「加成結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

負極亜鉛缶４を構成する亜鉛の結晶粒界に、亜鉛以外の添加元素が析出している。例文帳に追加

Added elements other than zinc are precipitated in crystal grain boundary of zinc to constitute the negative electrode zinc can 4. - 特許庁

シリコンの単結晶ブロックを八角柱に加工して、その中央に貫通孔１１を形成する。例文帳に追加

A monocrystal block of silicon is worked into an octagonal pole, and the through-hole 11 is formed in the center. - 特許庁

結晶性ガラス板２の加熱部２Ａをプレスにより凹状または凸状に成形する。例文帳に追加

The heated part 2A of the crystallized glass plate 2 is formed by pressing the same in a concave or convex shape. - 特許庁

結晶性の基板１０１の表面を加工することによってパターン１０２ａを形成する。例文帳に追加

A pattern 102a is formed by processing the surface of a crystalline substrate 101. - 特許庁

（２）二酸化炭素の発生が終了するまで、塩酸を添加後、生成した結晶を分離する。例文帳に追加

(2) After adding hydrochloric acid till finishing the generation of a carbon dioxide, the generated crystal is separated. - 特許庁

薄膜単結晶又はその上に付加的に形成した層の表面に、シート状部材を貼り付ける。例文帳に追加

A sheet-like member 104 is stuck to the surface of the thin-film single crystal or a layer additively formed thereon. - 特許庁

いくつかの実施例では、両ミラーは、応力が加えられていない単結晶シリコンから形成される。例文帳に追加

In some embodiments, both mirrors are formed of single crystal silicon to which stress is not applied. - 特許庁

良電導体単結晶のフィルム状の成形加工およびコイルの製法例文帳に追加

MANUFACTURING PROCESS OF GOOD CONDUCTOR SINGLE CRYSTAL INTO FILM, AND METHOD FOR PRODUCING COIL - 特許庁

ブラスト加工法を用いて、単結晶サファイア基板主面に対して均一に凹部を形成する。例文帳に追加

The recessed parts are uniformly formed on the main surface of the single crystal sapphire substrate by using a blasting method. - 特許庁

多結晶シリコン膜からなる被加工膜Ｐ上にレジスト層Ｒを形成する。例文帳に追加

A resist layer R is formed on a film P to be processed, the film P being formed of a polycrystalline silicon film. - 特許庁

ゼオライトの生成を促すため、市販のＸ型ゼオライトを３％、種結晶として加えた。例文帳に追加

A commercially available X-type zeolite is added as a seed crystal in an amount of 3% so as to induce the formation of zeolite. - 特許庁

上記加熱装置は、結晶化ガラスを利用して輻射熱を出すパネル型ヒータで構成した。例文帳に追加

The heater consists of a panel type heater for emitting radiant heat by utilizing crystallized glass. - 特許庁

ファイバ接続部材８は、繊維状フィラーが添加された非結晶性樹脂で形成されている。例文帳に追加

The fiber connecting member 8 is made of an amorphous resin to which a fibrous filler has been added. - 特許庁

溶融張力および結晶性が高く、成型加工性に優れるα−オレフィン重合体。例文帳に追加

To obtain an α-olefin polymer having high melt-tension, high crystallizability and excellent moldability. - 特許庁

ガラス基板１１上に多結晶シリコン薄膜１３を形成し島状に加工する。例文帳に追加

A polysilicon thin film 13 is formed on a glass substrate 11 and machined insularly. - 特許庁

高加工精度な三次元ナノフォトニック結晶を容易に形成できる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for easily forming a three-dimensional photonic crystal with high working precision. - 特許庁

ａ−Ｓｉ膜１２に加熱処理を行って、結晶核が発生したａ−Ｓｉ膜１２ａを形成する。例文帳に追加

An a-Si film 12 is heat treated to form an a-Si film 12a in which nuclei are generated. - 特許庁

本発明は、原油または重油を加熱し、前記加熱した原油または重油に高周波電圧を印加して、原油または重油中の硫黄および硫化鉄の結晶体を生成させ、前記生成された硫黄および硫化鉄の結晶体を含む原油または重油を濾過して前記硫黄および硫化鉄の結晶体を除去する。例文帳に追加

The crude oil or heavy oil is heated and then applied with a high-frequency voltage to allow it to produce crystals of the sulfur and iron sulfide in the crude oil or heavy oil. - 特許庁

前記触媒物質添加領域９に触媒物質を添加し、加熱することによって触媒物質添加領域９から結晶成長領域１０に向かって結晶成長が行なわれる。例文帳に追加

The catalyst substance is added to the catalyst substance adding area 9, and the same area is heated whereby crystal growth is effected from the catalyst substance adding area 9 toward the crystal growth area 10. - 特許庁

パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結結晶棒を育成し、該単結晶棒をウエーハに加工してパーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハを製造することを特徴とするパーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハの製造方法。例文帳に追加

This production comprises growing a silicon single crystal bar doped with nitrogen by a Czochralski method and working the grown single crystal bar into single crystal wafers. - 特許庁

単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板において、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の傾斜角度θに応じて熱処理時間及び加熱温度を制御してステップ２をバンチングさせて形成されたステップバンチを備えたステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板１である。例文帳に追加

The single crystal sapphire inclined substrate inclining at a specified angle with a specified crystal axis of single crystal sapphire oriented toward a specified orientation is the step bunch single crystal sapphire inclined substrate 1 having a step bunch formed by bunching steps 2 by controlling heat treatment duration and a heating temperature in accordance with the inclined angle θ of the principal plane of the single crystal sapphire inclined substrate. - 特許庁

およびランガサイト単結晶ウエーハの製造方法であって、ランガサイト単結晶を育成し、Ｘ線回折測定により前記ランガサイト単結晶の面指数{１１３}または{２２５}を特定し、該面指数{１１３}または{２２５}をウエーハ面の方位基準として、前記ランガサイト単結晶をウエーハに加工するランガサイト単結晶ウエーハの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the wafer is carried out as follows: a langasite single crystal is grown; the plane index [113] or [225] of the langasite single crystal is specified by means of X-ray diffraction measurement; and the langasite single crystal is worked into the langasite single crystal wafer, making the plane index [113] or [225] an orientation reference for a wafer plane. - 特許庁

本発明のチタン酸バリウム単結晶の製造方法は、Ｂａ／Ｔｉ比がモル比で０．９９８０を超えて１．００００未満の範囲のチタン酸バリウムの多結晶体と、チタン酸バリウムの単結晶体とが当接した状態で融点以下の温度で加熱し、多結晶体から固相反応により単結晶を育成することを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing the barium titanate single crystal is characterized in that a barium titanate multicrystalline body, the Ba/Ti ratio of which is in a range of 0.9980-1.0000 in molar ratio, and the single crystal are heated at a temperature of ≤ melting point, the single crystal is grown from the multicrystalline body by a solid phase reaction. - 特許庁

蒸発結晶化法、例えばラフィノース含有液調製工程、ラフィノース含有液濃縮工程、種晶添加工程、減圧下での結晶成長工程、微細結晶の溶解工程、助晶工程、遠心分離（分蜜）によるラフィノース結晶回収工程からなる蒸発結晶化法により、上記課題を解決する。例文帳に追加

The problem is solved by an evaporation crystallization method including, for example, a raffinose-containing liquid preparation process, a raffinose-containing liquid concentration process, a seed crystal addition process, a crystal growth process under reduced pressure, a crystallite dissolution process, a crystallization process and a raffinose crystal recovery process by centrifugal separation (centrifugal sugar). - 特許庁

エネルギーの印加によって結晶構造が可逆的に遷移する結晶層１と結晶層１とは異なる組成を有する結晶層２とが積層された超格子積層体１０と、超格子積層体１０の下地であり、結晶層１の積層面を（１１１）配向させる配向層３とを備える。例文帳に追加

This superlattice device includes: a superlattice laminated 10 formed by laminating a crystal layer 1 of which the crystalline structure is reversibly replaced by application of energy, and a crystal layer 2 having a composition different from that of the crystal layer 1; and an orientation layer 3 being a base of the superlattice laminated 10 for subjecting the lamination surface of the crystal layer 1 to (111) orientation. - 特許庁

結晶化の遅い生分解性を有するポリエステル樹脂の結晶化速度を向上させ、射出成形、フィルム成形、ブロー成形、繊維の紡糸、押出発泡、ビーズ発泡などの加工における加工性、加工速度を改善すること。例文帳に追加

To improve workability and working speed in working such as injection molding, film forming, blow molding, fiber spinning, extrusion foaming, and bead foaming by enhancing a rate of crystallization of a biodegradable polyester resin having a slow rate of crystallization. - 特許庁

この工程で、圧電体材料の結晶化温度に加熱してスパッタ成膜を行う核生成時間Ｃ_1 の後に、基板加熱温度を結晶化温度より下げて結晶化速度Ｒが堆積速度Ｓより小さい状態で非晶質の圧電体薄膜層を成膜する。例文帳に追加

In this process, an amorphous thin piezoelectric substance film layer is deposited in the state that the crystallization rate R is smaller than the deposition rate S by making the substrate heating temperature lower than the crystallization temperature after the nucleation time C_1 when the sputter deposition is performed by heating to the crystallization temperature of a piezoelectric material. - 特許庁

基材１０１上に非晶質層９ａを形成する非晶質層形成工程と、１４０〜１６０℃にて加熱処理し、非晶質層９ａ中に結晶核を生成させる結晶核生成工程と、７０〜９０℃にて加熱処理し、生成した結晶核を成長させて導電層９を得る結晶成長工程とを含む。例文帳に追加

The method includes an amorphous layer forming process forming an amorphous layer 9a on a substrate 101, a crystal nucleus forming process generating crystal nucleuses in the amorphous layer 9a under a heat treatment of 140 to 160°C , and a crystal growth process obtaining a conductive layer 9 by growing the crystal nucleuses generated under a heat treatment of 70 to 90°C. - 特許庁

基材１０１上に非晶質層９ａを形成する非晶質層形成工程と、非晶質層９ａ中に加熱処理によって結晶核を生成させる結晶核生成工程と、生成した結晶核を加熱処理によって成長させて導電層９を得る結晶成長工程とを含む。例文帳に追加

The production method of a substrate for electric optical devices includes an amorphous layer formation process of forming an amorphous layer 9a on the base material 101, a crystalline nucleus production process of producing a crystalline nucleus in an amorphous layer 9a by heating treatment and a crystalline growth process of obtaining an electric conductive layer 9 by growing the produced crystalline nucleus by heating treatment. - 特許庁

ＳｉおよびＣを含んだ原料ガスを用いて化学気相成長法によってＳｉＣ単結晶基板４上にＳｉＣ単結晶膜を形成する際、ＳｉＣ単結晶基板４を第１加熱部で加熱し、ＳｉＣ単結晶基板４とは別に原料ガス流通方向上流側に設けられた第２加熱部でＳｉ材料５を加熱する。例文帳に追加

When the SiC single crystal film is formed on an SiC single crystal substrate 4 by a chemical vapor deposition method using a raw material gas containing Si and C, the SiC single crystal substrate 4 is heated at a first heating section and an Si material 5 is heated separately from the SiC single crystal substrate 4 at a second heating section provided at the upstream side of the flow direction of the raw material gas. - 特許庁

結晶化速度が遅い生分解性ポリエステル樹脂の結晶化速度を高め、射出成形、フィルム成形、ブロー成形、繊維の紡糸、押出発泡、ビーズ発泡などの成形加工における成形加工性を改善すること。例文帳に追加

To enhance a crystallization rate of a biodegradable polyester resin of low crystallization rate, and to improve molding workability in molding work such as injection molding, film molding, blow molding, spinning of a fiber, extrusion foaming and bead foaming. - 特許庁

単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁層を介して単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する工程とを有し、単結晶半導体基板へのイオンの照射は、イオンドーピング法を用い且つ単結晶半導体基板を冷却しながら行う。例文帳に追加

The irradiation of the single-crystal semiconductor substrate with the ions is carried out by using an ion doping method while cooling the single-crystal semiconductor substrate. - 特許庁

結晶性ポリプロピレン系樹脂組成物は、結晶性ポリプロピレン樹脂組成物１００質量部に対して、当該結晶性ポリプロピレン樹脂の融点に比べて、２０℃以上低い融点を持ち、破断伸度１００％以上の結晶性ポリオレフィン系樹脂である結晶性ポリエチレン、結晶性ポリプロピレン、および結晶性ポリブテン−１のうち少なくとも１つ以上からなる樹脂改質剤を、１０〜１００質量部添加している。例文帳に追加

The crystalline polypropylene-based resin composition is obtained by adding 10-100 pts.mass of a resin modifier comprising at least one or more of a crystalline polyethylene, a crystalline polypropylene and a crystalline polybutene-1 of crystalline polyolefin-based resins having a melting point ≥20°C lower than that of the crystalline polypropylene resin, and ≥100% breaking elongation to 100 pts.mass of the crystalline polypropylene resin composition. - 特許庁

他の方法として、まず多結晶シリコンを成膜し、その後、得られた多結晶シリコン膜に錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種をイオン注入法、イオンドープ法あるいは拡散法により添加して不純物添加多結晶シリコン膜２を形成する。例文帳に追加

As another method, first a polycrystalline silicon film is formed and thereafter at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) is added to the obtained polycrystalline silicon film by ion implantation method, ion doping method or diffusion method, and the impurity added polycrystalline silicon film 2 is formed. - 特許庁

結晶構造を取り得るポリエステル、中でも生分解性を有するポリエステルの結晶化を促進するのに適した核剤を添加した成形用樹脂組成物を提供すること、および結晶性が改善された成形用樹脂組成物を含む成形品を提供すること。例文帳に追加

To provide a molding resin composition containing a nucleating agent suitable for accelerating the crystallization of a crystallizable polyester, especially a biodegradable polyester and provide a molded article containing the molding resin composition having improved crystallizability. - 特許庁

成長源領域３のみにニッケルを添加した後、電気炉で加熱処理を行って、成長源領域３から発生した結晶粒を、非晶質珪素経路５を介して素子形成領域４へ結晶成長させる。例文帳に追加

Only the growth source region 3 is doped with nickel and thermally treated in an electric furnace, and a crystal grain originated from the growth source region 3 is sent to the element forming region 4 through the amorphous silicon path 5, and the crystal is grown in the region 4. - 特許庁

あるいは、集電体上に、非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜の表面に、前記非晶質珪素の結晶化を促進する触媒元素を添加し、前記触媒元素が添加された非晶質珪素膜を加熱することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜を負極活物質層として用いる蓄電装置の作製方法に関する。例文帳に追加

Alternatively, a method for manufacturing a power storage device includes steps of: forming an amorphous silicon film on the current collector; adding a catalyst element for accelerating crystallization of amorphous silicon on the surface of the amorphous silicon film; forming the crystalline silicon film by crystallizing the amorphous silicon film by heating the amorphous silicon film where the catalyst element is added; and using the crystalline silicon film as a negative electrode active material layer. - 特許庁

結晶成長方法に関し、ゾーン法を適用して三元以上の化合物半導体結晶を成長させるに際し、るつぼの形状に合わせて加工した材料など面倒な成長材料を用いることなく結晶成長を行うことができるようにする。例文帳に追加

To perform crystal growth without using any elaborated growth material such as a material fabricated correspondingly to the shape of a crucible, in the growth process for an at least ternary compound semiconductor crystal, using a zone method. - 特許庁

マスクを用いて成長源領域２の表面のみにニッケルを添加し、電気炉で加熱処理を施して、成長源領域２で発生させた結晶粒をターゲット領域３へ結晶成長させる。例文帳に追加

Nickel is added to only the surface of the growth source region 2 using a mask, which is heated in an electric furnace, so that the crystal grain generated in the growth source region 2 crystallizes into the target region 3. - 特許庁

基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０とを備える。例文帳に追加

The manufacturing device includes: a crystal deposition device 10 for growing crystals by an organic metal vapor deposition or molecular beam epitaxy method on a substrate; and a heating laser irradiation device 20 for irradiating a heating laser beam 21 on a surface of the substrate. - 特許庁

および、シリコン結晶の製造方法において、ブリッジマン法により、ＧａとＢをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記ルツボを加熱領域から引き下げることによってシリコン多結晶棒を育成するシリコン結晶の製造方法。例文帳に追加

Further the method of manufacturing silicon crystal is that after adding Ga and B into silicon molten liquid in the crucible by Bridgeman method, a silicon multicrystal rod is grown by pulling down the crucible out of heating region. - 特許庁

シリコン結晶の製造方法において、ブリッジマン法により、Ｇａとリンをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記ルツボを加熱領域から引き下げることによってシリコン多結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the silicon crystal is that after adding Ga and phosphorus into the silicon molten liquid in the crucible by Bridgeman method, silicon polycrystal is grown by pulling down the crucible out of heating region. - 特許庁

ＧａＮ系半導体とは異なる材料からなる結晶基板１の表面に凹凸（または段差）１ａを加工し、該凹凸の加工された表面に低温ＧａＮ系バッファ層を介することなく直接的にＧａＮ系結晶２を成長させ、ＧａＮ系結晶層３とする。例文帳に追加

Protrusions and recesses (or a level difference) 1a are formed on the surface of a crystal substrate 1 composed of a material different from a GaN-based semiconductor and a GaN-based crystal 2 is grown directly on the surface where protrusions and recesses are formed with no intermediary of a low temperature GaN-based buffer layer thus obtaining a GaN-based crystal layer 3. - 特許庁

単結晶シリコン粒子３の製造方法は、不純物が偏析した突起部１２を有するとともに表面に酸窒化膜１１が形成された単結晶シリコン粒子３の突起部１２を、単結晶シリコン粒子３の表面を実質的に加工変質させずに研磨加工によって除去する。例文帳に追加

The method for manufacturing the single crystal silicon particles 3 comprises removing a projected part 12 of each single crystal silicon particle 3 having the projected part 12 in which impurities are segregated and an oxynitride film 11 formed on its surface, by polishing without substantially deteriorating the surface of each single crystal silicon particle 3. - 特許庁

Ａｒガス純化装置９により純化されたアルゴンガスを加熱炉７内に供給し、アルゴンガス雰囲気下で坩堝３を加熱することにより、炭化珪素原料２を昇華させて種結晶４の表面上に炭化珪素単結晶を結晶成長させる。例文帳に追加

This process for producing the silicon carbide single crystal comprises supplying argon gas, purified by an argon gas purifier 9, into a heating furnace 7, and heating a crucible 3 under an argon gas atmosphere to sublimate a raw material 2 for silicon carbide and thus to grow a silicon carbide single crystal on the surface of a seed crystal 4. - 特許庁