「加成結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

次に、加熱された層にレーザビームを照射して、半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成する。例文帳に追加

After that, laser beams are irradiated at the heated layer, and the semiconductor film is crystallized, thereby forming a crystalline semiconductor film. - 特許庁

単結晶アルミナ表面に目的とする深い凹凸等を形成することが可能な単結晶アルミナの加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a working method for single crystal alumina whereby objective deep unevenness or the like can be formed on the surface of single crystal alumina. - 特許庁

種結晶５０として、昇華用原料４０に略対向する成長面側に加工変質層を有しない炭化ケイ素単結晶を用いる。例文帳に追加

A silicon carbide single crystal having no process modified layer in the growth face side opposing to the sublimation source material 40 is used as the seed crystal 50. - 特許庁

基板表面の単結晶シリコン層を短時間で加熱して単結晶炭化シリコンに変成させる。例文帳に追加

To modify a single crystal silicon layer on a substrate surface into single crystal silicon carbide in a short period of time by heating. - 特許庁

フレックル及び迷結晶粒欠陥のような結晶粒欠陥を最小限にするためニッケル基超合金に炭化物生成元素を添加する。例文帳に追加

For minimizing the grain defect such as freckles and stray grains, carbide forming elements are added to nickel base superalloys. - 特許庁

被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a gas discharge laser crystallization apparatus for performing a transformation of crystal growth or orientation in a film on a workpiece. - 特許庁

低級結晶性半導体薄膜１２を４５０〜６５０℃で加熱してＮｉを拡散させた結晶性半導体薄膜１４を形成する。例文帳に追加

The low rank crystal semiconductor thin film 2 is heated at 450-650°C, so that a crystalline semiconductor thin film 14 in which Ni is dispersed can be formed. - 特許庁

次に、加熱処理することによって、ａ−Ｓi膜１０２aを結晶化を助長するニッケルにより結晶化させてｐ−Ｓi膜１０２bを形成する。例文帳に追加

Then, the a-Si film 102a is crystallized into a p-Si film 102b by nickel, which promotes its crystallization through subjecting it to thermal treatment. - 特許庁

非結晶性であるものの、適当な耐火性フィラーを添加すれば結晶性ガラスとして機能するビスマス系無鉛ガラス組成物を提案する。例文帳に追加

To provide a bismuth-based lead-free glass composition which functions as a crystalline glass despite a non-crystalline material by adding a suitable fireproof filler. - 特許庁

結晶成長は容易であり加工性に優れ、高い結晶性を有するため、耐放射線に優れている。例文帳に追加

The crystals easily grows, excellent processing workability is achieved, and high crystalline performance can be provided, achieving excellent radial ray resistance. - 特許庁

単結晶引き上げ装置１は、サファイア単結晶からなるサファイアインゴット２００を成長させるための加熱炉１０を有している。例文帳に追加

The single crystal pulling apparatus 1 includes a heating furnace 10 to grow a sapphire ingot 200 composed of a sapphire single crystal. - 特許庁

第１の原料を加熱することにより昇華して、ＳｉＣの結晶を析出することにより、第１のＳｉＣ結晶を成長する。例文帳に追加

The first starting material is sublimated by heating, and a first SiC crystal is grown by precipitating crystals of SiC. - 特許庁

第２の原料を加熱することにより昇華して、ＳｉＣの結晶を析出することにより、第２のＳｉＣ結晶を成長する。例文帳に追加

The second starting material is sublimated by heating, and a second SiC crystal is grown by precipitating crystals of SiC. - 特許庁

バルク単結晶中に一様、且つ安定した希土類添加を行うことのできる、新しいバルク単結晶育成方法を提供する。例文帳に追加

To provide the method which is new and enables uniform and stable addition of a rare earth element to the inside of a bulk single crystal. - 特許庁

高炉水砕スラグを加熱処理して結晶化させた結晶化スラグ及び水硬性物質からなる炭酸化硬化体用セメント組成物。例文帳に追加

The carbonated hardened cement composition comprises crystallized slag obtained by heat treating and crystallizing the granulated blast furnace slag and a hydraulic substance. - 特許庁

結晶基板１の表面にＬＥＰＳ法を実施し得る凹凸を加工し、該凹部または凸部からＧａＮ系結晶層２を成長させる。例文帳に追加

Irregularities, where the LEPS method can be carried out, are machined on the surface of a crystal substrate 1, and a GaN-based crystal layer 2 is grown from the recess or projection. - 特許庁

結晶性高分子に添加して充分な透明性付与効果を奏する結晶核剤組成物を提供すること例文帳に追加

To obtain a crystal nucleating agent composition that is added to a crystalline polymer to perform sufficient effect on supply of transparency. - 特許庁

鏡面ウェハを得るには、アンドープ半絶縁性ＧａＡｓ結晶を成長し、結晶を冷却し、その後ウェハに加工し、鏡面研磨する。例文帳に追加

In the manufacture of a mirror-finished wafer, the undoped semi-insulating GaAs crystal is allowed to grow, is cooled and, thereafter, is worked into a wafer and the wafer is subjected to mirror surface polishing. - 特許庁

ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、水素を含む不活性雰囲気中で結晶中の抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍとなるようにドーパンドを添加するとともに、炭素を添加してシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶育成方法とする。例文帳に追加

The method for growing the silicon single crystal by a CZ method comprises adding a dopant so that the resistivity in the crystal becomes 0.025-0.008 Ωcm in an inert atmosphere containing hydrogen and at the same time, adding carbon, and then pulling the silicon single crystal. - 特許庁

この板材３ａは加熱炉８により熱処理され、歪んだ形状となっていた結晶粒界は加熱により再結晶化して小さな粒に分かれ、結晶粒径の小さいマグネシウム合金薄板が形成される。例文帳に追加

The plate 3a is heat-treated in a heating furnace 8, and the grain boundary in a distorted shape is re-crystallized by the heating and divided into small grains to form a magnesium alloy sheet having small grain size. - 特許庁

補助加熱手段を用いて種結晶及び／又はネック部を加熱して単結晶を引き上げる場合でも、ネック部の形成速度を速めることのできる単結晶引き上げ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an apparatus for pulling a single crystal, with which it is possible to increase the forming speed of a neck part even in the case that the single crystal is pulled while heating a seed crystal and/or the neck part by using an auxiliary heating means. - 特許庁

エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法。例文帳に追加

This epitaxial silicon single crystal wafer is obtained according to the following procedure: a nitrogen-doped silicon single crystal rod is grown by Czochralski method and then sliced into silicon single crystal wafers, and an epitaxial layer is formed on the surface layer of each of the above silicon single crystal wafers. - 特許庁

酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して、前記酸化物結晶Ｂの一部もしくは全体とは異なる結晶系を有する酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。例文帳に追加

The method for producing oriented oxide ceramics includes: a step of obtaining slurry including oxide crystals B; a step of applying a magnetic field to the oxide crystals B, and further obtaining the formed body of the oxide crystals B; and a step of subjecting the formed body to oxidation treatment to obtain oriented oxide ceramics made of oxide crystals C having a crystal system different from a part or the whole of the oxide crystals B. - 特許庁

縁部限定薄膜供給結晶成長法（ＥＦＧ法）による希土類バナデイト単結晶の製造方法において、方位［１１０］の種結晶４を用いて、［１１０］方位に結晶を育成することにより、結晶幅が緩やかに広がった肩部６を有する板状の希土類添加希土類バナデイト単結晶を作製する。例文帳に追加

The platy rare earth vanadate single crystal has the shoulder parts 6 in which a crystal width is gradually widened, and is produced by using a seed crystal 4 of orientation [110] and growing the crystal toward the orientation [110] by an edge-defined film-fed crystal growth (EFG) method. - 特許庁

昇華用原料微粉末５とキャリアガス３を炭化ケイ素種結晶を備える炭化ケイ素単結晶成長雰囲気内に供給する工程と、昇華用原料微粉末５を加熱し昇華させる工程と、昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給し炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる工程と、を含む炭化ケイ素単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a silicon carbide single crystal includes steps of: supplying a source fine powder 5 for sublimation and a carrier gas 3 to an atmosphere for growing a silicon carbide single crystal, the atmosphere including a silicon carbide seed crystal; heating to sublimate the source fine powder 5 for sublimation; and supplying the sublimated gas onto the silicon carbide seed crystal 2 to grow a silicon carbide single crystal on the silicon carbide seed crystal. - 特許庁

接合材が結晶化したガラスまたはセラミック組成物からなり、組成物を溶融した後、組成物の結晶化温度領域より低い温度にまで温度降下し、次いで結晶化温度領域で加熱することに接合材を得る。例文帳に追加

The junction material made of crystallized glass or ceramic composition is obtained by fusing the composition, lowering its temperature to a point lower than a crystallization temperature area of the composition, and then, heating it to the crystallization temperature area. - 特許庁

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜を加熱して前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、前記結晶性珪素膜にレーザー光を照射し、前記結晶性珪素膜を加熱することで良好な結晶性珪素膜を得る。例文帳に追加

An amorphous silicon film is formed on a substrate having an insulating surface, the amorphous silicon film is heated to convert the amorphous silicon film to a crystalline silicon film, the crystalline silicon film is irradiated with laser light and heated to obtain a good crystalline silicon film. - 特許庁

ポリアミド樹脂の加工時にポリアミド樹脂の結晶化を樹脂表面から促進でき、また、結晶化が促進されることで加工サイクルが向上し、結晶性に優れたポリアミド成形品を提供できる、ポリアミド樹脂の結晶化促進方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for accelerating the crystallization of a polyamide resin which can accelerate the crystallization of the resin from its surface when the resin is processed, improve the processing cycle of the resin by the acceleration of crystallization, and provide a polyamide formed product excellent in crystallinity. - 特許庁

本発明に係るタンパク質の結晶化方法は、タンパク質溶液に、タンパク質の結晶化に必要な試薬を添加してサンプル溶液を生成し、該サンプル溶液に、析出した結晶のＸ線回折の解像度が高くなる電圧を印加しながらタンパク質の結晶を析出させることを特徴とする。例文帳に追加

The protein crystallization method comprises adding a reagent necessary for protein crystallization to a protein solution to form a sample solution and causing the crystal of the protein to deposit while applying to the sample solution a voltage that heightens resolution of X-ray diffraction of the deposited crystal. - 特許庁

水平磁場あるいはカスプ磁場を印加するチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造し、育成中の単結晶が有転位化した場合に、有転位化した単結晶を無磁場の状態で溶解した後、再び磁場を印加してシリコン単結晶を引き上げる。例文帳に追加

The silicon single crystal is manufactured by a Czochralski method of impressing a horizontal magnetic field of cusp magnetic field and when the single crystal under growth is dislocated, the dislocated single crystal is melted in the state of the absence of the magnetic field and thereafter again the magnetic field is impressed to the melt and the silicon single crystal is pulled up. - 特許庁

電気光学効果を有する電気光学結晶１と、電気光学結晶１の内部に電界を発生させる、正極２と負極３とからなる電極対と、電気光学結晶１の結晶の成長方向（ｘ軸方向）と平行に圧力を印加する圧力印加手段１１，１２，１３とを備えた。例文帳に追加

The electrooptic element is equipped with: electrooptic crystal 1 having electrooptic effect; an electrode pair of a plus electrode 2 and a minus electrode 3 producing an electric field in the electrooptic crystal 1; and pressure application means 11, 12 and 13 for applying pressure in parallel to the crystal growing direction (x-axis direction) of the electrooptic crystal 1. - 特許庁

坩堝降下法において、種結晶近傍の温度制御を規定するために、種結晶近傍の温度を変化させるための流体循環路を設け、その周辺に観測用の温度センサーを設置した結晶製造装置を用い、種結晶の長さを長くし、又は種結晶と結晶部の接続部を加工する構成とした。例文帳に追加

The production method employs a crystal production apparatus provided with a fluid circulation path for changing temperature near a seed crystal to define temperature control in the vicinity of the seed crystal, and a temperature sensor for observation is provided on the periphery of the fluid circulation path in a crucible descending method, where the length of the seed crystal is elongated, or the joint part between the seed crystal and a crystallization part is processed. - 特許庁

説明図３に示すように、溶液から結晶が析出する場合、勾配磁場を結晶および溶液に印加することにより、溶液に下向きの磁気力、結晶に下向きもしくは上向きの磁気力を作用させて、重力と磁気力の合力で発生する浮力で結晶を溶液の上部界面に接するように浮上させ、この状態で結晶を析出、育成することにより結晶周辺で発生する対流を抑制することを特徴とする。例文帳に追加

In the explanation of the horizontal axis in Fig., the figure explaining a method for floating the crystal to the upper of the solution is written. - 特許庁

下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。例文帳に追加

A method for manufacturing a stacked oxide material includes steps of: forming an oxide member over a base member; forming a first oxide crystal member which grows from a surface toward the inside of the oxide member by applying heat treatment thereto; and stacking a second oxide crystal member over the first oxide crystal member. - 特許庁

このとき、種結晶３０がチャンバー８０等のサセプタ５０の外部の部材に固定されていないので、種結晶３０を結晶成長に伴って自由に成長装置１の上下方向に移動させることができ、成長した結晶に加わる応力を大幅に軽減することができる。例文帳に追加

At this time, since the seed crystal 30 is not fixed to an external member of a susceptor 50 including a chamber 80 etc., the seed crystal 30 can be moved up and down freely in the growth apparatus 1 along with the crystal growth, thereby largely reducing the stress exerted on the grown crystal. - 特許庁

育成された光学的二軸性単結晶の加工が煩雑でなく、育成された光学的二軸性単結晶のうち実際に素子に使用できる割合が高い光学的二軸性単結晶の育成方法及びこの方法を用いて製造された光学的二軸性単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing an optical biaxial single crystal characterized in that working of a grown optical biaxial single crystal is not complicated and the proportion of the grown optical biaxial single crystal to be actually used for devices to the grown optical biaxial single crystal is high, and to provide an optical biaxial single crystal produced by using the method. - 特許庁

本発明は、結晶育成時の炉内温度分布を適正に制御しながら、結晶冷却時の雰囲気温度を育成した単結晶に亀裂が入らないような冷却条件とすることができる抵抗加熱式結晶育成装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a resistance heating type crystal growing apparatus capable of controlling the atmospheric temperature during cooling of a grown single crystal into a cooling condition that the grown single crystal does not cracks while appropriately controlling the temperature distribution during growth of the crystal in a furnace. - 特許庁

下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。例文帳に追加

A method for manufacturing stacked oxide material comprises steps of: forming an oxide member on a base member; forming a first oxide crystal member which is made crystal growth from a surface toward the inside of the oxide member by applying heat treatment; and stacking and forming a second oxide crystal member on the first oxide crystal member. - 特許庁

ベルト基体（１０１）を構成する結晶子のうち、３００℃で２時間の加熱後に最も粗大化した結晶成長面を有する結晶子が４００Å以下の平均粒径を有する。例文帳に追加

Among crystallites constituting the belt base body (101), crystallite provided with a crystal growth face which is made most rough after being heated for two hours at 300°C has an average particle diameter of ≤400Å. - 特許庁

再び５００〜１１００℃で加熱して半導体膜１４に残存した非晶質成分を結晶化し、結晶性を高めた結晶性半導体膜１５を形成する。例文帳に追加

This is heated at 500-1,100°C again so that amorphous components remaining in the semiconductor film 14 can be crystallized, and a crystalline semiconductor film 15 with high crystallinity can be formed. - 特許庁

結晶性高分子、非結晶性高分子、導電性物質からなる導電性インキ組成物に結晶造核剤を添加してなる導電性インキ組成物である。例文帳に追加

This conductive ink composition is obtained by adding a crystal nucleating agent into a conductive ink composition comprising a crystalline polymer, a non-crystalline polymer and a conductive material. - 特許庁

融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a GaN crystal, which is low in dislocation density and high in crystallinity, without adding impurities other than the source material to a melt and also without increasing the scale of a crystal growth apparatus. - 特許庁

Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a growth method of a GaN crystal having low dislocation density and high crystallinity without adding impurities other than a raw material to a melt or without increasing the scale of a crystal growth device in a liquid phase method using a Ga melt. - 特許庁

マスク層と周囲のＧａＮ系結晶層との識別を容易にし、ＧａＮ系結晶層を成長させた後の種々の加工の好ましい基準となりえるマスク層を有するＧａＮ系結晶成長用基板を提供すること。例文帳に追加

To provide the substrate which enables easy discrimination between a mask layer and a GaN-based crystal layer formed on the periphery of the mask layer and has the mask layer capable of becoming an appropriate reference for various kinds of fabrication after growing the GaN-based crystal layer. - 特許庁

シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal pulling device and a method for producing a silicon single crystal, by which a silicon single crystal having desired resistivity, to which a sublimable dopant is reliably added, can be grown without depending on the duration of time until a first half of a straight body part of the silicon single crystal is formed. - 特許庁