「加成結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

この時、グレーン境界211部分での蝕刻比が増加するため、ナノ結晶212が均一で高密度に形成される。例文帳に追加

Since the etch rate increases in the grain boundaries 211, the nanocrystals 212 can be formed uniformly and at high density. - 特許庁

ガリウムとナトリウムとが溶融した混合フラックスを満たし、加圧窒素下に置いて、ガリウム面Ｆ_GaにＧａＮ単結晶を成長させる。例文帳に追加

A mixed flux in which gallium and sodium are melted is filled, and a GaN single crystal is grown on a gallium surface F_Ga under pressurized nitrogen. - 特許庁

アモルファスシリコン膜２をレーザーアニール等の加熱処理により、結晶化してポリシリコン膜３を形成する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 2 is crystallized by a heating processing such as laser annealing so as to form a polysilicon film 3. - 特許庁

熱可塑性樹脂発泡シート、特に、結晶性熱可塑性樹脂発泡シートを近赤外ヒーターにて加熱後成形する。例文帳に追加

The molding is executed after heating of the thermoplastic resin foamed sheet, especially the crystalline thermoplastic resin foamed sheet with a near infrared heater. - 特許庁

好ましくは上記結晶核剤が脂肪酸塩であるカレンダー加工用ポリエステル樹脂組成物に関する。例文帳に追加

Preferably, the polyester resin composition for calendering has a fatty acid salt as the above nucleating agent. - 特許庁

イオン注入された結晶基板１をシリコン及びインジウムを含む融液の中に浸し、基板１を加熱することでボイド１５を形成する。例文帳に追加

The crystalline substrate 1 having ion implantation is dipped into an aqueous solution containing silicon and indium and the substrate 1 is heated to form voids 15. - 特許庁

または、封止剤であるＢ_2Ｏ_3に酸化インジウムおよび／または酸化リンを添加し、液体封止チョクラルスキー法でＩｎＰ単結晶を育成する。例文帳に追加

Or, indium oxide and/or phosphorus oxide is added to B2O3 as a sealing agent and the InP single crystal is grown by the liquid encapsulating Czochralski method. - 特許庁

絶縁性表面を有する基板１上に非晶質珪素膜２を形成し、珪素の結晶化を助長する触媒物質を添加する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 2 is formed on a substrate 1 having an insulating surface, and a catalyst material promoting crystallization of silicon is added. - 特許庁

真空中で、５００ｅＶに加速したＮ_2 ^+ イオンをシリコン単結晶（１００）表面に照射して形成する。例文帳に追加

This silicon nitride film is formed by irradiating silicon single crystal (100) surface with N2+ ion accelerated to 500 eV in a vacuum. - 特許庁

希ガス元素を添加した半導体膜と結晶構造を有する半導体膜との界面には薄い酸化膜を形成する。例文帳に追加

A thin oxide film is formed in an interface between a semiconductor film whereto rare gas element is added and a semiconductor film having a crystal structure. - 特許庁

弾性率の向上に加え、さらに靱性についても優れた半結晶性熱可塑性樹脂−金属クラスター複合組成物フィルムを得ることを課題とする。例文帳に追加

To obtain a semi-crystalline thermoplastic resin-metal cluster composite composition film which has improved elastic modulus and excellent toughness. - 特許庁

ルチル型結晶ＴｉＯ_2板の上面に所望のパターンでマスク３を形成した状態で加速したイオンを照射する。例文帳に追加

The upper face of the rutile crystal TiO_2 is irradiated with ions accelerated in the state that a mask 3 is formed at a desired pattern. - 特許庁

そして、窒素雰囲気中にて６００℃、１２時間の加熱処理を行って、ａ−Ｓｉ膜１２ａを結晶化して、ＣＧＳ膜１３を形成する。例文帳に追加

It is then heat treated at 600°C for 12 hours in a nitrogen atmosphere in order to crystallize the a-Si film 12a thus forming a CGD film 13. - 特許庁

この誘電体セラミックは、ＳｉＯ_２−Ｖ_２Ｏ_５混晶物の形態で高結晶化された主成分に添加することにより製造することができる。例文帳に追加

The dielectric ceramic can be manufactured by adding SiO_2-V_2O_5 in a form of mixed crystals to the main component that is highly crystallized. - 特許庁

酸化亜鉛針状結晶は亜鉛若しくは酸化亜鉛若しくは亜鉛と酸化亜鉛との混合物を加熱することにより気化させ成長させる。例文帳に追加

The needle crystal of zinc oxide is grown by heating and evaporating zinc, zinc oxide, or a mixture of zinc and zinc oxide. - 特許庁

シリコン単結晶インゴットを切削加工して形成され、変形が抑制され、耐久性を有する半導体基板熱処理用部材を提供する。例文帳に追加

To provide a member for heat treating a semiconductor substrate which is formed by cutting a silicon single crystal ingot, is suppressed in deformation, and has durability. - 特許庁

パーリンを含有したシルクフィブロイン溶液でウェルをコーティングし、次いで、タンパク質複合体を含有した結晶形成母液を加える。例文帳に追加

A well is coated with a silk fibroin solution containing pearlin, and a crystal-forming mother liquor containing a protein complex is added to the well. - 特許庁

マスク６aの開口から触媒元素８を導入し、第１の加熱処理を行ってａ−Ｓi膜５を結晶成長させる。例文帳に追加

A catalyst element 8 is introduced through an aperture formed in the mask 6a and a first heating treatment is performed to crystal-grow the film 5. - 特許庁

また、前記加熱は、前記シリコン結晶成長用石英坩堝に、溶融原料の固体原料を充填する前に行なってもよい。例文帳に追加

Further, the heating may be performed before the crucible for growing the silicon crystal is filled with a solid raw material to be melted. - 特許庁

結晶質シリコン膜１３Ｐを、光熱変換層１５およびバッファ層１４を介した間接的な加熱処理によって形成する。例文帳に追加

A crystalline silicon film 13P is formed by indirect heating processing via a photothermal conversion layer 15 and a buffer layer 14. - 特許庁

蒸留塔４の塔底成分は、晶析器５へ送られ、ビスフェノールＡとフェノールとが付加してなる結晶アダクトを析出させる。例文帳に追加

The bottom component of the distillation column 4 is transferred to a crystallizer 5 to precipitate the crystalline adduct formed by the addition of bisphenol A and phenol. - 特許庁

加熱改良構造を有する結晶成長炉は、炉本体１、支持台２、上部ヒータ３、および下部ヒータ４を含む。例文帳に追加

This crystal-growing furnace with the heating improvement structure includes the furnace body 1, the support table 2, the top heater 3 and the bottom heater 4. - 特許庁

半導体単結晶引き上げ装置を構成する黒鉛部材であって、角部を所定の曲率（又は曲率半径）となるようにＲ加工する。例文帳に追加

The graphite member is for composing an apparatus for pulling a semiconductor single crystal and its corner part is rounded to have a specified curvature (or radius of curvature). - 特許庁

このスラリーに栄養素、即ち、骨格元素源が添加されて、内部コア上に凝集するモレキュラーシーブの結晶が形成される。例文帳に追加

Molecular sieve crystals aggregating on the inner core are formed by adding a nutrient, that is, the skeleton element source. - 特許庁

半導体層５（活性層）は、例えばＶ族元素が添加されたＺｎＯの多結晶状態の半導体を用いて形成される。例文帳に追加

The semiconductor layer 5 (active layer) is formed by using a semiconductor in a polycrystalline form of ZnO doped with a Group-V element or the like. - 特許庁

その混合体３からナトリウムを蒸発させてシリコン結晶を成長させるよう、混合体３を７００〜９００℃の温度で加熱する。例文帳に追加

Thereafter, the mixture 3 is heated at a temperature of 700-900°C so that sodium is evaporated from the mixture 3 and a silicon crystal is grown. - 特許庁

結晶基板１１の表面に凹凸加工を施した後にｐｎ接合し、更にその表面に反射防止膜１４を形成する。例文帳に追加

After protrusions and recesses are formed on and in the surface of a crystal substrate 11, a pn junction is formed and an antireflection film 14 is formed on the surface thereof. - 特許庁

電界印加フューズＦａは、多結晶シリコン膜をパターン形成して作られ、その端子は第１層メタル配線２４により引き出さる。例文帳に追加

The electric field impressing fuse 7a is formed by patterning a polycrystalline silicon film, and its terminal is led out by a first layer metal wring 24. - 特許庁

Ｃａを添加した融液から育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を、短時間で処理することのできる熱処理技術。例文帳に追加

To provide a heat treatment technique for processing a bismuth-substituted iron garnet single crystal grown from a melt containing Ca added therein in a short time period. - 特許庁

表面保護基板５に高電圧印加層４を成膜し、単結晶半導体基板３と導電性接着剤６を用いて電気的に接続する。例文帳に追加

A membrane high-voltage impressing layer 4 is formed in a surface protective substrate 5, and the single-crystal semiconductor substrate 3 and the conductive adhesives 6 are used for electric connection. - 特許庁

有機正特性サーミスタ組成物は、結晶性高分子材料からなるマトリックス樹脂中に導電性粉末を添加含有させてなる。例文帳に追加

The thermistor composition is prepared by mixing conductive powder in a matrix resin, composed of a crystalline macromolecular material. - 特許庁

つまり、冷却工程の後に急速加熱工程を行うことにより多くの結晶粒が生成し、鋼部材の強度が向上する。例文帳に追加

That is, many crystal grains are formed to improved the strength of the steel member by performing quick heating process after the cooling process. - 特許庁

TEGaおよびAsH_3は、加熱されたGaAs基板１８上で反応して、GaAsの化合物半導体結晶をGaAs基板１８上に成長させる。例文帳に追加

TEGa and AsH3 react on a heated GaAs substrate 18, thereby growing thereon a compound semiconductor crystal. - 特許庁

本発明者は、表面に樹脂層を形成したナノ結晶軟磁性合金薄帯が優れたプレス加工性を有することを見出し本発明に想到した。例文帳に追加

A nano-crystal soft magnetic alloy thin band has excellent press workability. - 特許庁

半導体膜１２を４５０〜６５０℃で加熱してＮｉを移動させ結晶質半導体膜１５を形成する。例文帳に追加

The semiconductor film 12 is heated at 45-650°C for moving Ni to form a crystalline semiconductor film 15. - 特許庁

このように結晶格子中に酸化チタンが固溶し、粒成長が促進されているため、焼結体組織が均一になり、加工性が良好となる。例文帳に追加

Since the titanium oxide is solid-solved in the crystal lattice and grain growth is facilitated, the sintered body texture is made uniform and good processability is provided. - 特許庁

結晶性の良好なＺｎＯ薄膜を低温で、特に加熱することなく室温で、形成させる方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of forming a ZnO thin film having good crystallinity at a low temperature, at room temperature without heating it in particular. - 特許庁

このあと加工工程を行い、多結晶の半導体薄膜４を活性層として薄膜トランジスタを集積形成する。例文帳に追加

After this, machining is carried out, with the polycrystalline semiconductor thin film 2 as an active layer, a thin-film transistor is integrated and formed. - 特許庁

結晶性のコレステリルエステル転送蛋白阻害剤及び水不溶性の濃度増大添加剤を含有する医薬組成物。例文帳に追加

The pharmaceutical composition includes the crystalline cholesteryl ester transfer protein (CETP) inhibitor and a water-insoluble concentration-elevating additive. - 特許庁

無機繊維ブロックが、加熱処理により結晶化したセラミックファイバーを用いて形成されており、アルミナファイバーを含んでいない。例文帳に追加

The inorganic fiber block is formed using ceramic fibers crystallized by heat treatment and does not contain alumina fibers. - 特許庁

フォトニック結晶のような二次元的に分布する多数の微細構造を高精度かつ簡易に形成できる基板の加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of processing a substrate in which many fine structures distributed in two dimensions like photonic crystal can be easily formed with high precision. - 特許庁

平均長が３００〜５００ｎｍの多角板状の複数の銀結晶粒子を配合してエンジンオイル用添加剤を構成する。例文帳に追加

The additive for the engine oil is constituted by blending a plurality of many sided plate-formed silver crystalline particles having a 300 to 500 nm mean length. - 特許庁

これを飛翔させて基板上に膜層を形成し、この膜層に光、熱などのエネルギーを付加して結晶化させる。例文帳に追加

By allowing the droplet fine particles to fly to form a membrane layer on a substrate, and energy, such as light and heat, is applied to the membrane layer for crystallization. - 特許庁

この成形体１を加熱して部分溶融状態となして徐冷して結晶化させることを特徴とする製造方法。例文帳に追加

The method of production is characterized by comprising heating the formed product 1 to be the partially molten state and gradually cooling to crystallize. - 特許庁

炉本体、支持台、上部ヒータ、および下部ヒータを備える加熱改良構造を有する結晶成長炉を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal-growing furnace with a heating improvement structure having a furnace body, a supporting table, a top heater and a bottom heater. - 特許庁