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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ドリフト効果に関連した英語例文

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ドリフト効果の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 33



例文

中和電流のノイズ取り込み効果を弱めることができる、ドリフト検出器を提供する。例文帳に追加

To provide a drift detector allowing reduction in noise capture effects of neutralizing current. - 特許庁

乗り心地性の低下やタイヤ重量の増加を招くことなく、トレッドリフト効果的に抑制できる。例文帳に追加

To effectively suppress tread lift without degrading ride quality or increasing the weight of a tire. - 特許庁

切削工具81の刃先位置の温度ドリフトの低減に目立った効果を発揮する。例文帳に追加

A significant effect is exerted to reduce a temperature drift at the blade tip of a cutting tool 81. - 特許庁

温度に起因する発振器の周波数ドリフト効果的に正確かつ簡単に補償することができる電圧制御発振器を提供する。例文帳に追加

To provide a voltage controlled oscillator capable of effectively, accurately and easily compensating for an oscillator frequency drift caused by temperature. - 特許庁

例文

焦電または圧電効果によるDCドリフト現象を抑圧した集積化光導波路デバイスの提供。例文帳に追加

To provide an integrated optical waveguide device that suppresses a DC drift phenomenon by a pyroelectric or piezoelectric effect. - 特許庁


例文

ドリフト効果的に抑圧して優れた電気的特性を有する光変調デバイス及びその製造方法例文帳に追加

OPTICAL MODULATION DEVICE PROVIDED WITH EXCELLENT ELECTRICAL CHARACTERISTICS BY EFFECTIVELY SUPPRESSING THERMAL DRIFT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ミラー角度のドリフトなどを効果的に抑制するミラーシステム或は光スイッチを提供する。例文帳に追加

To provide a mirror system or an optical switch capable of effectively suppressing the drift or the like of a mirror angle. - 特許庁

ドリフトが低減され、かつ薬効のバラツキによる効果不足の発生が抑制される土壌病害防除用粉粒製剤を提供する。例文帳に追加

To provide a granule formulation for controlling soil disease injury, which reduces drift and suppresses occurrence of effect deficiency by variation of agrochemical effects. - 特許庁

特にシングルフローセルの場合に効果的な、温度ドリフト等の補正が可能なTCDを提供する例文帳に追加

To provide a TCD which is especially effective for a single flow cell, capable of correcting temperature drift or the like. - 特許庁

例文

厚みが150μm以下の薄板と、該薄板の裏面に接着された補強板とを含む光変調器において、焦電効果の影響を効果的に除去することにより温度ドリフトやDCドリフトの点で信頼性を一層向上させた光変調器を提供すること。例文帳に追加

To provide an optical modulator including a thin plate of150 μm in thickness and a reinforcing plate bonded to the reverse surface of the thin plate, the optical modulator being characterized in that reliability is improved more in terms of a temperature drift and a DC drift by effectively removing an influence of pyroelectric effect. - 特許庁

例文

この電界放射型電子源10では、強電界ドリフト部6へ電界を印加することにより強電界ドリフト部6の表面に到達した電子はホットエレクトロンであると考えられ、トンネル効果によって表面電極7の表面から放出される。例文帳に追加

In this field emission type electron source 1, electrons arriving at a surface of the strong field drift part 6 while applied with the electric field to the strong field drift part 6 are considered as hot electrons, and are emitted from the surface of the surface electrode 7 by the tunnel effect. - 特許庁

下部電極と上部電極の熱膨張係数の違いによるドリフトの影響を受けず、また外来磁場からの影響を受けにくく、汎用性を有するトンネル効果素子を提供する。例文帳に追加

To provide a tunnel effect element having versatility without being influenced by drift due to difference between thermal expansion coefficients of upper and lower electrodes, hardly receiving influence from an external magnetic field. - 特許庁

各磁気抵抗パターンの温度上昇値を同一にすることでその出力波形の中点電位のドリフトを防止できる磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistance effect element, capable of preventing drifting of midpoint electric potential of the output waveform by equalizing temperature rise values of respective magnetic resistance patterns. - 特許庁

中間電極が正電位に保たれるものであっても、ドリフト空間での電子量の減少の抑制、ひいてはイオンビームの空間電荷効果による発散の抑制を行うことができる電界レンズを提供する。例文帳に追加

To provide an electrostatic lens capable of suppressing reduction of electrons in a drift space and as a result, suppressing dispersion of ion beams due to space charge effect even in the case an intermediate electrode is kept in positive potential. - 特許庁

トレンチゲート型蓄積モード電界効果トランジスタにおいて、N型ドレインの低濃度ドープされたドリフト領域をトレンチ間のメサに設ける。例文帳に追加

In a trench gate type storage mode field-effect transistor, a lightly-doped drift region of an N-type drain is provided on a mesa between trenches. - 特許庁

露光時間が長い場合にはHPF処理を行うことでジャイロセンサ201のオフセットの温度ドリフト等の影響による手ブレ補正効果の悪化を防止する。例文帳に追加

It prevents deterioration of camera shake correction effect by influence of an offset temperature drift, etc. of the gyroscope sensor 201 by carrying out the HPF processing in a case that the exposure time is long. - 特許庁

配線容量の減少、リーク電流の減少、配線材料のドリフト・拡散を効果的に防止でき、高品質・高性能な半導体装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a high quality high performance semiconductor device in which a wiring capacity and a leakage current can be reduced while preventing the drift and diffusion of a wiring material effectively. - 特許庁

配線容量の減少、リーク電流の減少、配線材料のドリフト・拡散を効果的に防止でき、高品質・高性能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high quality high performance semiconductor device in which a wiring capacity and a leakage current are reduced while preventing the drift and diffusion of a wiring material effectively. - 特許庁

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ11において、N形のドリフト領域に円形に露出したベース領域14に、環状のソース領域15を島状に形成する。例文帳に追加

Related to an insulated gate field effect transistor 11, an annular source region 15 is formed as an island in a base region 14 exposed in a circle in an n-type drift region. - 特許庁

また、チャネル領域が、高電界のドリフト領域から引き離され、低オン低抵抗化を図るとともに、横型接合型電界効果トランジスタ100の小型化を図ることが可能となる。例文帳に追加

A channel region is located away from a high field drive region to make a low on-resistance and to downsize the lateral junction field effect transistor 100. - 特許庁

ビーム位置検出器はビームの動きに対する最大感度が温度効果および重力に起因する焦点のドリフトによるビームの動きの方向にあるように向けられている。例文帳に追加

In the beam position detector 30, the maximum sensitivity to the movement of the beam is turned to exist in the direction of the movement of the beam as caused by the drifting of the focus attributed to a temperature effect and gravity. - 特許庁

噴霧ノズル周りの機械的構造の単純化,小型化及び低コスト化に寄与するとともに、耐久性及び信頼性の向上、更には、効果的なドリフト低減を図る。例文帳に追加

To simplify, miniaturize and make inexpensive the mechanical structure around a spray nozzle, to improve durability and reliability and to effectively reduce drift. - 特許庁

以上により、n^+型ドリフト領域21およびp^-型シリコン単結晶領域17を完全空乏化できるので、縦型MOS電界効果トランジスタ1によれば、耐圧を高くすることができる。例文帳に追加

As a result, since the drift region 21 and single crystalline region 17 can be completely depleted, there can be obtained a vertical n+ type MOS field effect transistor 1 which has a high withstand voltage. - 特許庁

燃料噴射弁の特性変化に対応でき、ドリフトがなく、マルチ噴射でも効果的な補正ができる燃料噴射制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a fuel injection control device, which can cope with the characteristic change of a fuel injection valve, is free from drift, and can carry out the effective compensation even in multi injection. - 特許庁

DCサーボの動作が音声信号回路に影響を及ぼすことがなく、かつ、音声入力時であっても常時DCサーボが動作して、オフセットやドリフトによる直流電流の出力を効果的に防止することができる音響変換器用直流増幅器を得る。例文帳に追加

To provide a direct current amplifier for an acoustic transducer which can effectively prevent the output of a direct current due to an offset or drift by continuously operating a DC servo even during audio input while keeping the operation of the DC servo from influencing an audio signal circuit. - 特許庁

SiC電界効果トランジスタ1は、N^+型ソース領域15とN^−型ドリフト領域14とがエピタキシャル層11の表面12(主面)に垂直な縦方向にP型ボディ領域13を介して離間して配置された、縦型MISトランジスタ構造を有する。例文帳に追加

The SiC field effect transistor 1 has a vertical MIS transistor structure wherein an N^+-type source area 15 and an N^--type drift area 14 are arranged apart with a P-type body area 13 in-between, in the vertical direction perpendicular to the surface 12 (main surface) of an epitaxial layer 11. - 特許庁

力測定デバイスに印加される荷重を表す測定信号(ms)を形成するために使用される測定変換器を有する電子式秤で発生する、ドリフト現象、特にクリープ効果を補正するために使用される方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method used for correcting a drift phenomenon, especially a creep effect, that occurs in an electronic balance having a measuring converter used for generating a measurement signal (ms) representing a load impressed to a force measuring device. - 特許庁

逆バイアス時には、絶縁膜を介して電極から前記接合と電界緩和層の間のドリフト層に与えられる電界効果により接合と電界緩和層は電気的に接続され、接合の端部の電界集中が緩和される。例文帳に追加

At reverse bias, the junction is electrically connected to the electric field relaxing layer, by a field effect imparted to the drift layer between the junction and the electric field relaxing layer from the electrode via the insulating film so that the electric field concentration at the end of the junction is relaxed. - 特許庁

本発明に係る半導体装置は、同一半導体基板内に電界効果トランジスタ及びショットキーバリアダイオードを搭載した半導体装置が、ショットキーバリアダイオード領域における第一導電型のドリフト層中の所定の深さに所定のピッチで埋め込まれた第二導電型の埋込ドープ層を備えているものである。例文帳に追加

This semiconductor device loaded with the field effect transistor and a Schottky barrier diode within the same semiconductor substrate is provided with an embedded dope layer of a second conductivity type embedded with prescribed pitches at a prescribed depth in the drift layer of a first conductivity type in the Schottky barrier diode region. - 特許庁

電源電圧依存性が少ない基準電圧発生回路を提供して、発光素子や駆動素子の温度上昇に起因する発光パワーの増減を効果的に補償することができるとともに、電源投入直後における温度ドリフトによる影響を著しく軽減することができる画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming device which can effectively compensate the increase/decrease of a light-emitting power resulting from the temperature rising of a light-emitting element or a driving element by providing a reference voltage generating circuit having smaller power source voltage dependency, and at the same time, can remarkably reduce effects by a temperature drift right after the turning on of a power source. - 特許庁

電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と変調用電極とを備え、該基板がリッジ構造を有する光制御素子において、前記光導波路を形成する基板表面に、DCドリフト防止層を設けると共に、リッジ加工後にアニール処理を施すことを特徴とする。例文帳に追加

The light control element which has a substrate with electrooptic effect, and an optical waveguide and an electrode for modulation formed on the substrate having a ridge structure is characterized in that a DC drift preventive layer is provided on the substrate surface where the optical waveguide is formed and an annealing process is carried out after ridge machining. - 特許庁

ドリフト電極100と捕集電極102との間には、板状多層体10が配置されており、この板状多層体10は、電子なだれ効果により電子増幅を行うガス電子増幅器として機能し、樹脂製の板状絶縁層12とこの板状絶縁層12の両面に被覆された平面状の金属層14、16とで構成されている。例文帳に追加

A plate-like multi-layer body 10 is arranged between a drift electrode 100 and a collection electrode 102, the plate-like multi-layer body 10 functions as a gas electron amplifier performing electronic amplification due to an electron avalanche effect and constituted of a plate-like insulating layer 12 made of a resin, and planar metal layers 14, 16 covered with both sides of the plate-like insulating layer 12. - 特許庁

例文

電界効果トランジスタの順バイアス時におけるオン抵抗を小さく抑制しながら、半導体基板中のドリフト層の比抵抗を高めてショットキーバリアダイオード領域における垂直方向の電界を緩和し、逆方向耐圧を向上させることが可能な構成の半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for improving the resistivity of a drift layer in a semiconductor substrate, mitigating an electric field in a vertical direction in a Schottky barrier diode region and improving a backward withstand voltage while reducing on-state resistance at the time of forward bias of a field effect transistor. - 特許庁

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