「加成結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

水と、氷の結晶の生成を抑制する不凍添加物からなる作動液が封入されたベーパチャンバを提供する。例文帳に追加

To provide a vapor chamber in which a hydraulic fluid composed of a nonfreezable additive for controlling formation of water and crystal of ice is used. - 特許庁

環境適合性に優れた、植物由来の原料を用いながら、溶融加工時の結晶化速度が向上した樹脂組成物を提供すること例文帳に追加

To provide a resin composition improved in crystallization rate during a melt process while using highly environment-conformable plant-derived materials. - 特許庁

結晶形態から液体形態へのこの化合物の転換は、熱エネルギーの印加または他の画像化技術によって達成され得る。例文帳に追加

The conversion of the compound from the crystalline form to the liquid form can be effected by the application of thermal energy or by other imaging techniques. - 特許庁

エッチング等の加工後の再成長層におけるクラックの発生および結晶性の劣化が防止された半導体素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor element in which the occurrence of cracks and the deterioration of crystallinity in a regrown layer after treatment, such as the etching, are prevented. - 特許庁

高強度化、耐熱性向上が図れると共に、結晶化速度が促進され、成形加工性に優れたＰＥＴブレンド品を提供する。例文帳に追加

To provide a PET blend article which can realize a higher strength and an improved heat resistance, with a higher rate of crystallization and excellent molding and processing characteristics. - 特許庁

冷間加工された微細構造の適切な再結晶の後、シートは熱間高伸長成形のために準備される。例文帳に追加

The cold-worked fine structure is suitably recrystallized, and thereafter the sheet is prepared for hot high elongation forming. - 特許庁

ガイド体１０は、超硬合金と多結晶焼結ダイヤモンドの２層でなる短冊体を加工して形成される。例文帳に追加

A guide body 10 is formed by working on a strip consisting of two layers of hard metal and polycrystalline sintered diamond. - 特許庁

結晶欠陥を抑制して、浅いｐｎ接合を形成することが可能な不純物添加方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dopant doping method capable of forming a shallow pn bonding while suppressing a crystal defect. - 特許庁

押出し加工後に、その表面にショットブラストによる研磨を施し、表面に形成された粗大再結晶層２を除去する。例文帳に追加

After the extrusion, the surface of the product is subjected to the abrasion by the shot blasting, thereby removing any coarse re-crystallized layer 2 formed on the surface. - 特許庁

ガラス封止部６は、ＧａＮ系ＬＥＤ素子２の結晶成長温度に対し充分に低い温度で加工される。例文帳に追加

The glass sealing part 6 is worked at a temperature sufficiently lower than the crystal growth temperature of the GaN LED element 2. - 特許庁

坩堝の加熱効率が高く、且つ、坩堝の温度制御を高精度で行える結晶成長装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a device for growing a crystal, in which a crucible is heated with high efficiency and the temp. of the crucible can be controlled with high accuracy. - 特許庁

すなわち、最も加工しにくい結晶方位で切れ刃部を構成することで、ダイヤモンドの中でも最高度に長寿命な工具を実現した。例文帳に追加

That is, the longest service life for diamond tools is realized by constituting the cutting edge in a crystal orientation which is the most difficult to be processed. - 特許庁

この２次焼成工程により，没食子酸亜鉛蛍光体の結晶性が増加し，蛍光体の発光効率が向上する。例文帳に追加

By the secondary firing step, the crystallinity of the zinc gallate phosphor increases resulting in an increase in the luminous efficiency of the phosphor. - 特許庁

ＢとＦｅとがドーパントとして添加され５００〜８００℃で熱処理された単結晶シリコンで構成されている。例文帳に追加

The silicon electrode plate for plasma etching comprises a single crystal silicon to which B and Fe are added as dopants and a heat treatment with temperature of 500 to 800°C is applied. - 特許庁

また、Ａｇの添加により、Ｍｇ結晶粒が微細となり、連続性が高く緻密な三次元網目構造が形成される。例文帳に追加

Further, by the addition of Ag, the Mg crystal grains are made fine, and the three-dimensional network structure having high continuity and dense can be formed. - 特許庁

本発明は、高分子量で、成形加工性に優れ、高結晶性で、高融点のステレオコンプレックスポリ乳酸を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a stereocomplex polylactic acid which has a large molecular weight, an excellent moldability and a high melting point and is highly crystalline. - 特許庁

衝撃強度、耐傷付き性、成形加工性に優れる結晶性改質オレフィン樹脂を提供すること。例文帳に追加

To provide an olefinic resin with modified crystallinity which is excellent in impact resistance, scratch resistance and molding processability. - 特許庁

円柱、立柱形状に形成したＳｉＣ材料を熱間静水圧加圧処理することにより、あるいは結晶ＳｉＣ材料の開気孔を低減することを目的として熱間静水圧加圧処理工程の事前にＳｉＣ材料の外表面に炭素質の被膜を形成することにより結晶欠陥、ひずみが少なく、製造コストが安価な大形状の結晶性ＳｉＣ基板を製造する。例文帳に追加

The large crystalline SiC substrate which is reduced in crystal defects and distortion and is low in the manufacturing cost is manufactured by the hot hydrostatic press treatment of a SiC material formed in a cylinder or a column form, or by forming a carbonaceous coating on the outer surface of a crystalline SiC material before the hot hydrostatic press treatment process for the purpose of reducing open pores of the crystalline SiC material. - 特許庁

３００ｎｍ以下の結晶子径から成る繊維状アルミナ成型材にアルミナ前駆体を含浸せしめ、焼成することにより繊維状アルミナ表面及び繊維状アルミナ間に結晶子径３００ｎｍ以下のアルミナ微結晶を形成し、よって、樹脂アルミナ複合材中におけるアルミナフィラ充填量を増加させることにより形成する。例文帳に追加

A resin molding material is formed by impregnating an alumina precursor into a fibrous alumina molding material having the crystallite diameter of ≤300 nm and firing to form alumina fine crystals having the crystallite diameter of ≤300 nm on the surface of the fibrous alumina or among the fibrous alumina to increase the quantity of the alumina filler to be filled in the resin alumina composite. - 特許庁

窒化物の添加は、第１３族金属窒化物結晶を成長させる液中に断続的に行ってもよいし、連続的に行ってもよいが、より安定で継続的な結晶成長を実現するためには、連続的に窒化物の添加を行うことが好ましい。例文帳に追加

The addition of the nitride may be intermittently or continuously performed into the liquid growing the group 13 metal nitride crystal, however, for achieving the more stable and continuous growth of the crystal, it is preferable that the addition of the nitride is continuously performed. - 特許庁

加熱された金属シリコン（Ｓｉ溜７）に吹き付けた塩化水素ガスを、炭化水素ガスと同時に加熱した炭化珪素基板５上に供給し、熱分解反応させて化合物半導体結晶を成長させるＨＶＰＥ法にて炭化珪素単結晶を成長する。例文帳に追加

The silicon carbide single crystal is grown by an HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method comprising growing a compound semiconductor crystal by simultaneously supplying hydrogen chloride gas blown onto heated metallic silicon (Si pool 7) and a hydrocarbon gas on a heated silicon carbide substrate 5 to subject the reactants to a thermal decomposition reaction. - 特許庁

人工水晶を育成する水熱合成法を実施する際に、アルカリ水溶液に添加材として水酸化アルミニウムもしくは炭酸アルミニウムを加えることにより、結晶中のＳｉをＡｌに置換する手法では、水晶結晶中に充分な量のＡｌを含有させることができない。例文帳に追加

To solve such a problem that the sufficient amount of Al can not be included in quartz crystal in such a technique as to replace Si in crystal with Al by adding aluminum hydroxide or aluminum carbonate into an aqueous alkaline solution as an additive when implementing a hydrothermal synthesis method for growing artificial quartz. - 特許庁

チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、リンを添加した多結晶シリコンの融液１２を原料として、インゴット１の引き上げが進むことに応じて結晶成長速度Ｖを増加させてインゴットを形成する工程を備える。例文帳に追加

The method for manufacturing a silicon single crystal includes a process of forming an ingot by a Czochralski method (CZ method), in which a melt 12 of phosphorus-doped polycrystalline silicon is used as a raw material, and the crystal growth rate V is increased as pulling of the ingot 1 advances. - 特許庁

オフカットされたＳｉＣ単結晶基板１上にＳｉＣエピタキシャル膜２を成膜する成膜工程と、ＳｉＣエピタキシャル膜２を加熱することでＳｉＣエピタキシャル膜２の表面にステップバンチング３を発生させて結晶欠陥を減少させる加熱工程とからなる。例文帳に追加

The method comprises: a film deposition process for depositing an SiC epitaxial film 2 on an off-cut SiC single crystal substrate 1; and a heating process for reducing crystal defects by heating the deposited SiC epitaxial film 2 so as to generate step bunching 3 on the surface of the SiC epitaxial film 2. - 特許庁

この発明に係る孔あけ加工用当て板１は、アルミニウム製基板２の少なくとも片面に潤滑層３が形成されてなる孔あけ加工用当て板において、前記潤滑層３は、結晶性を有する水溶性樹脂及び結晶核剤を含有した混合組成物からなることを特徴とする。例文帳に追加

In the backing plate 1 for boring where a lubrication layer 3 is formed at least on one side of an aluminum substrate 2, the lubrication layer 3 is composed of a mixture composition containing a water soluble resin having crystallinity and a crystalline nucleus agent. - 特許庁

非晶質状の生分解性樹脂を予備成形し、次いで予備成形された生分解性樹脂をガラス転移温度以上結晶化温度以下の温度領域で予備加熱し、さらに予備加熱された生分解性樹脂を金型にて圧縮結晶化する。例文帳に追加

An amorphous biodegradable resin is pre-molded, subsequently the pre-molded biodegradable resin is pre-heated in the temperature range not higher than the crystallization temperature and not lower than the glass transition temperature, and furthermore the pre-heated biodegradable resin is compressed and crystallized in a die. - 特許庁

一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層と、一導電型とは逆の導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層との間に、被膜の成膜方向に向かって成長する第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層を有する。例文帳に追加

A semiconductor layer containing a first crystal region and a second crystal region growing towards the film-forming direction of a film is formed between an impurity semiconductor layer doped with one conductivity type impurity element and an impurity semiconductor layer doped with a conductivity type impurity element reverse to one conductivity type. - 特許庁

結晶性添加剤の分離を結晶性添加剤が分離することなく、長期貯蔵安定性と硬化時の速硬化性の双方に優れ、管ライニング工法、引き抜き成形、シ−ト・モ−ルディング・コンパウンド（以下これを「ＳＭＣ」と略す）等の分野において好適な樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a resin composition not suffering separation of a crystalline additive, excellent in both long-term storage stability and fast curing properties when cured and suitable for uses in the fields of pipe lining methods, pultrusion, sheet molding compounds(SMC), or the like. - 特許庁

回転引上げ機構のついた抵抗加熱式結晶育成炉において、ヒーター上端部位置に高温下で装着可能な第１の蓋と、第１の蓋の上方に高温下で着脱可能な第２の蓋と第３の蓋とを備えた抵抗加熱式結晶育成装置である。例文帳に追加

In the resistance heating crystal growing apparatus equipped with a rotary pulling mechanism, a first cap capable of being fitted at high temperatures is provided at the upper end part of a heater, and second and third caps, capable of being fitted and removed at high temperatures, are provided above the first cap. - 特許庁

具体的には、上記組成のInP結晶体を原料として収納したルツボ（１）を加熱炉（６，８）内に設置して、融点以上に加熱して原料を溶融させた後、その原料融液（２）を徐々に冷却してInP単結晶を成長させるようにした。例文帳に追加

More specifically, a crucible 1 containing the InP crystalline body having the composition described above as the raw material is installed in heating furnaces 6, 8 where the raw material heated to above its melting point and is melted and, thereafter, the raw material melt 2 is gradually cooled, by which the InP single crystal is grown. - 特許庁

半導体などの材料を構成している結晶を、材料の形状を変形させたり、不純物を添加したりすることなく、微細化し、更には結晶方位を揃えて結晶を成長させること、および原子スケールの組成傾斜構造を形成させることができる高性能材料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a high performance material by which a crystals constituting a material such as a semiconductor can be refined and further grown in such a manner that the crystal orientation is made uniform without deforming the shape of the material and adding impurities thereto and a compositional gradient structure on an atomic scale can be formed. - 特許庁

単結晶シリコンから成る基板１の上面に、開口部２ａを有したマスク２を被着させる工程と、該マスク２をその軟化点以上の温度で加熱しつつ、前記マスク２の開口部２ａ内に露出する基板表面に化合物半導体をエピタキシャル成長させて単結晶薄膜３を形成する工程と、によって単結晶薄膜３を形成する。例文帳に追加

The single crystal thin film 3 is formed by a process wherein the mask 2 having the opening space 2a is adhered to the substrate 1 of single crystal silicon, and a process wherein the single crystal thin film 3 is formed by making a compound semiconductor epitaxial grow on the surface of the substrate exposed in the opening space 2a of the mask 2, while heating the mask 2 at a temperature of softening point or higher. - 特許庁

基板１４上に半導体薄膜を形成する半導体薄膜形成工程と、半導体薄膜に加熱されたガスを吹きかけながら、ガスが吹きかけられている領域の半導体薄膜にエネルギービーム３８を照射して半導体薄膜を溶解し、固化する過程で半導体薄膜を結晶化して多結晶薄膜を形成する多結晶薄膜形成工程とを有している。例文帳に追加

A method for forming polycrystalline thin film includes a semiconductor thin film forming process, for forming a semiconductor this film on a substrate 14 and a polycrystalline thin film forming process for forming a polycrystalline thin film, by melting the semiconductor thin film through irradiating the thin film with an energy beam 38 in a region, where a gas is blown on and crystallizing the thin film in the course of solidification. - 特許庁

結晶化度が１６％以下の熱可塑性芳香族ポリエステル樹脂発泡粒子を型内に充填し、次いで該発泡粒子を加熱して発泡粒子同士を融着させて発泡成形体を製造する方法において、得られる発泡成形体表面の結晶化度を２０％以上とし、且つ発泡成形体内部の結晶化度を１８％以下とすることを特徴とする発泡成形体の製造方法。例文帳に追加

This method for producing the foamed molding by filling the thermoplastic aromatic polyester resin foaming particles having ≤16% crystallinity in a mold, then heating the foaming particles for melting and fusing the foaming particles with each other, is characterized by making ≥20% crystallinity at the surface of the foamed molding and ≤18% crystallinity at the inside of the foamed molding. - 特許庁

少なくとも成膜面がチタン金属又は酸化チタンで構成され、成膜面に粗面加工が施された基板３上に、水熱合成法によりＰＺＴ圧電結晶膜２を積層形成することを特徴とするＰＺＴ圧電結晶膜の製法である。例文帳に追加

In the manufacturing method, a PZT piezoelectric crystal film 2 is formed by deposition by hydrothermal synthesis on a substrate 3 of which at least the film formation surface is composed of titanium metal or titanium oxide and the film forming surface has been roughened. - 特許庁

砒素除去方法は、砒素含有体と鉄イオンを含む酸性水溶液とを混合する混合工程と、混合した混合液を加温するとともに混合液に超音波を印加して、非晶質の砒酸鉄の生成と非晶質の砒酸鉄の結晶化とを促進する結晶化促進工程と、混合液をろ過して結晶化した砒酸鉄を除去するろ過工程とを含んでいる。例文帳に追加

The arsenic removing method includes a mixing process for mixing the arsenic-containing substance with an acidic water solution containing an iron ion, a crystallization-promotion process for promoting generation and crystallization of amorphous iron arsenate by heating the liquid mixture and applying an ultrasonic wave thereto, and a filtering process for filtering the liquid mixture and removing crystallized iron arsenate. - 特許庁

Ｘ線回析用ダイヤモンド結晶31および歪緩和用ダイヤモンド結晶32を加圧および加熱して接合するに際し、接合材として、双方のダイヤモンド結晶体31、32の接合面にクラスター源から金属ナノ粒子のクラスターをそれぞれ照射し、接合面に反応層を形成させる。例文帳に追加

The method for bonding a diamond optical device is provided in which when a diamond crystal 31 for X-ray diffraction and a diamond, crystal 32 for distortion relaxation are bonded by pressing and heating, irradiating respective bonding surfaces of the diamond crystals 31 and 32 with a metal nanoparticle cluster as a bonding material from a cluster source and forming a reaction layer on each of the bonding surfaces. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、誘電体保護膜の構成材料の微結晶を含む溶媒を前面板に塗布する塗布ステップと、前記前面板を乾燥する乾燥ステップと、乾燥後、ローラを用いて、前記微結晶を含む膜の表面の凹凸に液体を介して圧力をかける加圧ステップと、前記微結晶を含む膜を焼成する焼成ステップと、を備える。例文帳に追加

The method is used for manufacturing the plasma display panel, including: a coating step of coating a solvent including microcrystal of components of a dielectric protective film on a front plate; a drying step of drying the front plate; a pressing step of pressing unevenness on a surface of a film including the microcrystal via a liquid using a roller after being dried; and a burning step of burning the film including the microcrystal. - 特許庁

最初に行われる工程（ｆ）では、不純物を含まない多結晶シリコン層６ａを成膜し、次の工程（ｇ）では、不純物添加ガスを導入することにより不純物を含んだ状態の多結晶シリコン層６ｂを成膜し、最後の工程（ｈ）では、不純物を含まない多結晶シリコン層６ｃを成膜する。例文帳に追加

In the first step (f), a polycrystalline silicon layer 6a not containing impurities is formed, in the next step (g), a polycrystalline silicon layer 6b containing impurities is formed by introducing an impurity adding gas, and in the last step (h), a polycrystalline silicon layer 6c not containing impurities is formed. - 特許庁

単分極化された強誘電体結晶の一表面に、所定のパターンを有する電極を形成し、この電極を介して強誘電体結晶の表裏に電場を印加することにより、該強誘電体結晶に前記電極のパターンに対応した局部的な分極反転部を形成する方法において、面内で均一に分極反転の成長を制御可能とする。例文帳に追加

To enable growth of polarization inversion controllable uniformly, in a surface in a method for forming a local polarization inversion part, corresponding to a pattern of an electrode in ferroelectric crystal by forming the electrode having the prescribed pattern in the one surface of the monopolarized ferroelectric crystal, and applying electric field to the front and back surfaces of the ferroelectric crystal via the electrode. - 特許庁

成長速度の異方性などによる晶癖の発生で扁平状になりやすい酸化物を浮遊帯域溶融法により育成する酸化物単結晶の製造方法において、種結晶を回転させずに原料棒を回転させながら、溶融帯を対角方向から非等方的に加熱することにより結晶の異方的な成長速度を制御する。例文帳に追加

In a method of producing an oxide single crystal, which comprises of growing the oxide likely to become a flat form due to the occurrence of crystal habit caused by anisotropy in growing speed or the like by a floating zone melting method, the anisotropic growth speed of the crystal is controlled by non-isotropically heating a melting zone from the opposite angle directions while rotating a raw material rod without rotating a seed crystal. - 特許庁

ＣＺ法で形成される単結晶の径拡大部の下端を把持する構成において、単結晶の晶癖線に損傷を与えずかつ、単結晶の荷重が４００ｋｇ程度の大重量であっても、加わる荷重により、変形や層間剥離などを生ぜす、安定した状態で、かつ晶癖線の損傷による転位を生じることなく成長させる。例文帳に追加

To stably grow a single crystal rod without damaging the crystal habit line of the single crystal rod, causing deformation and delamination due to the weight of the rod, even when it is as heavy as 400 kg and causing dislocation due to the damage of the crystal habit line in a constitution where the bottom of the bulged portion of the single crystal rod formed by CZ method is supported. - 特許庁

母材基板としてのシリコン基板１の表面に多孔質層２を形成し、炭素を含むガスのプラズマ雰囲気中でシリコン基板１に電圧を印加して多孔質層２の表面にシリコンカーバイドの種結晶３を形成し、その種結晶３を起点にシリコンカーバイドの結晶層をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor substrate comprises forming a porous layer 2 on the surface of a silicon substrate 1 being a base substrate, then forming a silicon carbide seed crystal 3 on the surface of the porous layer 2 by impressing a voltage to the silicon substrate 1 in a plasma atmosphere of a gas containing carbon, and epitaxially growing a crystal layer of silicon carbide by using the seed crystal 3 as a starting point. - 特許庁

触媒材料を含む触媒基材の結晶成長面から気相成長によってカーボン結晶を成長させるカーボンナノ構造体の製造方法であって、触媒基材が縮径加工により形成されるカーボンナノ構造体の製造方法に関する。例文帳に追加

The method for producing the carbon nano-structures comprises growing carbon crystal from the crystal growth surface of a catalyst base material containing a catalyst material, and in the method, the catalyst base material is formed by diameter reduction processing. - 特許庁

共役ジエン重合体の環化物および／またはその水素添加物を有効成分として含む接着剤組成物を用いて、結晶性炭化水素重合体からなる成形体と非結晶性炭化水素重合体からなる成形体を接着する。例文帳に追加

The molded body made of the crystalline hydrocarbon polymer and the molded body made of the amorphous hydrocarbon polymer are bonded together with each other by means of an adhesive composition including the cyclized matter of a conjugated diene polymer and/or its hydrogenated matter as effective components. - 特許庁