「層化転移」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

書き込み電流が磁気素子１００を通過する時、自由層磁化がスピン転移を用いて切換えられる。例文帳に追加

When a write current passes through the magnetic element 100, free layer magnetization is switched using spin transition. - 特許庁

ここで、素子基板製造工程（Ｓ３０１）では、複数の有機化合物層のうち、ガラス転移温度が最も低い第1の有機化合物層が、第1の有機化合物層よりガラス転移温度が高い第２および第３の有機化合物層の間で挟持されるように、複数の有機化合物層を形成する。例文帳に追加

Here, in the element substrate manufacturing process (S301), from among the plurality of the organic compound layers, the plurality of the organic compound layers are formed so that a first organic compound layer having the lowest glass transition temperature will be pinched between the second and third organic compound layers of glass transition temperatures higher than that of the first organic compound layer. - 特許庁

コア層の両面に被覆層が一体化された積層体であって、該コア層がガラス転移温度８０〜１００℃の結晶性ポリエステル樹脂からなり、該被覆層がガラス転移温度９５〜１３０℃の非晶性ポリエステル樹脂からなる積層体。例文帳に追加

The laminate is integrated with a layer to be coated on both surfaces of a core layer, wherein the core layer is formed of a crystalline polyester resin having a glass transition temperature of 80 to 100°C and the layer to be coated is formed of a non-crystalline polyester resin having a glass transition temperature of 95 to 130°C. - 特許庁

弾性層２が紫外線硬化型樹脂およびイオン導電剤を含有し、かつ、弾性層２のガラス転移点Ｔｇが−２８℃以下である。例文帳に追加

The elastic layer 2 contains an ultraviolet hardening type resin and an ion conductor and the glass transition point Tg in the elastic layer 2 is -28°C or less. - 特許庁

加熱処理を行う温度は有機低分子層５のガラス転移温度以下であり、有機低分子層５が結晶化することもない。例文帳に追加

The temperature at which the heat-treatment is carried out is lower than the glass transition temperature of the organic low molecule layer 5, and the organic low molecule layer 5 is never crystallized. - 特許庁

接着剤層２１，２２のフロー量は０〜２０００μｍであり、硬化後の接着剤層２１，２２は１００℃以下のガラス転移温度を有する。例文帳に追加

The flow amount of each adhesive layer 21,22 is 0-2,000 μm, and the adhesive layers 21,22 each has a glass transition temperature of ≤100°C after curing. - 特許庁

ポリエステル系エラストマー（Ａ）層は、表層に配されるとともに、ガラス転移温度が０〜２０℃、かつ結晶化速度指標が２０〜５０℃である。例文帳に追加

The polyester elastomer (A) layer is disposed on a surface layer, with a glass transition temperature of 0-20°C and a crystallization rate index of 20-50°C. - 特許庁

この際、離型層１８によって、熱活性化された感熱性粘着剤層の発熱部への転移を防止することができる。例文帳に追加

In this case, the layer 18 can prevent the transition of the thermally activated heat-sensitive adhesive layer to the generation part 14. - 特許庁

ポリマーエマルションを構成するポリマー粒子が化学組成の異なる少なくとも二層からなる多層構造を有し、かつ最外層のポリマーのガラス転移点が内層のポリマーのガラス転移点よりも高い多層型ポリマーエマルションを含有させる。例文帳に追加

This water-base manicure preparation is obtained by including a multilayered type polymer emulsion comprising polymer particles constituting the polymer emulsion and having a multilayered structure composed of at least two layers different in chemical composition and further a higher glass transition point of the polymer in the outermost layer than that of the polymer in the inner layer. - 特許庁

二層化ローラ４３上の現像剤１８の薄層は、現像剤転移部Ａに搬送されて、二層化バイアスにより、キャリア液層１８ｂとトナー粒子層１８ａとに二層化される。例文帳に追加

The thin layer of the developer 18 on the roller 43 is carried to a developer transfer part A and formed to two layers, that is, a carrier liquid layer 18b and a toner particle layer 18a by two-layer forming bias. - 特許庁

凹凸構造層８は、ガラス転移温度が２０〜４０℃の範囲の紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂で形成した。例文帳に追加

The concavo-convex structure layer 8 is formed of an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin, of which a glass-transition temperature range is 20-40°C. - 特許庁

ガラス転移点が１００℃以上である熱可塑性樹脂及び層状化合物より構成される樹脂組成物をフィルム化する。例文帳に追加

A resin composition composed of a thermoplastic resin having a glass transition temperature of ≥100°C and a specified layered-compound, is formed into a film. - 特許庁

樹脂層１１２（光透過部１１２ａ及び光吸収部１１２ｂ）を形成する紫外線硬化型樹脂に関して、そのガラス転移点及びガラス転移点を超えてゴム状弾性を示す状態での貯蔵弾性率を規定した。例文帳に追加

Concerning an ultraviolet curing resin forming a resin layer 112 (light transmission part 112a and light absorption part 112b), a storage modulus is regulated in the glass transition point with rubber-like elasticity indicated by exceeding the glass transition point. - 特許庁

保護層５は、ガラス転移点が、少なくとも２５５Ｋ以下であるうえに、３５３〜４５２Ｋの範囲にある軟化温度もしくは一次転移点Ｔｍ（絶対温度）の０．６３倍〜０．４７倍である熱物性を有する有機高分子重合物である。例文帳に追加

The protection layer 5 is an organic polymer having a thermal physical property of which the glass transition point is at least 255K or less and is 0.63-0.47 times of a softening point or a primary transition point Tm (absolute temperature) within 353-452K of range. - 特許庁

筒成層燃焼運転から均質燃焼運転への運転移行時におけるエンジンでの燃焼悪化の発生を防止する。例文帳に追加

To prevent combustion in an engine from being deteriorated when an operation mode is moved from a stratified combustion operation to uniform combustion operation. - 特許庁

高いガラス転移温度、優れた電気特性、機械強度、低い吸水率を有するエポキシ樹脂積層板用硬化性組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a curable composition for forming an epoxy resin laminated board having high glass transition temperature, excellent electrical properties and mechanical properties and low water absorption. - 特許庁

遷移金属酸化物層が金属−絶縁体転移を生じて読み出し又は書き込み動作を行うメモリ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a memory device where a transition metal oxide layer performs reading or writing operations by undergoing metal-insulator transition. - 特許庁

また、エージング工程（Ｓ３０２）では、素子基板の周囲温度を第1の有機化合物層のガラス転移温度以上に設定する。例文帳に追加

Moreover, in the aging process (S302), the surrounding temperature of the element substrate is set to be the glass transition temperature or higher of the first organic compound layer. - 特許庁

この際、基板１の転移温度よりも低い温度でリフロー処理を行い、層間絶縁膜２０を平坦化する。例文帳に追加

At this time, the reflow treatment is executed at a temperature lower than the transition temp. of the substrate, thereby flattening the interlayer insulating film 20. - 特許庁

本発明の製造方法は、コア層形成用モノマーの重合体のガラス転移温度が、シェル層形成用モノマーの重合体のガラス転移温度よりも２０℃以上高くなるように設定し、コア層を得る際にアルコキシシラン化合物を導入することを特徴とする。例文帳に追加

The method for producing the emulsion is to set the glass transition temperature of a polymer of a core layer-forming monomer to be ≥20°C higher than that of a polymer of a shell layer-forming monomer and introduce an alkoxy silane compound in preparing the core layer. - 特許庁

ガラス転移点が４０℃以下の貧結晶性共重合ポリエステル樹脂が、平均粒子径が１５μｍ以下、ガラス転移点が４０℃以上の有機化合物粉末の層、又は無機化合物粉末の層で被覆されていることを特徴とする共重合ポリエステル樹脂ペレット。例文帳に追加

The copolyester resin pellets are each formed so that the poorly crystallizable copolyester resin having the glass transition temperature of ≤40°C is covered with a layer of an organic compound powder having an average particle diameter of ≤15 μm and a glass transition temperature of ≥40°C, or with a layer of an inorganic compound powder. - 特許庁

ガラス転移点が４０℃以下の貧結晶性共重合ポリエステル樹脂が、平均粒子径１５μｍ以下の、ガラス転移点が４０℃以上の有機化合物粉末の層、又はタルクなどの無機化合物粉末の層で被覆されている共重合ポリエステル樹脂シート。例文帳に追加

In the copolyester resin sheet, a copolyester resin which has a glass transition temperature of 40°C or below and is poor in crystallinity is coated with the layer of an organic compound powder which is 15 μm or below in an average particle size and has a glass transition temperature of at least 40°C or the layer of an inorganic compound powder such as a talc powder. - 特許庁

上部クラッド層２０および平坦化層２４は、樹脂からなり、平坦化層２４を構成する樹胎は、上部クラッド層２０を構成する樹脂よりもガラス転移温度が低い樹脂である。例文帳に追加

The upper clad layer 20 and the flattening layer 24 consist of a resin, and the resin constituting the flattening layer 24 has a lower glass transition temperature than that of the resin constituting the upper clad layer 20. - 特許庁

支持体上に非感光性銀塩、感光性ハロゲン化銀、バインダーおよび造核剤を含有する画像形成層と、その上に少なくとも２層の保護層を有する熱現像感光材料において、前記保護層の最外層の形成膜のガラス転移温度が、それより下層の保護層の形成膜のガラス転移温度よりも高いことを特徴とする熱現像感光材料。例文帳に追加

This heat-developable photosensitive material is provided on a support with an image forming layer containing a nonphotosensitive silver salt, a photosensitive silver halide, a binder, and a nucleator and at least 2 protective layers on this image forming layer, and the outermost layer of the protective layers has a glass transition point higher than that of the lower protective layer. - 特許庁

ソース及びドレイン領域３２、３４とチャンネル領域３６とが設けられた半導体基板３０、チャンネル領域３６上に形成されたシリコン酸化物層４１、シリコン酸化物層４１上に電子をトラップするトラップパーチクルを含む転移金属酸化物層４４、及び転移金属酸化物層４４上に形成されたゲート電極４８を備える不揮発性メモリ素子。例文帳に追加

A nonvolatile memory element comprises a semiconductor substrate 30 on which source and drain regions 32 and 34 and a channel region 36 are provided, a silicon oxide layer 41 formed on the channel region 36, a transition metal oxide layer 44 comprising a trap particle for trapping an electron on the silicon oxide layer 41, and a gate electrode 48 formed on the transition metal oxide layer 44. - 特許庁

硬化アクリル系樹脂層／配向を固定化した液晶物質層／硬化アクリル系樹脂層の順に積層されてなる液晶フィルムであって、少なくとも一層の硬化アクリル系樹脂層のガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以上２００℃以下であることを特徴とする液晶フィルム。例文帳に追加

The liquid crystal film is made by laminating a cured acrylic resin layer, a liquid crystal substance layer in which alignment is fixed and a cured acrylic resin layer in the order, wherein the glass transition temperature Tg of at least one layer of cured acrylic resin layer is 50-200°C. - 特許庁

バリア層とカバー層との間に紫外線硬化型組成物に硬化処理を施すことにより形成された２５℃以下のガラス転移温度を有する層を有する。例文帳に追加

Between the barrier layer and the cover layer, a layer having a glass transition temperature not higher than 25°C is formed by curing a UV curing composition. - 特許庁

バリア層とカバー層との間に、紫外線硬化型組成物に硬化処理を施すことにより形成された２５℃以下のガラス転移温度を有する層を有する。例文帳に追加

A layer having a glass transition temperature of 25°C or below formed by curing an ultraviolet curable composition is disposed between the barrier layer and the cover layer. - 特許庁

無機質系基材層の一方の面に、シーラー層、接着剤層、合成樹脂製化粧シート層が順に積層され、前記シーラー層および前記接着剤層のいずれか、または、いずれもがガラス転移温度が０℃未満の樹脂で構成されていることを特徴とする化粧板。例文帳に追加

In the decorative board, a sealer layer, an adhesive layer and the synthetic resin decorative sheet layer are laminated on one face of the inorganic base material layer in this order, and either or both of the sealer layer and the adhesive layer comprise(s) resin having glass-transition temperature less than 0°C. - 特許庁

第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層とに挟持される液晶性を示す化合物を含む層と、第１の導電層と第２の導電層に挟持され、液晶性を示す化合物を含む層に接する有機化合物を含む層と、を有し、液晶性を示す化合物を含む層は第１の導電層に接して形成されており、少なくとも第１の相から第２の相へ相転移する層である記憶素子である。例文帳に追加

In the storage element, the layer containing a compound for showing liquid crystal properties is formed in contact with the first conductive layer and is a layer being subjected to phase transition at least from the first phase to the second phase. - 特許庁

無機化合物を含有する基材フィルム上に少なくとも１組の無機層および有機層を形成してなるガスバリア性積層フィルムにおいて、前記基材フィルムをガラス転移温度２５０℃以上の樹脂で形成する。例文帳に追加

The gas barrier laminated film is prepared by forming at least one pair of inorganic and organic layers on the base film containing an inorganic compound formed with a resin having a glass transition temperature of 250°C or higher. - 特許庁

基板上に、記録層と光又は熱によって透過率が変化するマスク層とを有し、前記記録層が光誘起相転移を起こす材料を含有することを特徴とする情報記録媒体を用いる。例文帳に追加

The information recording medium is used which has a recording layer and a mask layer whose transmittance changes under light or heat on a substrate, wherein the recording layer contains the material which causes photoinduced phase transition. - 特許庁

金属箔からなる芯材層１の両面に、ガラス転移点：２５０℃以上で、かつ弾性率：１×１０^9 Ｐａ（２５０℃において）以上である熱硬化性樹脂が絶縁層２として積層されている。例文帳に追加

Thermosetting resin where the glass transition point is 250°C or over and the elastic modulus is 1×109 Pa (at 250°C) is stacked as an insulating layer 2 on both sides of the core material layer 1 consisting of a metallic foil. - 特許庁

そして、金属ガラス層２をガラス転移点以上に加熱し、かつ金属ガラス層２が結晶化していない状態のもとで、金属ガラス層２に所定の凹凸形状を有した型１００を押し付ける。例文帳に追加

Then, the metallic glass layer 2 is heated to a glass transition temperature or more and, in the state that the metallic glass layer 2 is not crystallized, the mold 100 having a predetermined rugged shape is pressed on the metallic glass layer 2. - 特許庁

基材１、接着剤層２、化粧シート３からなる床材において、接着剤層２にガラス転移点が２０℃以上１００℃以下の電子線硬化型接着剤を使う事を特徴とする床材。例文帳に追加

The floor material comprising a base material 1, an adhesive layer 2 and a decorative sheet 3 uses the electron beam cured adhesive with a glass transition point of 20 to 100°C for the adhesive layer 2. - 特許庁

選択エッチング層のエッチング時の自然酸化による影響で化合物半導体層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高い半導体基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a high-reliability semiconductor substrate without causing damage of a compound semiconductor layer or transition of a crystal by influence due to natural oxidation in etching a selection etching layer. - 特許庁

（１）木質系基材、接着剤層、化粧シートからなる床材において、接着剤層に硬化後のガラス転移点が２０℃以上の接着剤を使う事を特徴とする耐キャスター性木質床材。例文帳に追加

(1) In the floor material composed of a woody substrate, an adhesive layer, and a decorative sheet, an adhesive at least 20°C of the glass transition point after curing is used in the adhesive layer. - 特許庁

積層板や多層板の製造に用いられ、積層板や多層板に、吸湿時におけるガラス転移温度の低下が抑制されると共に、黒化処理が施された導体層とのピール強度が高い絶縁層を形成するために用いられるエポキシ樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain the subject composition for preventing reduction in glass transition temperature during semicuring, having improved heat resistance by making the composition include an epoxy resin, an amine-based curing agent and a specific phenol-based curing agent in a specific amount ratio to the amine- based curing agent. - 特許庁

再生光７４により再生層２２４の臨界温度Ｔcrを超えた拡大領域２２４ａは面内磁化から垂直磁化に転移するとともに、磁気スリット２２２の上向きの磁化が転写される。例文帳に追加

The expanded region 224a exceeding the critical temperature Tcr on the reproducing layer 224 by a reproducing light 74 is transitted to the vertical magnetization from the intrasurface magnetization, and also the upward magnetization of the magnetic slit 222 is transferred. - 特許庁

硬化後の架橋密度が１２０００ｍｏｌ／ｍ^３超であり、ガラス転移温度が１５０℃以上である熱硬化性ソルダーレジスト組成物、並びにその硬化物からなるソルダーレジスト層。例文帳に追加

The thermosetting solder resist composition has crosslink density after the curing of more than 12,000 mol/m^3 and a glass transition temperature higher than 150°C, and the solder resist layer is composed of its cured product. - 特許庁

窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層２２０と、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成され、第３族転移元素を含む窒化物半導体層からなる電子放出層２３０と、前記電子放出層上に形成された活性層２４０と、前記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層２５０と、を含む。例文帳に追加

This nitride semiconductor device comprises an n-type nitride semiconductor layer 220, an electron emitting layer 230 comprising a nitride semiconductor layer including a tertiary group transition element, formed on the n-type nitride semiconductor layer, an active layer 240 formed on the electron emitting layer, and a p-type nitride semiconductor layer 250 formed on the active layer. - 特許庁

この方法は、正極用層相構造酸化物の表面処理方法であり、層相構造酸化物の表面をリチウム転移金属酸化物でコーティングするリチウム二次電池の正極用層相構造酸化物の表面処理を行うものである。例文帳に追加

In this surface treatment method for the positive electrode layer phase structure oxide for the lithium secondary battery, the surface of the layer phase structure oxide is treated by coated with lithium transfer metal oxide. - 特許庁

一対の導電層と、一対の導電層に挟持される有機化合物とを有し、有機化合物は、液晶性を有し、一対の導電層に第１の電圧を印加し有機化合物を加熱して、有機化合物を第１の相から第２の相へ相転移させることでデータを記録する記憶装置である。例文帳に追加

Data is recorded in the memory device by applying a first voltage to the pair of conductive layers and heating the organic compound to cause a phase change of the organic compound from a first phase to a second phase. - 特許庁

そして、使用されるＵＶ硬化樹脂のガラス転移点Ｔｇが高い順にＵＶレプリカ法によって回折パターン層２０Ｅ及びカバー層２０Ｄを設けるようにした。例文帳に追加

The diffraction pattern layer 20E and the cover layer 20D are successively formed by a UV replica method, in the order of higher glass transition point Tg of the UV-curing resin to be used. - 特許庁

低熱膨張性で、かつガラス転移温度（Ｔｇ）が高く、耐熱性を有する熱硬化性絶縁樹脂組成物、ならびに、これを用いたプリプレグ、樹脂付フィルム、積層板、及び多層プリント配線板を提供すること。例文帳に追加

To provide a thermosetting insulating resin composition having low thermal expandability, a high glass transition temperature (Tg) and excellent heat resistance, and to provide a prepreg, a film with resin, a laminate and a multilayer printed wiring board using the same. - 特許庁