「ドーパント原子」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第2の層(52)も同じドーパント原子濃度までZnでドーピングされ、第1の層と接触している。例文帳に追加

The second layer 52 is doped with Zn up to the same dopant atom concentration, and is in contact with the first layer. - 特許庁

少なくとも１つのドーパントの原子濃度は、第１のＡＨＭ層の５％以上である。例文帳に追加

An atomic percentage of the dopant is greater than or equal to 5% of the first AHM layer. - 特許庁

光電装置の活性領域におけるドーパント原子の拡散と、隣接するドープ領域間の異なる形式のドーパント原子の相互拡散とを減少する方法を開示する。例文帳に追加

To disclose a method for decreasing the diffusion of dopant atoms in the active region of optoelectronic devices as well as the interdiffusion of different types of dopant atoms among adjacent doped regions. - 特許庁

半導体層に意図しない種類のドーパント原子又は意図しない濃度のドーパント原子が半導体層に含まれることを抑制する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique that prevents inclusion of an unintended kind of dopant atoms or an unintended concentration of dopant atoms in a semiconductor layer. - 特許庁

ドーパントであるＴｅ原子またはＺｎ原子の損失が少ないＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method of a group III-V compound single crystal resulting in little loss of Te or Zn atoms serving as dopants. - 特許庁

ドーパント原子ドープＧｅにおけるドーパントのＧｅ中での存在状態及び存在量を、非破壊・非接触で分析・測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for analyzing and measuring a present state and abundance without destroying and contacting in a dopant Ge in a dopant atom dope Ge. - 特許庁

また、前記第２のドーパントを、原子個数で前記第１のドーパントと同量以上、かつ、前記ＺｎＴｅ系化合物結晶中の濃度が５％以下となるようにドーピングするようにした。例文帳に追加

The crystal is doped so that the second dopant is the same amount in atomic number as for the first dopant and that the concentration thereof in the ZnTe-based compound crystal is not more than 5%. - 特許庁

低原子価酸化ニオブの中でも、特にドーパントして好適な３価の微粒子酸化ニオブ（ＩＩＩ）を提供すること。例文帳に追加

To provide a trivalent particulate niobium (III) oxide especially suitable as a dopant among low-valence niobium oxides. - 特許庁

ランプからの放射線は、チャック材料中の特定ドーパント原子を励起し、材料は光伝導効果を呈する。例文帳に追加

Radiations from the lamps excite specified dopant atoms in a chuck material causing the material to exhibit a photoconductive effect. - 特許庁

陰極及び有機発光層間の有機半導体層に、電子供与性の金属原子又はそのイオンを含むｎ型ドーパントが含有される。例文帳に追加

The organic semiconductor layer between the cathode and the organic light-emitting layer contains an electron-releasing metal atom or an n-type dopant containing an ion of the metal atom. - 特許庁

これにより、ＢＰＳＧ膜から放散されるドーパントをＰＨ_3ガス由来のリン原子で補うことができる。例文帳に追加

Consequently, a dopant emitted from the BPSG film can be compensated with photosphor atoms originating from the PH_3 gas. - 特許庁

この結晶質シリコン系薄膜（１２２）は、ドーパント原子含有非晶質シリコン系薄膜にパルスレーザーを照射することによって形成される。例文帳に追加

The crystalline silicon thin film 122 is formed by applying a pulse laser beam to an amorphous silicon thin film containing a dopant atom. - 特許庁

さらに、当該方法により、１０^１７原子／ｃｍ^３より小さい低ドーパント濃度の細長のナノ構造体を得ることができる。例文帳に追加

Furthermore by the method, the elongated nanostructures with a low dopant concentration of lower than 10^17 atoms/cm^3 can be obtained. - 特許庁

本発明は、ドーパントの表面偏析を抑制して、原子層オーダでのプロファイル幅を持つドーピング層を形成することを目的としている。例文帳に追加

To form a doped layer which has a profile width in the order of atomic layer thickness by suppressing the surface segregation of a dopant. - 特許庁

一方、ドーパントを含む場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Ｍｇの含有量とＳｉの含有量との比が原子量比で６６．１７：３３．８３〜６６．７７：３３．２３であり、ドーパントの含有量が原子量比で０．１０〜２．０ａｔ％である組成原料により製造される。例文帳に追加

The magnesium-silicon composite material containing a dopant, on the other hand, is produced using a composition raw material in which the ratio of the content of Mg and the content of Si is (66.17:33.83) to (66.77:33.23) in terms of atomic weight ratio and the content of the dopant is 0.10-2.0 at.% in terms of atomic weight ratio. - 特許庁

１つ以上の所定のドーパント濃度及び注入エネルギーで、注入イオンと同じ導電型を有する導電性炭化珪素ウェーハの第一表面中に第一導電型のドーパント原子を注入して、ドーパントプロファイルを形成する工程、その注入されたウェーハをアニールする工程、及びそのウェーハの注入第一表面上にエピタキシャル層を成長させる工程を含む。例文帳に追加

The method includes steps of: implanting dopant atoms of a first conductivity type into a first surface of a conductive silicon carbide wafer having the same conductivity type as implanting ions at one or more predetermined dopant concentrations and implant energies to form a dopant profile; annealing the implanted wafer; and growing an epitaxial layer on the implanted first surface of the wafer. - 特許庁

ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process. - 特許庁

ハーフホイスラー化合物は、ドーパントをさらに含み、かつ、原子当たりの価電子数が５．９以上６．１以下（原子当たりの価電子数が６であるものを除く）であるものでも良い。例文帳に追加

The half-Heusler compound further contains dopant, and its valence number per atom may be ≥5.9 and ≤6.1 (valence number per atom of 6 is excluded). - 特許庁

発光性ドーパントとホスト材料とを少なくとも含む発光性組成物であって、前記ホスト材料中に存在するＣＨ結合の水素原子の少なくとも一部が、重水素原子に置換されている発光性組成物である。例文帳に追加

The light-emitting composition includes at least a light-emitting dopant and a host material, and at least part of the hydrogen atoms of CH bonds present in the host material is substituted with a deuterium atom. - 特許庁

レーザー光のパルスが窒化燐を分解すると共に、ドープしようとする半導体の前記領域を簡単に融解するため、窒化燐からのドーパント原子を半導体中に取り込むことができる。例文帳に追加

Since laser beam pulse dissociates the phosphorus nitride and easily melts the zone of the semiconductor to be doped, dopant atoms can be introduced from the phosphorus nitride into the semiconductor. - 特許庁

比抵抗が特に低い、ｎ型又はｐ型のドーパント原子でドープされた単結晶シリコンからなる基板ウェハを有する、エピタキシャル層を備えた半導体ウェハ例文帳に追加

To provide a semiconductor wafer with an epitaxially deposited layer which has especially low resistivity, and has a substrate wafer of single crystal silicon doped with dopant atoms of an n type or p type. - 特許庁

直接トンネル電流が流れる程度に薄膜化されたゲート絶縁膜におけるゲート電極からのドーパント原子の基板への拡散を防止すると共に、ゲートリーク電流を低減できるようにする。例文帳に追加

To prevent dopant atoms from diffusing in a substrate from a gate electrode on a gate insulating film thinned to a degree that a tunnel current directly flows, and to reduce a gate leak current. - 特許庁

ｐ型ドーパントおよび鉄原子の相互拡散が低減される光半導体デバイス、およびこの光半導体デバイスを製造する方法を提供することとしている。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor device in which the interdiffusion of a p-type dopant and an iron atom is reduced and to provide a method of manufacturing this optical semiconductor device. - 特許庁

効率よく高濃度に３原子複合体ドーパントを母体結晶中にドーピングできる低抵抗のｐ型III族窒化物半導体およびその作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a low resistance p-type III nitride semiconductor, and its producing method, in which a mother crystal can be doped efficiently and heavily with three atom complex dopant. - 特許庁

そして、IIIＡ族およびＶＡ族から選択されてないドーパント原子が、ポリシリコンチャネル層（１４，２２）を形成するために、ポリシリコンチャネル層（１４，２２）内にドープされる。例文帳に追加

Then, a dopant atomic not selected from group IIIA and group VA is doped into polysilicon channel layers (14, 22) to form the polysilicon channel layers (14, 22). - 特許庁

したがって、ガラスとシリコン基板の熱膨張係数を完全に適合させる必要がなくなり、無複屈折の光学構成要素を得るための、クラッド層４のドーパント（例えばホウ素原子）濃度を低減することができる。例文帳に追加

Therefore, complete matching of the coefficients of thermal expansion between the glass and a silicon substrate is unnecessary and the concentration of a dopant (such as boron atoms) in a clad layer 4 to obtain a non-birefringent optical structural element can be decreased. - 特許庁

半導体表面のテラス内に埋め込まれた半導体表面上にドーパント材料を埋め込み、表面再配列構造を形成し、半導体結晶と原子オーダで電気的接触をとる。例文帳に追加

To make electric contact between an electrode and a substrate on the order of atoms by burying a dopant material in the terrace on a semiconductor substrate and laminating a metal layer on the dopant-buried surface rearranged structure. - 特許庁

炭素がドーパントとして導入されているベース層に対して脱水素アニール処理をアニール温度５５０〜７００°Ｃで行い、これによりベース層における水素原子の濃度を５×１０^18ｃｍ^-3以下にした。例文帳に追加

Dehydrogenation annealing treatment is conducted on the base layer, where carbon is introduced as a dopant at an annealing temperature of 550 to 700°C, and the concentration of a hydrogen atom is set at 5×1018 cm-3 or lower. - 特許庁

前記光反射性金属膜（１２１）と一導電型層（１３１）との間に、少なくとも表層領域が結晶質であり、かつ微細な表面凹凸構造を有するドーパント原子含有結晶質シリコン系薄膜（１２２）を設ける。例文帳に追加

A crystalline silicon thin film 122 containing a dopant atom with at least a crystalline surface region and fine, uneven surface structure is provide between the light-reflective metal film 121 and the one-conductivity type layer 131. - 特許庁

シリコン単結晶ウエハは、酸素濃度が０．５×１０^18atoms/cm^3以上で、ドーパントを１．０×１０^12atoms/cm^3 以上の濃度で含み、結晶格子歪みが１×１０^-9〜２×１０^-5（原子単位）の範囲にある。例文帳に追加

The silicon single crystal wafer contains a dopant at a concentration of 1.0×1012 atoms/cm3 or more with an oxygen concentration of 0.5×1018 atoms/cm3 or more and has a crystal lattice strain of 1×10-9 to 2×10-5 (atomic unit). - 特許庁

また、前記第２のドーパントを、原子個数でＺｎ空孔の濃度以上（〜１０^１８ｃｍ^−３以上）、かつ、前記ＺｎＴｅ系化合物結晶中の濃度が１％以下となるようにドーピングするようにした。例文帳に追加

In addition, the second dopant is doped, so that the number of atoms is higher than the concentration of Zn vacancy (about 10^18 cm^-3 or more) and the concentration in the ZnTe-based compound crystal is 1% or less. - 特許庁

水素原子を含有する窒素源を使用し、ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた後、キャリアガスに不活性ガスを用い、かつ水素原子を含有する窒素源の流通を停止し、水素原子を含有しない窒素源により窒素原子を供給しつつ降温することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。例文帳に追加

The present invention relates to the method of manufacturing the p-type III-nitride semiconductor which is characterized in that a nitrogen source containing a hydrogen atom is used to grow a III-nitride semiconductor containing a p-type dopant, inert gases are then used as carrier gases and the circulation of the nitrogen source containing the hydrogen atom is stopped, thereby decreasing the temperature while supplying a nitrogen atom from a nitrogen source not containing the hydrogen atom. - 特許庁

ホストおよび燐光ドーパントを含む燐光発光層５を有し、ホストは、置換または無置換で核原子数１４から３０の多環式縮合芳香族骨格部を有し、かつ、最低励起３重項エネルギーギャップが２．１ｅＶ以上２．７ｅＶ以下であるホスト材料を含有し、燐光ドーパントは、下記式（１）で表される配位子を有する。例文帳に追加

The organic EL element has a host and the phosphorescent layer 5 containing a phosphorescent dopant, wherein the host contains a host material having a substituted or unsubstituted polycyclic condensed aromatic skeleton portion of 14 to 30 in nuclear atomicity and having a minimum excitation triplet energy gap of 2.1 to 2.7 eV, and the phosphorescent dopant has a ligand represented by formula (1). - 特許庁

不純物元素の平均共有結合半径を整合させ、ひずみを減少させドナーまたはアクセプタの溶解度を増大させるように、反対符号のΔｒ（母材とドーパントの共有結合原子半径の差）を持つ不純物元素を用いた、半導体装置の製造における複数のドーパントの使用が開示されている。例文帳に追加

By use of impurity elements having opposite signs of Δr (difference between the covalent bond atomic radius between the basic material and a dopant) in order to match the mean covalent bond radius of an impurity element, reduce the strain, and increase the solubility of a donor or acceptor, a plurality of dopants are further used in manufacture of a semiconductor device. - 特許庁

ドーパント元素のみを供給するプロセスと、ＩＩＩ族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含む、ラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物化合物半導体層の成長方法。例文帳に追加

The method for growth of the group III nitride compound semiconductor layer using a nitrogen source in the state of radicals, plasmas, or atoms includes a first step for alternately repeating a process to supply only the dopant element, and a process to simultaneously supply a compound including the group III element and a nitrogen raw material. - 特許庁

室温（３００Ｋ）以上において正孔濃度が１．０×１０^１５ｃｍ^‐3以上で、かつ、ドーパント原子濃度が１．０×１０^２１ｃｍ^‐3以下である実用的なｐ型ダイヤモンド半導体デバイスとその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a practical p type diamond semiconductor device in which hole concentration is 1.0×10^15 cm^-3 or above at a room temperature (300 K) or above, and also, dopant atom concentration is 1.0×10^21 cm^-3 or below, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

複数のＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｌＡｓ層１１５．１３１を用い、グラッド層１１６と記活性層１１４との間と、電流阻止層１３２と活性層１１４との間の直接接触を防ぎ、ドーパント原子の相互拡散を抑制する半絶縁埋設リッジ構造を開示する。例文帳に追加

This method of the present invention uses a plurality of InAlAs and/or InGaAlAs layers 115 and 131, and prevents the direct contact between a clad layer 116 and an active layer 114, and between a current rejection layer 132 and the active layer 114 for inhibiting the interdiffusion of dopant atoms in semi-insulating buried ridge structure. - 特許庁

シクロアルカン，π結合を有する原子団から選ばれた一種又は二種を有機官能基とするシランカップリング剤からなる界面層を介し、複素環式共役系又はヘテロ原子含有共役系のπ共役高分子及び該π共役高分子に導電性を付与するドーパントを含む有機樹脂皮膜が下地表面に設けられた有機樹脂被覆鋼板である。例文帳に追加

The organic resin-coated steel sheet is constituted by providing an organic resin film, which contains a heterocyclic conjugated or hetero atom-containing conjugated type π conjugated polymer and a dopant for imparting conductivity to the π conjugated polymer, on the surface of a steel substrate through an interface layer comprising a silane coupling agent having at least one kind of an organic functional group selected from a cycloalkane and an atomic group having a π bond. - 特許庁

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、発光層が特定構造の化合物をホスト材料として、中心に金属原子とそれに対する配位子を有する特定構造の金属錯体化合物をドーパントとして含有する。例文帳に追加

The organic electroluminescence element contains as a dopant a metal complex compound in a specific structure having a metal atom and ligand corresponding to the metal atom at the center with a compound where the luminous layer is in a specific structure as a host material in an organic electroluminescence element where a layer of or a plurality of layers of organic thin-film layers are clamped between a negative electrode and a positive electrode. - 特許庁

陽極と陰極により挟まれた少なくとも１層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層がリン光発光性ドーパントを少なくとも１種含有し、且つ、分子内に１つ以上のフェナントリジン環あるいはフェナントリジン環の炭素原子を一つあるいは二つ窒素原子で置き換えた含Ｎ複素環から構成された部分構造を含む化合物を少なくとも１種含有する有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。例文帳に追加

The organic electroluminescent element includes at least one luminescent layer sandwiched between an anode and a cathode, wherein the luminescent layer contains at least one phosphorescent dopant and has an organic layer containing at least one compound containing within a molecule a partial structure comprising one or more phenanthridine rings or N-containing hetero rings obtained by substituting one or two of the carbon atoms of a phenanthridine ring for nitrogen atoms. - 特許庁

結晶格子中に、２価あるいは３価の金属ドーパントを面的欠陥として持ち、金属イオン及び／又は金属原子が未酸化状態あるいは不飽和の低次酸化状態にあって、大きな不純物準位を有しながら標準的な格子定数に歪みを与えない結晶構造を有してなる高温合成された二酸化チタンを含有することを特徴とする化粧料の用酸化防止剤に効果のある二酸化チタン。例文帳に追加

The antioxidant for the cosmetic contains titanium oxide having a divalent or trivalent metal dopant in a crystal lattice as a plane defect, having a metal ion and/or a metal atom in an unoxidized state or an unsaturated low-level oxidation state, having a crystal structure giving no strain to a standard lattice constant while having a large impurity level, synthesized at high temperature and effective as the antioxidant for the cosmetic. - 特許庁