「加成結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

次に、ニッケル酸化物からなる抵抗可変膜２６を堆積させ、その後加熱処理を行い、多結晶導電膜３３の結晶を成長させると共に、多結晶導電膜３３に含まれるチタンと抵抗可変膜２６に含まれる酸素とを反応させる。例文帳に追加

Then a variable resistance film 26 made of nickel oxide is deposited and then heat-treated to grow crystal of the polycrystalline conductive film 33 and also to react titanium contained in the polycrystalline conductive film 33 and oxygen contained in the variable resistance film 26 with each other. - 特許庁

この電気光学結晶素子５は、例えば１対の電極とこの電極間に配置された光学結晶材料とにより構成されており、電極間に電圧を印加して電界を発生させることにより、電気結晶素子の屈折率が変化する。例文帳に追加

The electro-optic crystal element 5 is constituted of, for example, a pair of electrodes and an optical crystal material disposed between the electrodes, and a refractive index of the electro-optic crystal element is changed by applying voltage between the electrodes and generating an electric field. - 特許庁

金型を、急激な昇温と急激な冷却が可能なようにし、材料のポリ乳酸樹脂に、結晶化を誘起する物質を添加剤として含有させることで、結晶化温度を特定の範囲にさせることで、ポリ乳酸樹脂組成物を当該金型内で結晶化させる。例文帳に追加

The polylactic acid resin composition is crystallized in a mold by controlling the crystallization temperature to a specific range by enabling sudden temperature rising and sudden cooling of the mold, and adding a material for inducing crystallization in a polylactic acid resin to the material. - 特許庁

種結晶基板５４を金属ガリウム及び金属ナトリウムを含む混合融液に浸漬した容器５０を、７００〜１０００℃で加圧窒素ガスの雰囲気下、種結晶基板５４上での窒化ガリウムの結晶成長速度が１０〜２０μｍ／ｈとなるように回転させる。例文帳に追加

A container 50 housing a seed crystal substrate 54 immersed in a mixture melt containing metal gallium and metal sodium is rotated in a pressured nitrogen gas atmosphere at 700 to 1,000°C while controlling the crystal growth rate of gallium nitride on the seed crystal substrate 54 to 10 to 20 μm/h. - 特許庁

ターゲット３にレーザ光を照射してプルームを発生させ該プルームを結晶基板２に付着させて薄膜を作成する際、ターゲット３と結晶基板２間に磁界を印加した状態でレーザ光をターゲット３に照射してプルームを発生させ、該プルームを結晶基板２に衝突させる。例文帳に追加

At this time, the target 3 is irradiated with the laser beam in a state where the magnetic field is applied to the space between the target 3 and the crystal substrate 2 to cause the plume, and the plume is collided against the crystal substrate 2. - 特許庁

珪素の結晶性を助長する金属元素を用いて結晶化させた結晶性珪素膜を活性層とする半導体装置において、ソース領域またはドレイン領域が形成される領域１１４、１１６に燐をドーピングし、加熱処理を施す。例文帳に追加

In a semiconductor device which makes a crystallized crystalline silicon film using a metal element promoting crystallinity of a silicon to be an active layer, phosphor is doped to regions 114 and 116 where a source region or drain region is formed and heat treatment is performed. - 特許庁

N-保護アミノ酸含有反応液（アルカリ性）に対して水溶性有機溶媒、及び随意に水、を添加した後に、酸により中和を行うと、N-保護アミノ酸の生成から結晶の取得までの工程において、抽出、濃縮、再結晶のいずれの工程も必要とせずに良好な結晶が得られる。例文帳に追加

By adding a water-soluble organic solvent and optionally water to a reaction liquid (alkaline) containing the N-protected amino acid and subsequently neutralizing the same with an acid, a good crystal can be obtained without requiring any extraction, concentration or recrystallization step during the steps of production of the N-protected amino acid to achievement of the crystal. - 特許庁

溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。例文帳に追加

The method of detecting the defect of the silicon carbide single crystal is characterized in etching the n-type silicon carbide single crystal with an etchant prepared by adding at least one kind among Na_2O_2, BaO_2, NaNO_3, and KNO_3 to molten KOH, and detecting the defect of the crystal from a formed etch pit. - 特許庁

触媒物質を添加して細線部１内に一つの針状結晶を成長させ、この細線部１内にｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合を有する結晶性薄膜ダイオードを作製するか、細線部１をチャネルとする結晶性薄膜トランジスタを作製する。例文帳に追加

One acicular crystal is grown in a thin line 1 by adding a catalytic substance, and a crystalline thin film diode having a p-n junction or a p-i-n junction is manufactured in the thin line part 1, or a crystalline thin film transistor having the thin line part 1 as a channel is manufactured. - 特許庁

常伝導コイル５への交流電流の通電により誘起されるローレンツ力を融液４に作用させて融液の隆起と誘導加熱を行いながら、隆起した融液の頂点付近に種結晶７を接触させ、種結晶上に単結晶１５を成長させる。例文帳に追加

While uplifting and induction-heating the melt 4 by applying thereto, the Lorentz force induced by energization of AC current to a normal conductive coil 5, the seed crystal 7 is brought into contact with the vicinity of top of the uplifted melt to grow the single crystal 15 on the seed one. - 特許庁

半導体結晶の製造方法は、種結晶７の少なくとも一部を溶融する工程後に、原料９、１０を加熱することにより原料９、１０を溶融して、種結晶７上に原料融液を形成する工程を備えていてもよい。例文帳に追加

The method for producing a semiconductor crystal may have the step of forming the raw material melt on the seed crystal 7 by melting the raw materials 9,10 by heating the raw materials 9, 10, after a step of melting at least a portion of the seed crystal 7. - 特許庁

ＫＮｂＯ_3 結晶を所定の結晶軸方向に切り出し、主面上に電極対３０，３１を形成し、電極間に電界を加えることにより、分極制御領域の分極方向が９０°回転すると、ＴＥ偏光とＴＭ偏光が感じる屈折率の結晶軸が相違する。例文帳に追加

A KNbO_3 crystal is cut out in a prescribed direction of crystal axis, a pair of electrodes 30, 31 are formed on a principal plane, an electric field is applied between the electrodes and, thereby, crystal axes of refractive index worked by TE polarization and TM polarization differ from each other when the polarization direction of polarization control region is rotated by 90°. - 特許庁

２次の電気光学結晶を有する結晶を用いたエタロン（ｅｔａｌｏｎ）を構成し、結晶に隣接して設けた透明電極に電圧を印加することによって、エタロンの構造を用いた高速応答可能な偏波無依存のゲートスイッチおよび空間光スイッチを提供する。例文帳に追加

To provide a gate switch and a spatial optical switch which utilize an etalon structure, make quick response available, and is independent of polarization by constructing the etalon using a crystal with a second order electro-optic crystal, and applying a voltage to a transparent electrode arranged adjacent to the crystal. - 特許庁

横磁場を印加するＣＺ法において、単結晶の成長軸方向の格子間酸素濃度の均一性が高い単結晶棒を高生産性、高歩留りで製造できるシリコン単結晶の製造方法と製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal production process which enables production of a silicon single crystal bar having high uniformity in interstitial oxygen concentration in the direction of the growth axis of the single crystal, in a high yield and with high productivity, in a transverse magnetic field-applied CZ(Czochralski) method, and also to provide a device for the production process. - 特許庁

本発明の板状結晶の製造装置は、原料をルツボ内で加熱溶融し、基板上で原料の結晶を凝固成長させる板状結晶の製造装置であって、ルツボの開口部における辺部縁上に複数の可動式断熱手段を備えることを特徴とする。例文帳に追加

In the apparatus for manufacturing a plate-like crystal, in which a raw material is heated and melted in a crucible and the crystal of the raw material is solidified and grown on the substrate, a plurality of movable heat insulating means are provided on the edge parts of side parts of the opening part of the crucible. - 特許庁

また、結晶製造装置における坩堝の直径φcと加熱コイルの直径φ_Wとの比を、0.4以上、0.6以下とすることにより、結晶育成中の融液の対流を効率的に制御すことができ、高品質な結晶の製造に優れた効果が得られる。例文帳に追加

By controlling the ratio of the diameter ϕc of the crucible to the diameter ϕw of the heating coil in the crystal manufacturing apparatus to 0.4 or more and 0.6 or less, a convection of the melt during growing the crystal can be efficiently controlled, which gives an excellent effect on the manufacture of the crystal with high quality. - 特許庁

昇華再析出法によるＳｉＣ単結晶の製造において、坩堝の自己発熱によらない加熱方法により、種結晶の温度、原料の温度、及び成長空間領域の温度分布を容易に制御できるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for producing a SiC single crystal by which the temperature of a seed crystal, the temperature of a raw material and the temperature distribution in a growth space area can be easily controlled by a heating method not depending on self-heating of a crucible, in the production of the SiC single crystal by a sublimation and redeposition method. - 特許庁

反応容器２内の原料４にレーザ光を照射して加熱することで昇華させ、昇華した原料を下地基板３上で再結晶化させて化合物半導体単結晶を成長させ、その後にレーザ光を利用して化合物半導体単結晶を下地基板３から分離する。例文帳に追加

The raw material 4 in the reaction chamber 2 is heated by irradiation with a laser beam to sublimate; the sublimated raw material is re-crystallized on the base substrate 3 to grow a compound semiconductor single crystal; and then the compound semiconductor single crystal is separated from the base substrate 3 by using the laser beam. - 特許庁

プレス加工で有底筒形状の電池缶とされる電池缶形成用鋼板であって、該鋼板は粒径が３０μｍ以上の粗大結晶粒を含み、上記粗大結晶粒の体積率が５％以上で、平均結晶粒径は１５０μｍ以下としている。例文帳に追加

A steel plate for forming the bottomed cylindrical battery can by pressing contains coarse grains of the grain size of ≥30 μm, the volumetric ratio of the coarse grains is ≥5%, and the mean grain size is ≤150 μm. - 特許庁

加工コストを削減できる形状であるとともにノズル孔の詰まりを防止でき、またノズル孔の腐食防止、粒状結晶の平均粒径の安定化、粒状結晶の製造歩留まりの向上が達成されるノズルを用いた粒状結晶の製造装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a granular crystal production apparatus having a nozzle which has a shape enabling the working cost thereof to be reduced and which is prevented from the clogging in each nozzle hole, and is prevented from the corrosion of the nozzle holes, can stabilize the average grain diameter of the granular crystal and improves the production yield of the granular crystal. - 特許庁

溶融重縮合物を粒子化するまでの任意の段階で反応系に結晶化促進剤を添加して、昇温時結晶化温度が１４０〜１８０℃であり、降温時結晶化温度が１９０℃以下であるか又は存在しない粒子を生成させる。例文帳に追加

A crystallization accelerator is added to a reaction system at an arbitrary step before granulating the melt polycondensation product to provide a granule having 140-180°C crystallization temperature during temperature rise and ≤190°C or no crystallization temperature during temperature fall in the method for producing the polyester resin. - 特許庁

ルチル（ＴｉＯ_2）単結晶を、赤外線集中加熱炉を用いたフローティングゾーン（ＦＺ）法によって、酸素圧０．３ＭＰａ以上の高圧酸素中で育成することにより、サブグレインや小傾角粒界のないルチル単結晶を得るようにしたことを特徴とするルチル単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the rutile single crystal is characterized by that the rutile single crystal free from the subgrains and small tilt grain boundaries can be obtained, by growing the rutile (TiO_2) single crystal within the high pressure oxygen of 0.3 MPa or more oxygen pressure by the floating zone (FZ) method using the infrared-concentrated oven. - 特許庁

溶質である酸化亜鉛と、溶媒である酸化モリブデンを混合して加熱融解したのち、融液を定温に保つか若しくは降温させ、一般式ZnOで表される微結晶を種結晶上あるいは基板上に析出、成長させることを特徴とするZnO単結晶の製造方法。例文帳に追加

This method for manufacturing the ZnO single crystal comprises mixing the zinc oxide which is a solute and molybdenum oxide which is a solvent, heating the mixture to melt, then maintaining the melt at a constant temperature or lowering the temperature and depositing and growing the fine crystals expressed by general formula ZnO on a seed crystal or a substrate. - 特許庁

ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a GaN single crystal and a method for producing the same for preventing the occurrence of a crack when growing a GaN single crystal, when processing the grown GaN single crystal into a substrate and the like, and when forming at least a single semiconductor layer on the substrate-like GaN single crystal to produce a semiconductor device. - 特許庁

イルメナイト型構造を有するＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３等の単結晶基板１上にアモルファス膜を形成し、次いで該アモルファス膜が形成された単結晶基板１を結晶化温度よりも高い温度に加熱してアモルファス膜を結晶化させ、ペロブスカイト型構造を有するエピタキシャル強誘電体膜２を形成する。例文帳に追加

The epitaxial ferroelectric film 2 having a perovskite type structure is formed by forming an amorphous film on a single crystal substrate 1 of LiNbO_3, LiTaO_3 or the like, having an ilmenite structure, then heating the single crystal substrate 1 on which the amorphous film has been formed to a temperature higher than the crystallization temperature so as to crystallize the amorphous film. - 特許庁

ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a GaN single-crystal mass and its manufacturing method regarding which crack occurrence is controlled, when making the GaN single-crystal mass grow and processing the grown GaN semiconductor device into a substrate, etc., and to provide a semiconductor device and its manufacturing method, when forming at least a single-layer semiconductor layer on the substrate-like GaN single-crystal mass and manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

シリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶基板に加工した後、該シリコン単結晶基板の素子が形成される面とは反対の面の全面に元素の注入を行って歪み層を形成することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。例文帳に追加

The production method of a silicon wafer comprises at least growing a silicon single crystal bar by Chokralski method, slicing the silicon single crystal bar to silicon single crystal substrates, and thereafter, implanting an element on the whole surface of the silicon single crystal substrate opposite to the surface thereof on which devices are formed, to form the strain layer. - 特許庁

非晶性ポリエステル、反応性化合物を必須成分とし、さらに結晶性ポリエステルおよび／または結晶核剤を含むことを特徴とする異形押出し成形加工用ポリエステル樹脂組成物に関する。例文帳に追加

This polyester resin composition for the odd-shaped extrusion contains an amorphous polyester, a reactive compound, and a crystalline polyester and/or a crystal nucleating agent. - 特許庁

任意の結晶性樹脂を成形材料として用い、組成の変更や異物の添加を必要とせずに短時間で容易に十分な結晶化を達成する。例文帳に追加

To attain enough crystallization easily in a short time without needing the change of composition or the addition of a foreign substance by using an optional crystalline resin as a molding material. - 特許庁

結晶成長を促進させる雰囲気ガス中で、金属細線に所定の電圧印加および電流を流してこの金属細線に結晶成長をさせつつ、ナノギャップを形成する。例文帳に追加

A nano gap is formed while growing a crystal of a thin metallic wire by applying a predetermined voltage and feeding a predetermined current thereto in an atmosphere gas accelerating crystal growth. - 特許庁

基板の上にＧａＮ単結晶を気相成長させ、気相成長でできたＧａＮ単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。例文帳に追加

A substrate is obtained by vapor depositing a GaN single crystal on a substrate and then slicing a GaN single crystal ingot formed by the vapor deposition with a plane parallel to the growth direction. - 特許庁

液体投与組成物は、該活性物質の結晶成長および粒径増加に対して該ナノ粒子活性物質を安定化する少なくとも1つの浸透圧活性結晶成長インヒビターを含む。例文帳に追加

The composition includes at least one osmotically active crystal growth inhibitor to stabilize the nanoparticulate active agent against crystal growth and particle size increase of the active agent. - 特許庁

結晶性糖質と、非結晶性糖質と、油脂および乳化剤の混合・均質化物であるなじみ成分とを主成分とする飴生地材料の非加熱混練物が、所定形状に成形されている飴菓子である。例文帳に追加

The candy is obtained by forming, into a prescribed shape, a non-heating kneaded product of candy dough the principal ingredients of which are crystalline carbohydrate, noncrystalline carbohydrate, and an affinity component which is a mixed homogenate of oil-and-fat and an emulsifier. - 特許庁

育成中に割れが発生することがなく、かつ育成結晶の側面及び断面の加工時に割れが発生しにくい希土類珪酸塩単結晶の育成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a single crystal of a rare earth silicate that generates no cracks during the growing stage and that is difficult to generate cracks in processing the side or the cross-section of the growing crystal. - 特許庁

添加ウィンドウ１０２を基点として成長した棒状結晶１０６は隣接する棒状結晶同士で成長を阻害しあい途中で成長が停止する。例文帳に追加

The growth of a rod-shaped crystal 106 growing with the applying window 102 as starting point is stopped, on the way due to blocking of growth between adjacent rod-shaped crystals. - 特許庁

また、その製造方法として、上記基板１がアルミニウムから成り、上記粒状結晶半導体２がシリコンから成り、上記粒状結晶半導体２と基板１とを接触させた状態で５７７℃以上の温度で加熱することによって上記粒状結晶半導体２と基板１とを、上記粒状結晶半導体２と基板１の合金２１中に上記粒状結晶半導体２の材料からなる粒子２２が分散された複合体２０で接合することにより、基板１と粒状結晶半導体２の良好な接合を形成することを可能とする。例文帳に追加

The substrate 1 is composed of aluminum and the granular crystalline semiconductor 2 is composed of silicon and the granular crystalline semiconductor 2 can be bonded well to the substrate 1 by heating them at 577°C or above while touching each other thereby bonding them through the complex 20 produced by diffusing particles 22 composed of the material of the granular crystalline semiconductor 2 into the alloy 21 of the granular crystalline semiconductor 2 and the substrate 1. - 特許庁

多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくともチョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、該シリコン単結晶ウェーハの表層部に一層目のエピタキシャル層を形成し、その後、少なくとも、該一層目のエピタキシャル層の表層部に二層目のエピタキシャル層を形成する多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法。例文帳に追加

The method includes the steps of raising the silicon single crystal rod which doped a nitrogen by a Czochralski method at least, after slicing this silicon single crystal rod and processing it into a silicon single crystal wafer, forming a first epitaxial layer in the surface part of this silicon single crystal wafer, and then forming a second epitaxial layer to the surface layer part of the first layer epitaxial layer. - 特許庁

ペロブスカイト型構造を有する酸化物単結晶基板上に、気相成長法により、結晶化温度より低い温度でアモルファス膜を形成した後、このアモルファス膜を、結晶化温度より高い温度に加熱して結晶化させることにより、ペロブスカイト型構造を有する強誘電体薄膜とする。例文帳に追加

On an oxide single crystal substrate with a perovskite structure, an amorphous film is formed by a vapor growth method at a temperature lower than the crystallization temperature, and subsequently a ferroelectric thin film with the perovskite structure is formed by crystallizing the amorphous film under heating at a temperature higher than the crystallization temperature. - 特許庁

上記課題を鑑み本発明は、非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加して結晶性半導体膜を形成し、結晶性半導体膜に偏光方向を制御したパルス発振型のレーザを照射することにより、結晶性半導体膜表面に格子状に整列したリッジを形成する。例文帳に追加

A crystalline semiconductor film is formed by doping a metal element for promoting crystallization to an amorphous semiconductor film and forms ridges arranged in the lattice-like configuration on the surface of the crystalline semiconductor film, by illuminating the crystalline semiconductor film with a pulsed-oscillation laser having a controlled direction of polarization. - 特許庁

原料リファキシミンをエタノールに熱溶解し、一定の温度での水添加による生成物の結晶化をさせ、最後に最終生成物中の正確な水分含量になるまでコントロールされた条件で乾燥されることで実施される結晶化方法で得られる、リファキシミン（ＩＮＮ）の結晶性多形体（リファキシミンαおよびリファキシミンβ）、および貧結晶性多形体（リファキシミンγ）。例文帳に追加

The crystalline polymorphous forms of rifaximin (INN) (rifaximin α and rifaximin β) and a poorly crystalline polymorphous form of rifaximin (rifaximin γ) are obtained by the following crystallization method: hot-dissolving raw material rifaximin in ethanol and crystallizing the resultant product by adding water thereto at a constant temperature, followed by finally drying thereof under controlled conditions until a specific water content is reached in the end product. - 特許庁

シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に高濃度に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal pulling apparatus growing a silicon single crystal having desired resistivity to which a sublimable dopant is reliably added at high concentration without depending on a time period until a first half of a cylindrical portion of the silicon single crystal is formed, and to provide a method for producing a silicon single crystal. - 特許庁

半導体単結晶１１における所望の導電率を調整するために使用されるドーパント７は、種結晶５上に形成される半導体単結晶１１の成長が開始した後、又は坩堝１の一部又は完全に坩堝の円錐な部分３又は先細部において半導体単結晶１１の凝固が終了した後、半導体溶融体９に添加される。例文帳に追加

In the process for manufacturing the doped semiconductor single crystal, a dopant 7 used to adjust a desired electrical conductivity in a semiconductor single crystal 11 is added into the semiconductor melt 9 after the beginning of the growth of the semiconductor single crystal 11 formed on the seed crystal 5, or after at least partial solidification of the semiconductor single crystal 11 in a conical or a tapered portion 3 of the crucible 1. - 特許庁

非磁性ガーネット単結晶基板にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成する液相エピタキシャル法において、Ｃａを添加した融液から育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を窒素と水素３〜２０ｖｏｌ％の混合ガス雰囲気下で短時間熱処理することで、所望の光損失特性を有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を得ることができる例文帳に追加

In a liquid phase epitaxial method of growing a bismuth-substituted iron garnet single crystal on a nonmagnetic garnet single crystal substrate, a bismuth-substituted iron garnet single crystal grown from a melt containing Ca added therein is thermally treated in a short time period in an atmosphere of a mixture of a nitrogen gas and 3-20 vol% of hydrogen gas. - 特許庁

少なくとも下部電極１３を単一配向結晶または単結晶の酸化物薄膜にすることで、その上に成膜される圧電膜１２も単一配向結晶または単結晶の酸化物薄膜にすることが可能となり、圧電膜１２を１〜４μｍまで薄くしても充分な圧電特性を得ることができるため、半導体プロセスによる微細加工をアクチュエータの形成に適用できる。例文帳に追加

When at least the lower electrode 13 is formed of a thin film of single oriented crystal or oxide of single crystal, the overlying piezoelectric film 12 may also be formed of a thin film of single oriented crystal or oxide of single crystal and since sufficient piezoelectric characteristics can be attained even if the piezoelectric film 12 is made as thin as 1-4 μm, micromachining of smiconductor process can be applied to formation of the actuator. - 特許庁

強誘電体結晶又は誘電体結晶から成るクラッド層１２、コア層１３、クラッド層１４で構成されたスラブ型光導波路１５、及び、強誘電体結晶又は誘電体結晶の自発分極方向又は歪み方向とは異なる方向に電場を印加する電極１６を備える。例文帳に追加

The optical element is equipped with: a slab type optical waveguide 15 comprising a clad layer 12, a core layer 13, and a clad layer 14 made of ferroelectric crystal or dielectric crystal; and an electrode 16 which applies an electric field in a direction different from the self-polarizing direction or strain direction of the ferroelectric crystal or dielectric crystal. - 特許庁