「牲」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

犠牲層を、凹部１ａの底部に第１の犠牲層２を形成する工程と、この上に均一な厚さで第２の犠牲層３を形成する工程の２工程に分けて形成し、それぞれの工程での犠牲層厚みｔ_１、ｔ_２を独立に設定する。例文帳に追加

Thus the thicknesses of the sacrificial layers formed in the respective steps are individually set to values t_1 and t_2. - 特許庁

犠牲膜Ｇの表層部を溶解させる（図７（ｄ））。例文帳に追加

A crust part of the sacrifice film G is melted (Fig.7(d)). - 特許庁

自己犠牲型金属防食剤および金属防食方法例文帳に追加

SELF-SACRIFICIAL METAL CORROSION PREVENTIVE AGENT AND METAL CORROSION PREVENTIVE METHOD - 特許庁

犠牲者のもとにたどり着くことはできなかった。例文帳に追加

They could not now reach the victim;  - JULES VERNE『80日間世界一周』

薄明かりの中、フォッグ氏たちは犠牲者を見た。例文帳に追加

In the semi-obscurity they saw the victim,  - JULES VERNE『80日間世界一周』

この小羊は誓いを立てるときに犠牲とするんだ。例文帳に追加

when the oaths were taken.  - Andrew Lang『トロイア物語：都市の略奪者ユリシーズ』

さて、子羊は犠牲にされ、誓いが立てられた。例文帳に追加

Then the lambs were sacrificed, and the oaths were taken,  - Andrew Lang『トロイア物語：都市の略奪者ユリシーズ』

それは、何かを神のために犠牲にする人に違いない。例文帳に追加

Even he who is strong to suffer somewhat for God.  - Thomas a Kempis『キリストにならいて』

第１犠牲層１５と、第２犠牲層１６と、を有する複合犠牲層の上に可動ゲートが形成される可動ゲート形成工程と、第２犠牲層１６がエッチング除去される第２犠牲層除去工程と、第１犠牲層１５がエッチング除去される第１犠牲層除去工程と、を備える可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法とした。例文帳に追加

The method of manufacturing the movable gate type field-effect transistor includes a movable gate forming stage of forming a movable gate on a composite sacrificial layer having a first sacrificial layer 15 and a second sacrificial layer 16, a second sacrificial layer removing stage of etching the second sacrificial layer 16 away, and a first sacrificial layer removing stage of etching the first sacrificial layer 15 away. - 特許庁

犠牲層３５を残した状態で機能素子体３をパッケージ基板２に実装した後に、犠牲層除去孔１１から可動子封装空間部２１に犠牲層除去剤を充填して犠牲層３５を除去し、犠牲層除去孔１１を封止材層１３によって封止する。例文帳に追加

After a function element body 3 is mounted on a package substrate 2 with a sacrificial layer 35 left, a sacrificial layer removing agent is filled into the mounting space 21 through a sacrificial layer removing hole 11 to remove the sacrificial layer 35, and the hole 11 is sealed with a sealing member layer 13. - 特許庁

作製にあたり、有機材料層４上に犠牲層８が形成され、その犠牲層８の上にフォトレジスト９が形成される。例文帳に追加

Upon manufacture, a sacrifice layer 8 is formed on the organic material layer 4, and a photoresist 9 is formed on the sacrifice layer 8. - 特許庁

その後、ｎ^- 型エピ層２を犠牲酸化したのち、この犠牲酸化によってできた酸化膜を除去し、ＲＩＥによるダメージを除去する。例文帳に追加

Thereafter the epitaxial layer 2 is subjected to sacrificial oxidation and an oxide film formed by the sacrificial oxidization is removed to eliminate the damages by the RIE. - 特許庁

その後、犠牲膜１０５を選択的にエッチングすることにより犠牲膜１０５にトレンチパターン１０５ａを形成する。例文帳に追加

Then, the sacrifice film 105 is selectively etched, thereby forming a trench pattern 105a in the sacrifice film 105. - 特許庁

トレンチ側壁にバッファー層を有するトレンチを通じて犠牲膜を食刻して犠牲膜の少なくとも一部分をビアホールで除去する。例文帳に追加

The sacrifice film is etched through the trench having the buffer layer on the trench sidewall to remove at least a part of the sacrifice film in the via hall. - 特許庁

犠牲第１ゲート、ソース／ドレイン、第１の領域、および第２の領域の真上に犠牲層（３１４）が形成される。例文帳に追加

A sacrificial layer (314) is formed over the sacrificial first gate, the source and drain, the first region, and the second region. - 特許庁

半導体基板１０に犠牲膜２０を形成し、半導体基板２０に達する開口部２０ａを犠牲膜２０に形成する。例文帳に追加

A sacrificial film 20 is formed on a semiconductor substrate 10, and an opening 20a is formed reaching the semiconductor substrate 10 in the sacrificial film 20. - 特許庁

本発明は、犠牲層を介して固定電極５を作成した後、犠牲層を除去して可動電極４との間の空隙２１を作成する。例文帳に追加

After a fixed electrode 5 is formed through a sacrifice layer, the sacrifice layer is removed to form an air gap 21 between the fixed electrode 5 and a movable electrode 4. - 特許庁

プローブ下の犠牲層部分が除去された後、保持部下の犠牲層部分が残る間に、プローブを保持部から分離する。例文帳に追加

After the sacrifice layer part under the probe is removed, the probe is separated from the holding part while the sacrifice layer part under the holding part remains. - 特許庁

その後に、犠牲層１６を吐出孔Ａを通ってインク室ＣＨの外部に排出することで、犠牲層１６が除去される。例文帳に追加

Then, the sacrificial layer 16 is removed by discharging the sacrificial layer 16 to the outside of the ink chamber CH through the jetting port A. - 特許庁

そして、金属犠牲層に金属エッチング液が供給されることにより、金属犠牲層が除去される。例文帳に追加

Then, the metal sacrifice layer is removed by the supply of a metal etching liquid to the metal sacrifice layer. - 特許庁

その後、レジストマスクを除去し、さらにエッチング処理により、犠牲層の一部を残して該犠牲層を除去する。例文帳に追加

Thereafter, the resist mask is removed, and furthermore the sacrificial layer is removed with one part left by an etching processing. - 特許庁

下部犠牲層３０の上には、下貫通孔１２を有する下薄膜５が形成され、下薄膜５の上には、上部犠牲層３４が形成される。例文帳に追加

A lower thin film 5 having a lower through hole 12 is formed on the lower sacrifice layer 30, and an upper sacrifice layer 34 is formed on the lower thin film 5. - 特許庁

犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of raising etching rate of a sacrifice layer by further raising a modification degree of the sacrifice layer. - 特許庁

シリコン基板１に垂直な軸で、シリコン基板１を回転させながら斜め方向から犠牲層材料を蒸着し、犠牲層７を成膜する。例文帳に追加

Sacrifice layer material is deposited from the oblique direction with the substrate 1 rotating about an axis vertical to the substrate 1 to form a sacrifice layer 7. - 特許庁

シリコン酸化膜１１上に犠牲膜１３を形成し、犠牲膜とシリコン酸化膜１１を平坦化する。例文帳に追加

A sacrifice film 13 is formed on the silicon oxide film 11, and the sacrifice film and the silicon oxide film 11 are planarized. - 特許庁

第１の壁および犠牲層が基板上に順番に形成され、穴が第１の壁および犠牲層に形成される。例文帳に追加

A first wall and a sacrificial layer are sequentially formed on a substrate, and a hole is formed through the first wall and the sacrificial layer. - 特許庁

犠牲材料をアノード基板202の表面に周期的に塗布し、基板202のいくつかの領域には犠牲材料がない。例文帳に追加

A sacrificial material is periodically applied onto the surface of an anode substrate 202, and no sacrificial materials exist in some regions on the substrate 202. - 特許庁

トップシリコン層は埋め込み型犠牲層の上に配置されており、埋め込み型犠牲層はベースシリコン層の上に配置されている。例文帳に追加

The top silicon layer is arranged on the buried sacrifice layer, and the buried sacrifice layer is arranged on the base silicon layer. - 特許庁

犠牲酸化膜３上の分離絶縁膜６および犠牲絶縁膜３が研磨除去され、保護膜２０が露出される。例文帳に追加

The separation insulation films 6 on the sacrifice insulation film 3 and the film 3 are removed by polishing, to have the protective film 20 exposed. - 特許庁

第１マスクパターン１２１上に犠牲膜を形成した後、犠牲膜上にハードマスク膜を形成する。例文帳に追加

After forming a sacrificial film on the first mask pattern 121, a hard mask film is formed on the sacrificial film. - 特許庁

次に、犠牲層１５を溶解した後、溶解された犠牲層１５を、スリット１２を介して外部に排出する。例文帳に追加

After the sacrifice layer 15 is melted, the molten sacrifice layer 15 is discharged outside through the slit 12. - 特許庁

また、上部犠牲膜パターンは下部犠牲膜パターンに対してエッチング選択性を有する物質、望ましくは、シリコン酸化膜で形成する。例文帳に追加

The upper sacrificial film pattern is preferably made of silicon oxide film or another material, having etching selectivity with respect to the lower sacrificial film pattern. - 特許庁

本発明は、材料の反応により犠牲層１５の膜厚を増大させた後、この犠牲層１４を除去してインク流路の空隙を形成する。例文帳に追加

After the film thickness of a sacrifice layer 15 is increased by the reaction of materials, this sacrifice layer 15 is removed and an opening for the ink passage is formed. - 特許庁

犠牲試験片に発生するき裂をより簡単にモニタリングできる犠牲試験片のき裂検出装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a crack detector of a sacrifice test piece capable of more simply monitoring the crack generated in the sacrifice test piece. - 特許庁

エッチング孔１０から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣１７を低減する。例文帳に追加

A sacrificial layer remover is introduced from the etching hole 10 to reduce residues 17 of the sacrificial layer generated by the electrolytic etching. - 特許庁

ＳｉＮ膜３を除去して犠牲酸化膜を形成し、所定のイオン注入を行った後、犠牲酸化膜を除去し、ゲート酸化膜を形成する。例文帳に追加

A sacrificial oxide film is formed by removing the SiN film 3 and, after the sacrificial oxide film is removed, a gate oxide film is formed. - 特許庁

そして、酸化した犠牲層表面の端部を起点とした犠牲層の傾斜形状をサイドエッチングにより形成する。例文帳に追加

The inclined shape of the sacrifice layer with the terminal of the oxidized surface of the sacrifice layer as a starting point is then formed by side etching. - 特許庁

薄肉化されたものであっても優れた犠牲防食効果を有する犠牲防食アルミニウム合金板及びその複合材を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum alloy sheet with protective corrosion prevention, which has an excellent effect of protective corrosion prevention even if the sheet is thinned, and to provide its composite material. - 特許庁

犠牲材側とフラックスとの接触を回避でき、ろう付け不良を招くことなく犠牲材にＭｇを含有させて高強度化を図ることができる。例文帳に追加

Contact of a sacrificial material side and a flux can be avoided, and Mg can be contained in a sacrificial material to improve strength without causing a brazing defect. - 特許庁

次に、センサ領域１０を覆うように第１犠牲層３９および第２犠牲層４０を形成する。例文帳に追加

Then, a first sacrificial layer 39 and a second sacrificial layer 40 are formed so as to cover the sensor area 10. - 特許庁

ここで、表面保護膜を形成する際には、表面保護膜は犠牲剥離パターンの内部に空孔部を有するように犠牲剥離パターン内を埋め込む。例文帳に追加

Upon forming the surface protective film, the surface protective film so fills the sacrifice delamination pattern as to have a vacancy inside the sacrifice delamination pattern. - 特許庁

次に、犠牲被膜３上に第２被膜４を積層した後、犠牲被膜３を除去すれば、凹部に第２被膜４が形成される。例文帳に追加

Next, after a second film 4 is piled on the sacrifice film 3, the sacrifice film 3 is removed to form the second film 4 in the recesses. - 特許庁

第１の犠牲材料から作成された第１のパターンは、第２の犠牲材料から作成された第２のパターン上に配置される。例文帳に追加

The first pattern created from the first sacrificial material is arranged on the second pattern created from the second sacrificial material. - 特許庁

第１のパターン２ａと第２のパターン６ａとが、それぞれ、第１の犠牲材料と第２の犠牲材料とによって形成される。例文帳に追加

A first pattern 2a and a second pattern 6a are formed with the first sacrificial material and the second sacrificial material, respectively. - 特許庁

基板上に犠牲膜となる第１の絶縁材が堆積され、該第１の絶縁材上に、犠牲部分を有する第２の絶縁材が堆積される。例文帳に追加

A first insulating material that becomes a sacrificial film is deposited on a substrate, and a second insulating material having a sacrificial portion is deposited on the first insulating material. - 特許庁