「加成結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

基板加熱装置およびこれを用いる結晶成長装置例文帳に追加

SUBSTRATE HEATING APPARATUS AND CRYSTAL GROWTH APPARATUS USING THE SAME - 特許庁

ビフェニルテトラカルボン酸加熱無水化生成物結晶例文帳に追加

ANHYDROUS PRODUCT CRYSTAL PRODUCED BY HEATING OF BIPHENYLTETRACARBOXYLIC ACID - 特許庁

結晶性の高いIII族元素添加酸化亜鉛を生成する。例文帳に追加

To provide group III element added zinc oxide with high crystallinity. - 特許庁

磁界印加シリコン結晶育成方法および装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SILICON CRYSTAL BY APPLYING MAGNETIC FIELD - 特許庁

加熱改良構造を有する結晶成長炉例文帳に追加

CRYSTAL-GROWING FURNACE WITH HEATING IMPROVEMENT STRUCTURE - 特許庁

酸化物単結晶ウェーハ加工用研磨用組成物及び酸化物単結晶ウェーハの研磨方法例文帳に追加

OXIDE SINGLE-CRYSTAL WAFER PROCESSING/POLISHING COMPOSITION AND METHOD OF POLISHING THE OXIDE SINGLE- CRYSTAL WAFER - 特許庁

窒化物半導体の製造方法、結晶成長速度増加剤、窒化物単結晶、ウエハ及びデバイス例文帳に追加

PROCESS FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR, CRYSTAL GROWTH RATE ENHANCEMENT AGENT, NITRIDE SINGLE CRYSTAL, WAFER AND DEVICE - 特許庁

そのため、結晶核の生成密度が増加し、結晶粒の粒径を小さくする事が可能となる。例文帳に追加

Therefore, the production density of crystal nuclei in the semiconductor film is increased and the grain diameter of the crystal grains in the semiconductor film can be lessened. - 特許庁

次に、原料２０を加熱し、種結晶１００上に炭化珪素単結晶３００を成長させる。例文帳に追加

Then, the raw material 20 is heated, to thereby grow the silicon carbide single crystal 300 on the seed crystal 100. - 特許庁

非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に、非晶質または多結晶等の非単結晶半導体薄膜を形成してエネルギーを加えて結晶化する際に、不規則な核発生を抑制し、かつ、結晶成長し易い方位を有する結晶粒を制御して成長し、大略結晶方位の揃った大面積の結晶性半導体膜を得る。例文帳に追加

To obtain a crystalline semiconductor film having a wide area, such that when an energy is applied to crystallize a nonsingle-crystal semiconductor film, such as amorphous or polycrystalline films formed on a nonsingle-crystal insulation film or nonsingle-crystal insulation substrate, the irregular nucleus growth is suppressed, crystal grains having an orientation easy to grow the crystal are controlled, so as to make the crystal orientation approximately uniform. - 特許庁

炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶成長用基板と単結晶の加熱処理方法例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE, SUBSTRATE FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL GROWING AND METHOD OF HEAT TREATMENT OF SINGLE CRYSTAL - 特許庁

結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化させた場合、平坦性に加え、結晶の配向率の高い半導体膜を形成する。例文帳に追加

When the crystallization is carried out using a metal element to promote the crystallization, a semiconductor film is formed having not only with a high plurality but also a high crystal orientation rate. - 特許庁

ＴＦＴの活性層となるａ‐Ｓi膜１２にＮiを添加することによって結晶生成長を促進して多結晶Ｓiに結晶化する。例文帳に追加

An a-Si film 12 becoming the active layer of a TFT is crystallized into polycrystal Si by enhancing a crystal growth length while adding Ni into the film 12. - 特許庁

Ｐドープのｎ型シリコン単結晶において、副ドーパントを結晶育成中に追加添加せず、結晶育成前の初期添加のみで、結晶軸方向の抵抗率分布を均一化する。例文帳に追加

To provide a method for growing an n-type silicon single crystal of P-dope comprising only performing the addition at a primary stage prior to the crystal growing without the additional addition of a secondary dopant during the crystal growth to uniformalize the resistivity distribution in the crystal axial direction. - 特許庁

昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にII−VI族化合物半導体結晶を成長させるときに、前記支持部材から種結晶に加わる応力を抑制して、結晶性に優れたII−VI族化合物半導体結晶の結晶成長方法を提供しようとするものである。例文帳に追加

To provide a method for making II-VI compounds semiconductor crystal excellent in crystallinity grow by restraining stress exerted from a supporting member to seed crystal when making II-VI compounds semiconductor crystal grow on seed crystal by sublimation technique or chemical vapor trans port one. - 特許庁

昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の育成に用いる種結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶インゴットから機械加工により作製され、種結晶となる炭化珪素単結晶基板に、非酸化性雰囲気下でアニール処理を施す。例文帳に追加

The production method of a seed crystal to be used for growing a silicon carbide single crystal by a sublimation recrystallization method comprises preparing a silicon carbide single crystal substrate as a seed crystal from a silicon carbide single crystal ingot by mechanical processing, and annealing the seed crystal in a non-oxidizing atmosphere. - 特許庁

超微細結晶粒層は、加工工具を用いた摩擦加工などにより形成することができ、１００ｎｍ〜１μｍのサブミクロン結晶粒、１００ｎｍ未満のナノ結晶粒が存在する超微細結晶粒層が形成される。例文帳に追加

The ultrafine crystal grain layer can be formed by friction working, etc., using a working tool, and the ultrafine crystal grain layer in which sub-micron crystal grains of 100 nm to 1 μm and nano-crystal grains of <100 nm are present is formed. - 特許庁

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板とその形成方法とを提供する。例文帳に追加

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the starin-applied crystal layer structure is reduced and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer. - 特許庁

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing substrate, having a strain layer/strain-applied crystal layer structure which reduces the crystallinity deterioration that occurs in the strain layer, due to crystal defects caused by the strain-applied crystal layer structure, and which is formed of a thin film on an insulating layer. - 特許庁

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the strain-applied crystal layer structure is reduced, and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer. - 特許庁

前記単結晶質多結晶体は、セラミック粉末と単結晶粒子とを含む成形体を空洞共振器内に設置し、前記成形体にマイクロ波を照射して加熱して前記単結晶粒子を成長させることで得られる。例文帳に追加

The single crystalline polycrystal is obtained by disposing a formed body containing a ceramic powder and a single crystal particle in a cavity resonator and growing the single crystal particle by heating through applying a micro wave to the formed body. - 特許庁

球状の多結晶シリコン若しくは単結晶シリコンに窒化膜を形成し、これを多結晶原料に所定量混入することにより、育成するシリコン単結晶中に窒素を添加する。例文帳に追加

Nitrogen is added into a silicon single crystal to be grown in such a way that a prescribed amount of spherical polycrystalline silicon or spherical single crystalline silicon on which a nitride film is formed is mixed with a polycrystalline raw material. - 特許庁

単結晶成長装置にて種結晶３上にバルク結晶を昇華法により成長させ、作製する場合、不純物をガス化した形で導入し、バルク結晶に不純物を添加する。例文帳に追加

When a bulk crystal is grown on a seed crystal 3 in a single crystal growth apparatus by a sublimation method, an impurity is added to the bulk crystal by introducing it in the form of a gas. - 特許庁

ルツボ２０内において、単結晶の原料２３と種結晶１とを対向させて配置し、原料２３を加熱昇華させて種結晶１から単結晶３を成長させる。例文帳に追加

A raw material 23 of the single crystal and the seed crystal 1 are arranged so as to oppose to each other in a crucible 20, and the single crystal 3 is grown from the seed crystal 1 by heating and sublimating the raw material 23. - 特許庁

炉本体と、炉本体内部に設置された結晶育成るつぼと、該結晶育成るつぼの周囲に配置された加熱手段とを有するフッ化物単結晶の製造装置において、前記結晶育成るつぼ内の結晶成長面位置ｚを計測する手段を備えることを特徴とする。例文帳に追加

In an apparatus for manufacturing a fluoride single crystal comprising a furnace, a crystal growth crucible set inside the furnace, and a heating means installed around the crystal growth crucible, a means for measuring the position of the crystal growth surface z in the crystal growth crucible is installed. - 特許庁

育成された単結晶インゴットを切断して多角体を得、該多角体をアニール処理した後、さらに切断、加工する、（１００）結晶面のフッ化物単結晶の加工方法であって、上記加工が円筒研削加工であり、該円筒研削加工後の単結晶円筒研削加工面の表面粗さ（ＲＭＳ）が０．１〜５．０μｍであることを特徴とする、（１００）結晶面の円筒状フッ化物単結晶の加工方法等を採用する。例文帳に追加

Preferably in the method for processing cylindrical fluoride single crystal with (100) crystal face, the processing is a cylindrical grinding process, and the surface roughness (RMS) of the ground face of single crystal cylinder after the cylindrical grinding processing is 0.1-5.0 μm. - 特許庁

昇華再結晶法によりスカート部材に沿って成長させたＳｉＣ単結晶７０を蓋材２２ごと取り出し、シングルワイヤーソー、ワイヤ放電加工、超音波加工等により、種結晶４０からＳｉＣ単結晶７０を切り離し、円錐台形状のＳｉＣ単結晶７０を得る。例文帳に追加

By taking out a SiC single crystal 70 grown along a skirt member by a sublimation-recrystallization method together with a lid material 22 and cutting off the SiC single crystal 70 from a seed crystal 40 by a single wire saw, wire electric discharge machining, ultrasonic machining or the like, a frustoconical SiC single crystal 70 is prepared. - 特許庁

結晶化ガラスを、ガラス原料から連続的に成形加工する結晶化ガラスの連続成形加工装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for continuously forming crystallized glass from a glass raw material. - 特許庁

シリコン単結晶基板１１上に酸素が添加された第１のシリコン結晶層１２を形成する工程と、第１のシリコン結晶層１２上にシリコン・ゲルマニウム結晶層１３を形成する工程と、シリコン・ゲルマニウム結晶層１３上に第２のシリコン結晶層１４を形成する工程と、熱処理により第２のシリコン結晶層１４に歪みを与える工程とを有する。例文帳に追加

The method includes a step of forming a first silicon crystalline layer 12 doped with oxygen atoms on a silicon single crystalline substrate 11, a step of forming a silicon/germanium crystalline layer 13 on the first layer 12, a step of forming a second silicon crystalline layer 14 on the silicon/ germanium crystalline layer 13, and a step of heat-treating the second layer 14 to provide distortion thereto. - 特許庁

カレンダー加工用非結晶性ポリエチレンテレフタレート樹脂組成物例文帳に追加

AMORPHOUS POLY(ETHYLENE TEREPHTHALATE) RESIN COMPOSITION FOR CALENDERING - 特許庁

集束イオンビームのマスク加工による結晶の選択成長法例文帳に追加

SELECTIVE GROWTH METHOD FOR CRYSTAL BY FOCUSING ION BEAM MASK WORK - 特許庁

ヒータ、基板加熱装置およびこれを用いる結晶成長装置例文帳に追加

HEATER, SUBSTRATE HEATING APPARATUS AND CRYSTAL GROWTH APPARATUS USING THEM - 特許庁

単結晶部材の加工方法および光ファイバ固定用溝の形成方法例文帳に追加

MONOCRYSTAL MEMBER WORKING METHOD AND OPTICAL FIBER FIXING GROOVE FORMING METHOD - 特許庁

積層成形体４を加熱し、結晶配向セラミックスを得る。例文帳に追加

The crystal orientated ceramic is obtained by heating the laminated molded body 4. - 特許庁

これを加熱すると、結晶化が進行し、ガリウム酸亜鉛が形成される。例文帳に追加

When the oxide thin film is heated, the crystallization proceeds and zinc gallate if formed. - 特許庁

高分子の多結晶体を粉砕して単結晶を形成する工程と、前記単結晶に外力を加え配向方向のそろった一群の単結晶群にする工程と、前記単結晶群の個々の単結晶表面部分を溶解または溶融し、単結晶同士を付けて連続配向体を形成する工程とを備える高分子の連続配向体の製造方法。例文帳に追加

This method comprises a step of forming single crystals by grinding a polymeric polycrystal, a step of forming a group of single crystal groups of even orientation directions by applying an external force to the single crystals, and a step of dissolving or melting surfaces of the individual single crystals of the groups to form a continuously oriented structure by attaching the single crystals together. - 特許庁

昇華再結晶法を用いて作製した円筒状の炭化珪素単結晶に、結晶成長終了後に単結晶外周部分の周方向に−３．５ＭＰａ以上３５ＭＰａ以下の圧縮応力を付与することで、結晶成長後や、結晶を電子材料用の基板に加工する際に単結晶に割れが発生しないようにする。例文帳に追加

After completing crystal growth of a cylindrical silicon carbide single crystal produced by a sublimation recrystallization method, compressive stress of -3.5 MPa to 35 MPa is imparted in a circumference direction to the peripheral part of the single crystal so as to prevent cracks from generating in the single crystal after the crystal growth or upon processing into a substrate for an electronic material. - 特許庁

結晶成長炉１００内に、少なくとも原料融液１１と単結晶１３の固液界面１４を加熱する固液界面加熱用ヒータ１２０と、固化後の単結晶１３を加熱する結晶加熱用ヒータ１３０と、結晶加熱用ヒータ１３０の裏側領域を冷却する冷却装置１５０とが配設されている単結晶の製造装置。例文帳に追加

The manufacturing apparatus for the single crystal is provided with a heater 120 for heating a solid-liquid interface that heats at least the solid-liquid interface 14 between raw material melt 11 and the single crystal 13 in a crystal growth furnace 100, a heater 130 for heating the crystal that heats the single crystal 13 after solidification and a cooling device 150 that cools the backside of the heater 130 for heating the crystal. - 特許庁

単結晶材料の規則性を利用して除去加工または付着加工により単結晶材料表面にテクスチャを形成する。例文帳に追加

A texture is formed on the surface of a single crystal material by removal working or deposition working utilizing the regularity of the single crystal material. - 特許庁

坩堝内の加熱された単結晶原料が溶解している融液に種結晶を接触させ、前記融液から種結晶を引き上げることにより単結晶を成長させる液相エピタキシャル法によりバルク単結晶を効率よく製造する。例文帳に追加

To provide a method of efficiently producing a bulk single crystal by a liquid phase epitaxial method for bringing a seed crystal into contact with the melt of a single-crystal raw material heated in a crucible and pulling up the seed crystal from the melt to grow a single crystal. - 特許庁

模様入り結晶化ガラス物品１０の製造方法は、結晶性ガラス小体と、結晶性ガラス体が結晶化した後の結晶化ガラスとの３０〜３８０℃における線膨張係数差が１０×１０^−７／Ｋ以下である非晶質ガラス体を、耐火性容器に充填して加熱し、互いに融着させつつ結晶析出させ、模様入り結晶化ガラス物品を成形する。例文帳に追加

In the method of producing the patterned crystallized glass article 10, amorphous glass bodies in which the difference of linear expansion coefficient at a temperature of 30 to 380°C between crystalline glass small bodies and the crystalline glass made by crystallizing the crystalline glass bodies is 10×10^-7/K or less are filled into a refractory container, are heated, are fused to one another and deposit crystals to form the patterned crystallized glass article. - 特許庁

以上の構成の坩堝１を加熱して原料２を昇華させることにより、種結晶４上に単結晶９を成長させる。例文帳に追加

By heating the crucible 1 of the structure described above, the single crystal 9 is developed on the seed crystal 4 by sublimating the raw material 2. - 特許庁

加熱溶融成形の際、準安定な結晶系から最安定な結晶系への転移速度が速い高分子組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polymer composition which quickly transforms from a metastable crystal system to the most stable crystal system in the heat melting molding. - 特許庁

その際に、結晶成長速度の遷移領域である種結晶３上の成長領域１０、１２、１３、１５での不純物添加量が、限界不純物添加量を超えないように制御するバルク結晶の成長方法である。例文帳に追加

The bulk crystal growth method comprises controlling the amount of addition of the impurity to the growth regions 10, 12, 13 and 15 where the rate of crystal growth is in a transition region on the seed crystal 3 not to exceed the limit to the amount of addition. - 特許庁

磁場と電流を印加したチョクラルスキー法による半導体結晶育成において、電極と半導体融液との接触が外れることなく、結晶育成中に常に電流を印加して結晶を育成する。例文帳に追加

To eliminate the need to move an electrode as the electrode is melted and not to lower the symmetry in the rotation of a molten semiconductor due to the deformation of the melt surface between the electrode and a crystal by letting the electrode for applying a current into the molten semiconductor pierce to a tube surrounding the electrode. - 特許庁