「加成結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

加えて、Ｄ−酵素は、Ｌ−酵素の片割れと共に、Ｘ−線解析データを用いる結晶学的構造を決定するためのラセミ結晶を生成するのに共結晶化混合物で使用すりことができる。例文帳に追加

In addition, the D enzyme can be used in combination with its L-enzyme counterpart in co-crystallation admixtures to form racemic crystals for determining crystallographic structures using X-ray diffraction data. - 特許庁

また、融液に磁場を印加すると共に、融液から引き上げられる半導体単結晶の周囲にクーラを配置して、クーラによって半導体単結晶を冷却しつつ半導体単結晶を引き上げ成長させる。例文帳に追加

In addition, the semiconductor single crystal is lifted and grown by applying a magnetic field to the melt while cooling the semiconductor single crystal by a cooler arranged around the semiconductor single crystal that is lifting from the melt. - 特許庁

１３族窒化物原料と金属ハロゲン化物の混合物を加熱溶融して結晶成長を行い、塊状単結晶を得ることを特徴とする１３族窒化物結晶の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the group 13 element nitride crystal, the bulky single crystal is obtained by performing crystal growth by heating and melting a mixture of a group 13 element nitride raw material and a metal halide. - 特許庁

工程数の増加を伴うことなく、結晶の異方性が異なる複数の領域を有する結晶化半導体膜を形成することができる結晶化半導体膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a crystallized semiconductor film allowing to form the crystallized semiconductor film having a plurality of regions of different crystal anisotropic properties without increasing the number of steps. - 特許庁

タングステンエミッタ１の外側の結晶面から内側の結晶面へと順次高い電圧から低い電圧を引出電極５に印加し、その都度各結晶面で電界蒸発を行なうように構成する。例文帳に追加

High voltage to low voltage are applied in the order from the outside crystal surfaces to the inside crystal surfaces of a tungsten emitter 1 on an extraction electrode 5, and each time, electric field evaporation is carried out on the respective crystal surfaces. - 特許庁

シリカおよびカーボンを１７００℃以上の温度で加熱し、単結晶炭化珪素からなる種結晶６上に気相法によって単結晶炭化珪素膜７をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The method comprises heating silica and carbon at a temperature of ≥1,700°C and epitaxially growing a single crystal silicon carbide film 7 on a seed crystal 6 comprising single crystal silicon carbide by a vapor phase method. - 特許庁

誘導加熱コイル８への電力を減少あるいは停止することにより、るつぼ１の温度が下がり、るつぼ１内の融液が固体化、すなわち結晶化することで、多結晶の結晶状の原料13がるつぼ１内に形成される。例文帳に追加

By decreasing or stopping electric power supply to the coils 8, the temperature of the crucible 1 falls, resulting in solidification, namely crystallization of the melt in the crucible 1, thereby forming a polycrystalline stock inside the crucible 1. - 特許庁

強誘電体薄膜の結晶化は下部電極に影響を受けて進行するとともに、下部電極側からの加熱によって結晶成長が下部電極側から始まって薄膜上部に至るので、結晶性が良好となる。例文帳に追加

The crystallization of the ferroelectric thin film proceeds while the lower electrode is affected, the crystal growth starts from the lower electrode side by heating from the lower electrode side and reaches the thin film upper portion, therefore, the crystallinity becomes good. - 特許庁

この予備結晶化させたシートを、９０〜１３０℃に加熱された成型金型により、結晶化指標が２５Ｊ／ｇ以上となるように、賦型および結晶化させる。例文帳に追加

This preliminarily crystallized sheet is shaped and crystallized by a mold heated to 90-130°C so that the crystallization index becomes 25 J/g or above. - 特許庁

蛍石の結晶材料を入れた坩堝１を炉室１０内でヒータ２によって加熱し、結晶材料を溶融させ、坩堝１を下降させてヒータ２の底部から引き出すことで冷却し、結晶を成長させる。例文帳に追加

A crystal material of fluorite in a crucible 1 is heated and melted with a heater 2 in an oven 10, and the crucible is lowered and taken out from the bottom of the heater 2 and cooled for crystal growth. - 特許庁

結晶成長時に電場や磁場を印加することにより、酸化物単結晶を容易に製造するための酸化物単結晶の製造方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for the production of an oxide single crystal, so as to easily produce an oxide single crystal by applying an electric field or a magnetic field while growing a crystal. - 特許庁

育成された単結晶インゴットを切断して多角体を得、該多角体をアニール処理した後、さらに切断することを特徴とする、（１００）結晶面のフッ化物単結晶の加工方法。例文帳に追加

This method for processing the fluoride single crystal with (100) crystal face is characterized by that grown single crystal ingot is cut to obtain a polygon which is anneal-treated and further cut. - 特許庁

及び、パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハであって、チョクラルスキー法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒をウエーハに加工して得られたことを特徴とするパーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ。例文帳に追加

Thus, the objective single crystal wafer is produced with this production method. - 特許庁

結晶成長後の結晶内の内部歪みを除去し、加工工程でのクラック・スリップの発生を防止できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a compound semiconductor single crystal, by which the internal strain in the crystal is removed after growing the crystal, thereby the occurrence of a crack or a slip can be prevented in the working process. - 特許庁

前記単結晶群の個々の単結晶表面部分を溶媒による溶解または加熱溶融して単結晶同士を付けて連続配向体を形成することが好ましい。例文帳に追加

Preferably the surfaces of the individual single crystals of the groups are dissolved with a solvent or heat-melted to be attached together to form the continuously oriented structure. - 特許庁

結晶成長時に電場や磁場を印加することにより、酸化物単結晶を容易に製造するための酸化物単結晶の製造方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for easily producing an oxide single crystal by impressing an electric field and/or a magnetic field at the time of growing the crystal. - 特許庁

シリコン原料の溶融と種結晶の予備加熱を簡単な構成で効率良く行うことが可能なシリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for pulling a silicon single crystal, which can efficiently perform melting of a silicon raw material and preheating of a seed crystal with simple constitution, and to provide a method for manufacturing the silicon single crystal. - 特許庁

結晶に窒素を添加してウェーハの全面をＯＳＦ領域とし、結晶を低酸素化した上で、さらに単結晶育成時における１０５０℃〜１０００℃の温度領域の冷却速度を２．０℃／ｍｉｎ以下とする。例文帳に追加

After the entire surface of a wafer is made to serve as an OSF region by adding nitrogen to a crystal and then oxygen of the crystal is lowered, cooling rate of the 1,050-1,000°C temperature region is set at 2.0°C/min or below during single crystal growth. - 特許庁

結晶多形が３Ｃ、４Ｈ、又は６Ｈの何れかよりなる単結晶ＳｉＣ基板５を高真空環境において加熱して、当該単結晶ＳｉＣ基板の表面に炭化層５ａを形成させる。例文帳に追加

A single crystal SiC substrate 5 the crystal polymorphism of which consists of any one of 3C, 4H or 6H is heated under a high-vacuum environment to form a carbonized layer 5a on the top surface of the single crystal SiC substrate. - 特許庁

原料融液を収めて結晶成長を行うルツボ1を内部に有する育成室の上部に、育成室上部を塞ぐ蓋11を備え、かつ結晶成長させるための主加熱手段に加えて該蓋を加熱する補助加熱手段とを備えたことを特徴とする結晶育成装置である。例文帳に追加

The crystal growth apparatus is equipped with: a lid 11 to cover the upper part of a growth chamber having a crucible 1 inside to reserve a source melt and to grow a crystal; and an auxiliary heating means to heat the lid in addition to a main heating means for growing a crystal. - 特許庁

結晶化温度が高く、耐熱性及び成形加工性に優れた合成樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a synthetic resin composition having a high crystallization temperature and excellent in heat resistance and molding workability. - 特許庁

シリコン結晶の製造方法において、チョクラルスキー法により、Ｇａとリンをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記シリコン融液に種結晶を接触させ、これを回転しながら引き上げることによってシリコン単結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing silicon crystal is that after adding Ga and phosphorus into silicon molten liquid in a crucible by Czochralski method, a silicon single crystal is grown by making a seed crystal contact with silicon molten liquid and pulling it up while revolving it. - 特許庁

ならびに、シリコン結晶の製造方法において、チョクラルスキー法により、ＧａとＢをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記シリコン融液に種結晶を接触させ、これを回転しながら引き上げることによってシリコン単結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the silicon crystal is that after adding Ga and B into silicon molten liquid in a crucible by the Czochralski method, the silicon crystal is grown by making a seed crystal contact with the silicon molten liquid and pulling it up while revolving it. - 特許庁

ドーパントが多量に添加された低い抵抗率のシリコン単結晶を成長させる場合であっても、シリコン単結晶のテール部分が有転位化することを防止できるシリコン単結晶の製造方法、及びそのような製造方法によって製造されるシリコン単結晶を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon single crystal capable of preventing the occurrence of dislocation of tail part of the silicon single crystal even in the case of growing the silicon single crystal added with a large quantity of a dopant and having a low resistivity, and a silicon single crystal manufactured by the method. - 特許庁

非一致溶融組成を有する酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶１７の原料である融液５に対し、２３８８００（Ａ／ｍ）以上の磁場を印加しながら酸化物単結晶１７の結晶化を行う工程を有する。例文帳に追加

The production method of an oxide single crystal having a non-congruent melting composition includes a step of crystallizing an oxide single crystal 17 while applying a magnetic field of not less than 238,800 (A/m) to a melt 5 as a raw material of the oxide single crystal 17. - 特許庁

この際、非結晶化部分を有する熱可塑性結晶性高分子樹脂によって物体Ａαを形成し、ガラス転移温度以上の温度に加熱することによって非結晶化部分を結晶化させ、物体Ａαを収縮させるのがよい。例文帳に追加

In this case the object Aα is composed of a thermoplastic crystalline polymer resin having an amorphous portion, and the object Aα is preferably shrunk by heating the object Aα to a temperature of not lower than the glass transition temperature and crystallizing the amorphous portion. - 特許庁

結晶性高分子材料に下記一般式（Ｉ）で示される有機リン酸エステル金属塩である結晶核剤を添加し、該結晶性高分子材料を溶融した状態で磁場を付与してこれらを固化させることを特徴とする、所定の方位に配向した結晶性高分子組成物の製造方法。例文帳に追加

A method for producing a crystalline polymer composition that is oriented in a given orientation comprises adding a crystal nucleating agent that is an organic phosphoric acid metal salt represented by general formula (I) to a crystalline polymer material and applying a magnetic field to the crystalline polymer material that is in the molten state to solidify the same. - 特許庁

結晶成長開始前後および／または終了前後の非定常過程において結晶５または１５の近傍を補助加熱することにより結晶の熱流束量の急激な変化を防止して、亀裂のない良質な結晶を得る。例文帳に追加

The rapid thermal-flux amount change of the crystal is prevented by auxiliary-heating the vicinity of the crystal 5 or 15 in the non-steady processes in the vicinity of crystal growth start and/or completion to obtain the good quality crystal having no crack. - 特許庁

ＣＺ法により製造されたシリコン結晶素材であって、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造の原料棒として用いられ、機械加工を必要とせずにＦＺ法の結晶成長炉内に装填することができる被把持部を有するシリコン結晶素材及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon crystal material which is manufactured by the CZ method, used for a material rod for the manufacture of silicon single crystals by the FZ method and has a support part with which the material is fitted in the crystal growth furnace of the FZ method without the need for machining. - 特許庁

育成すべき素材の融点、直径などが異なる場合であっても、単結晶の安定成長の条件を得ることができ、これにより、望まれる直径の高品質単結晶の育成を図ることができ、しかも加熱強度分布の変動を少なくし、結晶育成が容易な単結晶育成装置および単結晶育成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for growing a single crystal by which conditions for growing a single crystal stably are obtained even in the case that melting points, diameters or the like of materials to be grown are different, and thereby, a high quality single crystal having a desired diameter is grown, the fluctuation of heating intensity distribution is reduced, and crystal growth is easily carried out. - 特許庁

＜結晶性チタノシリケート触媒の調製方法＞（ａ）Ｓｉ（ケイ素）化合物およびＴｉ（チタン）化合物を構造規定剤存在下、加水分解して調製したゲルを、水熱合成により水存在下で加熱処理を行い層状の結晶前駆体を調製し、該層状の結晶前駆体を焼成により結晶化してＭＷＷ構造を持つ結晶性チタノシリケートを調製する方法例文帳に追加

Preparation method of crystalline titanosilicate catalyst: (a) gel prepared by hydrolyzing an Si (silicon) compound and a Ti (titanium) compound in the presence of a structure restricting agent is heat-treated in the presence of water by hydrothermal synthesis to prepare a laminar crystal precursor, and the laminar crystal precursor is fired to be crystallized to prepare a crystalline titanosilicate having an MWW structure. - 特許庁

エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法により、同位体^２８Ｓｉの含有率が９２．３％以上のシリコン多結晶原料を用いてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工し、該シリコン単結晶ウェーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ。例文帳に追加

In the method of manufacturing the epitaxial silicon single crystal wafer, a silicon single crystal rod is grown using a silicon polycrystalline material which contains isotope^28Si by 92.3% or above at least by the Czochralski pulled method, and the silicon single crystal rod is sliced into silicon single crystal wafers and then an epitaxial layer is formed on the silicon single crystal wafers. - 特許庁

本発明の透明導電膜の製造方法は、気相蒸着法により基板上に酸化亜鉛を含む多結晶膜を形成する多結晶膜形成工程と、前記多結晶膜に通電してジュール加熱を行うことにより前記多結晶膜を結晶成長させた透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing the transparent conductive film includes: a polycrystalline film-forming step of forming a polycrystalline film, which contains zinc oxide, on a substrate by a vapor-phase deposition method; and a transparent conductive film-forming step of forming the transparent conductive film, in which the polycrystalline film is crystal-grown with Joule heating caused by energizing the polycrystalline film. - 特許庁

焼成工程においては、成形体を加熱することにより、結晶配向セラミックスを得る。例文帳に追加

In the firing process, the crystal-oriented ceramic is obtained by heating the molding. - 特許庁

焼成工程においては、成形体を加熱することにより結晶配向セラミックスを得る。例文帳に追加

At the firing step, the obtained molding is heated to obtain the crystal-oriented ceramics. - 特許庁

この添加剤はＣｕ膜形成の初期段階での結晶成長の核発生密度を高める。例文帳に追加

This additive increases the nuclei generating density of crystal growth in the initial stage of the formation of a Cu film. - 特許庁

次に、この導電材料層を加熱処理して、構成結晶子を大型化し、導電層を形成する。例文帳に追加

Next, a conductive layer is formed by heat-treating the conductive material layer to increase the size of a constituent crystallite. - 特許庁

基板上に非晶質シリコン膜を形成し、前記非晶質シリコン膜にシリコンの結晶化を促進させる元素を保持させ、前記非晶質シリコン膜を加熱して前記非晶質シリコン膜を結晶性シリコン膜にし、前記結晶性シリコン膜の一部にリンを注入し、前記結晶性シリコン膜を加熱することで素子に用いたときに特性のよくなる結晶性シリコン膜を作製する。例文帳に追加

An amorphous silicon film is formed on a substrate, an element for promoting the crystallization of silicon is retained by the amorphous silicon film, the amorphous silicon film is heated for changing into the crystalline silicon film, phosphorus is injected to one portion of the crystalline silicon film, and the crystalline silicon film is heated, thus manufacturing the crystalline silicon film where characteristics are improved when the crystalline silicon film is used in an element. - 特許庁

析出結晶量が５〜５０質量％の結晶化ガラス小体及び／又は焼成すると析出結晶量が５〜５０質量％の結晶化ガラスとなる性質を有する結晶性ガラス小体に発泡剤を添加、混練し、成型した後、ガラスの粘度が１０^6から１０^7ポイズを示す温度域で焼成する。例文帳に追加

To crystallized glass particles with a deposited crystal content of 5-50 mass% and/or crystallizable glass particles which are converted by firing to a crystallized glass with a deposited crystal content of 5-50 mass%, a foaming agent is added, mixed, formed and fired at a temperature range where the glass shows a viscosity of 10^6-10^7 P. - 特許庁

原料９、１０を加熱することにより原料９、１０を溶融して、種結晶７上に原料融液を形成する工程と、原料融液を種結晶７側から凝固することにより、半導体結晶を成長する工程とを備え、原料融液を形成する工程では、種結晶７と接触する原料融液の温度と、原料９、１０と対向する側の種結晶７の端部８の温度との差を３０℃以下にする。例文帳に追加

In the step of forming the raw material melt, the difference between the temperature of the raw material melt brought into contact with the seed crystal 7 and the temperature at the end part 8 of the seed crystal 7 on the side opposing to the raw materials 9, 10 is set to 30°C or less. - 特許庁

本発明は、酸化物超電導導体の形成に有用な、基材の成膜面上に直角に結晶粒のｃ軸を揃え、加えて被成膜面と平行な面に沿って先の結晶粒の結晶軸のａ軸またはｂ軸をも揃えることができ、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for obtaining polycrystalline thin film which aligns c-axis of the crystal grain useful for the formation of oxide superconductor perpendicularly to the film forming surface of substrate, in addition, also aligns a-axis or b-axis of crystal axis of the crystal grain along the surface parallel to the film forming surface and is excellent in crystalline orientation. - 特許庁

結晶化させる材料をルツボ内で加熱して溶融する溶融工程と、該溶融した材料を冷却して凝固することで結晶を成長させる結晶成長工程とを有する結晶製造方法において、該溶融工程は溶融した材料内に所定の気体を導入する工程を含むことを特徴とする結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

The method includes a melting step to heat and melt the material to be crystallized in a crucible and a crystal growing step to cool the melted material to solidify and grow, wherein the melting step includes a step of introducing a predetermined gas into the melted material. - 特許庁

Ｌ−アラビノースを含み、固形分濃度が５０〜８０質量％の範囲にある糖液を結晶化母液として結晶化を行い、Ｌ−アラビノース含有結晶性粉末糖組成物を得る方法において、結晶化の際、助晶シードを添加し、かつ温度を１５〜５０℃に調整することを特徴とするＬ−アラビノース含有結晶性粉末糖組成物の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the L-arabinose-containing crystalline powder sugar composition, comprising crystallizing a sugar solution containing the L-arabinose and having a solid concentration of 50 to 80 mass % as a crystallization mother liquor, is characterized by adding crystallizing seeds on the crystallization and controlling the temperature to 15 to 50°C. - 特許庁

希土類イオンを添加したアルカリハライド結晶から成るフォトクロミック材料。例文帳に追加

PHOTOCHROMIC MATERIAL COMPRISING RARE EARTH ION ADDED ALKALI HALIDE CRYSTAL - 特許庁

非結晶性ポリエチレンテレフタレート樹脂組成物とそのカレンダー加工方法例文帳に追加

AMORPHOUS POLYETHYLENE TEREPHTHALATE RESIN COMPOSITION AND ITS CALENDERING PROCESSING - 特許庁