「加成結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

GaN単結晶と常温のみならず層形成時の加熱時においても格子定数が極めて一致する新規な基板を用い、貫通転位の極めて少ないGaN単結晶層を有する半導体素子を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor element which uses a novel substrate whose latice constant very much coincides with that of a GaN single crystal not only at a normal temperature but during heating in layer formation as well and also has a GaN single crystal layer having an extremely low through- dislocation. - 特許庁

生分解性ポリエステルの中でも特に結晶化の遅いＰ３ＨＡ共重合体の欠点である結晶化の遅さを改善し、射出成形、フイルム成形、ブロー成形、繊維の紡糸、押出発泡成形、ビーズ発泡成形などの加工における加工性を改善し、加工速度を向上する。例文帳に追加

To improve the lateness in crystallization, which is a blemish of a P3HA copolymer exhibiting especially late crystallization among various biodegradable polyesters, to improve the workability in the processing of injection molding, film molding, blow molding, fiber spinning, extrusion foaming, bead foaming or the like, and to improve working speed. - 特許庁

次に、結晶性半導体膜１５に触媒元素を選択的に添加して、１５族添加領域１５ａを形成する。例文帳に追加

Then, catalytic elements are selectively added to the crystalline semiconductor film 15, and a 15 group dopant region 15a can be formed. - 特許庁

本発明の微細加工用工具１０は、工具の少なくとも加工に寄与する部分１ａが単一の単結晶ＷＣより構成されている。例文帳に追加

In this fine machining tool 10, at least a portion 1a contributing to the machining of the tool is composed of unitary single crystal WC. - 特許庁

本発明の微細加工用工具１０は、工具の少なくとも加工に寄与する部分１ａが単一の単結晶ＴｉＣより構成されている。例文帳に追加

In this fine machining tool 10, at least a portion 1a contributing to the machining of the tool is composed of unitary single crystal TiC. - 特許庁

着色基板のみの加熱を可能とし、反応効率を向上させ、また、均質加熱を可能として良質な薄膜単結晶を育成する。例文帳に追加

To grow a thin film single crystal having good quality by enabling heating of only a colored substrate, improving reaction efficiency and also enabling uniform heating, in the production. - 特許庁

結晶性樹脂廃材を回収し、細断、洗浄、再リペレット化等を経て加熱溶融成形する際に、造核剤を添加する。例文帳に追加

A nucleating agent is added in the process wherein a waste crystalline resin material is recovered and, after being chopped, washed, re- pelletized, etc., is heated, melted and molded. - 特許庁

深いパターンを形成することが可能で、尚且つシャープで正確な加工が可能な結晶ＴｉＯ_2の微細加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a microfabrication method of a crystal TiO_2 that can be sharply and accurately fabricated by forming a deep pattern. - 特許庁

Ｃｕ又はＡｇの添加元素を利用して、ＴｉＮ結晶体の側面に添加元素からなる凸部を形成する。例文帳に追加

A projected part consisting of an additive element is formed at the side face of the TiN crystalline substance utilizing the additive element of Cu or Ag. - 特許庁

結晶構造に歪みを生じた電解質粒子は、加圧の際に変形し易く、熱を加えることなく成形体とすることができる。例文帳に追加

The electrolyte particles with distortion in the crystalline structure are easy to be deformed, and can be made into a formed body without applying heat. - 特許庁

室温程度に高温した後、結晶化は促進しないがシートの成形は可能となる温度に加熱部２により加熱する。例文帳に追加

After the temperature of the sheet 4 is elevated to be close to room temperature, the sheet 4 is heated at a temperature which does not promote the crystallization but makes sheet-molding possible by a heating part 2. - 特許庁

リサイクルＰＥＴの非結晶フレーク状片を加熱処理し、フレーク状片に含まれる水分を除去するとともに、このフレーク状片を結晶化させる加熱工程Ｓ１と、加熱処理した結晶フレーク状片を成形材料として用いて射出成形する射出成形工程Ｓ５と、を有するリサイクルＰＥＴの成形方法。例文帳に追加

The recycled PET molding method has a heating process S1 for heat-treating the amorphous flaky pieces of recycled PET not only to remove moisture contained in the flaky pieces but also to crystallize the flaky pieces and an injection molding process S5 using the heat-treated crystalline flaky pieces as a molding material to injection-mold the same. - 特許庁

水熱合成法によって合成された結晶化生成物はQ（テトラアルキルエチレンジアミン）を含有するがそれを脱水、加焼することでQは消失する。例文帳に追加

Although the crystallized product synthesized by the hydrothermal crystallization process contains Q (tetraalkylethylenediamine), Q disappears if it is dehydrated and burned.  - 特許庁

その後、仮焼体の粉末を成形し、この成形体をゾーンメルト法によって加熱溶融し、結晶成長をｂ軸に沿って進行させる。例文帳に追加

Then the powder of temporarily baked body is molded, which is heated and melted by a zone melt method so that a crystal growth is advanced along a b-axis. - 特許庁

ポリエステル系樹脂組成物およびそれからなる成形体であり、加熱成形時に結晶白濁せずかつ耐衝撃性に優れたものを提供する。例文帳に追加

To obtain a polyester resin composition and a compact consisting of the same, free from clouding during hot molding and excellent in shock resistance. - 特許庁

具体的には、ＣＺ法によりボロンを添加したシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶を加工したシリコン単結晶基板４１に第一主表面側からガリウムを拡散してガリウム添加領域４９を形成し、そのガリウム添加領域４９にｐ−ｎ接合部４８を形成して太陽電池セルとなす。例文帳に追加

To be concrete, the solar battery cell is manufactured by forming a gallium-doped region 49 in the single crystal silicon substrate 41 formed by working a boron-doped single crystal silicon crystal pulled up by the CZ method by diffusing gallium in the substrate 41 from the first main surface side of the substrate 41 and forming a p-n junction section 48 in the region 49. - 特許庁

本発明による化合物半導体の製造方法は、少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第１加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物半導体層３を形成するエピタキシャル成長工程とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a compound semiconductor comprises a first heating step for heating a GaN single crystal substrate 2 under a first gas atmosphere containing at least hydrogen gas, a second heating step for heating the GaN single crystal substrate 2 under a second gas atmosphere containing at least ammonia, and an epitaxial growth step for forming a nitride compound semiconductor layer 3 on the GaN single crystal substrate 2. - 特許庁

非晶質半導体膜に触媒元素を添加して、第１加熱処理を行い、結晶質半導体膜を形成した後、前記結晶質半導体膜にゲッタリング作用を有する不純物元素を添加した後、さらに水素を添加してゲッタリング領域を形成する。例文帳に追加

A catalyst element is doped into an amorphous semiconductor film to perform a first heating treatment and after a crystalline semiconductor film is formed, an impurity element having a gettering action is doped into the crystalline semiconductor film and after that, hydrogen is further doped into the crystalline semiconductor film to form a gettering region. - 特許庁

第２加熱段階Ｐ２は、第１結晶化開始温度と第１結晶化終了温度との間の第１温度範囲の少なくとも７０％以上の加熱範囲であって第１ピークを含む加熱範囲に亘って合金組成物を加熱するものである。例文帳に追加

The second heating step P2 is a step of heating an alloy composition over a heating range including a first peak being a heating range that is at least 70% or more of a first temperature range between a first crystallization start temperature and a first crystallization end temperature. - 特許庁

ガラス基板に低温の加熱処理により接合した単結晶半導体層を形成する工程において、単結晶半導体層を接合するガラス基板を接合剥離工程の前に、接合剥離工程における加熱処理の加熱温度よりも高い温度で加熱しておく。例文帳に追加

In a process of forming the single-crystal semiconductor layer bonded to the glass substrate by low-temperature heat treatment, before a bonding and separation process in which the single-crystal semiconductor layer is bonded to the glass substrate, the glass substrate is heated at a temperature higher than a heating temperature in heat treatment in the bonding and separation process. - 特許庁

任意の面方位を有するシリコン単結晶基板に形成されたインク流路をドライエッチング加工により任意の形状で形成する。例文帳に追加

An ink channel formed in a silicon single crystal substrate having an optional plane orientation into an optional shape by a dry etching process. - 特許庁

加熱または保存中のナノ粒子組成物における結晶成長および粒子凝集を防止するための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for preventing crystal growth and particle agglomeration in a nanoparticle composition in heating or storage. - 特許庁

シリコン基板１にゲート絶縁膜４、多結晶シリコン膜５、加工用絶縁膜を形成し、その後トレンチ１ａを形成する。例文帳に追加

A gate insulation film 4, a polycrystalline silicon film 5, an insulation film for processing, and then a trench 1a are formed on a silicon substrate 1. - 特許庁

透明性、低結晶性、溶融粘弾性、耐熱性に優れ、且つ成形加工性にも優れたポリエステル樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polyester resin composition excellent in transparency, low crystallinity, melt viscoelasticity, heat resistance and also fabricability. - 特許庁

基板（１２）を次にＩＩＩ−Ｖ半導体成長に適切な温度まで加熱し、結晶質ＩＩＩ−Ｖ半導体バッファ層（１４）を成長させる。例文帳に追加

Next, the substrate (12) is heated up to a temperature suitable for growing III-V semiconductor and crystalline III-V semiconductor buffer layer (14) is grown. - 特許庁

焼成工程においては、成形体を加熱し異方形状粉末１と微細粉末２とを焼結させることにより、結晶配向セラミックスを得る。例文帳に追加

In the firing process, a crystal-oriented ceramic is obtained by heating the formed body to sinter the anisotropically shaped powder 1 and the fine powder 2. - 特許庁

特に、焼結温度をγ変態点以上とすると、成形工程時の加圧方向に結晶粒が優先的に成長した金属組織が得られた。例文帳に追加

In particular, when sintering temperature is controlled to a γ transformation point or higher, a metallic structure in which crystal grains are preferentially grown in a pressurizing direction on a compacting stage can be obtained. - 特許庁

この仮焼成原料を、仮焼成しない元のセラミック原料Ａに添加して混合することで、混合原料の結晶化温度を調整する。例文帳に追加

The calcined raw material is added and mixed with the uncalcined original ceramic raw material A, so as to adjust the crystallization temperature of the compounded raw material. - 特許庁

明性、低結晶性、溶融粘弾性、耐熱性に優れ、且つ成形加工性にも優れたポリエステル樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polyester resin composition which is excellent in transparency, low crystallizability, melt viscoelastic properties, heat resistance and moldability. - 特許庁

次いで、キャスト成長用坩堝１1を加熱して、結晶片の少なくとも一部が残存するように原料を溶解して、融液１４を形成する。例文帳に追加

The raw material is molten by heating the crucible 11 in a manner that at least part of the crystal piece remains unmolten to form a melt 14. - 特許庁

結晶性ポリエステル樹脂と造核剤１種以上との組成物のメタライズド成形品は１６０℃を超える加熱撓み温度を有する。例文帳に追加

The metallized molded article of a composition of the crystallizable polyester resin and one or more kinds of nucleating agents has >160°C heat deflection temperature. - 特許庁

非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、第１の加熱処理により結晶性半導体膜を形成し、第２の加熱処理により、結晶性半導体膜に設けられたＮ型不純物層に、触媒元素を移動させ、パターニングして第１／第２のゲイト電極上に第１／第２の島状の結晶性半導体膜を形成する。例文帳に追加

The amorphous semiconductor film is doped with a catalytic element, a crystal semiconductor film is formed by a first heat treatment, the catalytic element is transferred to an n-type dopant layer formed on the crystal semiconductor film by a second heat treatment, and the first/second island-like crystal semiconductor films are formed on the first/second gate electrodes by patterning. - 特許庁

成長用基板８の上にIII族元素の窒化物結晶のエピタキシャル成長層９が形成された反りのある窒化物結晶基板６を、一旦、成長温度近傍まで加熱用ヒータで加熱すると共に台座２及びプレス板４の平行平面間に挟み、反りを矯正した状態で冷却することにより、反りの無い平坦な窒化物結晶基板６とすることができる。例文帳に追加

The flat nitride crystal substrate 6 free from warpages can be obtained by heating the nitride crystal substrate 6 having the curvatures constructed by forming an epitaxial growing layer 9 of the nitride crystal of the group III element on a substrate 8 for heating close to a growing temperature by a heater element and cooling it down under a condition of sandwiching it between parallel surfaces of a pedestal 2 and a press plate 4 to correct the warpage. - 特許庁

Ｃｏと、Ｐｔと、Ｃｒと、Ｍｏ及びＷのうち少なくとも１つの添加成分とを含有し、２８０〜４５０℃の成膜温度で形成され、結晶粒界に隔てられた複数の磁性結晶粒子を含む構造を有し、添加成分とクロムとが結晶粒界中に偏析された垂直磁性層をもつ垂直磁気記録媒体。例文帳に追加

The perpendicular magnetic recording medium has a perpendicular magnetic layer containing Co, Pt, Cr, and at least one additive component of Mo and W, formed at 280 to 450°C film-deposition temperature and comprising a plurality of magnetic crystal particles separated by grain boundaries, wherein the additive component and chromium are segregated in the grain boundaries. - 特許庁

ビレットを次いで、超合金のγ′ソルバス温度未満の温度で加工して加工品を形成するが、その際、歪速度が平均結晶粒径を制御するための下限歪速度を超え、しかも臨界結晶粒成長を避けるための上限歪速度未満に維持されるようにビレットを加工する。例文帳に追加

The billet is then worked at a temperature below the γ' solvus temperature of the superalloy so as to form a worked article wherein the billet is worked so as to maintain strain rates above a lower strain rate limit to control average grain size and below an upper strain rate limit to avoid critical grain growth. - 特許庁

単結晶ダイヤモンドの物理的・化学的異方性に着目して、工具設計段階で結晶方位を特定して研磨加工することにより、耐摩耗性の良好な切れ刃の創成と、研磨加工性の良い加工方法の開発に成功した。例文帳に追加

A cutting edge having superior wear-resistance is formed and a machining method providing good machinability for grinding is obtained, by performing grinding work with the crystal orientation being specified in the tool design stage, paying attention to the physical/chemical anisotropicity of single/crystal diamond. - 特許庁

結晶性液晶ポリマーの粉末を所定の金型に入れ、冷圧で圧縮して前記ポリマーの予備成形体を作成する第一工程、及び該予備成形体を加熱加圧する第二工程を含むことを特徴とする、結晶性液晶ポリマーの成形方法。例文帳に追加

The method for molding the crystalline liquid crystal polymer includes: a first step of putting powder of the crystalline liquid crystal polymer in a predetermined mold and compressing the powder by cold pressing to form a preliminary molding of the crystalline liquid crystal polymer; and a second step of heating/pressurizing the preliminary molding. - 特許庁

単結晶ＳｉＣ基板１１の表面に対して水素イオンを注入して所定深さの位置にダメージ層１２を形成したのち、ダメージ層１２を形成しておいた単結晶ＳｉＣ基板１１とＳｉＣの微細粉末１３を加熱加圧することで、焼結体１を形成すると共に、焼結体１を単結晶ＳｉＣ基板１１に一体化させる。例文帳に追加

A damage layer 12 is formed at a position of desired depth to implant hydrogen ions toward a surface of the single crystal SiC substrate 11, then the single crystal SiC substrate 11 in which the damage layer 12 is formed, and fine powder 13 of SiC is heated and compressed to form a sintered body 1 and integrate the sintered body 1 with the single crystal SiC substrate 11. - 特許庁

酸窒化アルミニウム及び／又は加熱により酸窒化アルミニウムに変換される酸窒化アルミニウム前駆体を含む原料組成物１０を、１６００〜２４００℃の温度で加熱することにより窒化アルミニウムを合成し、前記窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing an aluminum nitride single crystal includes: preparing a raw material composition 10 containing aluminum oxynitride and/or an aluminum oxynitride precursor being converted into aluminum oxynitride by heating; heating the raw material composition 10 at a temperature of 1,600-2,400°C to synthesize aluminum nitride; and causing crystal growth of the aluminum nitride to obtain an aluminum nitride single crystal. - 特許庁

ガラス基板１上に多結晶シリコンを成膜するにあたり、不純物源として錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種を含む化合物を原料に用いて触媒ＣＶＤ法により多結晶シリコンを成膜し、錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種が添加されてなる不純物添加多結晶シリコン膜２を形成する。例文帳に追加

When a polycrystalline silicon film is formed on a glass substrate 1, a polycrystalline silicon film is formed by a catalytic CVD method by using compound comprising at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) as impurity source as raw materials and an impurity added polycrystalline silicon film 2 formed by adding at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) is formed. - 特許庁

ドーパントの添加途中での昇華やシリコン融液の液面上での飛び跳ねによるドーパントの添加具合のばらつき及びガスをシリコン融液に吹き付けた際のシリコン融液の吹き飛びを防止し、かつ、シリコン単結晶の育成中であってもドーパントを添加することが可能なシリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal pulling device and a method for producing a silicon single crystal using the pulling device, which prevents variation in addition amount of a dopant due to sublimation of the dopant during addition or flipping on a liquid surface of a silicon melt, prevents blow-off of the silicon melt upon blowing a gas to the silicon melt, and allows addition of a dopant even during growing a silicon single crystal. - 特許庁

ポリアリーレンサルファイド樹脂に１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を持つフィラーを添加した放熱性樹脂組成物を、結晶化を促進させない特定の温度条件でシート加工した後、結晶化を促進させず且つ賦形可能な特定の温度条件で賦形し、その後、結晶化を促進させる特定の温度条件で加熱する。例文帳に追加

A heat radiating resin composition, which is prepared by adding a filler with a heat conductivity of 1 W/mK or above to a polyarylene sulfide resin, is processed into a sheet under a specific temperature condition which enables no acceleration of crystallization and the formed sheet is subsequently shaped under a specific temperature condition which enables no acceleration of crystallization but shaping before heated under a specific temperature condition which enables acceleration of crystallization. - 特許庁

Ｓｉ融液にＣを溶解させた溶液からＳｉＣ単結晶基板上にｐ型ＳｉＣ半導体単結晶を成長させる方法において、上記溶液に更にＡｌおよびＮを、Ａｌ添加量＞Ｎ添加量の関係を満たす量で添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法。例文帳に追加

A method for producing a p-SiC semiconductor single crystal by a solution method which is a method for growing the p-SiC semiconductor single crystal on an SiC single crystal substrate from a solution formed by dissolving C in an Si melt, wherein a solution prepared further adding to the above solution Al and N in amounts satisfying the relationship: the amount of Al added>the amount of N added is used. - 特許庁

結晶質基板１００上に触媒薄膜１０１を形成し、この触媒薄膜を加熱処理して高秩序で選択的に配向した結晶質触媒薄膜を形成し、ガス状炭素源を加熱し触媒薄膜を冷却することで、触媒薄膜上にグラフェン膜１０２が形成される。例文帳に追加

The graphene film 102 is formed on a catalytic thin film by depositing the catalytic thin film 101 on a crystalline substrate 100, heat-treating the catalytic thin film to form a highly-ordered and selectively-oriented crystalline catalytic thin film, heating a gaseous carbon source, and cooling the crystalline catalytic thin film. - 特許庁

実用性の高い成形サイクル時間での加熱により、結晶化が可能で、結晶化後の透明性や耐熱性に優れ、成形加工に適したポリ乳酸系耐熱シートを得ることが可能なポリ乳酸系樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polylactic acid-based resin composition that can be crystallized by heating for highly practical mold cycle time, wherein a polylactic acid-based heat-resistant sheet can be obtained which is excellent in transparency and thermal resistance after the crystallization and is suitable for carrying out molding process. - 特許庁