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光電子集積回路の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 171



例文

半導体素子の製造方法、半導体素子、並びに該半導体素子を用いた集積回路、電気学装置及び電子機器例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTEGRATED CIRCUIT USING THE DEVICE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

シリアルバスの不要電磁輻射を抑制できる集積回路装置、電気学装置及び電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide an integrated circuit device, an electrooptical device and an electronic device, capable of suppressing the unneeded electromagnetic radiation of a serial bus. - 特許庁

半導体薄膜の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体素子、集積回路、電気学装置及び電子機器例文帳に追加

PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR THIN FILM, PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, INTEGRATED CIRCUIT, ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

半導体薄膜の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、集積回路、電気学装置及び電子機器例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, INTEGRATED CIRCUIT, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

例文

トランジスタの製造方法、トランジスタ、トランジスタを用いた集積回路、電気学装置及び電子機器例文帳に追加

TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND INTEGRATED CIRCUIT, ELECTROOPTIC DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT USING TRANSISTOR - 特許庁


例文

微小タイル状素子、微小タイル状素子の製造方法、半導体集積回路、電気学装置及び電子機器例文帳に追加

FINE TILE-LIKE ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AN ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

階調電圧の下限電圧をグランド電圧にできる集積回路装置、電気学装置及び電子機器等を提供すること。例文帳に追加

To provide: an integrated circuit device configured such that a lower limit voltage of gradation voltage can be set to a ground voltage; an electro-optical device; and an electronic apparatus. - 特許庁

集積回路のような電子素子の製造に用いることのできる調節可能なレジストの学特性を変化させる方法及びシステムに関する。例文帳に追加

To provide a method and a system for changing optical characteristics in an adjustable resist usable for manufacturing an electron device such as an integrated circuit. - 特許庁

集積回路のような電子素子の製造に用いることのできる調節可能なレジストの学特性を変化させる方法及びシステムに関する。例文帳に追加

To provide a method and a system for changing optical characteristics in an adjustable resist usable for manufacturing an electron device, such as an integrated circuit. - 特許庁

例文

階調電圧の下限電圧をグランド電圧にできる集積回路装置、電気学装置及び電子機器等を提供すること。例文帳に追加

To provide an integrated circuit device, an electrooptical device and electronic equipment or the like in which lower limit voltage of gradation voltage can be set to ground voltage. - 特許庁

例文

電子及び集積回路の配線等の種々の応用が可能な新規ナノワイヤを、簡便な方法により製造する。例文帳に追加

To manufacture a novel nanowire variously applicable in wiring of an electronic or optical integrated circuit or the like by a simple and convenient method. - 特許庁

信号の伝送歪み及び伝送ロスを減少することができる光電子集積回路装置を提供することを第一の目的とする。例文帳に追加

To provide a photoelectric integrated circuit in which transmission distortion and a transmission loss of a signal can be decreased, and to provide a photoelectric integrated circuit in which a transmission delay time of a signal can be shortened. - 特許庁

このようにして得た電気伝導性パターンは電気もしくは半導体装置、例えば印刷回路板、集積回路、ディスプレー、電界発装置または電池などを製造するための電子回路として使用可能である。例文帳に追加

The electric conductive pattern thus obtained can be used as the electric circuit for manufacturing electric or semiconductor equipment such as printed circuit board, integrated circuit, display, electroluminescence device or photocell, etc. - 特許庁

回路の大規模化を抑えながら適正なサンプルホールド動作を実現できるサンプルホールド回路集積回路装置、電気学装置及び電子機器の提供。例文帳に追加

To provide a sample-hold circuit, an integrated circuit, an electro-optic device, and electronic equipment capable of achieving a proper sample hold operation while suppressing the circuit scale. - 特許庁

層136は、少なくとも集積回路チップ133の下面側に形成された能動層(図示せず)に電子的な影響を与える成分の少なくとも一部、特に、基板11の内部から集積回路チップ133に向けて出射されるを遮するように構成されている。例文帳に追加

The light shielding layer 136 is constructed so as to shield at least a part of a light component electronically affecting at least an active layer formed on the lower side of an integrated circuit chip 133, especially light emitted from the inside of a substrate 11 toward the integrated circuit chip 133. - 特許庁

複数のデバイスをコンパクトに即ち高密度に集積することができる半導体集積回路、信号伝送装置、電気学装置および電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit, signal transmission device, electro-optical device and electronic apparatus capable of integrating a plurality of devices compactly, i.e., with a high densely. - 特許庁

面発レーザの発量を長年に渡って高精度にモニタすることができ、小型化することができ、簡易に製造できる面発レーザを備えた半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法および電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit with a surface emitting laser that can highly precisely monitor a light emitting amount of the surface emitting laser over a long year, can be miniaturized and can be simply manufactured, and to provide a method for manufacturing the surface emitting laser, and electronic equipment. - 特許庁

光電子集積回路装置において、少なくとも二つの回路ブロック間の信号の伝送をにより行うための線状の伝送路6を基板1上にモノリシックに形成する。例文帳に追加

Linear light transmission paths 6 are formed in a monolithic construction on a substrate 1 for performing transmission of signals between at least two circuit blocks by light, in an optoelectronic integrated circuit device. - 特許庁

製造プロセスにおける無駄を低減し、半導体素子と部材との接合を高精度な位置決めでかつ効率的に実行することを可能とする半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法、電気学装置、電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit capable of accurately disposing a junction between a semiconductor element and a member and efficiently conducting by reducing a waste in a manufacturing process, and to provide a method for manufacturing the same, an electrooptic device and an electronic apparatus. - 特許庁

支持基板1上に、電子集積回路素子9ならびに複数個の受素子5および発素子4が同一基板上に設けられた光電子集積回路素子2が複数個配置されるとともに、光電子集積回路素子9間で受素子5と発素子4とを接続する複数本の導波路6が形成されて成り、隣接するこれら導波路6におけるの伝搬方向が逆方向とされている半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a plurality of photoelectron integrated circuit elements 2 in which electron integrated circuit elements 9 and a plurality of photodetecting elements 5 and light emitting elements 4 are provided on the same substrate on a support substrate 1, a plurality of optical waveguides 6 formed to connect the elements 5 to the elements 4 between the elements 9 so that light propagating directions in the adjacent waveguides 6 are reverse to each other. - 特許庁

室温で大きな磁気学効果を示し、動作波長が広い範囲で制御可能であり、しかも、半導体デバイス・光電子集積回路との集積化が容易な半導体磁気学効果装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor magneto-optical effect device which shows a large magneto-optical effect at room temperature, which can be controlled for the operational wavelength in a wide range, and which can be easily integrated with semiconductor optical devices and photoelectronic integrated circuits. - 特許庁

素子や集積回路などの電子素子を搭載するための電子素子用パッケージにおいて、高い放熱性と高い抗折強度の両方を得られる手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means of obtaining both a high heat dissipating property and high flexural strength for a package for electronic element for mounting an electronic element such as a light emitting element and an integrated circuit. - 特許庁

液状材料を用いて所望のパターンを形成するときに、高速に且つ良好に所望パターンを形成することができる微細構造物の製造方法、学素子、配線、電子素子、集積回路及び電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a microstructure by which a desired pattern can be fast and favorably formed in the process of forming a desired pattern by using a liquid material, and to provide an optical element, wiring, electronic element, integrated circuit and electronic appliance. - 特許庁

光電子集積回路600は、SOS基板610のサファイア基板611を下部クラッドとし、かつ、シリコン膜611をコアとした導波路と、該シリコン膜611に形成された電子集積回路640と、ファイバ670,680を固定する溝621,622とがモノリシックに形成され、さらに、フォトダイオードアレイ650およびレーザダイオードアレイ660がハイブリッドに搭載される。例文帳に追加

The optoelectronic integrated circuit 600, having a sapphire substrate 611 of an SOS substrate 610 as a lower clad, is monolithically formed of an optical waveguide having a silicon film 611 as a core, an electronic integrated circuit 640 formed on the silicon film 611, and grooves 621, 622 for fixing optical fibers 670, 680, and is mounted in a hybrid with a photodiode array 650 and a laser diode array 660. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びフォトダイオードが電気信号の劣化を伴うことなく接続され、全面再成長の特徴である高集積度を損ねることなく、動作速度及び受感度に優れた光電子集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide an optoelectronic integrated circuit which is, with a hetero-junction bipolar transistor and a photodiode connected together with no degradation in electric signal, excellent in operation speed and photosensitivity, with no degradation in high integration degree which is a feature of overall re-growth. - 特許庁

溶液間の疎水性−親水性相互作用を利用してフレキシブルディスプレイ、電子信号系、起電性パネル、メンブレンキーボード、RFID(radio frequency identification tag)、電子センサ、及び集積電子回路に適用可能な安価型量産可能なプリントできる電子装置の製造に使用される。例文帳に追加

By utilizing hydrophobic property-hydrophilic property interaction between the solutions, this invention is used for manufacturing a low-cost printable electronic device capable of mass production and applicable to a flexible display, an electronic signal system, a photovoltaic panel, a membrane keyboard, a RFID (radio frequency identification tag), an electronic sensor and an integrated electronic circuit. - 特許庁

バイポーラトランジスタおよび素子がそれぞれの性能を互いに打ち消し合うおそれを抑制されて適正に設けられており、動作速度が速く、かつ、受感度が高い光電子集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide an optoelectronic integrated circuit with high operation speed and high photosensitivity, in which a bipolar transistor and an optical device are appropriately provided by reducing the possibility that their performances are canceled with each other. - 特許庁

本発明は、青色系短波長も感知することのできるフォトダイオードとこれを備えた光電子集積回路及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photodiode which can sense even blue short wavelength light, a photoelectric integrated circuit having it and its manufacturing method. - 特許庁

集積回路の撮像または処理あるいはその両方を行うためにイオン/電子ビーム・ツール内に含まれるファイバ・ベースのチャネル・システムを提供する。例文帳に追加

To provide an optical channel system for an optical fiber included in an ion/electron beam tool for imaging or processing an integrated circuit, or for executing both. - 特許庁

光電子集積回路は、素子2のアノード電極9又はカソード電極8からの配線19が[011]方向に形成されて素子に接続されることを特徴としている。例文帳に追加

A wiring 19 from an anode electrode 9 or cathode electrode 8 of an optical element 2 is formed in [011] direction and connected to an element. - 特許庁

電子線4を照射し続けることによって、Si原子のみから成る発層5が、シリコン半導体基板である集積回路素子2に到達し、こうしてSiO_2の電気絶縁層6を挿通した発層5が形成される。例文帳に追加

When the beam 4 is continuously projected upon the region, a light emitting layer 5 composed only of Si atoms reaches the integrated circuit element 2 composed of the silicon semiconductor substrate and finally formed through an SiO_2 electrical insulating layer 6. - 特許庁

半導体装置1の半導体集積回路内に配設されたトランジスタがホットキャリア効果等で発生する微弱を基に前記半導体集積回路の特性を評価する評価装置を、発検出手段としての電子表示装置3に微弱伝達媒体11をコネクタ12で接続した構成とする。例文帳に追加

In an evaluation device for evaluating the characteristics of a semiconductor integrated circuit based on the weak light generated due to a hot carrier effect, etc., by a transistor arranged in the semiconductor integrated circuit of a semiconductor device 1, a weak light transmitting medium 11 is connected to an optical electron display device 3 as a light emission detecting means by a connector 12. - 特許庁

プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、ダミーチップ領域を露する際に、電子ビーム露装置で許容される最大開口面積以下のサイズのダミーチップ用パターンを有するマスクを用いて露する。例文帳に追加

In a manufacturing process for a semiconductor integrated circuit device using electron beam exposure at least in part of the process, a dummy chip area is exposed to light using a mask having a dummy chip pattern of a size equal to or smaller than a maximum opening area allowable in an electron beam exposure device. - 特許庁

シリカ絶縁膜(シリカガラス)を有するシリコン素子の、シリカ絶縁膜上に電子デバイス、デバイス、集積回路などの高結晶性酸化物薄膜電子素子をエピタキシャル成長させるための下地となり、かつその電子素子の電極として用いることができる。例文帳に追加

This can be a foundation to epitaxially grow a highly crystalline oxide thin film electronic element having a silica insulation film (silica glass) such as an electronic device, a photo device, and an integrated circuit, and can be used as the electrode of the electronic element. - 特許庁

(二) マスク、半導体素子又は集積回路の製造をすることができるように設計した装置であって、電子ビーム、イオンビーム又はレーザーを用いた装置のうち、次のいずれかに該当するもの例文帳に追加

2. Equipment designed to be capable of manufacturing masks, semiconductor devices or integrated circuits, among those using electron beams, ion beams or laser beams, those that fall under any of the following  - 日本法令外国語訳データベースシステム

波形メモリーの容量を増大させることなく環境情報に対応した駆動波形で駆動することができる集積回路装置、電気学装置及び電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide an integrated circuit device, an electro-optical device, and electronic equipment that can be each driven with a driving waveform corresponding to environmental information without increasing the capacity of a waveform memory. - 特許庁

簡単明瞭なメモリマップアーキテクチャと単純なシリアル通信機構とを使用して電子トランシーバのための一般的で柔軟な集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide in general a flexible integrated circuit for a photoelectron tranceiver, using a simple and clear memory map architecture, and to provide a simple serial communication device. - 特許庁

不純物含有半導体膜の形成方法、トランジスタの製造方法、トランジスタ、トランジスタを用いた集積回路、電気学装置及び電子機器例文帳に追加

FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM COMPRISING IMPURITY, MANUFACTURING METHOD OF TRANSISTOR, TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME, ELECTRO-OPTIC DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

半導体薄膜の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ、集積回路、電気学装置、電子機器例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR AND THIN FILM TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT, ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

電気的導通が確保された連続的なグラフェン膜を基板上の所望の位置に選択成長させた基板およびそれを用いた電子集積回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate which has a continuous graphene film securing electrical continuity and selectively grown at a desired position thereon, and to provide electro-optical integrated circuit devices using the substrate. - 特許庁

低温成長薄膜の特性を備え、様々な種類の電素子及び電子素子を改善し、集積回路素子の品質を改善することができる反応装置を提供する。例文帳に追加

To provide a reactor having a characteristic of a low temperature growth thin film, in which photoelectric elements and electronic elements of various kinds are improved and quality of an integrated circuit element is improved. - 特許庁

制御デバイスの処理負荷の軽減等を図りながら電気学パネルのシーケンシャルな駆動を可能にする集積回路装置及び電子機器等の提供。例文帳に追加

To provide an integrated circuit device for reducing the processing load of a control device and sequentially driving an electro-optical panel, and to provide an electronic apparatus and the like. - 特許庁

レイアウト面積の小面積化を図りながら表示制御用の信号を電気学装置に供給できる集積回路装置及び電子機器等の提供。例文帳に追加

To provide an integrated circuit device, an electronic apparatus, or the like which achieves a decrease in a layout area and furthermore supplies a display control signal to an electro-optical device. - 特許庁

ホスト装置からの画像更新の中断要求に適切に対応する集積回路装置、電気学装置及び電子機器を提供することを提供すること。例文帳に追加

To provide an integrated circuit device, an electro-optical device, and electronic equipment that appropriately respond to a request to interrupt image updating issued by a host device. - 特許庁

たとえば集積回路のような電子素子の製造に用いることのできる調節可能なレジストの学特性を変化させる方法及びシステムに関する。例文帳に追加

To provide a method and a system for changing optical characteristics in an adjustable resist usable for manufacturing an electron device such as an integrated circuit. - 特許庁

液状材料を用いて所望パターンを形成するときに、製造時間を短縮することができるとともに、製造コストを削減することができる微細構造物の製造方法、学素子、集積回路及び電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a microstructure in which the manufacturing time is shortened and the manufacturing cost is reduced when forming a desired pattern by using liquid materials, and to provide an optical element, an integrated circuit, and electronic equipment . - 特許庁

素子40およびドライバ集積回路装置41は、電子部品搭載基板30にフリップチップ接続により電気的に接続されていることを特徴とする。例文帳に追加

The optical element 40 and the driver integrated circuit device 41 are electrically connected to the electronic component mounting substrate 30 by flip-chip connection. - 特許庁

簡単明瞭なメモリマップアーキテクチャと単純なシリアル通信機構とを使用して電子トランシーバのための一般的で柔軟な集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a general and flexible integrated circuit for an optoelectronic transceiver using a simple and clear memory map architecture and a simple serial communication mechanism. - 特許庁

受信されたデータに対してエラー検出処理が必要な場合であっても低消費電力でデータ処理を行う集積回路装置、電気学装置及び電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide an integrated circuit device that processes data with a low power consumption even when an error detection process is required for received data, and to provide an electro-optical device and electronic equipment. - 特許庁

例文

低消費電力モードでホスト装置から表示データを受信することができる集積回路装置、電気学装置及び電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide an integrated circuit device, an electro-optical device, and electronic equipment that are capable of receiving display data from a host device in a low power consumption mode. - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
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