「パッタリ」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

グロー放電による試料Ｓ表面へのスパッタリングを用いて試料Ｓの深さ方向の成分分析を行なうグロー放電分析装置１であって、試料の各部の成分比によって層に分類した各層の成分比の平均を、深さ方向の位置に対応させて表わす深さ成分比グラフ３６の表示部３５を有する。例文帳に追加

The glow discharge analysis apparatus 1 analyzes components in a depth direction of the sample S by sputtering to a surface of the sample S using a glow discharge, and has a display 35 for displaying a depth component ratio graph 36 for indicating so as to correspond an average of the component ratio of each layer classified by the component ratio of each region of the sample to a location in the depth direction. - 特許庁

ターゲット中に存在する最大長さが３０μｍ以上の絶縁性の酸化物、特に、Ａｌ_2Ｏ_3、ＺｒＯ_2、ＴｉＯ_2、ＳｉＯ_2、ＣａＯおよびＭｇＯの粒子の総数が２０個／ｇ以下であると共に、前記ターゲットを構成するクロムまたはクロムマトリクス相の平均粒径が５０μｍ以下であるクロムまたはクロム合金からなるスパッタリングターゲットとする。例文帳に追加

In the sputtering target composed of chromium for chromium alloy, the total number of insulating oxides of ≥30 μm maximum length existing in the target, particularly particles of Al_2O_3, ZrO_2, TiO_2, SiO_2, CaO, and MgO, is ≤20 pieces/g and the average particle size of the chromium or chromium matrix phases constituting the target is ≤50 μm. - 特許庁

酸化亜鉛を主成分とし、さらにアルミニウムとガリウムを含有する酸化物焼結体とその製法、スパッタリング法などで異常放電が全く発生せず、連続で長時間成膜できるターゲット、それを用いた低抵抗で高透過性の高品質な透明導電膜、高変換効率の太陽電池を提供。例文帳に追加

To provide an oxide sintered compact containing zinc oxide as a main component, aluminum, and gallium and its manufacturing method, a target capable of forming a film continuously for a long time without causing an abnormal discharge in a sputtering method or the like, a transparent electroconductive film of high quality with a low resistance and a high transparency obtained by using it, and a solar cell having a high conversion efficiency. - 特許庁

熱による微量の遊離ハロゲンとの反応による反射率の低下を抑制し且つ耐熱性を改善しつつ、高い反射率および低い電気抵抗を有し、しかも熱や湿度に対しても高い安定性を有する反射膜、配線用または電極用薄膜及び半反射型半透過膜、ならびにかかる膜の製造に有用なスパッタリングターゲット材および蒸着材料を提供すること。例文帳に追加

To provide a reflective film, a thin film for wiring or for an electrode and a semi-reflection type semi-transmission film having high reflectivity and low electric resistance while suppressing the reduction of the reflectivity caused by reaction with a trace amount of free halogen by heat and also improving the heat resistance of, and to provide a sputtering target material and a vapor deposition material useful for the production of the films. - 特許庁

２つのプレーナー型カソードを１組として近接配置し、一方のカソードにボンディングしたターゲットＡを陰極とするときには、他方のカソードにボンディングしたターゲットＡとは異なる成分のターゲットＢを陽極にし、そしてこれらターゲットの極性を交互に反転させて電圧を印加してターゲットＡおよびＢを同時にスパッタリングする。例文帳に追加

Two planer type cathodes are closely arranged as a pair, in the case a target A bonded to either cathode is used as the negative pole, a target B of a component B different from that A in the target A bonded to the other cathode is used as the positive pole, then, the polarities of these targets are alternately reversed, voltage is applied, and the targets A and B are simultaneously sputtered. - 特許庁

真空容器５内の回転盤１１上に多数本のチューブ保持軸１５をその円周方向に所定間隔置きに立設し、各チューブ保持軸１５にスパイラルチューブ１を挿通し垂直に支持して、該スパイラルチューブ１を公転させながら自転させて該スパイラルチューブ１の表面に金属被膜３をスパッタリングして形成する。例文帳に追加

Many pieces of tube holding shafts 15 are erected at specified intervals apart in its circumferential direction on a disc 11 within a vacuum container 5, and the spiral tubes 1 are passed on each tube holding shaft 15, thereby being supported vertically, and that spiral tube 1 are rotated on its own axis while being revolved so as to sputter and form a metallic film 3 on the surface of that spiral tube 1. - 特許庁

Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＡｇ基合金で構成されていることを特徴とする耐Ａｇ凝集性にすぐれた電磁波シールド用Ａｇ合金膜，及びＳｃ，Ｙ及び希土類元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＡｇ基合金で構成されていることを特徴とする電磁波シールド用Ａｇ合金スパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target of the Ag alloy for shielding the electromagnetic wave is comprised of the Ag-based alloy containing at least one element selected from the group consisting of Sc, Y and the rare-earth element. - 特許庁

本発明は、有機素材からなる基材に、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法によりガスバリア層を形成した場合においても、ガスバリア性にムラを生じることなく、基材とガスバリア層の密着性が良好であり、ガスバリア性の向上したガスバリア性プラスチックフィルムを提供することを主目的とする。例文帳に追加

To provide a gas barrier plastic film having improved gas barrier properties and good adhesion between a base and a gas barrier layer without generating unevenness of the gas barrier properties in the case that the gas barrier layer is formed on the base composed of an organic material by plasma CVD or sputtering. - 特許庁

スパッタリングとは、真空中に不活性ガス（主にアルゴンガス）を導入しながら基板とターゲット（成膜させる物質で金属や酸化物等）間に高電圧をかけ、イオン化した不活性ガスをターゲットに衝突させて、ターゲット表面の原子をはじき飛ばして基板にターゲットと同物質の薄膜を得る方法。例文帳に追加

Sputtering is a method wherein high voltage is applied to the gap applied between substrate and target while introducing inert gas into a vacuum, and bombarding the target with a beam of ionized inert gas to eject atoms from the target surface to form a thin layer of the same substance on the substrate. - 厚生労働省

焼結体の相対密度が５０％以上９０％未満であり、酸化マグネシウム純度が９７質量％以上であり、かつ、粒径２００μｍ以上の粗大粒子を含むことを特徴とする単結晶酸化マグネシウム焼結体、及び、この単結晶酸化マグネシウム焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したプラズマディスプレイパネル用保護膜である。例文帳に追加

The protective film for a plasma display panel is produced by an electron beam deposition method, an ion irradiation deposition method, or a sputtering method using the single crystal magnesium oxide sintered compact as a target material. - 特許庁

粒径２００μm以上の粒子を含有するとともに、Ｘ線回折法により測定した（２００）面のＸ線強度及び（１１１）面のＸ線強度を、それぞれａカウント毎秒及びｂカウント毎秒としたとき、２０＜ａ／ｂ＜３００であることを特徴とする単結晶ＭｇＯ焼結体、及び、この単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したＰＤＰ用保護膜である。例文帳に追加

The protective film for PDP is formed by the electron beam vapor deposition method, the ion irradiation vapor deposition method or the sputtering method using the single crystal MgO sintered compact as the target material. - 特許庁

透明なフィルム基材の片面または両面に、少なくとも１層のアンダーコート層を形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程、および前記パターン化された透明導電体層をアニール化処理して結晶化させる工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the transparent conductive film has the process of forming at least one undercoat layer on one surface or each of both surfaces of a transparent film base material, the process of forming the transparent conductive layer on the undercoat layer by a sputtering method, the process of etching the transparent conductive layer to keep patternized, and the process of annealing and crystallizing the patternized transparent conductive layer. - 特許庁

円筒形基材１０と複数の円筒形ターゲット材２０とを接合材を用いて接合し、円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法において、円筒形基材を基準として円筒形ターゲット材を配置する際に、隣り合う円筒形ターゲット材の間に、隣り合う円筒形ターゲット材の外周面が一致するように円筒形ターゲット材を固定することができるスペーサーを挿入して製造する。例文帳に追加

In the method for manufacturing the cylindrical sputtering target by joining a cylindrical base material 10 and a plurality of cylindrical target materials 20 to one another by using a joining material, spacers capable of fixing the cylindrical target materials are inserted between adjacent cylindrical target materials so that outer peripheral surfaces of the adjacent cylindrical target materials are made coincident with each other when the cylindrical target materials are disposed with the cylindrical base material as a reference. - 特許庁

単結晶α−Ａｌ２Ｏ３基板３上に、酸窒化アルミニウム層４を介して窒化アルミニウム結晶膜５が形成されてなる母材６上に、スパッタリング法により、１５０〜５００℃にて窒化アルミニウム１を析出させ、次いで、前記反応スパッタ温度よりも高く、かつ２５０〜８００℃にてアニールを行うことにより高配向窒化アルミニウム多結晶膜１が形成さた窒化アルミニウム複合膜１０が製造する。例文帳に追加

An aluminum nitride composite film 10 is produced by precipitating aluminum nitride 1 at 150 to 500°C by sputtering on a base material 6 comprising a single crystal α-Al_2O_3 substrate 3 and an aluminum nitride crystal film 5 formed thereon via an aluminum oxynitride layer 4, and subsequently annealing at a temperature higher than the reaction sputtering temperature and in a range from 250 to 800°C to form a highly oriented aluminum nitride polycrystalline film 1. - 特許庁

また、本発明によるパッシベーション層を有する強誘電体構造を含む集積回路デバイスを製造する方法は、堆積チャンバを提供する工程と、上部電極と下部電極との間に位置する強誘電体材料を含む強誘電体構造を堆積チャンバに提供する工程と、堆積チャンバにアルミニウムとチタンとを提供する工程と、アルミニウムおよびチタンをスパッタリングして、上部電極上にチタンドープトアルミニウム酸化物パッシベーション層を形成する工程とを包含する。例文帳に追加

A method for manufacturing the integrated circuit device including a ferroelectric structure having the passivation layer includes a process for providing a deposition chamber, a process for providing the ferroelectric structure including the ferroelectric material positioned between an upper electrode and a lower electrode to the deposition chamber, a process for providing aluminum and titanium to the deposition chamber, and a process for forming titanium doped aluminum oxide passivation layer on the upper electrode. - 特許庁

酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と、インジウム酸マグネシウム粉末及び／又はスズ酸マグネシウム粉末とを混合した混合物、又は、酸化インジウム−酸化スズ複合酸化物粉末と、インジウム酸マグネシウム粉末及び／又はスズ酸マグネシウム粉末とを混合した混合物を成形した後、焼結して得られる実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｍｇ及びＯからなる焼結体を用いてスパッタリングターゲットを構成する。例文帳に追加

The sputtering target is composed of a sintered body substantially consisting of In, Sn, Mg and O, which compacts a mixture of powders of indium oxide and tin oxide, and powders of magnesium indate and/or magnesium stanate, or a mixture of a composite oxide powder of indium oxide-tin oxide, and powders of magnesium indate and/or magnesium stanate, and then sintering the compact. - 特許庁

プラスチックフィルム表面に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法及びＣＶＤ法から選ばれるいずれかの方法により金属酸化物薄膜を形成し、該金属酸化物薄膜上に、アクリロイル基及び／又はメタクリロイル基を有するシランカップリング剤を含有する活性エネルギー線硬化性組成物を塗布し、活性エネルギー線を照射して硬化被膜を形成するガスバリア性フィルムの製造方法。例文帳に追加

The method comprises forming a metal oxide thin film on the surface of a plastic film by the vacuum vapor deposition, ion plating, sputtering or CVD method, applying, onto the oxide film, an active-energy-hardenable composition containing a silane coupling agent containing an acryloyl and/or a methacryloyl group, and irradiating active energy rays to form a hardened coating. - 特許庁

クロム、ニッケル、タンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合金からなる合金相と、酸素、窒素および炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物からなるセラミックス相の微細均質分散混合相からなるスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target comprises a fine homogeneous dispersion mixed phase of an alloy phase consisting of at least one kind of metal elements of chromium, nickel, tantalum, and platinum and the balance a cobalt alloy, and a ceramic phase consisting of a compound of at least one kind of elements of oxygen, nitrogen and carbon, and at least one kind of elements of silicon, aluminum, boron, titanium and zirconium which have affinity to these elements. - 特許庁

気密チャンバ１中にプラズマ１３を発生させ、該プラズマ１３によりスパッタターゲット６をスパッタリングし、ターゲット原子のイオンを射出するプラズマスパッタ型負イオン源において、気密チャンバ１内に、所定の目的元素を含むスパッタターゲット６が複数種類配置され、複数種類のスパッタターゲット６の中から選択された一つのスパッタターゲットにプラズマ１３中の正イオンを誘導する。例文帳に追加

In this plasma sputter type negative ion source generating plasma 13 inside the hermetic chamber 1, sputtering a sputter target 6 by the plasma 13, and emitting ions of a target atom, multiple kinds of sputter targets 6 including a predetermined target element are arranged inside the hermetic chamber 1, and positive ions inside the plasma 13 are guided to one target selected from multiple kinds of sputter targets 6. - 特許庁

インジウム（Ｉｎ）と、亜鉛（Ｚｎ）と、金属元素Ｘ（但し、ＸはＡｌ及びＴｉから選択される１種以上の元素を表す）と、酸素（Ｏ）とからなる酸化物焼結体であって、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び金属元素Ｘの原子数比がそれぞれ、０．２≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．８、０．１≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．５、及び０．１≦Ｘ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．５を満たす酸化物焼結体、及び、該酸化物焼結体をターゲットとするスパッタリングによって成膜された、前記原子数比と同一組成をもつ酸化物半導体膜。例文帳に追加

An oxide semiconductor thin film having the same composition as the atomic ratios and deposited by sputtering using the oxide sintered compact as a target is also provided. - 特許庁

半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。例文帳に追加

In a method of manufacturing the Cu-based wiring of a semiconductor device formed by embedding a Cu-Ti alloy directly in a recessed part provided to an insulating film on a semiconductor substrate, the Cu-Ti alloy contains 0.5 to 3.0 atom% of Ti, and is formed by a sputtering method and heated under heating conditions when or after being buried in the recessed part. - 特許庁

ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。例文帳に追加

The manufacturing method of ferroelectric film in which the ferroelectric film is formed on a substrate disposed on an anode by using a target made from a ferroelectric substance disposed on a cathode according to an RF magnetron sputtering method comprises: a substrate heating process for heating the substrate; and a charged particle neutralizing process for neutralizing charged particles of the ferroelectric substance which fly and deposit on the substrate. - 特許庁

本発明による内燃機関用部品の製造方法は、金属から形成された部品本体を用意する工程と、第１のターゲットおよび第１のターゲットとは異なる角度で配置された第２のターゲットを有するチャンバ内に部品本体を配置する工程と、第１のターゲットおよび第２のターゲットをスパッタリングすることによって部品本体の外側を覆うセラミックス膜を形成する工程とを包含する。例文帳に追加

This method of manufacturing the component for the internal combustion engine comprises the steps of: preparing a part body made of a metal, disposing the part body in a chamber having a first target and a second target disposed at a different angle from the first target, and forming a ceramics film covering the outside of the part body by spattering the first target and the second target. - 特許庁

このターゲット製造方法は、スパッタリングによって無機物の膜を形成する際に用いられるターゲットを製造する方法において、金属製の基材及びターゲット材料の粉末を用意する工程（ａ）と、ターゲット材料の粉末をガス中に分散させることによりエアロゾルを生成し、生成されたエアロゾルをノズルから基材に向けて噴射することにより基材上にターゲット材料を堆積させる工程（ｂ）とを具備する。例文帳に追加

This method for producing the target which is used for forming an inorganic film with a sputtering technique comprises the steps of: (a) preparing a metal substrate and a powder of the target material; and (b) producing an aerosol by dispersing the powders of the target material into a gas and depositing the target material on the substrate by spouting the produced aerosol onto the substrate from a nozzle. - 特許庁

しかし、有機ＥＬ素子の重ね方によって、陽極電極として使用されるＩＴＯ等の透明電極はスパッタリング等の方法によって形成されるため、ＩＴＯ等の透明電極が形成される最中に有機層が傷つけられてしまうという問題が生じる場合があり、また、陰極電極と陽極電極とが接触すると、陰極電極となる材料と陽極電極となる材料との仕事関数の違いから、一方の材料の劣化速度が速まり、寿命が短くなってしまう場合がある例文帳に追加

An insulation layer is arranged between the first positive electrode and the second negative electrode. - 特許庁

強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、前記強磁性金属元素を含む磁性相１２と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相１４、１６と、酸化物相１８とを有しており、前記磁性相１２および前記複数の非磁性相１４、１６からなる各相は、お互いに前記酸化物相１８により仕切られている。例文帳に追加

This target for magnetron sputtering having a ferromagnetic metal element includes a magnetic phase 12 containing the ferromagnetic metal element, a plurality of non-magnetic phases 14, 16 containing the ferromagnetic metal element and different in constituent elements or content ratios thereof, and an oxide phase 18, wherein the respective phases comprising the magnetic phase 12 and the plurality of non-magnetic phases 14, 16 are separated from one another by the oxide phase 18. - 特許庁

酸化チタンマトリックス中に結晶性ハイドロキシアパタイトが分散した複合材料薄膜、及び酸化チタンとハイドロキシアパタイトを１〜１００ｍＴｏｒｒのアルゴン雰囲気中で同時スパッタリングして、酸化チタンマトリックス中にハイドロキシアパタイトが分散する複合材料の前駆体薄膜を形成し、さらにこの前駆体薄膜を４００〜１０００°Ｃでアニールし、酸化チタンマトリックス中に結晶性ハイドロキシアパタイトを形成する酸化チタンマトリックス中にハイドロキシアパタイトが分散した複合材料薄膜の製造方法。例文帳に追加

The composite material thin film is constituted by dispersing crystalline hydroxyapatite in a titanium oxide matrix and manufactured by forming a precursor thin film of a composite material, wherein hydroxyapatite is dispersed in the titanium oxide matrix, by simultaneously sputtering titanium oxide and hydroxyapatite in an argon atmosphere of 1-100 mTorr and further annealing the precursor thin film at 400-1,000°C to form crystalline hydroxyapatite in the titanium oxide matrix. - 特許庁

可撓性の高い、例えばポリイミド樹脂シートを基材とし、基材の片側平面に発熱抵抗体及び個別電極及び信号入力電極及び保護膜を、スパッタリング及びフォトリソ工程等をもちいて成膜及びパタニーングを行い同一平面状に発熱体駆動素子を搭載し、個別電極と信号入力電極と電気的に接合して、駆動素子と電気的接合部位を樹脂接着剤で保護を行い、樹脂および金属等の剛性体、例えば面取りを施した平版に、貼りつけて構成されるサーマルヘッドにする。例文帳に追加

Heater drive elements are mounted on the same plane, the discrete electrodes and the signal input electrodes are bonded electrically, the drive elements and the electrical bonding part are protected with resin adhesive and then it is stuck to a rigid body of resin and metal, e.g. a beveled flat plate, thus constituting a thermal head. - 特許庁

本発明は、スパッタレートが高い消耗領域の厚みが他の領域の厚みよりも大きい厚み変化を有するスパッタリング用ターゲット材の製造方法であって、貴金属塩含有溶液に陰極と陽極とを対向状態で浸漬し、該陰極の前記消耗領域に略対応する位置の電流密度が、前記他の領域に略対応する位置の電流密度よりも高い状態で貴金属塩含有溶液を電解して貴金属又は貴金属合金を析出させるものである。例文帳に追加

To provide a method capable of easily producing a target material of noble metal or a noble metal alloy having a change of thickness capable of corresponding to its partial consumption at the time of sputtering and to produce a noble metal target material for sputtering produced by the method. - 特許庁

現在の冷陰極放電管においては、長寿命化を図るために、電極部材料としてニッケルに代えてモリブデンやニオブ等のスパッタリング率の低い材料が使用されつつあるが、これら材料によって電極部を構成した場合に、電極部のプレス成型時の歩留り率が極めて悪く、しかも電極部と導入線との溶接による固着の際に再結晶脆化し易くなるので、必要な溶接強度を確保することが難しいという問題があったが、これを改善し、プレス成型が容易で、必要な溶接強度も容易に得られ、長寿命化の達成が可能な冷陰極放電管を提供する。例文帳に追加

To provide a cold-cathode discharge tube in which press molding is easy, necessary welding strength is easily obtained, and realization of a life prolongation is possible. - 特許庁

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。例文帳に追加

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas. - 特許庁