「下極」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

記録ギャップ層１４は、下部磁極層１１と上部磁極層１６の各磁極部分の間に設けられている。例文帳に追加

The recording gap layer 14 is provided between the lower magnetic pole layer 11 and the upper magnetic pole layer 16. - 特許庁

ＩＤＴ電極は、電極幅Ｌｔと電極間ピッチＰｔとの比率Ｌｔ／Ｐｔが０．５以上、０．６５以下である。例文帳に追加

The IDT electrode is provided, in a manner such that the ratio of an electrode width Lt to an electrode pitch Pt, i.e., Lt/Pt is larger than 0.5 and smaller than 0.65. - 特許庁

電極体１は、袋状のセパレータ１５内に収容された正極１２と、負極１３とを上下方向に複数段積層してなる。例文帳に追加

The electrode body 1 is composed of cathodes 12 housed in a bag-shaped separator 15 and anodes 13 laminated in a plurality of stages of layers. - 特許庁

陰極降下電圧が低く発光効率に優れた放電管用電極、およびこれを用いた冷陰極蛍光管を簡易に提供する。例文帳に追加

To provide with ease an electrode for a discharge tube with a low cathode fall voltage and excellent in emission efficiency, as well as a cold-cathode fluorescent tube using the same. - 特許庁

ＦＥＤ等に用いられる電界放出型冷陰極における陰極層と下部電極との密着性を高め、安定した導通を得る。例文帳に追加

To enhance the adhesiveness of a cathode layer and a lower part electrode in a field emission type cold cathode used for an FED or the like, and to obtain stable conduction. - 特許庁

正極や負極の電極組成は、活物質が８０％以上、導電助剤が１０％以下である。例文帳に追加

The cathode and the anode are constituted of activator by 80% or more and conductive assistant by 10% or less. - 特許庁

コイン形電池に巻回構造の極板群を適用したとき、落下等により正極、負極間に短絡が発生することを防止する。例文帳に追加

To provide a coin-shaped battery to which, an electrode group with winding structure is applied, which is prevented from short-circuit between a positive electrode and a negative electrode generated by dropping or the like. - 特許庁

耐衝撃性に優れると共に超偏極希ガスの偏極率の低下を抑制することが可能な超偏極希ガス導入管を提供する。例文帳に追加

To provide a hyperpolarized noble gas introduction tube which has good shock resistance and can reduce a decrease in the polarization rate of hyperpolarized noble gas. - 特許庁

これらの構成は、特に、正極−負極の極板間距離を１．５０ｍｍ以下とした鉛蓄電池に有効である。例文帳に追加

The configurations are especially effective for a lead-acid storage battery with an interval between a cathode and an anode of 1.50 mm or less. - 特許庁

このような内部電極を圧電体内部に設けることにより、電極間の距離を２分の１以下とし、電界の曲がりを極小にする。例文帳に追加

The material of a tuning-fork-type piezoelectric gyro is made of piezoelectric ceramic with improved temperature stability and is manufactured by the tape casting method. - 特許庁

対物レンズ３０は、上側磁極１３、下側磁極２０、及び、両磁極間に配置された励磁コイル１５を備える。例文帳に追加

The object lens 30 has an upper magnetic pole 13, a lower magnetic pole 20, and a magnetization coil 15 located between the both magnetic poles. - 特許庁

プラグ５は先端側に高圧側電極６を有し、高圧側電極６の下方位置には低圧側電極７が配置されている。例文帳に追加

As for the plug 5, it has a high voltage side electrode 6 at the tip side, and a low voltage side electrode 7 is arranged at the downward position of the high voltage side electrode 6. - 特許庁

ゲートパッド１１に接続された下電極１２と、下電極１２に対向するように配置されたゲート引き出し電極１０と、下電極１２およびゲート引き出し電極１０間に配置された誘電体１３と、下電極１２およびゲート引き出し電極１０間を電気的に接続する抵抗体１４とを備えた。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with a lower electrode 12 which is connected with a gate pad 11, a gate leading electrode 10 which is arranged opposite to the lower electrode 12, a dielectric 13 which is arranged between the lower electrode 12 and the gate leading electrode 10, and a resistor 14 which electrically connects the lower electrode 12 and the gate leading electrode 10. - 特許庁

メンブレンスイッチ１は、絶縁樹脂上にスクリー印刷により下部接点電極３を印刷した下部電極シート５と、絶縁樹脂上に前記下部電極シート５の下部接点電極３と対応する位置に上部接点電極７を印刷し、かつ前記上部接点電極７を中央にしてエンボス加工によりエンボス部９を設けた上部電極シート１１と、を備える。例文帳に追加

The membrane switch 1 is provided with a lower electrode sheet 5 in which a lower contact electrode 3 is printed on an insulating resin by a screen printing and an upper electrode sheet 11 in which an upper contact electrode 7 is printed on an insulating resin at a position corresponding to the lower contact electrode 3 of the lower electrode sheet 5 and an embossing portion 9 is provided by embossing with the upper contact electrode 7 in the center. - 特許庁

ゲート電極２３と同層の上側電極２４下方にゲート絶縁膜２２を介してタングステンシリサイド（ ＷＳｉｘ ）薄膜からなる下側電極１８を設け、この下側電極１８及び上側電極２４間で補助容量を形成し、絶縁破壊による点欠陥等の表示不良を生じる事無く下側電極１８及び上側電極２４間の距離を狭め補助容量を増大する。例文帳に追加

The distance between the lower electrode 18 and the upper electrode 24 is narrowed to increase the auxiliary capacitor without the occurrence of a display defect, such as a dot defect, by dielectric breakdown. - 特許庁

本発明の太陽電池は、ｐｎ接合を有する基板上の線状の受光面電極が、下地電極層および前記下地電極層上のメッキ電極層を備え、前記メッキ電極層が、前記下地電極層の線幅と同じ線幅、又は前記下地電極層の線幅より狭い線幅を有することを特徴とする。例文帳に追加

In the solar battery, a linear light receiving surface electrode on a substrate having pn junction is provided with a ground electrode layer and a plating electrode layer on the ground electrode layer, and the plating electrode layer has a line width which is the same as that of the ground electrode layer or a line width narrower than that of the ground electrode layer. - 特許庁

下部電極、前記下部電極上に形成され、導電性微粒子とこれら導電性微粒子間に介在する粒子間絶縁体とを含む多重トンネル伝導層、及び前記多重トンネル伝導層上に形成された表面電極を備え、前記表面電極を正極として前記表面電極及び前記下部電極間に電圧を印加することにより前記表面電極から電子を放射する電界放射型電子源。例文帳に追加

The field emission type electron source comprises a lower electrode, a multiple tunnel conductive layer including conductive fine particles and inter-particle insulation bodies intercalated between the conductive fine particles, and a surface electrode formed on the multiple tunnel conductive layer, and emits electron by the voltage impressed between the surface electrode as a positive electrode and the lower electrode. - 特許庁

記録ヘッドは、下部磁極層８および上部磁極層１３と、この下部磁極層８の磁極部分と上部磁極層１３の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層１２と、下部磁極層８および上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル１０，１４とを有している。例文帳に追加

A recording head includes a lower magnetic pole layer 8, an upper magnetic pole layer 13, a recording gap layer 12 which is formed between the magnetic pole parts of layers 8 and 13 and the thin film coils 10 and 14 which are placed between the layers 8 and 13 and insulated from these layers. - 特許庁

強誘電体メモリは、プラグと、プラグの上方に形成され、上部電極、下部電極、および上部電極と下部電極の間に挟まれた強誘電体とから成る強誘電体キャパシタと、プラグと下部電極との接続面を覆うバリア層とを含む。例文帳に追加

A ferroelectric memory comprises a plug, a ferroelectric capacitor, which is formed above the plug and consists of an upper electrode, a lower electrode and a ferroelectric held between the upper electrode and the lower electrode, and a barrier layer covering a connection surface between a plug and a lower electrode. - 特許庁

下部電極配線４０、下部電極配線と交差する上部電極配線４６、及び上部電極配線と下部電極配線との間の交差部分に備えられた積層物を備え、積層物は、バリスタ４２と抵抗体４４とを備える。例文帳に追加

The resistant RAM comprises a lower electrode wire 40, an upper electrode wire 46 that intersects with the lower electrode wire, and a lamination provided at the intersection of the upper electrode wire and the lower electrode wire, and the lamination comprises a varistor 42 and a resistor 44. - 特許庁

そして、各下部電極上に２個の熱電素子が接合され、隣接する下部電極上の隣接する熱電素子１１が１個の上部電極により接続されていて、これにより、複数個の熱電素子１１が下部電極及び上部電極により直列に接続されている。例文帳に追加

Then, two thermoelectric elements are bonded to each lower electrode, and an adjacent thermoelectric element 11 on an adjacent lower electrode is connected by one upper electrode, thus connecting a plurality of thermoelectric elements 11 by the lower and upper electrodes in series. - 特許庁

下部ＩＧＢＴ(1)に固着された下部電極層(5)と、下部電極層(5)に固着された上部電極層(6)と、上部電極層(6)に固着された上部ＩＧＢＴ(2)と、上部電極層(6)と上部ＩＧＢＴ(2)とを接続する半田(7)とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with a lower electrode layer (5) fixed to the lower IGBT (1), an upper electrode layer (6) fixed on the lower electrode layer (5), the upper IGBT (2) fixed on the upper electrode layer (6) and a solder (7) for connecting the upper electrode layer (6) to the upper IGBT (2). - 特許庁

下部ＩＧＢＴ(1)に固着された下部電極層(5)と、下部電極層(5)に固着された上部電極層(6)と、上部電極層(6)に固着された上部ＩＧＢＴ(2)と、上部電極層(6)と上部ＩＧＢＴ(2)とを接続する半田(7)とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device comprises: a lower electrode layer (5) fixed to a lower IGBT (1); an upper electrode layer (6) fixed to the lower electrode layer (5); an upper IGBT (2) fixed to an upper electrode layer (6); and a solder (7) for connecting the upper electrode layer (6) to the upper IGBT (2). - 特許庁

第１下部電極１３上のＮ型熱電材料１５Ｂ上、及び第２下部電極１３上のＰ型熱電材料１５Ａ上には第１上部電極１６が形成され、第２下部電極１３上のＮ型熱電材料１５Ｂ上には第２上部電極１６が形成されている。例文帳に追加

A first upper electrode 16 is formed on the n-type thermoelectric materials 15B on the first lower electrode 13 and the p-type thermoelectric materials 15A on the second lower electrode 13, and the second upper electrode 16 is formed on the n-type thermoelectric materials 15B on the second lower electrode 13. - 特許庁

ガス流れの上流側と下流側に電極１、２を配置すると共に上流側の電極２と下流側の電極１を対向させて上流側の電極２と下流側の電極１の間を放電空間３として形成する。例文帳に追加

Electrodes 1, 2 are arranged on the upstream side and the downstream side of gas flow, the electrode 2 of the upstream side is opposed to the electrode 1 of the downstream side, and a discharge space 3 is formed between the electrode 2 of the upstream side and the electrode 1 of the downstream side. - 特許庁

本ヘテロ接合型電界効果トランジスタは、電極上部２ａと、電極上部の下面２ｄから下方に延在し、半導体基板に平行な横断面積が電極上部より小さい電極下部２ｂ、２ｃとを有する、Ｔ型ゲート電極２を備えている。例文帳に追加

This heterojunction field-effect transistor includes a T-shaped gate electrode 2, comprising the upper portion 2a of the electrode, and the lower portions 2b and 2c of the electrode which extends downwardly from the lower face 2d of the upper portion of the electrode has smaller transversal area parallel to a semiconductor substrate than the upper portion of the electrode. - 特許庁

下部電極活物質１１ａと固体電解質１２と上部電極活物質１３ａと上部電極集電体１３ｂとは、平面視略同一形状で積層され、下部電極集電体１１ｂと下部電極活物質１１ａとの接触面の外周は、下部電極活物質１１ａの下面の外周よりも内側に形成される。例文帳に追加

The lower electrode active material 11a, solid electrolyte 12, upper electrode active material 13a, and upper electrode collector 13b are laminated in substantially the same shape in plan view, and an outer periphery of a contact surface between the lower electrode collector 11b and lower electrode active material 11a is formed inside an outer periphery of a lower surface of the lower electrode active material 11a. - 特許庁

少なくとも一対のパッケージ電極と、前記一方のパッケージ電極に載置された上下電極型発光ダイオード１１と、前記上下電極型発光ダイオードの上部部分電極１２１と他方のパッケージ電極とが接続されている。例文帳に追加

At least a pair of package electrodes is provided, a vertical electrode type light-emitting diode 11 is mounted on one package electrode, and the upper portion electrode 121 of the vertical electrode type light-emitting diode is connected with the other package electrode. - 特許庁

上部電極４、下部電極６、接触電極７および信号線８は、マイクロスイッチのオフ状態における接触電極７と信号線８との最短距離が、上部電極４と下部電極６との最短距離よりも長くなるように配設されている。例文帳に追加

An upper electrode 4, a lower electrode 6, a contact electrode 7 and a signal wire 8 are disposed, in such a manner that a shortest distance between the contact electrode 7 and the signal wire 8 in a switch-off state is made longer than the shortest distance between the electrodes 4 and 6. - 特許庁

２電極型フィルム式静電容量センサのマット電極９は、樹脂フィルム１０の両面に形成された上側電極１１及び下側電極１２と、これら上側電極１１及び下側電極１２を被覆する樹脂コーティング層１３、１４により構成される。例文帳に追加

A mat electrode 9 of the film type capacitance sensor of 2-electrode type is composed of the upper side electrode 11 and the lower side electrode 12 formed on both faces of a resin film 10, and resin coating layers 13, 14 covering these upper side electrode 11 and lower side electrode 12. - 特許庁

記録ヘッドは、下部磁極層８（８ａ〜８ｃ）と、上部磁極層１３と、これらの磁極層の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層１２と、下部磁極層８および上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０とを有している。例文帳に追加

A recording head has a lower magnetic pole layers 8 (8a-8c), an upper magnetic pole layer 13, a recording gap layer 12 which is provided between the pole parts of these magnetic pole layers, and a thin film coil 10 which is disposed in an insulated state between the lower and the upper magnetic pole layers 8, 13. - 特許庁

電解槽に固定した電極座上に電極周りの絶縁部材を介して電極を載せる絶縁構造と、当該電極を受ける電極座よりも大きい非導電性の仕切り板を有し、この非導電性の仕切り板を当該電極の下部絶縁部材の下面に配置して絶縁装置としてなる。例文帳に追加

The isolator comprises: an insulation structure where each electrode is placed on each electrode seat fixed to an electrolytic cell via each insulation member around each electrode; and each nonconductive partition plate larger than each electrode seat receiving each electrode, and each nonconductive partition plate is arranged at the lower face of the lower insulation member in each electrode. - 特許庁

そして、陽極箔21と電気的に接続された陽極リード線41と、陰極箔22と電気的に接続された陰極リード線42とが、コンデンサ素子1巻回部2下面から延出すると共に、外殻(5)を貫通し、外殻5下面に配置される陽極端子板61及び陰極端子板(62)とそれぞれ接続する。例文帳に追加

The positive lead 41 connected with a positive electrode foil 21 and the negative lead 42 connected with the negative electrode foil 22 are extended out from under a winding 2 of the wound capacitor element 1, and connected to a positive terminal tab 61 and the negative terminal tab 62 respectively through the outer case 5. - 特許庁

記録ヘッドは、下部磁極層１０と、上部磁極層１５と、これらの磁極層の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層１４と、下部磁極層１０および上部磁極層１５の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１２とを有している。例文帳に追加

This recording head has a lower magnetic pole layer 10, an upper magnetic pole layer 15, a magnetic gap layer 14 disposed between the respective magnetic pole parts of these magnetic pole layers and thin-film coils 12 disposed between the lower magnetic pole layer 10 and the upper magnetic pole layer 15 in the state of being insulated therefrom. - 特許庁

このとき、下部電極は、両電極間の電界ｅ１が特定の方向性を有するように部分的な電極とし、かつ、下部電極の位置は、該電界ｅ１がＺ軸の分極を反転させる方向成分を含むように、上部電極の位置に対して決定する。例文帳に追加

The lower electrode 3 is constituted as a partial electrode so that an electric field e1 between both the electrodes 2, 3 has a specific directivity and the position of the lower electrode 3 is determined in accordance with the position of the upper electrode 2 so that the electric field e1 includes a directional component for inverting the polarization of a Z axis. - 特許庁

レジストパターン及びキャパシタ誘電体膜をエッチングマスクとして、下部電極層をエッチングすることにより、下部電極を形成する。例文帳に追加

A lower electrode is formed by etching the lower electrode layer using the resist pattern and the capacitor dielectric film as the etching mask. - 特許庁

ソース／ドレイン電極の下側のポテンシャル障壁を低くして、ソース／ドレイン電極下側の寄生抵抗を低減することを目的とする。例文帳に追加

To reduce a parasitic resistance in the lower side of source/drain electrodes by lowering potential barrier in the lower side of the source/drain electrodes. - 特許庁

試験質量の下の基板の上の感知プレートまたはシールド電極が、試験質量の電極フィンガーの範囲の下に完全に延在する。例文帳に追加

A sense plate or shield electrode on the substrate beneath the proof mass extends completely under the extent of the electrode fingers of the proof mass. - 特許庁

圧電膜３の上には上部電極６が形成され、圧電膜３の下には下部電極７が形成される。例文帳に追加

An upper electrode 6 is to be formed on the piezoelectric film 3, and a lower electrode 7 is to be formed under the piezoelectric film 3. - 特許庁

ソース電極１８直下およびソース電極パッド１０直下には同時にバイアホール１３、１４が形成されており、互いの大きさが異なる。例文帳に追加

Via holes 13 and 14 are simultaneously formed immediately under the source electrode 18 and the source electrode pad 10, and the holes differ in dimensions. - 特許庁

下部電極１０５は、キャパシタの下部電極として機能すると同時に、ＳＲＡＭセルのノード配線としても機能する。例文帳に追加

The lower electrode 105 functions as the lower electrode of a capacitor and simultaneously functions as the node wiring of the SRAM cell. - 特許庁

ガラス基板１上に下部電極２を形成し、当該下部電極２上にカーボンナノチューブ（電子放出材料）５を形成する。例文帳に追加

A lower section electrode 2 is formed on a glass substrate 1, and a carbon nanotube (an electron discharge material) 5 is formed on the electrode 2. - 特許庁

したがって、現像ローラ５には、第１最下流電極１２Ａおよび第２最下流電極１３Ｃから交互にトナーが供給される。例文帳に追加

Accordingly, the toner is fed to the development roller 5 alternatively from the first downstream-most electrode 12A and from the second downstream-most electrode 13C. - 特許庁

半導体基板の上方に、下部電極膜を形成した後、この下部電極膜上に、強誘電体膜１０を形成する。例文帳に追加

After forming a lower electrode film above a semiconductor substrate, a ferroelectric substance film 10 is formed on this lower electrode film. - 特許庁

これによって、キャパシター上部及び下部電極がキャパシター上部及び下部電極の界面で殆ど同じドーピング濃度を持つようになる。例文帳に追加

This causes the upper and lower electrodes of the capacitor to have almost the same doping concentration at the interface between them. - 特許庁