「ダーリントン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

バイポーラトランジスタがダーリントン接続である場合は、ダーリントン接続した各バイポーラトランジスタのベースと、最後段バイポーラトランジスタのエミッタ間に、それぞれユニポーラトランジスタを接続する。例文帳に追加

When the bipolar transistors are of Darlington connection type, a unipolar transistor is connected between the base of each of the bipolar transistors and an emitter of the final stage of bipolar transistor. - 特許庁

ステレオ等の電流増幅回路を構成するプッシュプル回路において、ダーリントン接続された素子ＳＷ１、ＳＷ２の破壊を防止する。例文帳に追加

To prevent the destruction of Darlington connected elements in a push-pull circuit for constituting the current amplifier circuit of a stereo or the like. - 特許庁

第２のバイポーラトランジスタＱ_２と、第３のバイポーラトランジスタＱ_３とによりインバーテットダーリントン回路を構成する。例文帳に追加

An inverted Darlington circuit is constituted of the 2nd and 3rd bipolar TRs Q_2, Q_3. - 特許庁

水平偏向巻き線センタリング回路は、ダーリントントランジスタＱ４５３及びダイオードＤ６０を含んでいる。例文帳に追加

A horizontal deflection winding centering circuit includes a Darlington transistor Q453 and a diode D60. - 特許庁

第１及び第２のトランジスタＱ1 、Ｑ2 に第３及び第４のトランジスタＱ3 、Ｑ4をダーリントン接続する。例文帳に追加

The Darlington connection of third and fourth transistors Q3 and Q4 is performed to the first and second transistors Q1 and Q2. - 特許庁

一方、下側出力トランジスタは、トランジスタＱＢ５とダーリントン接続され、ＮＰＮエミッタ共通回路を構成している。例文帳に追加

In the meantime, a lower side output transistor is Darlington- connected with the transistor QB5 and constitutes an NPN emitter common circuit. - 特許庁

電流増幅器（１６０Ａ，１６０Ｂ）は差動カスケード増幅器（５２０）に接続された差動ダーリントン増幅器（５２０）により構成される。例文帳に追加

The current amplifier (160A, 160B) may be composed of a differential Darlington amplifier (510) coupled to a differential cascade amplifier (520). - 特許庁

局給電終端回路８のダーリントン接続された２つのトランジスタ２１，２２は疑似負荷回路を構成し、直流給電電力を消費する。例文帳に追加

Two transistor(TRs) 21, 22 of Darlington connection of the station supply termination circuit 8 configure a pseudo load circuit, which consumes the DC feed power. - 特許庁

ＮＰＮトランジスタＱ６,Ｑ７による疑似ダーリントン構成として出力駆動能力を向上させている。例文帳に追加

An output drive capability is enhanced by adopting a pseudo Darlington configuration consisting of NPN TRs Q6, Q7 for the comparator circuit. - 特許庁

ダーリントントランジスタＱ４５３及びダイオードＤ６０は、誘導素子４５２と直列に接続される非線形ネットワークを形成する。例文帳に追加

The Darlington transistor Q453 and the diode D60 are connected together so as to form a nonlinear network which is connected in series to an inductor 452. - 特許庁

バッファ回路４は、前段のＦＥＴ７と、後段のトランジスタ８をダーリントン接続しそれぞれソースフォロワ、エミッタフォロワしてなる。例文帳に追加

A buffer circuit 4 consists of a pre-stage FET 7 and post-stage transistors(TRs) 8 in Darlington connection subjected to source follower and emitter follower respectively. - 特許庁

ダーリントントランジスタのベース電圧は、誘導素子ｉ５００の電流経路に接続される電圧分圧器４５０，４５１，４５３により生成される。例文帳に追加

The base voltage of the Darlington transistor Q453 is generated by voltage dividers 450, 451, and 453 connected to the current path of an induction device i500. - 特許庁

電流増幅器１６０Ａ，１６０Ｂは差動カスケード増幅器に接続された差動ダーリントン増幅器により構成される。例文帳に追加

The current amplifiers 160A, 160B are comprised of differential Darlington amplifiers coupled to differential cascade amplifiers. - 特許庁

大電流域でも十分なｈ_FEを有するとともに、安価なダーリントントランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a Darlington transistor, which has a full current amplifica tion factor hFE even at a high current region and also to low in cost, and the manufacturing method of the transistor. - 特許庁

ダーリントン回路によってスイッチングデバイス２を駆動するようにし、ダーリントン回路を構成する第１ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ５と第２ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６のドレインを共にスイッチングデバイス２を構成するＩＧＢＴのゲートに接続する。例文帳に追加

A Darlington circuit is used to drive a switching device 2, and both drains of a first Pch MOSFET 5 and a second Pch MOSFET 6 constituting the Darlington circuit are connected to a gate of an IGBT constituting the switching device 2. - 特許庁

交流電源フィルター回路１を設けてその後方にダーリントン回路２を連接し、更にダーリントン回路２の後方にＳＣＲ回路３を設けて負荷に消耗される電力を軽減できるようにして、家庭用電熱器具の電力消耗を軽減するようにする家庭用電熱器具の制御回路である。例文帳に追加

The control circuit of the domestic electric heating equipment reduces the power consumption of the domestic electric heating equipment in such a way that an AC power source filter circuit 1 is installed, a Darlington circuit is connected to the rear part of the filter circuit 1, and an SCR circuit 3 is installed in the rear of the Darlington circuit 2 to reduce electric power consumed in the load. - 特許庁

1825年（文政8年）、イギリスのストックトン-ダーリントン間で蒸気機関車を用いた貨物鉄道の運行が開始され、1830年（文政13年）にはリヴァプール-マンチェスター間に旅客鉄道も開業する。例文帳に追加

In Britain, operation of the steam locomotive railway for freight transport was started between Stockton and Darlington in 1825, and in 1830, passenger railway service was also started between Liverpool and Manchester.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

世界で最初の蒸気鉄道は、イギリスの炭鉱で産出した石炭を運搬する目的でストックトンとダーリントン間約40kmに設営されたものである。例文帳に追加

The world's first steam locomotive railroad was built to move coal that was produced in an English mine between Stockton and Darlington about the distance of 40km.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ベース中にエミッタを囲むようにコレクタを設け、それをベース電流としてとりだすことにより電流増幅率βを小さくした構造をもつバイポーラトランジスタを複数個ダーリントン接続した半導体温度センサー。例文帳に追加

This semiconductor temperature sensor forms a collector surrounding an emitter in the base, and carries out Darlington connection of two or more bipolar transistors with structure making the current amplification factor β small by taking it out as base current. - 特許庁

ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１１，ＭＮ１２およびダーリントン接続されたバイポーラトランジスタＱ１１，Ｑ１２は、起動時において起動電流が流れるように制御する。例文帳に追加

NMOS transistors MN11, MN12, and bipolar transistors Q11, Q12 connected by Darlington circuit connection are controlled so that the starting current may flow at starting. - 特許庁

基準電圧発生部１は、ダーリントン回路１１、１２と、オペアンプ１３と、電流源としてのＭＯＳトランジスタＭ１〜Ｍ４と、抵抗Ｒ１〜Ｒ３とを備えている。例文帳に追加

The generating part 1 has a Darlington circuits 11 and 12, an operational amplifier 13, MOS transistors M1-M4 as current sources and resistors R1-R3. - 特許庁

ダーリントントランジスタ１に順バイアス電圧が印加されたオン状態では、第１ベース領域１２中の正孔の一部がコレクタ領域１１中の電子に引き寄せられて、コレクタ領域１１に移動する。例文帳に追加

With a forward bias voltage applied to the Darlington transistor 1, some holes in a first base region 12 are attracted by electrons in a collector region 11, and move into the collector region 11. - 特許庁

このようなダーリントン増幅器を、差動型の分布増幅器の入力側伝送線路１，２と出力側伝送線路３，４との間に接続される各増幅器素子４１，４２として用いる。例文帳に追加

Such Darlington amplifiers are used as the respective amplifier elements 41, 42 to be connected between the transmission tracks 1, 2 on the input sides and the transmission tracks 3, 4 on the output sides of the differential distributed amplifier. - 特許庁

高出力の増幅回路３の出力（コレクタ−エミッタ間）に、ダーリントン接続された複数のバイポーラトランジスタＱ１〜Ｑ１０を有する保護回路１ｂを増幅回路３に対して並列に電気的に接続した。例文帳に追加

A protection circuit 1b having a plurality of bipolar transistors Q1 to Q10 which are the darlington circuit is electrically connected to an output (between a collector and an emitter) of an amplifier circuit 3 of a high output in parallel to the amplifier circuit 3. - 特許庁

信号出力を行うパワーアンプ部４０とパワーアンプ部４０を駆動するドライバ部２０ａを備えた電力増幅器において、ドライバ部２０ａでは、ダーリントン接続されたトランジスタでパワーアンプ部４０を駆動する。例文帳に追加

A power amplifier part 40 is driven by transistors which are subjected to Darlington connection in a driver part 20a, in a power amplifier for driving the power amplifier part 40. - 特許庁

そして、ダーリントン接続回路５を構成するトランジスタ６のエミッタとエミッタ接続回路４を構成するトランジスタ９のエミッタとの間に、帰還容量１５及び帰還抵抗１０が接続されている。例文帳に追加

Then, the feedback capacitor 15 and a feedback resistor 10 are connected between the emitter of the transistor 6 consisting the circuit 5 and the emitter of the transistor 9 consisting the circuit 4. - 特許庁

スイッチング素子Ｓｗ＃のゲートに要求される充電速度が大きい場合等には、抵抗体２２にスイッチング素子６０を直列接続し、スイッチング素子６０にスイッチング素子３２をダーリントン接続する。例文帳に追加

If a charging rate required for a gate of the switching element Sw# is large, the resistor 22 is connected in series to a switching element 60, and the switching element 60 is Darlington-connected to a switching element 32. - 特許庁

しかも、ダーリントン接続回路１０が、ユーザの手Ｈを介して供給される微弱な電流を増幅するので、マイコン２１を動作させるのに必要な大きさの電流を得ることができる。例文帳に追加

Since a Darlington connection circuit 10 amplifies a faint current supplied via the user hand H, a current with an amplitude required to operate the microcomputer 21 is obtained. - 特許庁

高周波増幅回路は、１段目にトランジスタＴｒ１を用いたエミッタ接地増幅回路、２段目にダーリントン接続のトランジスタＴｒ２、Ｔｒ３を用いたエミッタ接地回路の２段増幅の構成となっている。例文帳に追加

The high-frequency amplifier circuit has a two-stage amplification configuration of a common-emitter amplifier circuit using a transistor Tr1 as a first stage and a common-emitter circuit using darlington-connected transistors Tr2, Tr3 as a second stage. - 特許庁

端子２０へ高電位のＥＳＤが入力されるとダーリントン接続されたトランジスタ１１〜１３が急速に導通し、トランジスタ１３が端子２０の電荷を接地端子３０へ向かって大電流で引き抜く。例文帳に追加

When a high level ESD is applied to the terminal 20, the transistors 11 to 13 of Darlington connection are rapidly conductive, and the transistor 13 extracts electric charges at the terminal 20 toward the ground terminal 30 in a way of a large current. - 特許庁

ディスチャージ動作時は、第１〜第５のディスチャージ用トランジスタＤＳＷ１〜ＤＳＷ５が、別個にオンオフ制御されて、寄生バイポーラトランジスタ素子がダーリントン接続されることによる電流経路の形成を防止する。例文帳に追加

At charge operation, the first to fifth transistors for discharge DSW1-DSW5 are switched on or switched off separately thereby preventing the formation of a current path made by a parasitic bipolar transistor element being connected in Darlington configuration. - 特許庁

ダーリントン接続されたバイポーラトランジスタからなる半導体温度センサーを用いた半導体温度検出回路において、温度センサーの出力を比較する基準電圧の製造時のバラツキを自動的に補償できる半導体温度検出回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor temperature detecting circuit capable of automatically compensating for variations at manufacturing in reference voltages for comparing the output of temperature sensors in the semiconductor temperature detecting circuit to use semiconductor temperature sensors comprised of a Darlington-connected bipolar transistor. - 特許庁

ＦＴダブラー回路２２では、第一のバイポーラトランジスタ２３と第二のバイポーラトランジスタ２４とがダーリントン接続され、第二のバイポーラトランジスタ２４のベース−エミッタ間にダイオード接続の第三のバイポーラトランジスタ２５が並列接続される。例文帳に追加

In the FT doubler circuit 22, a first bipolar transistor 23 and a second bipolar transistor 24 are in Darlington connection, and a third bipolar transistor 25 of diode connection is connected in parallel between the base and emitter of the second bipolar transistor 24. - 特許庁

そしてデータ保持部は、ダーリントン接続された電界効果トランジスタ及びバイポーラトランジスタを有する電流増幅回路における、電界効果トランジスタのゲートに接続することでデータ保持部の電荷をリークすることなく、導通状態を制御する。例文帳に追加

The data holding part controls the conduction state without leaking charge of the data holding part by being connected with a gate of a field effect transistor in a current amplification circuit having Darlington connected field effect transistor and bipolar transistor. - 特許庁

各駆動ユニットは、トランジスタまたはダーリントン対を形成する少なくとも一対のトランジスタＴ１１〜Ｔ８１，Ｔ１２〜Ｔ８２を含み、対応するアドレス信号Ｓ１〜Ｓ８が受信されるように、対応する受信接続点に接続しているベース接続点を有する。例文帳に追加

Each driving unit includes a transistor or at least one pair of transistors T11-T81 and T12-T82 to form a Darlington pair, and has a base node connecting to a corresponding receive node for receiving corresponding address signals. - 特許庁

メイン回路をインバーテッド・ダーリントン回路で構成し、電流検出抵抗における電圧降下ではなく、メイン回路のトランジスタにおける電圧降下で負荷電流を検出し、メイン回路の制御回路はコンデンサと抵抗のＣＲ時定数による遅延機能をもって過電流を遮断し、負荷回路を保護する。例文帳に追加

A main circuit is constituted of an inverted Darlington circuit, and it detects a load current not with a voltage drop in a current detecting resistor but with a voltage drop in the transistor of the main circuit, and a control circuit for the main circuit breaks an overcurrent by the delay function using the CR time constants of a capacitor and a resistor, thereby protecting a load circuit. - 特許庁

入力信号を増幅するトランジスタ１０と、トランジスタ１０の出力信号を増幅し、ダーリントン接続されるトランジスタ１１及び１２と、トランジスタ１１のエミッタに接続され、トランジスタ１２とミラー関係に接続されたトランジスタ１３と、トランジスタ１１及び１２の加算エミッタ電流を受け、トランジスタ１０とミラー関係に接続されるトランジスタ１４とから成る。例文帳に追加

This circuit is formed of a transistor 10 which amplifies an input signal, Darlington-connected transistors 11, 12 amplifying the output signal of the transistor 10, a transistor 13 connected to the emitter of the transistor 11 and connected with the transistor 12 in a mirror connection, and a transistor 14 receiving the adding emitter current of the transistors 11 and 12, connected with the transistor 10 in a mirror relation. - 特許庁

第２の初段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５３のゲート端子を入力側伝送線路２に接続し、ドレイン端子を第２の後段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５４のゲート端子に接続し、第２の後段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５４のドレイン端子を出力側伝送線路４に接続し、ダーリントン増幅器を構成する。例文帳に追加

A Darlington amplifier is constituted by connecting a gate terminal of a second primary stage source grounding MOSFET 53 with a transmission track 2 on the input side, connecting a drain terminal with a gate terminal of a second rear stage source grounding MOSFET 54 and connecting a drain terminal of the second rear stage source grounding MOSFET 54 with a transmission track 4 on the output side. - 特許庁

これにより、コレクタ領域１５と第１のベース領域１８と第１のエミッタ領域２１とからなるパワー段トランジスタ１４とダーリントン接続する、第２および第３のベース領域１９、２０と第２および第３のエミッタ領域２２、２３とからなる第１および第２のドライブ段トランジスタ１２、１３が構成される。例文帳に追加

Consequently 1st and 2nd drive step transistors 12, 13 respectively composed of the 2nd and 3rd base areas 19, 20 and the 2nd and 3rd emitter areas 22, 23 and Darlington connected to a power step transistor composed of the collector area 15, the 1st base area 18 and the 1st emitter area 21 are constituted. - 特許庁

半導体素子として電流増幅率の大きいトランジスター、必要であるならばダーリントン接続トランジスター組み合わせ、定電圧温度特性ゼロになる組み合わせのトランジスターのベース−エミッタ間電圧温度特性と補償できる電圧温度特性の定電圧ダイオードを使う。例文帳に追加

A constant voltage circuit uses a transistor with large current amplification factor as a semiconductor device, a combination of transistors with Darlington connection, if necessary, and a constant voltage diode with the voltage temperature characteristics for compensating the voltage temperature characteristics of base-emitter of the transistor to make the constant voltage temperature zero in combination, thereby obtaining the semiconductor device with excellent voltage drop characteristic and a circuit of excellent constant voltage characteristics. - 特許庁

第１の初段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５１のゲート端子を入力側伝送線路１に接続し、ドレイン端子を第１の後段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５２のゲート端子に接続し、第１の後段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５２のドレイン端子を出力側伝送線路３に接続し、ダーリントン増幅器を構成する。例文帳に追加

A Darlington amplifier is constituted by connecting a gate terminal of a first primary stage source grounding MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) 51 with a transmission track 1 on the input side, connecting a drain terminal with a gate terminal of a first rear stage source grounding MOSFET 52 and connecting a drain terminal of the first rear stage source grounding MOSFET 52 with a transmission track 3 on the output side. - 特許庁

負荷Ｌにバイポーラトランジスタ７とバイポーラトランジスタ２がダーリントン接続され、バイポーラトランジスタ２のエミッタとバイポーラトランジスタ７のベース間にＰ型ＭＯＳトランジスタ５が設けられ、バイポーラトランジスタ７のベースとエミッタ間にＮ型ＭＯＳトランジスタ６が設けられる。例文帳に追加

A Darlington connection of a bipolar transistor 7 and a bipolar transistor 2 with a load L is made, a P type MOS transistor 5 is provided between the emitter of the bipolar transistor 2 and the base of the bipolar transistor 7, and an N type MOS transistor 6 is provided between the base and emitter of the bipolar transistor 7. - 特許庁

集積回路内でダーリントン回路４１を構成し、Ｎ型エピタキシャル層の面積が大きいＰＮＰトランジスタＱＰ１のベースおよびＮＰＮトランジスタＱＮ１のコレクタにそれぞれ発生する光リーク電流Ｉ１，Ｉ２を補償する補償回路４２において、高精度に補償を行うとともに、チップ面積を抑制する。例文帳に追加

To compensate with high accuracy and suppress the chip area in a compensating circuit 42, which constitutes a Darlington circuit 41 in an integrated circuit and compensates optical leak currents I1, I2 generated at a base of a PNP transistor QP1 and a corrector of an NPN transistor QN1 with large areas of n-type epitaxial layers, respectively. - 特許庁