電極８直下の領域からソース・ドレイン１０側の領域に向かって湾曲させる。例文帳に追加

A thin-film Si layer 5 with a source-drain 10 formed thereon is curved toward a region on source-drain 10 sides from a region extremely under a gate electrode 8. - 特許庁

第２トレンチ５の側壁に形成されたｐ^+高濃度コンタクト領域６に接し、かつｎ^+ソース領域４に接するように、ソース電極１１を形成する。例文帳に追加

A source electrode 11 is so formed as to contact with the p^+ high-concentration contact region 6 formed on the side wall of the second trench 5 and further to contact with the n^+ source region 4. - 特許庁

このトランジスタはソース／ドレイン領域の下部と直接接触し、ソース／ドレイン領域各々の下部でゲートパターンに垂直に整列された側壁を有する酸化膜パターンを有する。例文帳に追加

The transistor directly contacts to the lower portions of the source/drain areas, and has an oxide film pattern having side walls vertically aligned to the gate pattern on each lower portion of the source/drain areas. - 特許庁

有効表示領域４５の最も外側に位置する最外ゲートバス配線４６および最外ソースバス配線４８をゲートバス配線４４およびソースバス配線４７よりも幅広に形成する。例文帳に追加

The outermost gate bus line 46 and the outermost source bus line 48, located on the outermost side of an effective display region 45, are formed with breadths wider than those of gate bus lines 44 and source bus lines 47. - 特許庁

ＳｉＧｅソース／ドレイン層、ひずみＧｅチャネル層、ＳｉＧｅソース／ドレイン層を積層し、側壁にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する。例文帳に追加

An SiGe source/drain layer, a strain Ge channel layer, and an SiGe source/drain layer are formed in layers and a gate electrode is formed on the sidewall through a gate insulation film. - 特許庁

例えば、ソース領域の外側にＰ^＋拡散層８を形成して、このＰ^＋拡散層によって予め規定された距離だけソース領域を素子分離用酸化膜から離間する。例文帳に追加

A P^+ diffusion layer 8 is formed outside the source region and the P^+ diffusion region detaches the source region from the oxidized film for element isolation by the previously predetermined distance. - 特許庁

本発明の有機FETでは、ソース電極３およびドレイン電極５の上面に絶縁層４と第一の有機分子層６を、ソース電極３およびドレイン電極５の側面に第二の有機分子層７を挿入する。例文帳に追加

In the organic FET, an insulation layer 4 and a first organic molecular layer 6 are inserted into the upper surfaces of a source electrode 3 and a drain electrode 5, and a second organic molecular layer 7 is inserted into the side surfaces of the source electrode 3 and the drain electrode 5. - 特許庁

各コンテンツソースが画面上の表示領域（位置・大きさ）を指定できるようにすること、ユーザによる表示装置におけるコンテンツへの変更と、コンテンツソース側でのコンテンツ変更を差分情報だけで処理できるようにする。例文帳に追加

To enable each content source to specify a display area (position and size) on a screen, and to enable a user to process the content in the display apparatus. - 特許庁

ソース電極６およびドレイン電極７は、活性層４上のソース・ドレイン領域５から活性層４の外部に導出されており、活性層４の側壁と接触する部分を有している。例文帳に追加

A source electrode 6 and a drain electrode 7 are led out from a source/drain region 5 on an active layer 4 to the outside of the active layer 4, and have parts which are in contact with a side wall of the active layer 4. - 特許庁

前記コンタクト領域は、ソース領域を貫いたトレンチを前記トレンチＭＯＳ構造に対して垂直に形成し、側壁部でソースコンタクトを底部でｐウエルのコンタクトをとる。例文帳に追加

The contact region contacts a source on a sidewall part and contacts a p-well on a bottom part by forming the trench penetrating a source region vertically to the trench MOS structure. - 特許庁

また、ｐＭＯＳのソースをハイレベル、ｎＭＯＳのソースをロウレベルに接続し、ｐＭＯＳの片側ゲート２６の電子親和力を増やし、ＮＯＲゲートを構成する。例文帳に追加

Moreover, a NOR gate is constituted by connecting the source of pMOS to the high level, and the source of nMOS to the low level in view of increasing electron affinity of single gate 26 of the pMOS. - 特許庁

また、ｐＭＯＳのソースをハイレベル、ｎＭＯＳのソースをロウレベルに接続し、ｎＭＯＳの片側ゲート２２の電子親和力を減らし、ＮＡＮＤゲートを構成する。例文帳に追加

Moreover, a NAND gate is constituted by connecting the source of pMOS to the high level and connecting the source of nMOS to the low level in view of lowering electron affinity of single gate 22 of the nMOS. - 特許庁

バンドギャップ回路１０ａを構成するＮＭＯＳトランジスタ１５におけるゲートとソースもしくはソース側の電源配線（接地）との間に容量素子Ｃ１を備える。例文帳に追加

A capacitative element C1 is provided between a gate and a source in an NMOS transistor 15 constituting the bandgap circuit 10a, or between the gate and power supply wiring (ground) of the source side. - 特許庁

ユーザが端末装置３１を操作することで、接続要求がリソース側に送られ、リソースに設けられたインジケータ２１が、乱数発生器等で決められた時間の間隔で点滅（第１のオン／オフパターン）する。例文帳に追加

When a user operates a terminal 31, a connection request is sent to the resource side and an indicator 21 provided in the resource is turned on/off at a time interval determined by such as a random number generator (first on/off-pattern). - 特許庁

次いで、ゲート１をキャップ膜７で保護しながらマスク層で保護されていないソース・ドレイン材料膜１２を除去し、ゲート１の両側にソース・ドレイン材料膜１２を残す。例文帳に追加

Then, the source-drain material film 12 not protected by the mask layer is removed while the gate 1 is protected with the cap film 7 and thereby the source-drain material films 12 are left in both sides of the gate 1. - 特許庁

すなわち、コンタクトプラグ１５は、ソース領域９の表面だけでなく、ソース領域９に形成された溝１１の底面および側面と接触している。例文帳に追加

More specifically, the contact plug 15 is in contact with not only the surface of the source region 9, but also the bottom and side surfaces of the groove 11 formed in the source region 9. - 特許庁

ゲート電極３０のソース側の基板にはチャネル領域となるＰ型拡散層３２が形成され、Ｐ型拡散層３２内の基板にはソース拡散層３４が形成されている。例文帳に追加

A P-type diffusion layer 32 as a channel region is formed to the substrate on the source side of the gate electrode 30, and a source diffusion layer 34 is formed on the substrate in the P-type diffusion layer 32. - 特許庁

この「リッジ状」とは、１つの上面と、第１ソース／ドレイン領域と第２ソース／ドレイン領域とを接続する線に対して（断面図では）垂直である２つの側面とからなる。例文帳に追加

Here, the "ridge" consists of a single upper surface and two side surfaces perpendicular to the line connecting the first source/drain region and the second source/drain region (in the cross-sectional view). - 特許庁

生成されたソースコードを利用する機器側での機能の追加または変更要請に対して、新規のスクリプトをその都度作成することなく必要なソースコードを効率良く生成し、スクリプトの開発コストを低減させること。例文帳に追加

To reduce the development cost of a script, by efficiently generating a required source code without preparing a new script each time in response to a request of addition or change of a function on the apparatus side using the generated source code. - 特許庁

更に、ソース電極２１をソース層１７及びコンタクト層１９に接続し、ドレイン電極２２をドレイン層１８に接続し、ＳＴＩ１３上に側面１３ａに沿ってゲート電極２３を設ける。例文帳に追加

Furthermore, a source electrode 21 is connected to the source layer 17 and the contact layer 19, a drain electrode 22 is connected to the drain layer 18, and a gate electrode 23 is formed on the STI13 along the side surface 13a. - 特許庁

無線通信部１０は、無線リソース割り当て部１２において通信端末に割り当てられた無線リソースを用いて、有線側通信部１３で受信されたデータを当該通信端末に送信する。例文帳に追加

A radio communication section 10 transmits the data received by the wired-side communication section 13 to the communication terminal using the radio resources allocated to the communication terminal in the radio resource allocation section 12. - 特許庁

制御ボードの出力側から繋がる信号線８０に、定格以上の電圧が印加される場合、ゲート及びソース間に逆バイアスがかかり、ドレイン及びソース間の電流の流れが遮断される。例文帳に追加

When a rated voltage or higher is applied to a signal line 80 connected from the output side of a control board, a reverse bias is applied between the gate and the source; and a current flow between the drain and the source is cut off. - 特許庁

ソース駆動回路において、第1及び第2のＰ−チャンネルＭＯＳトランジスタが入力電圧をトレースする一次側ソース電源フォロワとして協働して用いられ、体積効果を除去でき、負荷電荷損失を一定に保持できる。例文帳に追加

In the source driving circuit, 1st and 2nd P-channel MOS transistors cooperate as a primary-side source power source follower which traces the input voltage, and volume effect can be removed to hold load charge loss constant. - 特許庁

続いて、路側機１０は、無線リソースが割り当てられた車載機２０から、自車が路車エリア内にいることを示す信号を受信しなかった場合には、無線リソースを解放する。例文帳に追加

Then, when the signal indicating the vehicle itself exists in the road-vehicle area is not received from the in-vehicle equipment 20 to which the radio resource is allocated, the roadside equipment 10 releases the radio resource. - 特許庁

さらには各チャネルの両側に平行して設けられるｐゲートへは、分離されたｎ+ソース領域間に、ｎ+ソースとは直接接することなくｐ+領域を形成することによりコンタクトする。例文帳に追加

Further, a p+-type region is formed without direct contact with the n+-type source between the isolated n+-type source regions to be contacted with a p-type gate provided in parallel at both sides of each channel. - 特許庁

そして、ＴＦＴのソース電極１５ｂは、その縁部がチャネル保護膜の内側端部上に位置し、チャネル保護膜の開口部を介してシリコン膜１３の第１の領域（ソース領域）に電気的に接続されている。例文帳に追加

In this case, the rim of the source electrode 15b of the TFT is positioned on the inside end of the channel protecting film, and is electrically connected to the first area (source area) of the silicone film 13 through the opening part of the channel protecting film. - 特許庁

コンテンツ共有システムにおいて，コンテンツ提供側のコンテンツ処理装置は，コンテンツデータに対し，コンテンツデータの提供元を特定するＩＤであるソースＩＤを付加するソースＩＤ付加部１を備える。例文帳に追加

In the content sharing system, a content processing apparatus on a content providing side comprises a source ID addition part 1 for adding to content data a source ID that is an ID identifying the content data providing source. - 特許庁

ドリフト領域１１のソース側の面にトレンチ溝３２を形成し、溝３２の底部にｐ型ゲート領域１３とゲート電極２３を設け、絶縁膜３３を介して単位素子全面にソース電極２２を形成する。例文帳に追加

A trench 32 is formed in the source-side surface of a drift region 11, a p-type gate region 13 and a gate electrode 23 are provided at the bottom of the trench 32, and a source electrode 22 is formed to cover the whole surface of a unit element with an insulating film 33 between the two. - 特許庁

（１）ＭＨＬシンク機器は、ケーパビリティ・レジスタの３Ｄ情報を変更した直後、“SET_INTコマンドを送出し、ＭＨＬソース機器側の3D_CHGフラグに「１」をセットし、ＭＨＬソース機器に３Ｄ情報を通知する。例文帳に追加

(1) An MHL sink apparatus transmits a "SET_INT command" immediately after changing the 3D information of the capability register, sets "1" in a 3D_CHG flag on the side of an MHL source apparatus, and then, notifies the MHL source apparatus of the 3D information. - 特許庁

受信側高周波回路に設けられるローノイズアンプ２と、ローノイズアンプ２のソース電流の大きさを通信電力の大きさに応じてコントロールするソース電流供給回路６とを備えた。例文帳に追加

The mobile phone is provided with a low noise amplifier 2 placed at a receiver side high frequency circuit and with a source current supply circuit 6 that controls a source current of the low noise amplifier 2 depending on the communication power. - 特許庁

さらに、ドレイン領域を囲むようにしてゲート領域の外側にはソース領域７１が配置され、ソース領域は素子分離用酸化膜３と予め規定された距離離間している。例文帳に追加

A source region 71 is disposed outside the gate region so that it surrounds the drain region, and the source region is detached from an oxidized film for element separation 3 by a previously stipulated distance. - 特許庁

また、ヴィアホール２１の他端側に、トランジスタチップ１０のソースパッド４からワイヤボンディングをすることで電気的に接続し、トランジスタチップ１０のソース接地構造を実現する。例文帳に追加

The source pad 4 of the transistor chip 10 is electrically connected to the other end side of the via hole 21 by wire bonding, thus realizing the source ground structure of the transistor chip 10. - 特許庁

ソース線の導電材料のブロックに面する鋭角縁部を備えたソース側消去メモリセルの設計及びその形成方法を提供すること例文帳に追加

To provide methods of designing and producing memory cells with source side erase equipped with an acute edge facing to a block of conductive material of a source line. - 特許庁

そして、上記プランジャ１７ｄの上端側方となる位置に、ソース２０を供給するためのソース供給管３２を接続する供給管接続口１７１が設けられている。例文帳に追加

A feeding pipe-joining opening 171 joined to a sauce-feeding pipe 32 for feeding the sauce 20 is formed at the position of the side part of the upper end of the plunger 17d. - 特許庁

ゲート電極１０７によって図１の左側に区分された領域には、図１の上下方向に沿って順に第１のソース領域１０３ａ、ボディ電位取り出し領域１０５、第２のソース領域１０３ｂが形成される。例文帳に追加

In a region divided in the left side of figure by a gate electrode 107, a first source region 103a, a body potential extraction region 105, and a second source region 103b are formed in this order along the vertical direction of the figure. - 特許庁

Ｐ型ウエル２３内には、Ｎ^＋型ソース層２６と重なり、かつＮ^＋型ソース層２６から第１Ｎ型不純物拡散層４１側にはみ出すように、第２Ｎ型不純物拡散層４２が形成されている。例文帳に追加

In the P-type well 23, a second N-type impurity diffusion layer 42 is formed so as to protrude from the N^+-type source layer 26 to the first N-type impurity diffusion layer 41 side, while overlapping the N^+-type source layer 26. - 特許庁

ソース／ドレイン拡散層は、ソース／ドレインエクステンション層のチャネル領域と反対側の端部と接するように半導体基板の表面に形成される。例文帳に追加

Source/drain diffusion layers are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 so that they contact with the ends of the source/drain extension layers 11 opposite to the ends whereat the source/drain extension layers 11 contact with the channel region. - 特許庁

またソース２６とドレイン２８と同一の導電層で且つ低濃度である第１不純物拡散領域２０をソース２６とドレイン２８にそれぞれ隣接するようゲート下方側に設ける。例文帳に追加

Each first impurity diffusion region 20 (20A and 20B) of low concentration and of the same conductive layer as the source 26 and the drain 28 is provided on the lower side of a gate so as to adjoin the source 26 and the drain 28. - 特許庁

また、Ｐ型チャネル領域１３の表面領域にはＮ^＋型ソース領域１４の底面よりも深い溝部１３ａが形成され、Ｎ^＋型ソース領域１４の溝部１３ａ側には段差部１３ｂが形成されている。例文帳に追加

A groove 13a which is deeper than the bottom surface of n^+-type source region 14 is formed in the surface region of p-type channel region 13, and a step 13b is formed on the groove 13a side of the n^+-type source region 14. - 特許庁