「窒素ふん囲気」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

ウェル１ａの活性領域３の上に形成されたシリコン酸化膜に対し、Ｎ_2Ｏ雰囲気中で１０５０℃の熱処理を行うことにより、窒素を拡散させて窒素含有シリコン酸化膜４ｘを形成する。例文帳に追加

Nitrogen is diffused to form a nitrogen containing silicon oxidation film 4x by performing heat treatment of 1050°C for the silicon oxidation film formed on the active area 3 of a well 1a in an N2O atmosphere. - 特許庁

硼酸又は無水硼酸と含窒素高分子化合物の混合物を、窒素雰囲気中で加熱し、硼酸又は無水硼酸を還元・窒化することにより六方晶窒化硼素を合成する。例文帳に追加

The h-BN is synthesized by heating a mixture composed of boric acid or boric anhydride and a nitrogen-containing polymeric compound in a nitrogen atmosphere and reducing/nitriding the boric acid or boric anhydride. - 特許庁

高含窒素有機性廃棄物と、還元的雰囲気下で得られた活性炭とを１対１で混合するとともに、アンモニアを分解して硝酸を得る発酵菌とを混合する高含窒素有機性廃棄物の堆肥化方法。例文帳に追加

An organic waste with a high nitrogen content and an activated carbon obtained under a reducing atmosphere are mixed by 1 vs. 1 and a zymogeneous microorganism to produce nitric acid by decomposing ammonia is further mixed in this method. - 特許庁

続いて、同一反応炉内で、窒素（Ｎ）を含有する酸化性窒素ガスとして、ＮＯ、Ｎ_2 ＯまたはＮＯ_2 のいずれかを含むガスの雰囲気中で、加熱処理により酸窒化して、膜厚ＢのＳｉＯ_x Ｎ_y 膜３を形成する。例文帳に追加

Subsequently, oxidation and nitriding are performed by the heating treatment in the atmosphere of gas containing either of NO, N2O or NO2 as oxidation nitriding gas containing nitrogen (N) in the same reaction furnace to form the SiOxNy film 3 of film thickness B. - 特許庁

窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度４００℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするＲＦマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。例文帳に追加

A nitrogen-substituted titanium oxide thin film is produced by RF magnetron sputtering process with a target as titanium oxide under the conditions in a nitrogen-containing inert gas atmosphere and at a substrate temperature of 400°C or higher. - 特許庁

この方法では、窒素ガス雰囲気中で約６００〜１，４００℃の温度にペレットを加熱してから、真空中で加熱して、ペレットに接触する窒素をペレットの内部に拡散して、窒化物の析出を抑える。例文帳に追加

In this method, the pellet is heated in vacuum after being heated to a temperature of about 600-1,400°C in nitrogen gas atmosphere, whereby the nitrogen in contact with the pellet is diffused into inside of the pellet to suppress the precipitation of the nitrogen. - 特許庁

この接合容器１２内は窒素ガス雰囲気とされ、且つ制御回路３８の制御作用下に、圧力が３〜１０^5Ｐａの間の所定圧力で略一定となるように窒素導入量が制御される。例文帳に追加

The inside of this bonding vessel 12 is made into nitrogen gas atmosphere and the introduction rate of nitrogen is controlled so that the pressure is approximately constant at the prescribed pressure between 3-10^5 Pa under the control action of a control circuit 38. - 特許庁

そして、窒素原子を有するガス雰囲気下においてプラズマを発生させることにより、上記酸化膜の一部をプラズマ窒化させ、酸化膜上に窒素原子を含む絶縁膜が形成された半導体基板を得る。例文帳に追加

Plasma is generated under an atmosphere of a gas containing nitrogen atoms and plasma nitridation is performed on part of the oxide film, so that a semiconductor substrate in which an insulating film containing nitrogen atoms is formed over the oxide film is obtained. - 特許庁

また、窒素化合物層１６−２６をエッチングする際に、エッチング雰囲気中の窒素同位体Ｎ１５の含有量のピークを検出することでエッチング速度を求める。例文帳に追加

The etching speed is found by detecting a peak of nitrogen isotope 15N content in an etching atmosphere, when etching the nitrogen compound layers 16-26. - 特許庁

常温分離法により製造される窒素ガスを原料として安定した組成の窒素と水素と水との混合ガスを安価に製造することができる熱処理雰囲気ガス発生方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of generating a heat treatment atmospheric gas capable of inexpensively manufacturing a mixed gas of nitrogen, hydrogen and water of a stable composition while using a nitrogen gas manufactured by a cold separation method, as a raw material. - 特許庁

基板１を加熱室４で基板温度を所望の成膜温度よりも１０℃から１００℃高い状態に加熱した後、移載室６で窒素または水素または窒素と水素の混合ガス雰囲気で冷却する。例文帳に追加

The substrate 1 is heated to a state of a substrate temperature higher by 10 to 100°C than a desired deposition temperature in a heating chamber 4, following which the substrate is cooled in an atmosphere of nitrogen or hydrogen or a gaseous mixture composed of the nitrogen and the hydrogen in a transfer chamber 6. - 特許庁

シリコン基板１に酸素イオンを注入した後、酸素を含む不活性ガス雰囲気中で熱処理を行なってシリコン基板中に埋め込み酸化膜７を形成するＳＯＩ基板の製造方法であり、不活性ガスは、アルゴンと窒素とを含み、アルゴンと窒素との合計流量に対する窒素の流量が１％以上５０％未満でアルゴンと窒素とを混合したものである。例文帳に追加

In the method for manufacturing an SOI substrate by implanting oxygen ions in a silicon substrate 1 and then forming a buried oxide film 7 in the silicon substrate by performing heat treatment in an inert gas atmosphere containing oxygen, an inert gas contains argon and nitrogen admixed at such a ratio as the flow rate of nitrogen to the total flow rate of argon and nitrogen is not less than 1% and less than 50%. - 特許庁

アンモニア性窒素、鉄イオンおよびマンガンイオンを含む還元性雰囲気の地下水を次亜塩素酸イオンの供給量を抑えて浄化する。例文帳に追加

To clean underground water under a reducing atmosphere containing ammonium nitrogen, ferric iron, and manganese ion while suppressing a supplying quantity of hypochlorous ion. - 特許庁

シクロドデカノンを、６０℃以上の温度において取り扱う際に、その取り扱い雰囲気を、不活性ガス（例えばアルゴン又は窒素ガス）により充填する。例文帳に追加

The atmosphere for handling cyclododecanone at ≥60°C is filled with an inert gas (e.g. argon gas or nitrogen gas). - 特許庁

これは、酸素ガスと窒素ガスとを含む混合ガスを雰囲気ガスとし、その中で亜鉛を加熱して蒸発させることにより製造できる。例文帳に追加

The ultrafine zinc oxide particle is produced by vaporizing zinc with heat in a mixed gas atmosphere containing oxygen and nitrogen. - 特許庁

窒素雰囲気下で、金属リチウムを切削具を用いて切削しながら窒化反応を行わせる工程を有する粒状窒化リチウムの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing granular lithium nitride comprises a process in which nitride reaction is carried out while metallic lithium is cut with a cutting tool under nitrogen atmosphere. - 特許庁

または、非晶質酸化物層２を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。例文帳に追加

Or a step of forming the amorphous oxide layer 2 is performed in an atmosphere containing at least one of an ozone gas, a nitrogen oxide gas and the like. - 特許庁

並びに、この触媒を用いて酸素過剰雰囲気下において、メタンの存在下に窒素酸化物を分解する排ガス浄化方法。例文帳に追加

In the method for cleaning exhaust gas, nitrogen oxides are decomposed by using the catalyst in the oxygen enriched atmosphere and in the presence of methane. - 特許庁

よって、窒素雰囲気下ではその混晶であるInGaAs上にInGaAsを分解・蒸発させることなくSiCを成長させることが可能となる。例文帳に追加

Thus, the SiC can be grown without decomposing or evaporating the InGaAs on the InGaAs of a mixed crystal in the nitrogen atmosphere. - 特許庁

窒素（Ｎ_2）雰囲気中でのコバルト鉄（ＣｏＦｅ）のスパッタ付着により、スピン・バルブ・センサのピンド層構造を形成する。例文帳に追加

A spin valve sensor is formed into pinned layers by sputtering cobalt iron (CoFe) in a nitrogen (N_2) atmosphere. - 特許庁

不活性ガス雰囲気は、不純物６の含有量が２．０ｐｐｂ以下の窒素ガス或いはＡｒガスのいずれかによって構成される。例文帳に追加

The atmosphere of the inert gas is constituted of gaseous nitrogen or gaseous Ar having ≤2.0 ppb impurity 6 content. - 特許庁

リッジ１６及びトレンチ１５をガリウム膜２３で覆った後に、窒素雰囲気中で熱処理を行う。例文帳に追加

The ridge 16 and trench 15 are heat-processed in a nitrogen atmosphere after being covered with a gallium film 23. - 特許庁

不活性雰囲気のガスとして、アルゴン、ヘリウム、窒素のいずれか１種、またはこれらの混合ガスを使用する熱エッチング方法。例文帳に追加

Any one kind of argon, helium, and nitrogen, or a mixed gas of them, is used as the atmospheric gas. - 特許庁

加熱窒化処理の際に、窒素原子を含有するガスＡ、Ｂが流通可能な多孔質体３、４を雰囲気５に対して接触させる。例文帳に追加

During the nitriding under heating, porous bodies 3 and 4 through which gases A and B containing nitrogen atoms can be allowed to flow are brought into contact with the atmosphere 5. - 特許庁

窒素原子由来の結合を持つ表面への改質は、アンモニアガス雰囲気中での放電処理によって行われる。例文帳に追加

The modification of the surface into the surface having the nitrogen atom-derived bond is performed through discharge treatment in an ammonia gas atmosphere. - 特許庁

半導体チップの電極接合を、接着剤及び半田用フラックスの塗布及び窒素雰囲気中での硬化により行う。例文帳に追加

The electrode of the semiconductor chip is bonded by application of an adhesive and flux for soldering and by curing them in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

その際、レジストパターン６０から成膜雰囲気中に放出された窒素は、タンタル膜１３にドープされる。例文帳に追加

In this case, nitrogen discharged from the resist pattern 60 into a film formation atmosphere is doped in the tantalum film 13. - 特許庁

シリコン基板表面に、窒素雰囲気中において紫外光を照射し、基板表面から炭素を除去する。例文帳に追加

Ultraviolet rays are irradiated to the surface of a silicon substrate in a nitrogen atmosphere, to remove carbon from the substrate surface. - 特許庁

次いで、後アニール（ポストアニール）として、窒素及び酸素を含有する雰囲気中でアニールを行う（ステップＳ５）。例文帳に追加

Then, annealing is conducted in an atmosphere containing nitrogen and oxygen as an after-annealing (post-annealing) (step S5). - 特許庁

このようにして、成型体１３を窒素雰囲気中で焼結して、窒化チタン部材（窒化金属部材）１４を形成する。例文帳に追加

The formed body 13 is sintered in a nitrogen atmosphere in this way to form the titanium nitride member (metallic nitride member ) 14. - 特許庁

また、該シール室に還元性雰囲気ガスよりも比重量の大きい窒素ガス等の不活性ガスを吹き込む。例文帳に追加

Further inert gas such as nitrogen gas having larger specific gravity than that of the reducing atmospheric gas is blown into the sealing chambers. - 特許庁

元素として窒素を含有するガスを含むガス雰囲気中において、薄膜２１５と基板２２０をアニールし、スピンコート膜２１５を結晶化させる。例文帳に追加

The thin film 215 and the substrate 220 are annealed to crystallize spincoated film 215 in a gaseous atmosphere containing gas including nitrogen as an element. - 特許庁

半導体チップ２の配線基板１への実装は、たとえば窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中で行われる。例文帳に追加

When mounting the semiconductor chip 2 on a wiring board 1, the work is performed in a gas atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere, argon gas atmosphere, etc. - 特許庁

その後、第２の乾燥処理１６では、絶縁膜及びメタル配線を例えば常温の窒素雰囲気中で乾燥する。例文帳に追加

Thereafter, in the second drying process 16, the insulating film and metal wiring are dried up in the nitrogen atmosphere, for example, under the normal temperature. - 特許庁

この再溶融は、オンラインで、及び/又は、不活性ガス及び窒素ガスのうち１種又は２種からなるガス雰囲気下で、行うことが好ましい。例文帳に追加

The re-melting is preferably performed on-line and/or under the gas atmosphere consisting of one or two of inert gases and gaseous nitrogen. - 特許庁

繊維は、アンモニア雰囲気中で加熱し、次いで、ホウ素供給源と窒素供給源とを含む反応混合物と接触させることができる。例文帳に追加

The fiber may be heated up in an ammonia atmosphere and may then be brought into contact with a reaction mixture comprising a boron feed source and a nitrogen feed source. - 特許庁

電荷発生層２となる金属酸化物はエアロゾルデポジション法を用いて形成し、必要に応じて窒素や酸素雰囲気下にて作製する。例文帳に追加

The metal oxide constituting the charge generating layer 2 is formed by an aerosol deposition method optionally in an atmosphere of nitrogen or oxygen. - 特許庁

トランジスタ形成のために窒素雰囲気中でのエミッタアニール（ランプアニール：１０００℃ 前後 ３０秒程度）を行う。例文帳に追加

In order to form a transistor, emitter annealing (lamp annealing: about 1000°C, about 30 seconds) is performed in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

添加元素群の窒化物は、窒素雰囲気中で加熱処理することによって、ワイヤ材料の表面側に分散される。例文帳に追加

The nitrides of the group of additive elements are dispersed on the surface side of the wire material by heating treatment in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

そして、窒素雰囲気中において、積層構造部３に対して、ｐ型不純物を活性化させるアニール処理を行なう。例文帳に追加

In a nitrogen atmosphere, the laminate structure portion 3 is subjected to annealing processing for activating p-type impurities. - 特許庁

そして、この銅ペーストを塗布して湿潤窒素雰囲気中で脱バインダー処理を行って焼成し、配線基板を得る。例文帳に追加

Then, by coating this copper paste and carrying out a binder-removing treatment in a wet nitrogen atmosphere, and firing, a wiring board is obtained. - 特許庁

窒素雰囲気中で半導体基板１を熱処理し、ゲート電極４の表面にＳｉＮ層１８を形成する。例文帳に追加

The substrate 1 is subjected to thermal processing in a nitrogen atmosphere to form an SiN layer 18 on the surface of the electrode 4. - 特許庁

そして、窒素雰囲気中にて６００℃、１２時間の加熱処理を行って、ａ−Ｓｉ膜１２ａを結晶化して、ＣＧＳ膜１３を形成する。例文帳に追加

It is then heat treated at 600°C for 12 hours in a nitrogen atmosphere in order to crystallize the a-Si film 12a thus forming a CGD film 13. - 特許庁

微量の酸素を含む窒素雰囲気中でアニールを行い、ＴｉＮ層１５の表面にＴｉ酸化物１６を形成する（図１（ｂ））。例文帳に追加

The TiN layer 15 is annealed in a nitrogen atmosphere containing a very small amount of oxygen, by which a Ti oxide 16 is formed on the surface of the TiN layer 15 (b). - 特許庁

また、発光層の形成を窒素下、あるいは不活性ガス下で行うこと、雰囲気中の水分濃度を1000ppm以下とすることも含まれる。例文帳に追加

Moreover, forming the luminescence layer under nitrogen or inactive gas and making the moisture concentration of the atmosphere to be 1,000 ppm or power are included also. - 特許庁