「加成結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

絶縁基板１０１上の非晶質シリコン層に、紫外線照射処理および加熱処理を施して結晶成長を行わせ、非晶質シリコンが残存する状態で結晶成長を停止させる。例文帳に追加

An amorphous silicon layer on an insulating substrate 101 is subjected to ultraviolet-ray irradiation and heat treatment to allow crystal growth, and the crystal growth is stopped in a state with amorphous silicon remaining. - 特許庁

セリウムＣｅを含み、構造型Ｌｕ_２ＳｉＯ_５で結晶化するオキソオルトケイ酸塩の結晶をベースとするシンチレーション材料の化学組成における追加の成分にある。例文帳に追加

The essence of the invention is in additional ingredients in a chemical composition of a scintillating material based on crystals of oxyorthosilicates including cerium Ce and crystallized in a structural type Lu_2 SiO_5. - 特許庁

単結晶のシリコン基板１に形成された多孔質領域３の孔２に非晶質のシリコン膜５を埋め込み、加熱することにより、非晶質のシリコン膜５内に結晶シリコン粒子４を形成する。例文帳に追加

An optical functional element comprises an amorphous silicon film 5 containing crystal silicon particles 4 and is formed by embedding the film 5 in holes 2 of a porous region 3 formed on a single crystal silicon substrate 1 and heating the film 5. - 特許庁

その後、５００℃に加熱して前記水素イオンの層に空隙を形成して前記単結晶シリコンを前記空隙により切り離し、前記電極層(3) 上にＮ型単結晶シリコン層(4) を形成する。例文帳に追加

Then, the temperature is heated to 500°C, a gap is formed in the layer of the hydrogen ions, and the single-crystal silicon is separated by the gap, thus forming an N-type single- crystal silicon layer 4 on the electrode layer 3. - 特許庁

融液中の窒素の溶解度を増加させ、成長速度を速くして、高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を作製することの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal growth method of group III nitride by which the dissolving rate of nitrogen in a melt is increased to increase the growth rate and a high-quality group III nitride crystal can be produced. - 特許庁

圧電膜８の成膜中または成膜後に、ガラス振動板６の歪み点より低い結晶化温度で圧電膜８を結晶化させることで、加熱処理中のガラス振動板６の変形を防ぐ。例文帳に追加

During or after the formation of the piezoelectric film 8, the deformation of the glass diaphragm 6 is prevented during heat treatment by crystallizing the piezoelectric film 8 at a crystallization temperature not higher than the strain point of the glass diaphragm 6. - 特許庁

（ａ）成分：結晶融解ピーク温度が１５０℃以上である結晶性ポリプロピレン系樹脂（ｂ）成分：ビニル芳香族化合物と共役ジエンとの共重合体またはその水素添加誘導体例文帳に追加

The component (a) is a crystalline polypropylene based resin of which the peak crystal melting temperature is ≥150°C, and the component (b) is a copolymer of a vinyl aromatic compound and a conjugate diene, or a hydrogenated derivative thereof. - 特許庁

陽極化成法により単結晶シリコン基板５の両面に多孔質シリコン層３，６を形成し、これらの多孔質シリコン層３，６の圧縮応力が単結晶シリコン基板５の両面に加わるようにする。例文帳に追加

Porous silicon layers 3, 6 are formed to both surfaces of a single crystal silicon substrate 5 by anode formation method and thereby a compression stress of these porous silicon layers 3, 6 is applied to both surfaces of a single-crystal silicon substrate 5. - 特許庁

気相成長装置１００は、直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶基板Ｗを両面から加熱しつつシリコン単結晶基板Ｗの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる装置である。例文帳に追加

The vapor phase growth system 100 is used to heat both surfaces of the single crystal silicon substrate W of a diameter of 300 mm or more and to grow in vapor phase a silicon epitaxial layer on the main surface thereof. - 特許庁

この半導体装置は、絶縁基板１０１上に形成された非晶質ケイ素膜１０３にその結晶化を促進する触媒元素ニッケル１０４を導入し、加熱処理によって結晶成長させた。例文帳に追加

This semiconductor device is manufactured through a method wherein nickel 104 as a catalytic element is introduced into an amorphous silicon film 103 formed on an insulating board 101 to promote its crystallization, and crystals are grown in the amorphous silicon film 103 through a thermal treatment. - 特許庁

この表層部は、亜鉛を主成分とする針状結晶化と、この針状結晶を囲む錫を主成分とし、上記添加材を固溶する固溶相とを有する。例文帳に追加

The surface layer has needle crystals containing zinc as the principal constituent and a solid solution phase which contains tin as the principal constituent enclosing the needle crystals and dissolves the additive. - 特許庁

結晶成長時の溶液の温度制御をより精密に制御し、Biの置換量を増加させたたうえでエピタキシャル成長を行い磁性ガーネット単結晶を得る。例文帳に追加

To obtain a magnetic garnet single crystal by epitaxially growing after precisely controlling the temperature of a solution at crystal growth and increasing the substitution amount of Bi. - 特許庁

蛍石を真空容器内で加熱し、結晶製造する方法において生成物が発生しやすい温度領域で、生成物トラップを通過させて真空排気することを特徴とした蛍石結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

The method for manufacturing the fluorite crystal wherein the fluorite is heated in a vacuum vessel to manufacture the crystal is characterized in that the vacuum vessel is evacuated through a product trap at a temperature region where the products are easily generated. - 特許庁

ガスの供給態様と加熱態様とを適宜に切り替えることで、一の基板上への結晶成長を両モードによる結晶成長を切り替えつつ行える。例文帳に追加

The crystal growth on one substrate in both the modes can be switchingly executed by properly switching the gas supply modes and the heating modes. - 特許庁

金属や合金のインゴットを溶融して得られた材料金属の溶湯の再結晶化を阻止して、微細結晶の状態を維持して金型に射出することにより製品の成形加工を行う金属成形装置を提供する。例文帳に追加

To provide a metal molding apparatus for molding a product by injecting into a mold a melt of material metal obtained by melting an ingot of metal or alloy while inhibiting its recrystallization and accordingly maintaining the state of microcrystals. - 特許庁

特に多量のドーパントを添加した場合にあっても、結晶成長中のセル成長を未然に回避して低抵抗の単結晶シリコンを製造し得る手法について提案する。例文帳に追加

To provide a technique capable of producing single crystal silicon having low resistivity by preventing cell growth during crystal growth from occurring, especially even when adding a large amount of dopant. - 特許庁

フラックス法により、炉内で窒化物単結晶を育成するのに際して、炉内の温度差による窒化物単結晶の育成状態のムラや不良品の増加を防止することである。例文帳に追加

To prevent, in growth of nitride single crystal in a furnace by a flux method, the unevenness in growing state of the nitride single crystal and the increase of defectives resulting from a difference in temperature in the furnace. - 特許庁

ポリ乳酸樹脂の結晶化を促進し、ポリ乳酸樹脂のより高い成型加工性や耐熱性を実現するのに好適な結晶核剤とポリ乳酸樹脂とを含む樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a resin composition containing: a crystal nucleating agent accelerating the crystallization of the polylactic acid resin and suitable for achieving moldability and or heat resistance higher than that of the polylactic acid resin; and the polylactic acid resin. - 特許庁

１００気圧未満での加熱温度で蒸発または分解し易い材料を、蒸発または分解を抑制して単結晶を育成できる単結晶育成方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for growing a single crystal by which the single crystal can be grown by suppressing evaporation or decomposition of a material which is easily evaporable or decomposable at a heating temperature under pressure of <100 atm. - 特許庁

ＩｎＳｂ系化合物半導体多結晶膜３と接する基板１Ａ、１Ｂ最表面に凹凸（１_1〜１_n、２_1〜２_n）を形成し、結晶の核発生数を増加するよう構成したことを特徴とするＩｎＳｂ薄膜基板１０。例文帳に追加

Irreguralities (11-1n, 21-2n) are formed on the uppermost surfaces of substrates 1A, 1B which are in contact with an InSb based compound semiconductor polycrystal film 3, and this InSb thin film substrate 10 is so constituted that the number of generation nuclears of crystal is increased. - 特許庁

そして、結晶核の生成密度を増加または減少させることで、目的とするデバイスのサイズに応じた粒径の結晶粒を形成することができる。例文帳に追加

Increasing or decreasing the growth density of crystal nuclei makes possible formation of crystal grains of a grain size, according to the size of target device. - 特許庁

絶縁基板１の上に下地酸化膜２とａ−Ｓｉ膜３を成膜し、不純物イオンを打ち込み、レーザ光を照射して溶融・再結晶化し、ｐ型の多結晶シリコン膜３を生成、島状に加工する。例文帳に追加

On an insulating substrate 1, a backing oxide film 2 and an a-Si film 3 are formed, impurity ions are implanted, laser light is irradiated for melting/re-crystallization, and thus a p-type polycrystalline silicon film 3 is formed and machined into an island shape. - 特許庁

本発明の膜形成用基板は、（Ｃｒ_xＡｌ_1-x）_2Ｏ_3（０≦ｘ≦１）単結晶にＧａ、ＴｉおよびＮｂから選ばれる少なくとも１種が添加された固溶体単結晶から構成されている。例文帳に追加

The substrate for forming the film is constituted of a solid solution single crystal in which at least one kind selected from Ga, Ti and Nb is added to a (Cr_xAl_1-x)_2O_3 (wherein, 0≤x≤1) single crystal. - 特許庁

結晶成長時に温度を上げると、酸素の偏析が増加した結果、酸素混入量が減少して、結晶中に濃度低下領域Ｑを形成する。例文帳に追加

If a temperature is elevated in the case of crystal growth, the segregation of oxygen is increased, the quantity of oxygen to be mixed is decreased as a result, and a concentration reduction area Q is formed in the crystal. - 特許庁

Sol.Alの添加量を上記のような範囲とすることにより、結晶粒成長とそれに伴う磁気特性に不利な結晶方位の優先成長が抑制され、良好な磁気特性が得られることになる。例文帳に追加

By controlling the amount of the Sol.Al to be added to the above range, crystal grain growth and the preferential growth in the crystal orientation disadvantageous to magnetic properties accompanying the same are suppressed, and satisfactory magnetic properties can be obtained. - 特許庁

固体材料の結晶育成を行う炉体であって、炉体内部に加熱手段が備えられ、当該固体材料の一部を冷却することができる冷却手段が設けられていることを特徴とする結晶育成装置に係る。例文帳に追加

The crystal growing apparatus comprises a furnace for growing the crystal of a solid material, comprising in the furnace a heating means and a cooling means capable of cooling a part of the solid material. - 特許庁

シリコン単結晶基板に対する加熱力を漸増させるとともに、原料ガスの供給量を漸増させながらシリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層を成長する漸増成長工程を有する。例文帳に追加

This method of manufacturing silicon epitaxial wafer includes a step of gradually growing a silicon epitaxial layer on a single-crystal silicon substrate, by gradually increasing the heating power to the silicon substrate and also gradually increasing the feed rate of a gaseous starting material. - 特許庁

マルチトール水溶液に外部から種結晶を加えることなく、連続的にマルチトールの種結晶を発生させ、マルチトールのスラリー又はマスキットを形成させ、該スラリー又はマスキットを用いて無水結晶マルチトール又はそれを含有した含蜜結晶を効率良く製造できる技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a technology for efficiently producing anhydrous crystalline maltitol or a honey-containing crystal containing the anhydrous crystalline maltitol, by continuously generating seed crystal without adding any seed crystal from outside into a maltitol aqueous solution, forming maltitol slurry or massecuite and using the slurry or the massecuite. - 特許庁

粉末状若しくは粒状の有機オリゴマー種結晶を粉体攪拌機構付装置内で流動化させた状態において、液状の同種の結晶性有機オリゴマーを該装置内に連続的又は回分的に添加し、混合分散させて該装置内で結晶体を生成させる事を特徴とする有機オリゴマー類の結晶化方法。例文帳に追加

The method for crystallizing the organic oligomer comprises fluidizing powdery or granular organic oligomer seed crystal in an apparatus equipped with a powder agitating mechanism, and in this state, adding a liquid same kind of crystalline organic oligomer into the apparatus either continuously or batchwise to effect mixing and dispersion, thus producing the objective crystalline organic oligomer. - 特許庁

本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、（ａ）基板１０１の上に非晶質半導体膜１０４を形成する工程と、（ｂ）非晶質半導体膜１０４に結晶化を促進する触媒元素１０６を付与する工程と、（ｃ）Ａｒガスを含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜１０４を結晶化し、結晶質半導体膜１０４ｂを得る工程とを包含する。例文帳に追加

The method of manufacturing the crystalline semiconductor film includes (a) a step of forming an amorphous semiconductor film 104 on a substrate 101, (b) a step of giving a catalyst element 106 for expediting to crystallize the amorphous semiconductor film 104, and (c) a step of crystallizing the amorphous semiconductor film 104 by heating in an atmosphere containing Ar gas to obtain a crystalline semiconductor film 104b. - 特許庁

炉内に保持されたるつぼ１１内に種子結晶１４を配置し、るつぼ１１内に充填された原料溶液１２を加熱溶解し、前記るつぼの下方より上方に向かって、原料溶液１２を除冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、種子結晶１４は、るつぼ１１の中心軸から離れた位置に配置されている。例文帳に追加

A crystal manufacturing apparatus is provided to grow a crystal by placing a seed crystal 14 in a crucible 11 held in a furnace, heating and melting a source material solution 12 filled in the crucible 11, and gradually cooling the source material solution 12 upward from a lower part of the crucible, wherein the seed crystal 14 is placed at a position away from the center axis of the crucible 11. - 特許庁

昇華用原料と、種結晶とが収容された坩堝を用いる場合において、誘導加熱コイルなどの複雑な制御を回避しつつ、坩堝内を種結晶の成長に適正な温度条件に容易に維持することができる炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for manufacturing a silicon carbide single crystal by which the inside of a crucible can easily be maintained under a temperature condition appropriate for the growth of a seed crystal while avoiding complicated control of an induction heating coil or the like when a crucible, in which a raw material for sublimation and a seed crystal are housed, is used. - 特許庁

本発明に係るガスセンサは、格子５で微細な空隙６を形成する結晶構造体４と、この結晶構造体４の両側に設けた電極７と、結晶構造体４に設けた加熱媒体９とを備えるとともに、結晶構造体４の空隙６を、計測対象とするガスのみを捕捉できる空孔寸法に設定した。例文帳に追加

This gas sensor concerned in the present invention is provided with a crystal structure 4 for forming micro cavities 6 by lattices 5, electrodes 7 provided in both sides of the structure 4, and a heating medium 9 provided in the crystal structure 4, and a dimension of the cavity in the structure 4 is set to a pore size capable of capturing only gas of a measuring object. - 特許庁

本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、（ａ）基板１０１の上に非晶質半導体膜１０４を形成する工程と、（ｂ）非晶質半導体膜１０４に結晶化を促進する触媒元素１０６を付与する工程と、（ｃ）水蒸気を含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜１０４を結晶化し、結晶質半導体膜１０４ｂを得る工程とを包含する。例文帳に追加

The method of manufacturing the crystalline semiconductor film includes (a) a step of forming an amorphous semiconductor film 104 on a substrate 101, (b) a step of giving a catalyst element 106 for expediting to crystallize the amorphous semiconductor film 104, and (c) a step of crystallizing the amorphous semiconductor film 104 by heating in an atmosphere containing steam to obtain a crystalline semiconductor film 104b. - 特許庁

マルチプーリング法における多結晶原料の追加充填作業の効率化を可能とし、また、近年の育成単結晶棒の大口径化、大重量化にともない必要となった単結晶棒の重量測定の自動化、機械化を、簡単かつ安価で可能とする単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a single crystal by which the efficiency of additionally filling work of a polycrystalline raw material can be improved in a multi-pooling method, and the weight measurement of a single crystal rod, which have been required due to that the growing single crystal rod is made large in diameter and heavy in weight recently, can easily and inexpensively be automated and mechanized. - 特許庁

非一致溶融組成を有する酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶１７の原料である融液５に対し、５０（ｋＶ／ｍ）以上の直流の電場、又は、実効値が５０（ｋＶ／ｍ）以上の交流の電場と、１０００（Ｏｅ）以上の磁場を印加しながら酸化物単結晶１７の結晶化を行う工程を有する。例文帳に追加

The method for producing an oxide single crystal having a non-stoichiometric melt composition comprises a step of crystallizing an oxide single crystal 17 while impressing a DC electric field of ≥50 (kV/m) or an AC electric field of ≥50 (kV/m) effective value while applying ≥1,000 (Oe) magnetic field to a melt 5 being a raw material of the oxide single crystal 17. - 特許庁

相溶する２種類の結晶性高分子の混合物を、一方の結晶性高分子が完全に溶融し、他方の結晶性高分子が存在する温度で、形態を拘束する張力又は変形応力を付加しながら熱処理することにより、交互積層型ラメラ繰り返し構造又は相互偏析型ラメラ繰り返し構造を有する結晶性高分子ブレンドを形成する。例文帳に追加

A mixture of two compatible crystalline polymers is heat-treated while one crystalline polymer is perfectly melted adding tension or deformation stress for restricting a form of the mixture at a temperature wherein one crystalline polymer is perfectly melted and the other crystalline polymer is present to form a crystalline polymer blend having an alternately laminated lamellar repeated structure or the mutually segregated type lamellar repeated structure. - 特許庁

半導体素子製造用に供された使用済みシリコン単結晶基板を、太陽電池用シリコン単結晶基板やモニターウエハーに再使用するに際して、単結晶シリコン上に形成されている各種の絶縁層等の被膜及び単結晶シリコン基板表面近傍の加工歪のある層を効率よく除去する。例文帳に追加

To remove efficiently a film, such as varied insulating layer formed on a single crystal silicon and a work-distorted layer near a single crystal silicon substrate when recycling a silicon single crystal substrate used in manufacturing a semiconductor device, for a silicon single crystal substrate for use in a solar battery and a monitor wafer. - 特許庁

セラミックス成分からなる粉体をキャリアガスとともに加熱処理領域に供給する粉体供給工程と、前記加熱処理領域に供給された前記粉体を単結晶化するのに必要な温度まで加熱する加熱工程と、前記加熱処理工程で得られた生成物を冷却することにより単結晶セラミックス粉末を得る冷却工程と、を備える単結晶セラミックス粉末の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the single crystal ceramic powder is composed of following processes: a powder feeding process, feeding powder of a ceramic ingredient to heat treating region with a carrier gas, a heating process, heating the powder till necessary temperature to single crystallization, and a cooling process, cooling the product obtained in the heating process to obtain the single crystal ceramic powder. - 特許庁

成形工程においては原料混合物スラリーを成形し、焼成工程において成形体を加熱し、結晶配向セラミックスを得る。例文帳に追加

In the forming step, the raw material mixture slurry is formed and the formed body is fired in the firing step to obtain the crystal-oriented ceramic. - 特許庁

そして、当該タングステン酸亜鉛単結晶を育成する際に、リチウム又はリチウム化合物を添加することを特徴とするタングステン酸亜鉛単結晶の製造方法等を採用する。例文帳に追加

The method for manufacturing a zinc tungstate single crystal is carried out by adding lithium or a lithium compound during growing a zinc tungstate single crystal. - 特許庁

カーボン、窒素および一酸化炭素の存在下に、基板を加熱処理することにより窒化して上記単結晶窒化アルミニウム膜並びに単結晶窒化アルミニウム積層基板が形成される。例文帳に追加

The single crystal aluminum nitride membrane as well as the single crystal aluminum laminated substrate are formed by nitriding the substrate through conducting the heat treatment in the presence of nitrogen and carbon monoxide. - 特許庁

また、多結晶シリコン層を蝕刻することに代えて酸化させても、グレーン境界での酸化比が増加するため、均一且つ高密度なナノ結晶が形成される。例文帳に追加

Instead of etching the polycrystalline silicon layer, it can be oxidized because the oxidize rate increases in the grain boundaries, which forms a uniform and high-density nanocrystals. - 特許庁

加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。例文帳に追加

By performing heat treatment and dividing the single crystal semiconductor substrates along the damaged regions, the plurality of single crystal semiconductor layers that are sliced are formed over the base substrate. - 特許庁

ドーパントが高濃度に添加された低抵抗率のＮ++型のシリコン単結晶の引上げるに際して、単結晶化率が阻害されることなく安定して育成することができるようにする。例文帳に追加

To stably grow a silicon single crystal without inhibiting single crystallization rate when an N++ type silicon single crystal added with a dopant in a high concentration and having a low resistivity is pulled up. - 特許庁