| 意味 | 例文 (999件) |
抵抗値の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9785件
ミラー比Ｍは、抵抗素子４の抵抗値Ｒ２と抵抗素子２２の抵抗値Ｒ１に依存するようになり、抵抗値Ｒ１を調整することでカレントミラー回路２１の電流特性が線形となるように設定できる。例文帳に追加
Mirror ratio M becomes dependent on a resistance value R2 of a resistance element 4 and the resistance value R1 of the resistance element 22, so that the current characteristics of the current mirror circuit 21 are set to be linear by adjusting the resistance value R1. - 特許庁
この構成によれば、３本の抵抗１１を並列に接続することによって、抵抗値の小さな抵抗を生成され、インターフェイス抵抗が大きな抵抗の場合でも、小さな抵抗値の抵抗を精度良く作ることが可能となり、細かい階調電位を生成することができる。例文帳に追加
Based on the construction, the resistor with the small resistance is generated by connecting the three resistors 11 in parallel, and even in the case of a resistor with a large interface resistance, the resistor with the small resistance is accurately manufactured so as to generate the fine gradation potential. - 特許庁
制御基準となる発熱抵抗体への給電電圧又は／及び発熱抵抗体の抵抗値と、実際の発熱抵抗体への給電電圧又は／及び発熱抵抗体の抵抗値との差を補正して、発熱抵抗体への通電制御を高精度に行えるようにする。例文帳に追加
To make the control of current conduction to a heating resistor performable with a high precision by compensating the difference between fed voltage to the heating resistor which is the reference for control and/or the resistance value of the heating resistor and the actually fed voltage to the heating resistor and/or the resistance value of the heating resistor. - 特許庁
本発明では、半導体基板(2)に固定抵抗(3,4,5)と可変抵抗(14)とを形成し、同可変抵抗(14)を構成する拡散層(22,23)に固定抵抗(3,4,5)と可変抵抗(14)との合成抵抗値(R)が所定の抵抗値(Ro)となるようにイオンを注入することにした。例文帳に追加
Fixed resistors (3, 4, 5) and a variable resistor (14) are formed on a semiconductor substrate (2) and ions are injected into diffusion layers (22, 23) constituting the variable resistor (14) such that the combined resistance (R) of the fixed resistors (3, 4, 5) and the variable resistor (14) will be equal to a predetermined resistance (Ro). - 特許庁
抵抗１４、１５、１６は、センサ回路１１、１２、１３の出力のハイ、ロー電圧の組み合わせにより、任意の２個の抵抗の並列抵抗値と他の抵抗の抵抗値が異なるようにし、抵抗１８と抵抗１４、１５、１６との接続点の電圧をロータ位置検出出力とする。例文帳に追加
In the resistors 14, 15 and 16, the parallel resistance values of arbitrary two resistors are different from the resistance value of the other resistor depending on the combination of high and low voltages outputted from the sensor circuits 11, 12 and 13 and the voltage in the joining paint between the resistor 18 and the resistors 14, 15 and 16 is defined as rotor position detection output. - 特許庁
第２状態は、第１電流により第１回路の抵抗値が上第１抵抗値及び第２抵抗値よりも大きな第４抵抗値に変化し、第４抵抗値に変化した後に流れる第２電流が第２抵抗値により支配的に決定される。例文帳に追加
In a second state, the resistance value of the first circuit is varied to a fourth resistance value larger than the first resistance value and the second resistance value by the first current and a second current, that flows after the change into the fourth resistance value, is dominantly determined by the second resistance value. - 特許庁
ＴＭＲ素子の初期抵抗値を測定して第１の抵抗値とし、このＴＭＲ素子に通常使用電圧より高い印加電圧で通電した後の抵抗値を測定して第２の抵抗値とし、第１の抵抗値に対する第２の抵抗値の変化度合に応じてこのＴＭＲ素子の評価を行う。例文帳に追加
An initial resistance value of the TMR element is measured as a first resistance value, a resistance value obtained after applying a voltage higher than a normally-used voltage to the TMR element is measured as a second resistance value, and the TMR element is evaluated in accordance with a change degree of the second resistance value from the first resistance value. - 特許庁
抵抗の測定値としきい値Ｒth2とを比較する（Ｓ８）。例文帳に追加
The measured resistance value is compared with a threshold Rth2 (S8). - 特許庁
ピーク値の抵抗値からガス濃度を判定する。例文帳に追加
The concentration of the gas is determined from the resistance value of the peak value. - 特許庁
磁石８、９は、抵抗器本体４の抵抗値が所定の値となる位置に設けられる。例文帳に追加
The magnets 8. 9 are provided in positions where the resistance value of the resistor body 4 becomes a predetermined value. - 特許庁
可変抵抗部１３は制御値信号Ｃによりその抵抗値をリニアに変化させる。例文帳に追加
The variable resistor section 13 uses the control value signal C to linearly change the resistance. - 特許庁
抵抗値制御部１３には、比較器と、カウンタ回路と、抵抗値調整回路とが備えられる。例文帳に追加
A resistor value control unit 13 is provided with a comparator, a counter circuit and a resistor value adjusting circuit. - 特許庁
プローブ抵抗値測定方法、プローブ抵抗値測定用パッドを有する半導体装置例文帳に追加
METHOD OF MEASURING PROBE RESISTANCE VALUE, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PAD FOR MEASURING PROBE RESISTANCE VALUE - 特許庁
初期抵抗値と減圧後抵抗値とを比較することにより電子部品の不良を判断する。例文帳に追加
The defect of the electronic component is judged by comparing the initial resistance with the post-decompression resistance. - 特許庁
第１電極層の電気抵抗値と第２電極層の電気抵抗値とは同じである。例文帳に追加
An electric resistance value of the first electrode layer and an electric resistance value of the second electrode layer are the same. - 特許庁
そして、抵抗体Ｒの抵抗値を変えることにより、主コイルＬ１のインピーダンス値を制御する。例文帳に追加
By changing the resistance value of the resistor R, the impedance of the coil L1 is controlled. - 特許庁
また、抵抗Ｒ_Pの絶対値は、負性抵抗Ｒ_Lの絶対値よりも大きい。例文帳に追加
Furthermore, an absolute value of the resistance R_P is greater than that of the negative resistance R_L. - 特許庁
また、Ｒ１＋Ｒ４の抵抗値は、Ｒ２およびＲ３の抵抗値よりも高く設定する。例文帳に追加
Also, the resistance value of the R1+R4 is set higher than the resistance values of the R2 and the R3. - 特許庁
フォトインタラプタのコレクタ側に抵抗を設け、その抵抗値を異なる値にする。例文帳に追加
Resistances are arranged at the collector sides of photo-interrupters, and the resistance values are set as different values. - 特許庁
接合抵抗値測定用半導体チップおよび半導体チップの接合抵抗値測定方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR CHIP FOR MEASURING JUNCTION RESISTANCE VALUE, AND METHOD FOR MEASURING JUNCTION RESISTANCE VALUE OF SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁
記録紙の計数値の増大にともなって、可変抵抗８１の抵抗値を増大させる。例文帳に追加
With an increase in a count value of the recording paper, the resistance value of a variable resistor 81 is increased. - 特許庁
サブ中間部材4の電気抵抗値をメイン中間部材3の電気抵抗値よりも大きくしている。例文帳に追加
Electric resistance value of the sub-intermediate member 4 is made larger than electric resistance value of the main intermediate member 3. - 特許庁
また、放電電流の流れる回路の抵抗値Ｒを、臨界制動抵抗値近くまで下げている。例文帳に追加
A resistance value R in a circuit passing the discharge current therethrough is reduced approximately to a critical damping resistance value. - 特許庁
二次電池の内部抵抗値から、二次電池の蓄電部の抵抗値を算出する。例文帳に追加
A resistance value of an accumulator section of a secondary battery is calculated out from an inner resistance value of the secondary battery. - 特許庁
アーク電極４の電気抵抗値がターゲット材料１の電気抵抗値よりも大きい。例文帳に追加
The electric resistance value of the arranged electrode 4 is higher than the electric resistance value of the target material 1. - 特許庁
抵抗値測定システム、それを用いた電気的接続箇所の検査システム及び抵抗値測定方法例文帳に追加
RESISTANCE VALUE MEASURING SYSTEM, INSPECTION SYSTEM OF ELECTRIC CONNECTING POSITION USING IT, AND RESISTANCE VALUE MEASURING METHOD - 特許庁
第１の抵抗値の低下率は、第２の抵抗値の増加率のｘ倍である。例文帳に追加
The lowering rate of the first resistance value is x times the increase rate of the second resistance value. - 特許庁
素子抵抗値の低減化、及びチャンネル間における抵抗値のばらつきの低減化を図る。例文帳に追加
To reduce an element resistance value and to reduce variations in resistance value among channels. - 特許庁
半導体パッケージの熱抵抗値算出方法及び熱抵抗値算出プログラム例文帳に追加
METHOD FOR CALCULATING THERMAL RESISTANCE VALUE OF SEMICONDUCTOR PACKAGE, AND THERMAL RESISTANCE VALUE CALCULATING PROGRAM - 特許庁
また、発熱体抵抗の初期値との差分により発熱体抵抗値の異常を検出する。例文帳に追加
Furthermore, abnormality of heater resistance is detected based on the difference from the initial value thereof. - 特許庁
抵抗値Ｒ１、Ｒ２に基づいて、ＴＭＲ素子の抵抗値の戻り率を算出する（Ｓ５）。例文帳に追加
The return rate of the resistance value of the TMR element is calculated, based on the resistance values R1 and R2 (S5). - 特許庁
パーコレーション生体電池の比抵抗値Ｒが１０Ｅ６−１０Ωの間の適当な抵抗値を有する。例文帳に追加
The percolation biological battery has a specific resistance value R of 10E6-10 Ω. - 特許庁
ＬＳＩの端子９に、抵抗値が目標値である精度の高い基準抵抗素子Ｒが接続される。例文帳に追加
An accurate reference resistor R of which the resistance value is the target value, is connected to a terminal 9 of LSI. - 特許庁
絶対値精度が求められる終端抵抗の抵抗値を調整可能とすること。例文帳に追加
To regulate the resistance of a termination resistor in which modulus precision is required. - 特許庁
さらに、補助抵抗体４２をレーザートリミング等により抵抗値調整することにより、抵抗値調整された本発明の抵抗素子及び抵抗素子内蔵配線回路板を得ることができる。例文帳に追加
Further, the resistive element and the wiring circuit board with the built-in resistive element wherein the adjusted resistance value thereof can be obtained by adjusting the resistance value of the auxiliary resistor 42 according to laser trimming etc. - 特許庁
各トランジスタのベース電極に接続される抵抗に、高周波信号の周波数においては十分低い抵抗値を有し、また、直流電流に対してはバラスト抵抗として十分な抵抗値を有する抵抗が使用される。例文帳に追加
For a resistor connected to a base electrode of each transistor, a resistor having a sufficient low resistance value in a frequency of a high frequency signal and a sufficient resistance value as ballast resistance to a direct current is used. - 特許庁
外付けの基準抵抗と半導体集積回路に形成した抵抗の遅延量を比較して、半導体集積回路に形成した抵抗の抵抗値を補正する抵抗値補正回路を提供する。例文帳に追加
To provide a resistance value correcting circuit which corrects a resistance value of a resistor formed in a semiconductor integrated circuit by comparing delay amounts of signals outputted from an external reference resistor and the resistor formed in the semiconductor integrated circuit. - 特許庁
分圧電圧Ｖ_Xは、可変抵抗器ＶＲ_1の抵抗値と、可変抵抗器ＶＲ_2及び正温度係数抵抗器Ｒ_Xの合成抵抗値との比で電源電圧Ｖ_CCを分圧したものである。例文帳に追加
The divided voltage V_x is obtained by dividing a supply voltage V_cc by the ratio of the resistance value of the variable resistor VR_1 to the combined resistance value of the variable resistor VR_2 and the positive temperature coefficient resistor R_x. - 特許庁
鉛を含まない厚膜抵抗体組成物及びその抵抗ペーストを用いて、高い抵抗値を有しながら、抵抗値のバラツキ及びノイズが小さく、良好な電気的特性を有する厚膜抵抗体を形成する。例文帳に追加
To form a thick film resistor having small variation in resistance values, little noise, and good electric characteristics while exhibiting a high resistance value by using a lead-free thick film resistor composition and its resistance paste. - 特許庁
ゲート抵抗Ｒ１，Ｒ２の他端は、制御回路６に接続され、ゲート抵抗Ｒ２の抵抗値がゲート抵抗Ｒ１の抵抗値に比べて大きくなっている。例文帳に追加
The other-side ends of the gate resistor R1 and R2 are connected with a control circuit 6, and the resistance value of the gate resistor R2 is higher than the resistance value of the gate resistor R1. - 特許庁
可変抵抗回路ＶＴは、端子Ｎ３側から抵抗Ｔ１〜Ｔ８の抵抗値が順次大きくなり、反転入力端子に接続される抵抗Ｔ８の抵抗値が最も大きくなっている。例文帳に追加
The resistance of the resistors T1-T8 being components of the variable resistance circuit VT sequentially increases from a terminal N3 and the resistance of the resistor T8 connected to the inverting input terminal is highest. - 特許庁
下地高抵抗層２２の抵抗値Ｒ２は発熱抵抗層２３の抵抗値Ｒ１と「Ｒ２≧Ｒ１×１０」の関係にあり電流は殆ど流れず、薄い発熱抵抗層２３のみが発熱するので発熱効率がよい。例文帳に追加
Owing to the resistance value R2 of the base high resistance layer 22 having the relationship with the resistance value R1 of the heat generating resistor layer 23 of 'R2≥R1×0', only the thin heat generating resistor layer 23 generates heat with little flow of the current so as to provide satisfactory heat generating efficiency. - 特許庁
等価抵抗３，４は駆動するクロック信号の周波数によって抵抗値が変化する可変抵抗素子であり、この回路の利得は可変抵抗値の抵抗比、すなわち分周回路２の分周比で決定される。例文帳に追加
The equivalent resistors 3 and 4 are variable resistors to change resistance corresponding to the frequency of a clock signal to be driven and the gain of this circuit is determined by the resistance ratio of the variable resistance values, namely, the frequency dividing ratio of the frequency divider circuit 2. - 特許庁
磁気抵抗効果ヘッド３の初期抵抗値とヒータへ通電後の抵抗値とから抵抗の変化量dRを計算し、抵抗の変化量dRから温度上昇量dTを求め、温度上昇量dTから突出量P2を求める。例文帳に追加
The changed amount dR of the resistance is calculated from an initial resistance value of the magneto-resistance effect head 3 and a resistance after energized to a heater, and the temperature rise amount dT is obtained from the changed amount dR of the resistance to obtain the protruded amount P2 from the temperature rise amount dT. - 特許庁
抵抗値を連続的に変更可能なＭＯＳトランジスタによる可変抵抗素子（４１０、４１１、４１２）と、抵抗値が固定の抵抗素子（４１３、４１４）とを組み合わせて可変抵抗（４１）を作成する。例文帳に追加
Variable resistance elements (410, 411, 412) each of which is composed of a MOS transistor whose resistance value can be continuously changed and resistance elements (413, 413) whose resistance values are fixed are combined to create a variable resistor (41). - 特許庁
メモリセルアレイのソース拡散抵抗の等価抵抗値に従って、リファレンスセルＲＭＣのソースに接続される抵抗アレイ２０の各抵抗素子の抵抗値が設定される。例文帳に追加
A resistance values of each resistance element of a resistance array 20 connected to a source of a reference cell RMC is set conforming to an equivalent resistance value of source diffusion resistance of a memory cell array. - 特許庁
抵抗２８の抵抗値をＲｅとし、抵抗２９と抵抗３０の抵抗値を２Ｒとし、トランジスタ２３のエミッタ電圧をＶｏ’とすると、この電圧Ｖｏ’は、下記式のように表される。例文帳に追加
When a resistance value of a resistor 28 is defined as Re, a resistance value of resistors 29 and 30 is defined as 2R and emitter voltage of a transistor 23 is defined as Vo', the voltage Vo' is expressed as an equation:Vo'=2 Vbe 1+2(R/Re).1n(n).Vt. - 特許庁
可変終端抵抗２７及び固定終端抵抗２９には、抵抗体２１ａ、２１ｂの抵抗値と略同一の大きさの抵抗値を持つものが用いられる。例文帳に追加
In the variable termination resistor 27 and fixed termination resistor 29, a resistance value is nearly the same as that of resistors 21a and 21b. - 特許庁
感温抵抗８は、トライアック１が高温になると抵抗値が下がり、トライアック１が低温になると抵抗値が上がるものである。例文帳に追加
The resistance of a temperature sensing resistor 8 decreases when the triac 1 reaches the high temperature and increases when the triac 1 gets the low temperature. - 特許庁
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