「加成結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

チョクラルスキー型プロセスで好適に使用される多結晶シリコン片のサイズ分布を形成するための多結晶シリコン加工物の処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for processing polycrystalline silicon workpiece for forming size distribution of polycrystalline silicon pieces suitably for use in a Czochralski-type process. - 特許庁

酸化膜３の表面に減圧ＣＶＤ法で多結晶シリコン膜４を形成した後、この多結晶シリコン膜４に対してリンをイオン注入法により添加する。例文帳に追加

A polycrystalline silicon film 4 is formed on the surface of the oxide film 3 by a decompression CVD method, and then phosphorus is doped to the polycrystalline silicon film 4 by the ion implantation method. - 特許庁

ＣＺ法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を、窒素濃度、酸素濃度、及び冷却速度を制御しつつ育成し、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工するシリコンウエーハの製造方法。例文帳に追加

This method for producing a silicon wafer comprises growing a silicon single crystal rod doped with nitrogen by CZ method while controlling a nitrogen concentration, an oxygen concentration and a cooling rate and processing the silicon single crystal rod into a wafer. - 特許庁

単結晶金属核を有する金属複合超微粒子を加熱された有機溶媒に分散させ、基体を浸漬することにより基体表面に自己組織化膜として超微粒子結晶膜を形成させる。例文帳に追加

The ultrafine particle crystal film is formed on a substrate by immersing it in an heated organic solvent in which the metal composite ultrafine particles having a single crystal metal nuclei are dispersed. - 特許庁

多結晶シリコン膜２０ｐには窒素が添加されているとともに、この多結晶シリコン膜２０はゲート絶縁膜５側で窒素濃度が低く、バリア膜１１側で窒素濃度が高く形成されている。例文帳に追加

Nitrogen is doped to the film 20 and at the same time, this film 20 has low the nitrogen concentration on the side of the film 5 and has high the nitrogen concentration on the side of the film 11. - 特許庁

この加熱により、アモルファスシリコン層２のアモルファスシリコンがアルミニウム層３中に固溶するとともに結晶化し、多結晶シリコン層４が形成される。例文帳に追加

By the heating, the amorphous silicon of the amorphous silicon layer 2 is dissolved in the aluminum layer 3 and crystallized to form a polycrystalline silicon layer 4. - 特許庁

つまり、造核剤の添加により、ポリプロピレンの結晶化生成が促進され、その結果、再生材の結晶性が高くなり、曲げ弾性率の低下も最小限となる。例文帳に追加

The crystallization of the polypropylene resin is accelerated by the addition of the nucleating agent and, as a result, the crystallinity of a regenerated material becomes high and the lowering of the bending modulus thereof becomes minimum. - 特許庁

室温よりも低い所定温度において、気体分散媒中に、所定の範囲内のモル数の常磁性イオンを含む単結晶から成る微結晶体を多数分散させ、所定の強さの磁場を印加する。例文帳に追加

A lot of microcrystal bodies consisting of single crystals containing paramagnetic ions whose molar number is within a specified range are dispersed in a gaseous dispersing medium at a specified temperature lower than room temperature and then the magnetic field with a specified intensity is applied. - 特許庁

チョクラルスキー型プロセスで好適に使用される多結晶シリコン片のサイズ分布を形成するための多結晶シリコン加工物の処理方法を提供すること例文帳に追加

To provide a method for treating processed polycrystalline silicon to form a size distribution of polycrystalline silicon pieces suitably used in the Czochralski process. - 特許庁

ケイ素酸化物と炭素の混合物を加熱して、平板状炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる方法であって、前記混合物が、ケイ素酸化物と炭素が内部で接触した粒子を含んでなる。例文帳に追加

In a method for growing a silicon carbide single crystal on a planar silicon carbide seed crystal by heating a mixture of silicon oxide and carbon, the mixture contains particles in which the silicon oxide has a contact inside with the carbon. - 特許庁

単結晶引上げ中インゴットを冷却するためのクーラーを備える単結晶インゴット製造装置において、ルツボを余分に加熱して温度を上げることなしにテール部を形成することができる装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for producing single crystal ingot equipped with a cooler for cooling ingot during single crystal pulling, where the tail part can be formed without elevating temperature by additionally heating the crucible. - 特許庁

次いで、前記前駆体膜を加熱して結晶化させ、Ｂａサイトの少なくとも一部が希土類元素で置換されたタングステンブロンズ型の結晶構造を有する強誘電体薄膜を形成する。例文帳に追加

The precursor film is heated and crystallized to form the ferroelectric thin film having a tungsten bronze type crystal structure in which at least a part of the Ba site is substituted by the rare earth element. - 特許庁

そして、シリコン単結晶６の直胴部の前半部が形成された以降は、結晶各部が、ドーパント２３が所望する高濃度に添加された状態となるように、融液５にドーパント２３を供給する。例文帳に追加

The dopant 23 is supplied into the molten liquid 5 to be a state that each part of the crystal is added with the dopant 23 to have a desired high concentration after the first half of the straight barrel part of the silicon single crystal 6 is formed. - 特許庁

多結晶のナノコンポジット磁石原料粉末１は塑性変形が非常に制限されているので転位（欠陥）も制限され、結晶核の生成サイトの増加が防止される。例文帳に追加

The nanocomposite magnet raw material powder 1 of the polycrystal has its plastic deformation restricted very much, so it also has dislocation (defect) restricted to prevent an increase of generation sites of crystal nucleuses. - 特許庁

次いで、この非晶質膜に短波長エネルギービームを照射して第１の加熱処理を行い、準単結晶よりなる結晶質膜１４を形成する。例文帳に追加

Then an energy beam of a short wavelength irradiates the amorphous film for the first heating treatment to form a crystalline film 14 made of quasi-single crystal. - 特許庁

モジュールは、δアルミナを含有するムライト系結晶質からなりアルミナ含有率が６０〜８０質量％である結晶質セラミックファイバーの成形加工品をモジュール化したものである。例文帳に追加

The module is formed by modularizing a molded product of crystalline ceramic fiber formed of mullite-based crystalline substance containing δ-alumina with the alumina content of 60-80 mass%. - 特許庁

融点が２００℃以下の結晶性ポリエステル１００重量部に対し、結晶核剤を０．０１〜５重量部、滑剤０．０１〜５重量部を配合するカレンダー加工用ポリエステル樹脂組成物に関する。例文帳に追加

The polyester resin composition for calendering comprises 100 pts.wt. crystalline polyester having a melting point of ≤200°C, 0.01-5 pts.wt. crystal nucleating agent, and 0.01-5 pts.wt. lubricant. - 特許庁

結晶核剤を添加した高分子組成物を所定の方位に配向させることにより、剛性及び透明性に優れた結晶性高分子材料を提供すること。例文帳に追加

To provide a crystalline polymer material excellent in stiffness and transparency by orienting a polymer composition in which a crystal nucleating agent is added in a given orientation. - 特許庁

本発明は、単結晶製造装置及び単結晶製造方法に係り、誘導加熱コイルのコイル上面側とコイル下面側とで最適な磁界を形成することにある。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for producing a single crystal, wherein optimum magnetic fields can be formed on upper and lower sides of a coil, respectively, in an induction-heating coil. - 特許庁

合成樹脂製カップ状容器のフランジの熱結晶化処理方法において、フランジをまず熱板で予熱し、その後にレーザー光の照射により加熱して熱結晶化する。例文帳に追加

In the thermal crystallization treatment method of the flange of the cup-shaped container made of a synthetic resin, the flange of the cup-shaped container is first preheated by a hot plate and subsequently headed by irradiation with a laser beam to be thermally crystallized. - 特許庁

例えば、単結晶成長装置内の磁場の強度を１０００〜２０００ガウス、シリコン融液の加熱時間を１００時間以上として、単結晶の引上げを行う。例文帳に追加

For instance, the single crystal is pulled-up under the conditions that the intensity of magnetic field in the single crystal growth equipment is kept at 1000-2000 gauss and the heating time of silicon melting liquid is continued for 100 hours or more. - 特許庁

ドナー不純物であるＧａをＧａ_２Ｏ_３の形で添加したＺｎＯ焼結体と、ノンドープＺｎＯ単結晶とをエキシマレーザ光８でレーザアブレーションして、半導体基板３上に半導体薄膜結晶を成長させる。例文帳に追加

A semiconductor thin film crystal is grown on the semiconductor substrate 3 by laser abrading the ZnO sintered compact mixed with a donor impurity Ga in a form of Ga_2O_3, and non doped ZnO single crystal by excimer laser light 8. - 特許庁

過冷却状態の合金５が凝固潜熱によって結晶化する前に、合金５に一次応力を加えることにより、異方化したＲ_2Ｆｅ_14Ｂ型結晶相をα−Ｆｅよりも優先的に成長させる。例文帳に追加

Before the supercooled alloy 5 is crystallized by latent heat of solidification, a primary stress is applied to the alloy 6 to make an anisotropic R_2Fe_14B crystal phase grow with higher priority than an amorphous Fe phase. - 特許庁

この後、加熱コイル７−１を下方に移動させ、炭化珪素原料２全体を炭化珪素が昇華する温度とすることにより、炭化珪素の種結晶４の表面上に炭化珪素単結晶が成長する。例文帳に追加

Then the heating coil 7-1 is moved downward to heat the whole silicon carbide raw material 2 to the sublimation temperature of silicon carbide so as to grow a silicon carbide single crystal on the surface of a silicon carbide seed crystal 4. - 特許庁

最終結晶形態であるＩ型は、メタノールまたはエタノールを使用してスラリーを形成後、特定量の逆溶媒を加え、特定の温度、時間を保つことにより所望の結晶型を得る。例文帳に追加

The desired final crystal form, form I, can be obtained by forming slurry of the compound by using methanol or ethanol and then adding a specific amount of non-solvent thereto and allowing the slurry to stand at a specific temperature for a specific time. - 特許庁

非晶質アルミノ珪酸塩を含む石炭灰にアルカリ水溶液を加えて攪拌混合し、結晶質部分の表面積を増大した結晶質アルミノ珪酸塩を生成する。例文帳に追加

An aqueous solution of an alkali is added to the coal ash containing the amorphous aluminosilicate and stirring and mixing are carried out to produce a crystalline aluminosilicate having an increased surface area of crystalline parts. - 特許庁

導電性インキ組成物は結晶性高分子と非結晶性高分子からなるベースポリマー１００重量部に対して０．１〜１０重量部添加されることが望ましい。例文帳に追加

It is desirable that conductive ink composition of 0.1-10 pts.wt. is added to base polymer of 100 pts.wt. comprising the crystalline polymer and the non-crystalline polymer. - 特許庁

前記切断が、金属ガラス線材の結晶化温度以下の加温状態で、非結晶状態で切断されたことを特徴とする金属ガラス線材を切断して形成されたことを特徴とするカットワイヤ投射材。例文帳に追加

Further preferably the cut wire projection material is formed by cutting the metallic glass wire when it is heated to a temperature below a crystallization temperature and in an amorphous state. - 特許庁

製造工程中ＴＦＴを構成する各被膜界面を汚染不純物に汚染されることなく清浄な状態に保ち、また、結晶質半導体膜に結晶破壊を起さずに不純物を添加する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for keeping each coating interface, constituting a TFT in a clean state which will not be contaminated with contaminating impurities during fabrication process and for adding impurities to a crystalline semiconductor film without causing destruction of crystal. - 特許庁

非晶質半導体膜を形成したガラス基板を、結晶化に必要な温度以上の処理雰囲気内に導入することにより、処理雰囲気からの熱伝導による急速加熱を行って、非晶質半導体膜を結晶化させる。例文帳に追加

The noncrystalline semiconductor film is rapidly heated by heat conduction from the process atmosphere and crystallized. - 特許庁

続いて、結晶化温度より高い温度に基板を加熱し、結晶化速度Ｒが堆積速度Ｓより大きい状態で堆積層を折衝貸しながら成膜する。例文帳に追加

In succession, the substrate is heated to the temperature higher than the crystallization temperature and the deposition layer is deposited under the crystallization effected in the state of the crystallization rate R higher than the deposition rate S. - 特許庁

また、窒化珪素結晶粒を幅５μｍ以下の柱状結晶粒で構成することにより、軸受振動の増加や分布を抑え、長寿命で信頼性の高い軸受を得ることができる。例文帳に追加

The increase and distribution of the bearing vibration are suppressed by forming crystalline grains of silicon nitride of columnar crystals of the width of ≤5 μm, and the bearing of long service life and high reliability can be obtained. - 特許庁

光触媒特性を有する結晶を含有するガラス粉粒体および加熱されることによりガラス内に光触媒特性を有する結晶を生成するガラス粉粒体が提供される。例文帳に追加

Glass granular powder containing a crystal having photocatalytic characteristics and glass granular powder having a crystal having photocatalytic characteristics, formed in glass by heating are provided. - 特許庁

表層の少なくとも一部に超微細結晶粒層を有する金属材に、急速短時間加熱による焼入れを施し、前記超微細結晶粒層を残存させて焼入れ組織を形成する。例文帳に追加

To the metallic material having the ultrafine crystal grain layer at least in a part of the surface layer, hardening by rapid short-time heating is applied, and a hardened structure is formed by leaving the ultrafine crystal grain layer. - 特許庁

引上げ軸３の側と原料融液１０の側との間に印加する電圧を、少なくとも種結晶１１の原料融液１０への着液から結晶直胴部の形成完了までは、−５０Ｖ以上、＋５０Ｖ以下とする。例文帳に追加

The voltage applied between the pull shaft 3 and the raw material melt is kept at ≥-50 V and ≤+50 V at least during the time when the seed crystal 11 touches the raw material melt 10 and the formation of a crystal body is completed. - 特許庁

液体噴射ヘッドのアクチュエータを単一配向結晶または単結晶の酸化物薄膜の積層構造で構成することにより、半導体プロセスによる微細加工を可能にして高密度なマルチヘッドを実現する。例文帳に追加

To realize a high density multi-head by employing a multilayer structure of thin films of single oriented crystal or oxide of single crystal in the actuator of a liquid jet head so that micromachining of smiconductor process can be applied. - 特許庁

磁性酸化物単結晶に形成される溝の条件を設定することにより、磁性酸化物単結晶に磁界を印加するための磁界発生器を省略して、小型で軽量の磁気デバイスを得る。例文帳に追加

To provide a small-sized and lightweight magnetic device by setting conditions of grooves formed onto a single crystal of a magnetic oxide so as to eliminate the need for provision of a magnetic field generator for applying a magnetic field to the single crystal of the magnetic oxide. - 特許庁

ここで前記組成物を３０℃より高い温度に加熱した場合、直方六方晶または立方晶タイプの少なくとも一つのパラ結晶相が出現し、このパラ結晶相は、少なくとも４５℃まで存在し続ける。例文帳に追加

When the composition is heated to a temperature higher than 30°C, at least one of a paracrystal phase of orthorhombic hexagonal or cubic type appears, and the paracrystal phase is kept present at least to 45°C. - 特許庁

均一な局所領域保磁力分布と微細な結晶粒及び均一な結晶粒径分布を持つように最適組成のＰｔが添加された高密度の磁気記録に適合した磁気記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic recording medium which is suitable for high density magnetic recording and to which Pt of the optimum composition is added so that the magnetic recording medium has a homogeneous coercive force distribution in a local region, fine crystal grain and homogeneous crystal grain size distribution. - 特許庁

歪取焼鈍前に結晶粒径が小さく加工性が良好であり、歪取焼鈍後に結晶粒が大きく成長し鉄損の優れた無方向性電磁鋼板を、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonoriented electric steel sheet which has crystal grains of small diameter and excellent workability before stress relief annealing, and has crystal grains of a largely grown diameter, and an excellent iron loss property after stress relief annealing, and to provide a method for producing the steel sheet. - 特許庁

パターンの形成された鉄板１３’を多結晶ダイヤモンド基板１２に押し付け、これを高温で加熱することにより、多結晶ダイヤモンド基板１２表面に当該パターンを転写する。例文帳に追加

An iron plate 13' having a pattern is pressed against a polycrystalline diamond substrate 12 and heated at a high temperature to transfer the pattern to the surface of the polycrystalline diamond substrate 12. - 特許庁

また、本発明に係る結晶成長方法では、前記突出部を把持する吊り具を使用し、前記吊り具に振動を加えながら前記シリコン結晶を前記坩堝から取り出すこととしてもよい。例文帳に追加

Further, in the method of growing a crystal, the silicon crystal may be taken out from the crucible while using the hanging device which grips the protruded part and applying vibration to a hanging device. - 特許庁

高純度を維持しつつ、高温加熱時における石英ガラスルツボ内層の気泡発生を抑止し、シリコン単結晶の結晶化率（ＤＦ率）を向上させる合成石英ガラスルツボを実現する。例文帳に追加

To provide a synthetic quartz glass crucible capable of suppressing foam generation in the inner layer of the quartz glass crucible during heating at a high temperature while keeping the high purity, and improving the crystallization rate (DF rate) of silicon single crystal. - 特許庁

本発明の可塑性食用油脂組成物は、結晶化開始温度以下、結晶化開始温度−３℃以上の範囲の温度で一旦、冷却、練りを加えて保持された後、１０℃以下に冷却保持されていることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable to once cool the plastic edible oil and fat composition at a temperature ranging from a crystallization starting temperature or lower to a crystallization starting temperature of -3°C or more, knead the cooled composition, maintain the kneaded composition as it is, and thereafter maintain the resultant composition in a cool condition at ≤10°C. - 特許庁

筐体の天板に荷重が加わるとシンチレータの隣り合う柱状結晶の間隔が変化する構成において、隣り合う柱状結晶が接触することを抑制する。例文帳に追加

To suppress a contact between adjacent columnar crystals in a configuration in which an interval between the adjacent columnar crystals of a scintillator is changed when a load is applied to a top board of a housing. - 特許庁