「加成結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

結晶塊２に形成された分割面３は、結晶塊２の内部にレーザ光を照射することにより形成された複数の改質領域４と、結晶塊２に応力を印加することにより複数の改質領域４の間を繋ぐように形成された切断面５と、を含んでいる。例文帳に追加

A division surface 3 formed at the crystal body 2 includes a plurality of reformed regions 4 formed by radiating laser beam into the inside of the crystal body 2, and a cutting surface 5 that is formed to connect between a plurality of reformed regions 4 by applying a stress to the crystal body 2. - 特許庁

横磁場を印加するＣＺ法において、成長単結晶の成長方向の格子間酸素濃度の均一性が高いシリコン単結晶棒を高生産性、高歩留りで育成できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal production process which enables growth of a silicon single crystal bar having high uniformity in interstitial oxygen concentration in the growth direction of the single crystal being grown, in a high yield and with high productivity, in a transverse magnetic field-applied CZ(Czochralski) method. - 特許庁

雪状水を生成する加水圧式の氷結晶槽と、加圧水用タンクとの間に冷媒流出管を介在して冷却機に連通した海水等よりなる雪状の氷結晶を生成、生長する。例文帳に追加

A coolant outflow pipe is interposed between a water pressure type ice crystal tank producing snow like ice, and a pressurization water tank is to form and grow snow like ice crystals comprised of seawater or the like communicating through a cooler. - 特許庁

また、蓋５の下面に成長した単結晶の質量増加量をロードセル７ｂによりモニタし、単結晶の質量増加量をその厚さ方向の成長速度に換算する。例文帳に追加

Besides, the mass increment of a single crystal grown at the underside of a lid 5 is monitored by a load cell 7b and the mass increment of the single crystal is converted to the growing rate in the direction of its thickness. - 特許庁

シリコン融液６に磁界を印加してシリコン結晶９を育成する磁界印加シリコン結晶育成装置において、磁界を発生させる磁界発生手段として永久磁石３，３’を備える。例文帳に追加

In the apparatus for growing a silicon single crystal 9 by applying a magnetic field to a silicon melt 6, permanent magnets 3, 3' are provided as a magnetic field generation means for generating a magnetic field. - 特許庁

結晶の規則性を利用して除去加工または付着加工により単結晶材料表面にテクスチャを形成する方法およびその方法を用いて作成する微小摺動機構を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a texture on the surface of a single crystal material by removal working or deposition working utilizing the regular ity of crystals, and a micro-sliding mechanism produced by using the method. - 特許庁

垂直磁気記録媒体１００であって、基板１１０と、軟磁性層１１４と、シード層１１６と、下地層１１８と、磁気記録層である主記録層１２４とを備え、シード層１１６は、下地層１１８の結晶粒子の下地となるシード結晶粒子と、シード結晶粒子の間に添加される、シード結晶粒子を構成する元素よりも小さな原子半径を有する元素で構成される添加物質とを含む。例文帳に追加

The seed layer 116 includes seed crystal grains as a substrate of crystal grains of the substrate layer 118 and an added material added between the seed crystal grains and constituted of elements having an atomic radius smaller than that of elements constituting seed crystal grains. - 特許庁

結晶性物質の原料を収納して結晶成長させる略円筒形状の坩堝であって、結晶成長が開始する前記坩堝の下部の外面側断面形状が上に凸であるか、下部にリング状の平板を有する坩堝と、前記坩堝の円筒面の周囲に沿って配置され、前記坩堝を介して前記原料を加熱して溶融する加熱部とを有する結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

The crystal growing equipment comprises: a crucible which is almost cylindrical, containing raw material and growing the crystal, before starting the crystal growth, the lateral sectional shape of lower part of the crucible is convex toward upward, or ring shaped flat plate; a heating part which is arranged around the cylindrical surface of the crucible and heats to melt the raw material via the crucible. - 特許庁

薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a growth method of gallium nitride crystal for restricting crack in a working process for thin film formation and growing a gallium nitride crystal with a large thickness and to provide a gallium nitride crystal substrate, epitaxial wafer and a production process of the epitaxial wafer. - 特許庁

特に本発明において、且つ隣接間で配向性の揃った結晶粒を形成させるため、非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を選択的に添加して結晶性半導体膜を形成し、その後、パルスレーザを照射すると好ましい。例文帳に追加

It is preferred that the pulse laser should be irradiated after the crystalline semiconductor film is formed by selectively adding the metal element that accelerates crystallization to the amorphous semiconductor film in order to form the crystal grains such that neighboring crystal grains are oriented in the same direction. - 特許庁

内部に光散乱源を有する原料結晶、ならびに、雰囲気中にＣｓ成分を供給するＣｓ供給源を準備し、Ｃｓ成分を含む雰囲気下、原料結晶を加熱することによって、セシウムホウ酸化合物結晶を製造する。例文帳に追加

The cesium boric acid compound crystal is produced by preparing a raw material crystal having light-scattering source in the raw material crystal and Cs resource for supplying a Cs component in an atmosphere and heating the raw material crystal under the atmosphere including Cs component. - 特許庁

単結晶基板にエピタキシャルに成長した遷移金属単結晶薄膜を加熱し、遷移金属の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させるグラフェンの製造方法において、単結晶基板として、Ｍｉｃａ（１００）、もしくはＹＳＺ（１１１）を用いることとする。例文帳に追加

In the method for producing the graphene growing the graphene by heating a transition metal single crystal thin film epitaxially grown on a single crystal substrate and by supplying carbon on the surface of the transition metal, A Mica (100) or a YSZ (111) is used as the single crystal substrate. - 特許庁

リンおよびアンモニア含有汚水にマグネシウム化合物を添加して、リン酸マグネシウムアンモニウムの結晶粒子を生成させると同時に前記結晶粒子を消毒する生成・消毒工程１８と、前記結晶粒子を回収する回収工程１４とを備えている。例文帳に追加

The manufacturing apparatus of fertilizer raw material has a preparation/disinfection process 18 of preparing the crystal grains of ammonium magnesium phosphate by adding a magnesium compound to phosphorus and ammonia-containing waste water and, at the same time, disinfecting the crystal grains and a recovery process 14 of recovering the crystal grains. - 特許庁

マグネシウムを主成分とし、その結晶構造が大傾角粒界を有し、この大傾角粒界に囲まれた結晶粒の内部が亜結晶粒にて構成されているマグネシウム合金であって、添加元素としてマグネシウムに固溶可能なカルシウム、スズ、イットリウムの一種を含有させる。例文帳に追加

The magnesium alloy is essentially composed of magnesium, and in the magnesium alloy, the crystal structure thereof has high-angle grain boundaries, and the insides of the crystal grains surrounded by the high-angle grain boundaries is composed of sub-crystal grains, and one kind selected from calcium, tin and yttrium capable of being made into solid solution in magnesium is contained as an additional element. - 特許庁

前記単結晶基板は、1000℃以上に加熱して形成した焼結体を原料として溶融し、必要に応じて、酸素雰囲気下あるいは不活性ガス雰囲気下で融液から単結晶を育成した後、結晶学的方位{0001}を基板面として切り出すことにより製造される。例文帳に追加

The single crystal substrate is produced by melting a sintered body formed by heating at a temperature of 1,000°C or higher as a source material, growing a single crystal from the melt, if necessary, in an oxygen atmosphere or an inert gas atmosphere, and then cutting out a piece with the crystallographic orientation {0001} as the substrate face. - 特許庁

高分子ウィスカーを形成しうるモノマーを結晶性高分子と混合し、ついで、該結晶性高分子の融点以下の温度に加熱して、該結晶性高分子の非晶部位に溶解した該モノマーを固相重合し高分子ウィスカーを形成させる。例文帳に追加

A monomer capable of forming a polymer whisker is mixed with a crystalline polymer and the mixture is heated below the melting point of the crystalline polymer to effect the solid-phase polymerization of the monomer dissolved in the amorphous site of the crystalline polymer and form the objective polymer whisker. - 特許庁

ｐ型伝導層をＣ添加のＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体層で構成したエピタキシャル結晶であって、ｐ型伝導層の結晶性及びｐｎ接合の急峻性に優れ、ＨＢＴ等の電子デバイス用基体として有用なエピタキシャル結晶を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial crystal excellent in crystallinity of a p-type conduction layer and steepness of pn junction and useful as a substrate for electronic device such as HBT in which the p-type conduction layer is composed of a compound semiconductor layer principally comprising C added InGaAs. - 特許庁

単結晶からなる平板１に、全ての側壁３が結晶学的に等価な結晶面から構成されるとともに、間口形状が六角形である凹部２を設け、次いで、この凹部２に半田ペーストを充填したのち、加熱処理を行なうことによって半田ボール５を形成する。例文帳に追加

A flat plate 1 consisting of single crystal is provided with a recess 2, all the side walls 3 of which are constituted from crystallographically equivalent crystal faces and the opening of which is hexagonal, and then solder paste is filled into this recess 2 and heat-treated, thereby forming a solder ball 5. - 特許庁

また、前記嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容した状態で上記と同様の条件で加熱することで、前記犠牲成長層のアモルファスＳｉＣの少なくとも一部を再結晶させて単結晶４Ｈ−ＳｉＣ層５ｃを生成させる。例文帳に追加

Further, by heating the single crystal SiC substrate accommodated in the fitted vessel in the same condition as the above, at least a part of the amorphous SiC on the sacrifice growth layer is recrystallized to generate a single crystal 4H-SiC layer 5c. - 特許庁

多結晶材を収容する容器を加熱処理装置に対して上下方向に相対的に移動させることによって、容器中の多結晶材に連続的に融帯を生成させ、この融帯を固化させることによって容器中に単結晶を連続的に生成させる。例文帳に追加

A melting zone is continuously generated in the polycrystalline material in the container by relatively moving the container housing the polycrystalline material in the vertical direction with respect to a heating apparatus, and the melting zone is solidified to continuously generate the single crystal in the container. - 特許庁

誘電体単結晶からなる誘電体単結晶基板１の一方の主面１ａをエッチングすることによって、誘電体単結晶基板１に凹部４を形成する凹部形成工程、および 誘電体単結晶基板１の他方の主面１ｂを機械加工することによって、スラブ１０を形成し、かつ凹部４を貫通させて貫通孔１１を形成する貫通孔形成工程を有する。例文帳に追加

The method includes a recess forming process in which one main face 1a of a substrate 1 composed of a dielectric single crystal is etched to form recesses 4 in the substrate 1 and a through hole forming process in which the other face 1b of the substrate 1 is mechanically processed to form a slab 10, so that the recesses 4 pass through the substrate 1 to form through holes 11. - 特許庁

異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する。例文帳に追加

An epitaxial wafer comprising a layered nitride semiconductor crystal formed on the dissimilar substrate through a buffer layer wherein the nitride semiconductor crystal is formed by vapor phase epitaxy, a principal surface of the dissimilar substrate on which the nitride semiconductor is formed is made uneven by processing, and void spaces are formed between the concave part of the uneven surface and the nitride semiconductor crystal is prepared. - 特許庁

酸化物単結晶からなる基板と非晶質酸化物または半導体からなる二次元周期構造部によってモールドを構成し、このモールド上に結晶化温度より低い温度で化学的気相成長法でアモルファス膜を形成し、このアモルファス膜を結晶化温度以上に加熱させることによって、エピタキシャル結晶性を有する強誘電体薄膜を形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing the ferroelectric thin film two-dimensional photonic crystal constitutes mold by a substrate consisting of an oxide monocrystal and a two-dimensional periodical structure consisting of amorphous oxide or a semiconductor, forms an amorphous film by a chemical gas phase growth method at a lower temperature than a crystallization temperature, and forms a ferroelectric thin film having epitaxial crystallinity. - 特許庁

炉内に保持されたるつぼ１１内に種子結晶１４を配置し、るつぼ１１内に充填された原料溶液を加熱溶解し、るつぼ１１の下方より上方に向かって、原料を除冷することにより結晶１３を成長させる結晶製造装置において、種子結晶１４の近傍を局所的に冷却または加熱する温度制御手段を備えた。例文帳に追加

In the crystal producing apparatus where the seed crystal 14 is placed in a crucible 11 held in a furnace, where a raw material charged in the crucible 11 is heated and melted and where the crystal 13 is grown by gradually cooling the raw material upward from a lower part of the crucible 11, a temperature controlling means to locally cool or heat the neighborhood of the seed crystal 14 is provided. - 特許庁

ＣＺ法により窒素と炭素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、エピタキシャル層を形成する前のシリコン単結晶をウェーハに加工する工程の中で７５０℃以上８５０℃以下の温度で、１時間以上３時間以下の熱処理を行ったシリコン単結晶ウェーハの表面にエピタキシャル法によりシリコン単結晶層を堆積させる。例文帳に追加

In a process of pulling up silicon single-crystal to which nitrogen and carbon are added by a CZ method and working the silicon single-crystal before forming an epitaxial layer to a wafer, a silicon single-crystal layer is deposited by an epitaxial method on the surface of a silicon single-crystal wafer to which heat treatment is carried out for one hour to three hours at 750°C to 850°C. - 特許庁

本発明による非晶質シリコン膜の結晶化のための第１方法は、一次的に基板の一方向から５００Ｖ〜２０００Ｖの高電圧を印加して結晶化し、二次的に前記電極を一次結晶化工程の位置と垂直な方向で構成して約５００Ｖ〜２０００Ｖの高電圧を印加してもう一度結晶化を進める。例文帳に追加

A first method for the crystallization of an amorphous silicon film, is to crystallize the film by primarily applying a high voltage of about 500V-2,000 V to electrodes from one direction of a substrate, and then again crystalize the film by secondarily applying the high voltage of about 500V-2,000 V to the electrodes configured in a direction perpendicular to the position of the primary crystallization process. - 特許庁

封着工程で良好に軟化流動した後に十分な量の結晶が析出することに加えて、結晶析出後の加熱工程、例えば真空排気工程で再流動することがなく、しかも結晶化前後の熱膨張係数の不当な上昇を抑制することができる結晶性ビスマス系ガラス組成物を得ること。例文帳に追加

To obtain a crystalline bismuth-based glass composition which can deposit an enough amount of crystals after being softened and fluidized well in a sealing process, in addition, can not be again fluidized in a heating process after crystal deposition, for example in a vacuum exhaust process, and can suppress unreasonable rising of a coefficient of thermal expansion before and after crystallization. - 特許庁

本発明は、絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加した後加熱により結晶化し、前記結晶化した半導体膜に連続発振のレーザ光を照射し、前記レーザを照射した結晶性半導体膜の上部を除去することを特徴とする。例文帳に追加

A noncrystalline semiconductor film is formed on an insulated surface, it is crystallized by heating after the metal element to promote the crystallization is added to the noncrystalline semiconductor film, a laser light of a continuous wave oscillation is irradiated to the crystallized semiconductor film , and an upper portion of the crystalline semiconductor film irradiated by the laser is removed. - 特許庁

光ディスクの固有情報記録方法は、固有情報を記録するために、光電変換された信号によって光ディスクの記録膜３３ａ，３３ｂにビームを照射して、前記記録膜３３ａ，３３ｂを結晶化温度以上まで加熱し、前記加熱された記録膜３３ａ，３３ｂを結晶化温度以下に徐冷させ結晶質のマーク３０ａ，３０ｂを形成させ、結晶質及び非晶質のマークの配列パターンをなさしめる。例文帳に追加

The method for recording essential information in an optical disk involves: heating recording layers 33a, 33b above the temperature of crystallization by radiating a beam according to a photoelectrically converted signal to the recording layers 33a, 33b; and slowly cooling the heated recording layers 33a, 33b to the temperature of crystallization or below to form a pattern of crystalline and amorphous marks. - 特許庁

リチウムタンタレート(LiTaO_3)やリチウムナイオベート(LiNbO_3)等の非線形結晶基板であってもクラックが発生することなくレーザー加工溝を形成することができる非線形結晶基板のレーザー加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laser processing method of a nonlinear crystal substrate capable of forming a laser processing groove without causing any cracking even in a nonlinear crystal substrate of lithium tantalate (LiTaO_3), lithium niobate(LiNbO_3), or the like. - 特許庁

本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。例文帳に追加

A catalyst element is added to an amorphous semiconductor film and heated to form a crystalline semiconductor film, and the catalyst element is removed from the crystalline semiconductor film, and subsequently, an inverted staggered thin-film transistor is fabricated. - 特許庁

また、最終冷延後、再結晶温度まで加熱した後、圧延方向とほぼ直角方向に線状あるいは不連続な線状の溝を機械加工によって形成した後、二次再結晶を目的とする焼鈍を行う。例文帳に追加

The manufacturing method includes heating the sheet to a recrystallization temperature after a final cold rolling, forming the linear or discontinuously linear grooves in the approximately transverse direction against the rolling direction by machining, and then annealing it for the purpose of secondary recrystallization. - 特許庁

次に、結晶質半導体膜１５に結晶化促進元素をソース領域となる領域及びドレイン領域となる領域に選択的に添加して、１５族元素添加領域１５ａを形成する。例文帳に追加

Then, a region that becomes a source region and a region that becomes a drain region of the crystalline semiconductor film 15 are selectively doped with a crystallization acceleration element, thus forming a group 15 element doped region 15a. - 特許庁

基準面形成用樹脂１０を研削加工し、単結晶インゴット自体１を直接に研削加工しないため、単結晶インゴット１について割れや欠け等の破損が大幅に抑制される。例文帳に追加

The reference surface-forming resin 10 is ground but the single-crystal ingot 1 itself is not directly ground, whereby breakage such as a crack or chip of the single-crystal ingot 1 is significantly restrained. - 特許庁

加水圧式の氷結晶槽と、海水又は塩分等を含む溶液を収納する加圧水用タンクと冷却機によって雪状結晶氷を生成する。例文帳に追加

Snow-like crystal ice is produced by a water pressure type ice crystal tank, a tank for pressurized water for storing sea water or a solution containing a salt, and a cooling machine. - 特許庁

ただし、前記第１の加熱処理後、不純物元素または前記結晶質半導体膜の主成分である元素を前記結晶質半導体膜に導入してから前記第２の加熱処理を行なうものとする。例文帳に追加

Second heat treatment is conducted by introducing an impurity element or the principal component of the crystalline semiconductor film into the crystalline semiconductor following to the first heat treatment. - 特許庁

また、融液に少量添加物としてIIａ族元素（アルカリ土類金属元素）を添加することにより結晶形態の制御性や結晶成長速度を改善することが可能である。例文帳に追加

Also it is possible to improve controllability of crystal morphology or growing rate of crystals by adding a group IIa element (an alkaline earth metal element) to the melt as an additive of small amount. - 特許庁

本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜から触媒元素を除いた後、トップゲート型プラナー構造の薄膜トランジスタを作製する。例文帳に追加

The present invention includes adding catalytic element to an amorphous semiconductor film and heating the resultant product to form a crystalline semiconductor film; removing the catalytic element from the crystalline semiconductor film; and then fabricating a thin film transistor of a top-gate planar structure. - 特許庁

加振部１０４は、例えばＰＺＴなどの圧電結晶膜１４１と、圧電結晶膜１４１に交流電圧を印加する交流電源１４２とから構成されている。例文帳に追加

The oscillating section 104 constituted of: a piezoelectric crystal film 141 such as PZT or the like; and an AC power supply 142 to apply AC voltage to the piezoelectric crystal film 141. - 特許庁

アルミニウムを添加することによって、結晶粒の成長を抑制することができ、酸化物及び窒化物の分散を促し、結晶粒のサイズが大きくならずに済むことで、延性、加工性及び靭性を高めることができる。例文帳に追加

By the addition of aluminum, the growth of the crystal grains can be suppressed, the dispersion of oxides and nitrides is promoted, and because the size of the crystal grains does not increase, its ductility, workability and toughness can be increased. - 特許庁

有機溶媒、有機溶媒に溶解している第１の付加化合物、及び有機溶媒に溶解しており且つ第１の付加化合物の結晶化を抑制する結晶化抑制剤を含有している有機半導体膜形成用溶液とする。例文帳に追加

The solution for the formation of the organic semiconductor film contains an organic solvent, a first adduct compound dissolved in the organic solvent, and a crystallization inhibitor which is dissolved in the organic solvent, and inhibits crystallization of the first adduct compound. - 特許庁

加熱工程では、単結晶ＳｉＣ基板７０を加熱することで、３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７２の内側でＳｉ層７１を溶融させてＳｉ融液層７１ａを形成する。例文帳に追加

In the heating process, the monocrystal SiC base 70 is heated to melt the Si layer 71 inside the 3C-SiC polycrystal layer 72 to form an Si molten solution layer 71a. - 特許庁

Ｔｉ添加によりＣの溶解度が増加してＳｉＣ単結晶の成長速度が向上し、同時に、ＳｎまたはＧｅのサーフアクタント効果により平坦性の高いＳｉＣ単結晶が得られる。例文帳に追加

By the addition of Ti, the solubility of C is increased, and the growth rate of the SiC single crystal can be enhanced, and at the same time, the SiC single crystal having high flatness can be obtained by the surfactant effect of Sn or Ge. - 特許庁

光変調層２２は、電気光学結晶板をガラス基板１２ｂの透明電極１４ｂ側に接着した状態で電気光学結晶板の表面を研削加工および研磨加工することにより形成される。例文帳に追加

The optical modulating layer 22 is formed by grinding work and abrasive work of the surface of the electrooptic crystal plate while the electrooptic crystal plate is bonded to the transparent electrode 14b side of the glass plate 12a. - 特許庁

そのため、金属の添加効果を十分に引き出し、添加量を抑え、機械的物性、耐熱性、結晶性に優れ、劣化を抑制することができた結晶性の樹脂成形体を作製することができる。例文帳に追加

As a result of this, the crystalline resin molded product which fully brings about the effect of addition of the metal to suppress its added amount, excels in mechanical properties, heat resistance, and crystallinity, and could have inhibited deterioration can be prepared. - 特許庁